「ツェ」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

雑音発生装置１０は選別したツェナーダイオード１１（Ｇ）にツェナー電圧Ｖｚよりも大きい固定値の逆バイアス電圧Ｖｂ（Ｇ）を与えて白色雑音信号１１ａを発生する。例文帳に追加

The reverse bias voltage Vb(G) of a fixed value, which is larger than a Zener voltage Vz, is given to the selected Zener diode 11(G), and the white noise signal 11 is generated. - 特許庁

容易に被検レンズの位置を調整でき、短時間で測定を行うことができるマッハツェンダー干渉計及びマッハツェンダー干渉計による光学素子の検査方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a Mach-Zehnder interferometer capable of adjusting easily the position of a lens to be inspected and measuring in a short time, and an inspection method of an optical element by the Mach-Zehnder interferometer. - 特許庁

2の音声信号が大きくなった時に、11の高レベルセレクタの出力をクリップさせるために、20のツェナーダイオードを追加し、このツェナーダイオードで最大音声出力を制御する構成とした。例文帳に追加

When the level of a sound signal 2 becomes higher, a Zener diode 20 is added to clip the output of a high level selector 11, thereby controlling the maximum sound output. - 特許庁

これにより、隣接するＰＮ接合に定格ツェナー電圧を印加した際に、互いのＰＮ接合のツェナー降伏に影響を及ぼすことがない程度にそれぞれ電気的に分離している。例文帳に追加

As a result, when a rated Zener voltage is applied to the adjacent junctions 4, the junctions are electrically isolated from each other in such an extent that the voltage does not effect Zener breakdown. - 特許庁

直流電源Ｖ２からの入力電圧とＦＥＴ１のスイッチング出力電圧との差により、バックアップ電源回路４のコンデンサＣ６に、ツェナーダイオードＤ５のツェナー電圧でクランプされた電圧が充電される。例文帳に追加

The difference between an input voltage from a DC power supply V2 and a switching output voltage of FET1 charges a voltage clamped by a Zener voltage of a Zener diode D5 into a capacitor C6 of a backup power circuit 4. - 特許庁

バイポーラトランジスタの電流増幅率ｈＦＥに影響を与えることなく、ツェナーダイオードのツェナー電圧Ｖｚのみを高精度に調整することのできる、低コストの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing with a low cost which can adjust with high precision only the Zener voltage Vz of a Zener diode without giving an influence to the current amplification factor hFE of a bipolar transistor. - 特許庁

また、電界効果トランジスタQ1、Q2のゲート・ソース間に設けられる少なくとも一対のツェナーダイオードZD1、ZD2を同一のパッケージに収容したツェナーダイオードチップ77としている。例文帳に追加

At least a pair of Zener diodes ZD1 and ZD2 provided between a gate and a source of the electric field effect transistors Q1 and Q2 are housed in the same package so as to prepare a Zener diode chip 77. - 特許庁

一方、トランジスタＴｒのゲートに接続されたツェナーダイオードＺｄによって、トランジスタＴｒのゲート電位はツェナー電圧に保持される。例文帳に追加

On the other hand, the gate potential of the transistor Tr is held to a Zener voltage by a Zener diode Zd connected to a gate of the transistor Tr. - 特許庁

ここで付加されるツェナーダイオードＺＤは、検波出力のレベルを劣化させない程度のものを入れることが望ましく、例えば、そのツェナー電圧を４．４Ｖ〜５．８Ｖの範囲とする。例文帳に追加

A Zener diode with a rating of a degree not deteriorating the level of a detected output such as a Zener voltage range of 4.4 V-5.8 V is desirably adopted for the Zener diode ZD that is added to the terminal (13). - 特許庁

また、センサ本体２には、配線部１３に接触してｎ型低抵抗部１５を設け、これらのｐｎ接合部分にツェナーダイオードＤ1〜Ｄ4を形成すると共に、質量部５にもツェナーダイオードＤ5を形成する。例文帳に追加

Further, the sensor body 2 is provided with an n-type low resistance part 15 in contact with the wiring part 13 to form zener diodes D1 to D4 at these pn junction portions while forming a zener diode D5 also at a mass part 5. - 特許庁

