「ツェ」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

ジョンを助けるため未来から送られたロボットのボディーガード，ターミネーター(アーノルド・シュワルツェネッガー)は破壊された。例文帳に追加

The Terminator (Arnold Schwarzenegger), a robotic bodyguard sent from the future to help John, was destroyed.  - 浜島書店 Catch a Wave

後半の部分で，共和党の候補者，アーノルド・シュワルツェネッガー氏がデービス知事の後任となるため選ばれた。例文帳に追加

In the second part, Republican candidate Arnold Schwarzenegger was chosen to replace Davis.  - 浜島書店 Catch a Wave

ユネスコの世界遺産であるクロアチアのプリトビツェ湖群国立公園が地球温暖化の影響を受けている可能性がある。例文帳に追加

The Plitvice Lakes National Park in Croatia, a UNESCO World Heritage site, may be suffering from the effects of global warming.  - 浜島書店 Catch a Wave

ルネサンスはフィレンツェからイタリアの他の地域へ，そしてヨーロッパのさらに北の地域へと広まった。例文帳に追加

The Renaissance spread from Florence to other parts of Italy and then to more northern parts of Europe.  - 浜島書店 Catch a Wave

14世紀初め，フィレンツェは毛織物業や金融業で栄え，ヨーロッパ最大の都市の１つとなった。例文帳に追加

In the early 14th century, Florence prospered in the wool and banking industries and became one of the largest cities in Europe.  - 浜島書店 Catch a Wave

フィレンツェでは，歴史的にも建築学的にも重要な建物や芸術の傑作を数多く見ることができる。例文帳に追加

You can find many historically and architecturally important buildings and art masterpieces in Florence.  - 浜島書店 Catch a Wave

女子の部では，エチオピアのティルフィ・ツェガエ選手が２時間22分23秒の大会新記録で優勝した。例文帳に追加

In the women's race, Ethiopia's Tirfi Tsegaye won in a meet record of 2:22:23. - 浜島書店 Catch a Wave

２月７日,オーストリアのヒンツェンバッハで行われた女子スキージャンプのW杯で，髙(たか)梨(なし)沙(さ)羅(ら)選手が10連勝を果たした。例文帳に追加

On Feb. 7, Takanashi Sara won her 10th straight women's ski jumping World Cup title in Hinzenbach, Austria. - 浜島書店 Catch a Wave

得られたトンネルダイオードは通常のツェナーダイオードやショットキーダイオードより立ち上がりが急峻である。例文帳に追加

The obtained tunnel diode has a sharper rise of sensitivity than conventional Zener diode or Schottky diode. - 特許庁

前記腸溶性の被覆剤としては、ゼラチン、シェラック、ツェイン、エチルセルロース及びメタクリル酸コポリマーから選択されるものであることが好ましい。例文帳に追加

The enteric coating is preferably selected from gelatin, shellac, zein, ethyl cellulose, and methacrylic acid copolymers. - 特許庁

ダイオード５５ｙ１、５５ｙ２は並列接続されており、ダイオードにはツェナーダイオードが用いられている。例文帳に追加

The diodes 55y1, 55y2 are connected to each other in parallel, and Zener diodes are used for the diodes. - 特許庁

複数のツェナーダイオードを用いることによって、簡易な構成で、所望の波形に変換できる波形整形回路を提供する。例文帳に追加

To provide a waveform shaping circuit that implements conversion to a desired waveform in a simple configuration using a plurality of Zener diodes. - 特許庁

スイッチング素子は、ツェナーダイオード、ショットキーバリアダイオード、または、ＭＩＭを含む様々な素子であることが可能である。例文帳に追加

The switching element can be various elements including a Zener diode, a Schottky barrier diode, or an MIM. - 特許庁

小型低損失アレイ導波路格子に結合された低減駆動電圧を有する非対称マッハ・ツェンダー干渉計例文帳に追加

ASYMMETRIC MACH-ZEHNDER INTERFEROMETER HAVING REDUCED DRIVE VOLTAGE COUPLED TO COMPACT LOW-LOSS ARRAYED WAVEGUIDE GRATING - 特許庁

ｐ形リン化硼素半導体層の製造方法、化合物半導体素子、ツェナーダイオード、及び発光ダイオード例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LAYER, COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, ZENER DIODE, AND LIGHT EMITTING DIODE - 特許庁

ツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ１２はブレークダウン電圧が異なり、これらには制御電圧入力端子５から調整用電圧が印加される。例文帳に追加

The Zener diodes ZD11 and ZD12 have different breakdown voltages and are applied with regulation voltages from a control voltage input terminal 5. - 特許庁

本発明のツェナーダイオード用ウェハー５は、不純物がドーナツ状に分布したウェハー１上にエピタキシャル層４を成長させている。例文帳に追加

The wafer 5 for a Zener diode is formed by growing an epitaxial layer 4 on a wafer 1 wherein impurities are distributed as a doughnut. - 特許庁

レーザダイオードは、マッハツェンダ型光変調器を集積化した波長可変レーザダイオードであり、第２のベース上に搭載されている。例文帳に追加

The laser diode is a wavelength tunable laser diode formed by integrating a Mach-Zehnder type light modulator and is mounted on the second base. - 特許庁

光集積回路１は半導体マッハツェンダ干渉計型変調器部（半導体ＭＺ変調器部）２と、フォトダイオード部３とを備える。例文帳に追加

The optical integrated circuit 1 includes a semiconductor Mach-Zehnder interferometer type modulator section (semiconductor MZ modulator setion) 2 and a photodiode section 3. - 特許庁

過電流制限回路２０はバイパス通路２１とダイオード２３と、ダイオード２３と逆向きのツェナーダイオード２２を有する。例文帳に追加

The overcurrent limiting circuit 20 has a by-pass passage 21, a diode 23 and a Zener diode 22 reversely facing the diode 23. - 特許庁

通常の回路動作時では、ツェナーザップ素子１に電流を印加せずにリードモード時に読み込んだデータをラッチ回路６より出力する。例文帳に追加

During a normal circuit operation, the data read in the read mode is output from the latch circuit 6 without applying any current to the zener zap element 1. - 特許庁

リング群１１での内外のリングの間においてポリシリコン・ツェナーダイオード１２ａ〜１２ｅが接続されている。例文帳に追加

Between inner and outer rings in the group 11 of rings, polysilicon zener diodes 12a to 12e are connected. - 特許庁

ツェナーダイオード２は過大な順方向電圧からＬＥＤチップ１を保護し、ダイオード３は逆方向電圧からＬＥＤチップ１を保護する。例文帳に追加

The zener diode 2 protects the LED chip 1 from the excessive forward voltage, and the diode 3 protects the LED chip 1 from the reverse voltage. - 特許庁

従来例の分岐器３におけるダイオードスイッチ３５ａ，３５ｂをツェナーダイオードＺＤ１ａ，ＺＤ２ａ，ＺＤ１ｂ，ＺＤ２ｂで構成する。例文帳に追加

Diode switches 35a, 35b in a branching device 3 in a conventional example are constituted by Zener diodes ZD1a, ZD2a and ZD1b, ZD2b, respectively. - 特許庁

非対称光ファイバ・マッハ−ツェンダ干渉計、及び、これを備えたマルチプレクサ／デマルチプレクサを提供する。例文帳に追加

To provide an asymmetrical optical fiber Mach-Zehnder interferometer and a multiplexer demultiplexer equipped with it. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタＮ２のドレインとソースとの間には、ツェナーダイオードＺＤ２が並列接続されている。例文帳に追加

A zener diode ZD2 is connected in parallel between the drain and the source of the MOS transistor N2. - 特許庁

定電圧ダイオード２１は、太陽電池モジュール１１の最適動作電圧をツェナー電圧とするものである。例文帳に追加

The constant-voltage diode 21 makes the optimum operation voltage of the solar battery module 11 into a Zener voltage. - 特許庁

トランジスターＱａに並列に、各々直列に接続された、電流制限抵抗Ｒ、ツェナーダイオード７２及び発光素子７４を接続する。例文帳に追加

A current limiter resistor R, a Zener diode 72 and a light emitting element respectively connected serially are parallel connected to a transistor Qa. - 特許庁

第1ツェナーダイオードZ1のアノードは、分岐ノードN1で分岐され、一方は抵抗R1を介して接地されている。例文帳に追加

An anode of the first Zener diode Z1 is branched at a branch node N1, and one branch is grounded via a resistor R1. - 特許庁

半導体レーザと半導体マッハツェンダ変調器とを集積した光集積回路において、小型化および低消費電力化を図ること。例文帳に追加

To perform miniaturization and to reduce power consumption in an optical integrated circuit for which a semiconductor laser and a semiconductor Mach-Zehnder modulator are integrated. - 特許庁

