「ポーラス‐シリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ポーラスシリコンにより高密度反応空間アレイを形成したマイクロリアクター例文帳に追加

MICROREACTOR HAVING HIGH-DENSITY REACTION SPACE ARRAY FORMED BY POROUS SILICON - 特許庁

前記シリコン基板に対し陽極化成処理を施すことによりポーラスシリコン層を形成する。例文帳に追加

A porous silicon layer is formed by applying a positive electrode conversion treatment on the silicon substrate. - 特許庁

ソース領域３ａ及びドレイン領域４ａの底面は、ポーラスシリコン層２の上面に近接してポーラスシリコン層２の上面よりも上方に位置している。例文帳に追加

The bottom surface of the source region 3a and drain region 4a is close to the upper surface of the porous silicon layer 2 above the upper surface of it. - 特許庁

シリコン基板２０の上に陽極化成でポーラスシリコン層６０を形成し、このポーラスシリコン層６０の上にエピタキシャル成長膜７０を成長させ、このエピタキシャル成長膜７０にガラス基板９０を貼り付ける。例文帳に追加

A porous silicon layer 60 is formed on the silicon substrate 20 by anode conversion, an epitaxial growth film 70 is grown on the porous silicon layer 60, and then the epitaxial growth film 70 is adhered to a glass substrate 90. - 特許庁

光検出器１００は、ｐ型Ｓｉ基板１１と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリコン領域１２と、ポーラスシリコン領域１２上に形成されたＡｕ電極１３と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリコン領域と反対側のｐ型Ｓｉ基板上に形成されたオーミック電極１４とを有する光電子放出面と、陽極１５とを備える。例文帳に追加

This photodetector 100 comprises a photoelectron emission surface having a p-type Si substrate 11, a porous silicon area 12 formed on the p-type Si substrate, an Au electrode 13 formed on the porous silicon area 12, and an ohmic electrode 14 formed on the p-type Si substrate opposite to the porous silicon area 12 formed on the p-type Si substrate; and an anode 15. - 特許庁

第１のシリコン基板１０ａには、ポーラスシリコン１５が形成された可動板２、ばね部３、垂直静電コム６等が形成されている。例文帳に追加

A movable plate 2 on which a porous silicon 15 is formed, a spring part 3 and vertical electrostatic combs 6 or the like are formed on the first silicon substrate 10a. - 特許庁

シランカップリング剤により表面をシラン化した後、シリコンウエハからポーラスシリコンを分離してシリコン粒子を得る。例文帳に追加

The obtained silicon particles are purified by liquid chromatography to obtain the fluorescent silicon particles. - 特許庁

ポーラスシリコン技術を用いて、基板の一部に絶縁層を有する貼り合わせ基板を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a bonding substrate having an insulation layer in a part of a substrate using a porous silicon technique. - 特許庁

重量が比較的軽く、ポーラスシリコン板が枠体から浮き上がることのない保持テーブルアセンブリを提供する。例文帳に追加

To provide a holding table assembly that is relatively light and does not cause a porous silicon board to be lifted from a frame body. - 特許庁

カットしたシリコンウエハに、濃HFと濃HNO_3の混合溶液を作用させた後、HFとHNO_3とH_2Oとの混合溶液を作用させ、ポーラスシリコンを得る。例文帳に追加

The surface of the obtained porous silicon is silanized by using a silane coupling agent and the silanated porous silicon is separated from the cut silicon wafer to obtain silicon particles. - 特許庁

光音響ガスセンサのキャビティを形成するＳiチップ１１におけるガス通流路１４の形成部位を陽極酸化してポーラスシリコン層１３を形成し、このポーラスシリコン層をガス通流路内に一体に形成したガス拡散フィルタとする。例文帳に追加

A portion forming a gas flow passage 14 in an Si chip 11 for forming a cavity for a photoacoustic gas sensor is anodic-oxidized to form a porous silicon layer 13, and the porous silicon layer serves as the gas diffusion filter formed integrally inside the gas flow passage. - 特許庁

このようにして、新しい材料および構造であるポーラスシリコン領域を有したｐ型Ｓｉ基板によって光電子放出面および光検出器を構成することができる。例文帳に追加

The photoelectron emission surface and the photodetector can be constituted by the p-type Si substrate having the porous silicon area of new material and structure. - 特許庁

シリコン粒子は、フッ化水素（ＨＦ）酸およびアルコール類を含む第３の溶液中に浸漬し、電圧を印加し、シリコンウエハ上にポーラスシリコン層を形成することによって形成される。例文帳に追加

Silicon particles are formed by immersing a silicon wafer into a third solution containing hydrofluoric acid (HF) and alcohols and then applying a voltage to the silicon wafer to form a porous silicon layer on the silicon wafer. - 特許庁

シリコン基板の表面をＨＦ溶液中で陽極酸化処理する工程、及び得られたポーラスシリコン基板にポリヌクレオチドを固定化する工程を含む、マイクロアレイの製造方法。例文帳に追加

A manufacturing method of the micro array includes a process for implementing an anodic oxidation process on a surface of a silicon substrate within a HF solution, and a process for fixing the polynucleotide on the obtained porus silicon substrate. - 特許庁