ツェナダイオードＺＤ１によりノードＣとノードＤとの間が定電圧に保たれ、ツェナダイオードＺＤ２によりノードＤとノードＥとの間が定電圧に保たれる。例文帳に追加

The constant voltage is kept between a node C and a node E by a Zener diode ZD2, and the constant voltage is kept between the node D and a node E by a Zener diode ZD2. - 特許庁

この結果、出力停止回路４０をツェナーダイオードにて構成した従来装置のようにツェナーダイオードを外付けする必要がなく、イグナイタ制御装置全てを一つの半導体集積回路内に組み込むことができる。例文帳に追加

Consequently, it is not necessary to attach a tzener diode externally like an usual device constituted the output stop circuit 40 by the tzener diode and the entire igniter control device can be assembled in one semiconductor integrate circuit. - 特許庁

発光ダイオード２０、抵抗２１、ツェナーダイオード２２、端子１０３をそれぞれにホルダ１０２に仮に一体的に保持した後、発光ダイオード２０、抵抗２１、ツェナーダイオード２２、端子１０３を半田付けする。例文帳に追加

After a light-emitting diode 20, a resistor 21, a Zener diode 22, and a terminal 103 are held integrally temporarily by a holder 102 respectively, the light-emitting diode 20, the resistor 21, the Zener diode 22, and the terminal 103 are soldered. - 特許庁

ツェナーダイオードのアノード／カソード間をパワートランジスタ等の大電流源を用いることなく小さな設定電流で容易にツェナー降伏させることができる半導体装置のトリミング回路構造を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device trimming circuit structure, which enables Zener breakdown to occur easily between the anode and cathode of a Zener diode with a small set current, without using a large current source such as a power transistor or the like. - 特許庁

トランジスタＱ２のドレイン側でツェナーダイオードＺに対し所定値以上の逆方向電圧がかかった場合に電流をツェナーダイオードＺからバッテリ側に流すようにした。例文帳に追加

If a reverse voltage, which is higher than a predetermined voltage, is applied to the Zener diode Z on a drain side of the transistor Q2, this booster circuit passes the current from the Zener diode through the battery side. - 特許庁

この場合、トランジスタＴＲ１のベース電圧は、ツェナーダイオードＺ１のツェナー電圧の抵抗Ｒ３、Ｒ４による分圧であり、一定であるから、ＬＥＤ電流Ｉ_LED は一定である。例文帳に追加

In this case, since a base voltage of a transistor TR1 is of a voltage divided by resistors R3 to R4 of Zener voltage of a Zener diode Z1, and is constant, LED current I_LED is constant. - 特許庁

ｎ^+拡散層８ｂは、ｐ拡散層６ｂとツェナー降伏が生じるｐｎ接合を構成し、ツェナー降伏が生じるｐｎ接合は、フィールド酸化膜７から離れている。例文帳に追加

The n^+ diffusion layer 8b forms a p-n junction with a Zener breakdown, which is apart from the field oxide film 7, to a p diffusion layer 6b. - 特許庁

さらに、ツェルニケの多項式の第四項と第五項を構成するツェルニケ係数Ｃ４とＣ５はＣ５／Ｃ４＝２{１−ｃｏｓ(２φ)}／(ｃｏｓ(２φ)＋３)によりどちらかを一方の変数とする値となる。例文帳に追加

Either one of Zernike coefficients which constitute the fourth and the fifth terms of the Zernike polynomial is a value being a variable of the other by C5/C4=2{1-cos(2ϕ)}/(cos(2ϕ)+3). - 特許庁

発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素子を有する発光ダイオードであり、適切なツェナー電圧Ｖｚを持つツェナーダイオードを窒化物半導体発光素子に対して逆並列に電気接続する。例文帳に追加

This LED has a light emission element in which a light emitting layer is formed by using a Group-III nitride semiconductor, and the nitride semiconductor light emission element is connected with a Zener diode having a proper Zener voltage Vz in an antiparallel relation. - 特許庁

整流回路６１と、抵抗Ｒ１と、抵抗Ｒ２と、ツェナダイオードＤ１と、トランジスタＴｒ１と、整流回路６２と、抵抗Ｒ３と、ツェナダイオードＤ２と、を備える。例文帳に追加

The reduced voltage detection circuit includes: a rectification circuit 61; a resistor R1; a resistor R2; a Zener diode D1; a transistor Tr1; a rectification circuit 62; a resistor R3 and a Zener diode D2. - 特許庁