本発明に係るＤＣ／ＤＣコンバータによれば、ツェナーダイオードＤ５は実質的に０の温度係数をもつダイオードである。例文帳に追加

In this DC-DC converter, the Zener diode D5 is a diode having a temperature coefficient of substantially zero. - 特許庁

半導体光集積素子１は、半導体基板１２Ａと、半導体マッハツェンダー型光変調器１３と、半導体光増幅器１４とを備える。例文帳に追加

The semiconductor optical integrated device 1 includes: a semiconductor substrate 12A; a semiconductor Mach-Zehnder type optical modulator 13; and a semiconductor optical amplifier 14. - 特許庁

有機エレクトロルミネセンス素子１０と並列に過大電圧に対するバイパス回路となる保護回路であるツェナーダイオード４０を接続する。例文帳に追加

A Zener diode 40, a protection circuit for a bypass circuit with respect to excessive voltage, is connected in parallel with an organic electroluminescence element 10. - 特許庁

ツェナーダイオードは、基板１１とベース拡散層１２と第１ポリシリコン層１４ａと第２ポリシリコン層１４ｂとを具備している。例文帳に追加

A Zener diode comprises a substrate 11, a base diffusion layer 12, a first polysilicon layer 14a and a second polysilicon layer 14b. - 特許庁

１つのブランチの中にポリマー・クラッディングのセクションを採用しているマッハツェンダー干渉計を提供する。例文帳に追加

A Mach-Zehnder interferometer 100 which adopts the section of polymer cladding in one branch is provided. - 特許庁

電極の配線によるクロストークの影響を低減することができるマッハツェンダ型光変調器を提供する。例文帳に追加

To provide a Mach-Zehnder type light modulator capable of reducing effect of cross talk caused by the wiring of electrodes. - 特許庁

電源供給ライン５とグランドの間に複数個のツェナーダイオード７，８を互いに並列に挿入してある。例文帳に追加

Zener diodes 7, 8 are inserted between a power line 5 and a ground. - 特許庁

半導体光変調器、それを用いたマッハツェンダ型光変調器、及び半導体光変調器の製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR OPTICAL MODULATOR, MACH-ZEHNDER TYPE OPTICAL MODULATOR USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL MODULATOR - 特許庁

そして、ツェナーダイオードＤ1〜Ｄ5をピエゾ抵抗Ｒ1〜Ｒ4に並列に接続して保護回路１４を構成する。例文帳に追加

The zener diodes D1 to D5 are parallel connected to the piezoresistances R1 to R4 to form a protection circuit 14. - 特許庁

そして、ノイズ保護回路はカソードが対向接続された２つのツェナーダイオードからなり、スクイブに並列接続されている。例文帳に追加

Then, the noise protection circuit comprises two Zener diodes opposedly connected with a cathode and is connected to the squib in parallel. - 特許庁

半導体基板５に保護素子としてのツェナーダイオードを構成するためのｎ型半導体領域２１とp型半導体領域２２とを設ける。例文帳に追加

An n-type semiconductor region 21 and a p-type semiconductor region 22 are provided for constituting a zener diode as a protective element in the semiconductor substrate 5. - 特許庁

第３抵抗Ｒ３は、第２ツェナーダイオードＺＤ２のアノードと基準電圧端子１０６の間に設けられる。例文帳に追加

A third resistor R3 is provided between the anode of the second zener diode ZD2 and the reference voltage terminal 106. - 特許庁

半導体集積回路２１の負荷回路３４への出力電流Ｉｏは、ツェナーザップ方式のトリミングで、所定値に調整される。例文帳に追加

An output current Io to the load circuit 34 of a semiconductor integrated circuit 21 is adjusted to a prescribed value with the trimming of a Zener zap system. - 特許庁

第２トランジスタＭ２は、第２ツェナーダイオードＺＤ２のカソードと出力端子１０４の間に設けられる。例文帳に追加

A second transistor M2 is provided between the cathode of the second zener diode ZD2 and an output terminal 104. - 特許庁

ここで、過電圧防止手段は、光検出手段の電圧検出端子の電圧を制限する電圧リミッタ（ツェナーダイオード）となっている。例文帳に追加

Here, the overvoltage preventing means is a voltage limiter (Zener diode) limiting the voltage at a voltage detection terminal of the optical detecting means. - 特許庁