シリコン粒子は、第１の有機溶媒中にシリコンウエハを沈殿し、シリコンウエハからポーラスシリコン層を超音波によって除去することによって有機溶媒中に混合される。例文帳に追加

The silicon particles are mixed in the first organic solvent by immersing the silicon wafer into the first organic solvent and removing the porous silicon layer from the silicon wafer by utilizing an ultrasonic wave. - 特許庁

その結果、シリコン領域１とソース領域３ａ及びドレイン領域４ａの底面とのｐｎ接合部分に生じる空乏層８は、ポーラスシリコン層２内に達している。例文帳に追加

As a result, a void layer 8 occurring at the pn-junction between the silicon region 1 and the bottom surface of the source region 3a and drain region 4a extends into the porous silicon layer 2. - 特許庁

この後、ポーラスシリコン層６０を分断して除去し、ガラス基板９０の上にエピタキシャル成長膜７０による単結晶薄膜シリコン層を得る。例文帳に追加

Then, the porous silicon layer 60 is splitted and removed to obtain a single crystal thin-film silicon layer due to the epitaxial growth film 70 on the glass substrate 90. - 特許庁

シリコン基体の破損、損傷を生ずることなく安定に生産でき、かつアスペクト比が高い細孔が得られ、面積の大きいものであっても容易に生産できる高規則性ポーラスシリコンの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a highly ordered porous silicon in which porous silicon can be stably produced without causing breakage nor damage to a silicon base, pores of high aspect ratio can be obtained, and even porous silicon having large area can be easily produced. - 特許庁

ポーラスシリコン領域は、１つのステップで、水溶液に溶解した金属イオンのインサイチュ還元の実施と、前記領域に得られた金属粒子の固定と、が行われて、金属化される。例文帳に追加

A porous silicon zone is metallized by performing in situ reduction of metallic ions dissolved in an aqueous solution and fixing of the metallic particles obtained on the zone in a single step. - 特許庁

前記シリコン基板にカーボンナノチューブを分散させたメッキ浴を用いて電気メッキを施すことにより、カーボンナノチューブの一部を前記ポーラスシリコン層の微細孔に貫入させて突き立て、前記シリコン基板にほぼ垂直に配向させて固定した。例文帳に追加

An electroplating is applied on the silicon substrate using a plating bath dispersed with carbon nanotubes, and a part of carbon nanotubes are penetrated into the micropores of the porous silicon layer and are thrusted on it, thereby they are fixed in almost perpendicularly on the silicon substrate. - 特許庁

シリコン基体１０１にポーラスシリコン層１０２を形成し、その上にインクジェット記録ヘッドの構成要素となる各層を形成し、吐出口１０９を形成した後にシリコン基体１０１を切り離し、その後にインク供給口を形成する。例文帳に追加

A porous silicon layer 102 is formed on a silicon substrate 101, and respective layers being constitutional elements of an inkjet recording head are formed thereon, and after a delivering opening 109 is formed, a silicon substrate 101 is cut off, and thereafter, an ink feeding opening is formed. - 特許庁

本発明のマイクロチャネルは、形成すべきマイクロチャネルの深さに相当する厚みのＰ型シリコン層３を上部に有するＮ型シリコン層２を用い、Ｐ型シリコン層３を選択的に陽極酸化した後、ガスまたは薬液を用いてポーラスシリコン領域１１を選択的に除去することによって製造する。例文帳に追加

The micro-channel is formed with a type-N silicon layer 2 having, over the layer, a type-P silicon layer 3 of a thickness corresponding to the depth of a to-be-formed micro-channel by anodizing the type-P silicon layer 3 selectively and removing the porous silicon area 11 selectively with a gas or chemical. - 特許庁

熱絶縁層２は、熱伝導率が基板３よりも小さくなるようにポーラスシリコンにより形成され、発熱層１を支持するとともに、発熱層１の通電に伴う発熱層１からの伝熱による一部の温度上昇と、発熱層１から入射する赤外線の反射との少なくとも一方により、発熱層１に向かう向きに赤外線を放射する。例文帳に追加

The heat insulating layer 2 is formed of porous silicon such that thermal conductivity may become smaller than that of the substrate 3, supports the heat generation layer 1, and radiates infrared rays toward the heat generation layer 1 by at least one of a partial temperature increase by heat transfer from the heat generation layer 1 following energization of the heat generation layer 1 and reflection of infrared rays entering from the heat generation layer 1. - 特許庁

半導体装置は、第１導電型のシリコン領域１と、シリコン領域１の内部に埋め込み層として形成されたポーラスシリコン層２と、シリコン領域１の上面内に選択的に形成された、上記第１導電型とは異なる第２導電型のソース領域３ａ及びドレイン領域４ａとを備えている。例文帳に追加

A first conductivity silicon region 1, a porous silicon layer 2 formed as an embedded layer inside the silicon region 1, and second conductivity source region 3a and drain region 4a which are different from the first conductivity and formed selectively in the upper surface of the silicon region 1, are provided. - 特許庁