ツェナーダイオードＤ１〜Ｄ４は出力端子７に接続され、ツェナーダイオードＤ１〜Ｄ４における電源側の電位が、出力端子７から各スイッチ８，９の状態に応じた信号として出力される。例文帳に追加

The diodes D1 to D4 are connected to an output terminal 7, and potential on a power supply side in the diodes D1 to D4 is outputted as a signal corresponding to the states of each of the switches 8 and 9 from the terminal 7. - 特許庁

ＩＣ１２のバーンインにおいて電圧Ｖccよりも高い電圧ＶBI（８Ｖ）が印加されると、ツェナーダイオードＺＤがオンとなり、基準電圧生成回路１３はツェナー電圧Ｖｚに応じた基準電圧Ｖｒ(VBI)を生成する。例文帳に追加

When a voltage VBI (8 V) higher than the voltage Vcc is impressed at the burn-in of IC 12, the Zener diode ZD is turned on, and the reference voltage generating circuit 13 generates a reference voltage Vr (VBI) according to a Zener voltage Vz. - 特許庁

マッハツェンダ光回路の入力側光結合手段及び出力側光結合手段にＭＭＩカプラ２０、２１を用いることにより、低損失で偏波依存性の小さいマッハツェンダ光回路が得られる。例文帳に追加

The Mach-Zehunder optical circuit small in the polarization dependence with low loss is obtained by using the MMI couplers 20 and 21 for an input side optical coupling means and an output side optical coupling means of the Mach-Zehnder optical circuit. - 特許庁

電源線２４とグランド線２５との間の電源電圧ＶＢがツェナーダイオード３１のツェナー電圧ＶZ1未満の場合には、ＭＯＳトランジスタ２６、２７がオンして機器制御回路２３に電源電圧ＶＢが印加される。例文帳に追加

When power supply voltage VB between a power line 24 and a ground line 25 is lower than Zener voltage 21 of a Zener diode 31, MOS transistors 26, 27 are turned on and the power supply voltage VB is applied to an apparatus control circuit 23. - 特許庁

このツェナクランプは一定時間強制的に動作することで、ツェナクランプ動作のオン・オフを繰り返すゲート発振異常を防ぐことができ、安全にＩＧＢＴの短絡エネルギーを低減することが可能になる。例文帳に追加

By forcibly operating the Zener clamp for a fixed period, gate oscillation abnormality of repeating turning-on and -off of Zener clamp operations can be prevented, and short-circuit energy of an IGBT can be safely suppressed. - 特許庁

加熱方向の電流が通電するときにはダイオード２３が導通オン状態となり、ツェナーダイオード２２のツェナー電圧を越えた時に電流がサーモモジュール５とバイパス通路２１とに分流して流れる。例文帳に追加

When a current in the heating direction is passed through the thermomodule 5, the diode 23 turns on and when the Zener voltage of the Zener diode 22 exceeds its set value, the current is shunted into the thermomodule 5 and the passage 21 to flow. - 特許庁

波長特性の温度依存性を低減することができる、低損失のマッハ・ツェンダ干渉計、アレイ導波路回折格子及びマッハ・ツェンダ干渉計の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a low-loss Mach-Zehnder interferometer which can reduce temperature dependence of wavelength characteristics, and to provide an arrayed waveguide diffraction grating and a method for manufacturing the Mach-Zehnder interferometer. - 特許庁

受信者は時刻１よりも後の時刻２に第２の光子を、上記マッハ−ツェンダー干渉計に入力し、上記マッハ−ツェンダー干渉計の２つの出力それぞれにおいて光子の測定を行う。例文帳に追加

The recipient inputs the second photon in the Mach-Zehnder interferometer at time 2 after time 1 to measure the photons in each of two outputs of the Mach-Zehnder interferometer. - 特許庁

第１ＬＥＤ１０１と同作動極性の第１ツェナーダイオード５０１とを並列に接続して、第１ＬＥＤツェナーダイオードセットを構成する。例文帳に追加

A first set of an LED and a zener diode is constituted by connecting a first LED 101 and a first Zener diode 501 having the same working polarity in parallel. - 特許庁

第２ＬＥＤ１０２と同作動極性の第２ツェナーダイオード５０２とを並列に接続して、第２ＬＥＤツェナーダイオードセットを構成する。例文帳に追加

A second set of an LED and a zener diode is constituted by connecting a second LED 102 and a second Zener diode 502 having the same working polarity in parallel. - 特許庁

第２ツェナーダイオードＲＺ４は、第１バランス抵抗Ｒ３に直列に接続され、第１ツェナー電圧Ｖｒ３以上の電圧が印加されると第１バランス抵抗Ｒ３に一方向に電流を流す。例文帳に追加

The second Zener diode RZ4 is connected in series with the first balance resistor R3 and lets a current flow in one direction to the first balance resistor R3 when a voltage not less than the first Zener voltage Vr3 is applied thereto. - 特許庁

ツェナーダイオードの温度変化によるツェナー電圧の変化に起因するグリッド電極の電位の変動を抑制することのできる帯電装置及び画像形成装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a charging device capable of suppressing potential variation of a grid electrode caused by a change in Zener voltage due to a temperature change of a Zener diode, and to provide an image forming apparatus. - 特許庁

第２ツェナーダイオードＲＺ４は、第２バランス抵抗Ｒ４に直列に接続され、第２ツェナー電圧Ｖｒ４以上の電圧が印加されると第２バランス抵抗Ｒ４に一方向に電流を流す。例文帳に追加

The second Zener diode RZ4 is connected in series with the second balance resistor R4, and lets a current flow in one direction to the second balance resistor R4 when a voltage not less than the second Zener voltage Vr4 is applied thereto. - 特許庁

第１ＬＥＤツェナーダイオードセットと第２ＬＥＤツェナーダイオードセットとを逆極性直列に接続することにより、電圧制限及び逆極性直列接続式ＬＥＤ装置が構成される。例文帳に追加

The voltage-limiting and reverse polarity series type LED device is constituted by connecting the first set of the LED and zener diode and the second set of the LED and the zener diode in a reverse polarity series manner. - 特許庁

放電部１０１−１は、２次側平滑コンデンサ２２の充電電圧がツェナーダイオード２７のツェナー電圧以上になると、２次側平滑コンデンサ２２に充電された電荷の放電を開始する。例文帳に追加

The discharge part 101-1 starts discharge of electric charges charged in a secondary side smoothing capacitor 22, when the charged voltage of the secondary side smoothing capacitor 22 becomes a Zener voltage or more of a Zenor diode 27. - 特許庁

かかる構成において、双方向ツェナダイオード４０によってツェナ電圧にまで下げられたサージ電圧は保持トランジスタ３２に対して印加されるように構成されている。例文帳に追加

In the above configuration, it is configured that the surge voltage which is reduced to the Zener voltage by the bidirectional Zener diode 40 is applied to the hold transistor 32. - 特許庁

発光素子を制御するダイナミックドライブ回路で、発光素子（ＬＥＤ２−ａ）と過電圧保護用のツェナーダイオード２０１との並列回路と直列に、ツェナーダイオード２０１と逆極性にダイオード２１１を設ける。例文帳に追加

A dynamic drive circuit for controlling the light emitting element is provided with a diode 211 which is serially connected to the parallel circuit of the light emitting element (LED2-a) and the over-voltage protection Zener diode 201 and also which has the opposite polarity of the Zener diode 201. - 特許庁

電圧Voを抵抗器R3とR4で分圧し、トランジスタＱのベースに印加し、トランジスタＱのエミッタをツェナダイオードD2のツェナ電圧でクランプする。例文帳に追加

The voltage Vo is separated with the resistors R3 and R4, and the separated voltage is impressed to the base of the transistor Q, and the emitter of the transistor Q is cramped by the Zener voltage of the Zener diode D2. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴ２４のゲート端子には、ツェナーダイオード３２のツェナ電圧に対応する一定電圧が印加され続け、オン状態を維持し、モータ２０に駆動電流Ａ４が供給され続ける。例文帳に追加

In a gate terminal MOSFET 24, a constant voltage corresponding to a zenner voltage of a zenner diode 32 is kept being applied and is maintained in the ON state, and a driving current A4 is kept being provided to the motor 20. - 特許庁

本発明に係わる雑音発生用ツェナーダイオードの選別方法は、発生させた雑音のランダム性に基づき雑音発生用ツェナーダイオードの良品を選別する段階と、この選別した良品のツェナーダイオードと選別対象のツェナーダイオードについて、逆バイアス電圧と検波雑音電圧との関係の類似性を検査し、この類似性がある程度大きい場合にはこの選別対象のツェナーダイオードを新たな良品として選別する段階とを有する。例文帳に追加

The method for sorting the zener diode for generating noise comprises a stage for sorting conforming zener diodes for generating noise, based on the randomness of the generated noise; and a stage for inspecting similarities in the relation between inverse bias voltage and detection noise voltage and sorting a target zener diode as a new conforming article, when the similarity is large to some extent. - 特許庁

中央の２つのツェナーダイオード３は共通の銅板４の上にマウントされて、中央の２つの発光素子２が直列に接続されているので、後は外側のツェナーダイオード３をそれぞれ隣り合うツェナーダイオード３にワイヤ５で接続するだけで、４個の発光素子２が直列に接続されて回路構成が完了する。例文帳に追加

Since two central Zener diodes 3 are mounted on a common copper plate 4 and two central light emitting elements 2 are connected in series, four light emitting elements 2 are connected in series to complete circuitry by simply connecting outer Zener diodes 3, respectively, with adjacent Zener diodes 3 through a wire 5. - 特許庁

コンデンサＣ１とグランドとの間にツェナーダイオードＺＤ２を配置すると共に、コンデンサＣ１とツェナーダイオードＺＤ２との接続点と二次コイルＬ２との間に抵抗素子Ｒ１を配置し、点火放電を終えた点火プラグＰＧから、抵抗素子Ｒ１を経由して、降伏状態のツェナーダイオードＺＤ２に電流が流れ込むよう構成した。例文帳に追加

The construction is made so that the Zener diode ZD2 is disposed between the capacitor C1 and the ground and a resistance element R1 between the connection point of the capacitor C1 and the Zener diode ZD2 and the secondary coil L2 to feed a current from the ignition plug PG after completion of ignition discharge through the resistance element R1 into a Zener diode ZD2 being broken down. - 特許庁

温度検出回路は、定電流を生成する定電流回路と、定電流が供給されると、温度に応じて変化する降伏電圧を生成するツェナーダイオードと、降伏電圧と所定電圧との大小関係に基づいて、ツェナーダイオードの温度が、降伏電圧が所定電圧となる際のツェナーダイオードの温度より高いか否かを示す出力信号を出力する信号出力回路と、を備える。例文帳に追加

The temperature detection circuit includes a constant current circuit generating constant current, a Zener diode generating breakdown voltage varying depending on the temperature when the constant current is supplied, and a signal output circuit for output of the output signal indicating whether the Zener diode temperature is higher than the Zener diode temperature when the breakdown voltage is turned into a predetermined voltage, based on a magnitude relationship between the breakdown voltage and the predetermined voltage. - 特許庁

マッハツェンダ変調器の制御方法は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出ステップと、電流検出ステップにおいて検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定ステップと、を含む。例文帳に追加

The control method for the Mach-Zehnder modulator includes a current detection step for detecting the current value flowing in the electrode provided in any one light guide of the Mach-Zehnder modulator, and a determination step for determining the failure state of the Mach-Zehnder modulator based on the current value detected in the current detection step. - 特許庁

過大電圧が印加されると、その過大電圧の印加に起因した大電流をツェナーダイオード１の方に流すようにして、二次電池保護ＩＣ２００のような電子デバイスの方に流れることを抑制すると共に、ツェナーダイオード１に対して並列に接続されている二次電池保護ＩＣ２００の端子間電圧を、そのツェナーダイオード１の降伏電圧程度の一定の電圧に保つ。例文帳に追加

When overvoltage is applied, heavy current resulting from the overvoltage flows into the Zener diode 1, to prevent a heavy current from flowing into the electronic device, such as a secondary battery protection IC200, and keep the voltage between terminals of the secondary battery protection IC200 connected in parallel with the Zener diode 1 at constant voltage, equivalent to breakdown voltage of the Zener diode 1. - 特許庁