「レジスト除去」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

リフトオフ用レジスト除去剤組成物例文帳に追加

RESIST REMOVING AGENT COMPOSITION FOR LIFT-OFF - 特許庁

レジストパターン４を、硫酸系の溶液で除去する。例文帳に追加

The resist pattern 4 is removed with a sulfuric acid based solution. - 特許庁

レジスト材及び／又は平坦化材の除去方法例文帳に追加

METHOD FOR REMOVING RESIST MATERIAL AND/OR PLANARIZING MATERIAL - 特許庁

製版用レジスト及びグラビアインキ等の除去剤例文帳に追加

REMOVER FOR PLATE MAKING RESIST, GRAVURE INK AND THE LIKE - 特許庁

配線の形成後、レジストパターンを除去する。例文帳に追加

After formation of the wiring, the resist pattern is removed. - 特許庁

その後、レジストパターンは除去される（処理Ｓ５）。例文帳に追加

Thereafter, a resist pattern is removed (treatment S5). - 特許庁

この後、パターン化したフォトレジスト層を除去する。例文帳に追加

Thereafter, the patterned photoresist layer is removed. - 特許庁

（５）レジスト膜の表層部分を研削し除去する。例文帳に追加

(5) The surface area of the resist film is removed with the grinding process. - 特許庁

その後、レジスト３をドライエッチングにより除去する。例文帳に追加

Thereafter, the remaining resist 3 is removed by dry etching. - 特許庁

その後、レジスト層２３及び絶縁層２１を除去する。例文帳に追加

Thereafter, the resist layer 23 and the insulated layer 21 are removed. - 特許庁

フォトレジスト剥離除去方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND EQUIPMENT FOR EXFOLIATING PHOTORESIST - 特許庁

ガラス基板端面の残存レジスト除去方法例文帳に追加

METHOD OF REMOVING RESIDUAL RESIST ON END SURFACE OF GLASS SUBSTRATE - 特許庁

その後、リフトオフ用レジスト２４を除去する。例文帳に追加

Thereafter, the resist 24 for lift-off is removed. - 特許庁

パターニングされたフォトレジスト層を除去する。例文帳に追加

The patterned photo-resist layer is removed. - 特許庁

ポスト・エッチ・フォトレジストおよび残留物の除去法例文帳に追加

POSTETCHED PHOTORESIST AND METHOD FOR REMOVING RESIDUE - 特許庁

シャワーヘッド及びレジスト除去装置例文帳に追加

SHOWER HEAD AND RESIST REMOVING DEVICE - 特許庁

ホトレジスト除去用処理液および基板の処理方法例文帳に追加

TREATING LIQUID FOR REMOVING PHOTORESIST AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD - 特許庁

レジスト除去方法及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD OF REMOVING RESIST AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

レジスト残渣除去剤および洗浄剤例文帳に追加

RESIST RESIDUE REMOVER AND CLEANER - 特許庁

残フォトレジストの除去処理方法例文帳に追加

REMOVING TREATMENT METHOD FOR REMAINING PHOTO-RESIST - 特許庁

レジスト膜の除去方法および装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING RESIST FILM - 特許庁

第２のレジストパターン３を除去する。例文帳に追加

The second resist pattern 3 is removed. - 特許庁

基板端縁部のレジスト膜除去装置例文帳に追加

APPARATUS FOR REMOVING RESIST FILM FROM END EDGE PART OF SUBSTRATE - 特許庁

フォトレジスト膜除去方法及び装置例文帳に追加

METHOD OF ELIMINATING PHOTORESIST FILM, AND EQUIPMENT - 特許庁

現像により、露光されたレジストを除去する。例文帳に追加

The exposed resist is removed by development. - 特許庁

機能水を使ったレジスト除去方法、およびその装置例文帳に追加

METHOD FOR REMOVING RESIST USING FUNCTIONAL WATER AND APPARATUS THEREFOR - 特許庁

次に、前記レジストパターン４を除去する。例文帳に追加

The resist pattern 4 is removed. - 特許庁

その後、レジスト１０５を除去する（Ｄ）。例文帳に追加

Thereafter, the method also includes a step of removing the resist 105(D). - 特許庁

次に、めっきレジストを剥離等により除去する。例文帳に追加

Then, the plating resist is removed by peeling etc. - 特許庁

フォトレジスト膜除去装置および方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD OF REMOVING PHOTO RESIST FILM - 特許庁

フォトレジスト及びポリマ残留物の除去方法例文帳に追加

METHOD OF REMOVING PHOTORESIST AND REMAINING POLYMER - 特許庁

次に、レジスト膜８をアッシングによって除去する。例文帳に追加

Then, the resist film 8 is removed by ashing. - 特許庁

その後、めっきレジスト１７および下地１６を除去する。例文帳に追加

Thereafter, the plating resist 17 and the base 16 are removed. - 特許庁

レジスト表面層３の除去後、現像をする。例文帳に追加

After the resist surface layer 3 is removed, the resist layer is developed. - 特許庁

原位置におけるフォトレジスト物質除去方法例文帳に追加

METHOD FOR REMOVING PHOTORESIST MATERIAL IN ORIGINAL POSITION - 特許庁

次に、レジストパターン２５を溶解・除去する。例文帳に追加

The resist pattern 25 is dissolved and eliminated. - 特許庁

次に、めっきレジスト３を剥離等により除去する。例文帳に追加

The plating resist 3 is removed by separation. - 特許庁

その後、レジスト膜１０７を剥離除去する（ｅ）。例文帳に追加

Thereafter, the resist film 107 is separated off (e). - 特許庁

本発明は基板に塗布したレジスト除去に関し、より詳細には基板の周辺部に形成されたエッジビードと呼ばれるレジストのみをアッシング除去するレジスト除去装置およびレジスト除去方法に関するものである。例文帳に追加

To provide a device and method for removing a resist, more concretely, removing only the resist called edge beads formed to the periphery of a substrate by ashing, regarding the removal of the resist applied to the substrate. - 特許庁

フォトレジスト剥離後の残留物質を除去する方法例文帳に追加

METHOD FOR REMOVING RESIDUAL SUBSTANCE AFTER PHOTO RESIST PEELING - 特許庁

レジストパターンの除去後、配線が形成されている表面を薬液(62)で処理することにより、レジストパターン除去後の残渣物を除去する。例文帳に追加

After the resist pattern is removed, a surface where the wiring is formed is treated in a chemical liquid (62) to remove a residue after the resist pattern is removed. - 特許庁

イオン注入によりレジスト硬化層が形成されたレジストを、下地層にダメージを与えずに除去することが可能なレジスト除去装置およびレジスト除去方法を提供する。例文帳に追加

To provide a resist-removing apparatus and its method for removing resist, even when a resist cured layer is formed through ion implantation. - 特許庁

レジスト以外の基板材料を酸化させること無く、溶剤を用いた従来のレジスト除去方法に比べてレジストを効果的に除去することができるレジスト除去装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a resist removal device that enables resist to be removed more effectively than conventional resist removal methods that use solvents, without oxidizing the substrate material other than the resist. - 特許庁

レジストの除去方法、特に最表層にレジスト変性層が形成されている場合であっても高効率に基板からレジストを除去することができるレジスト除去方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for removing resist, particularly a method for removing resist by which resist can be efficiently removed from a substrate even when a resist modified layer is formed on an outermost surface layer. - 特許庁

レジスト残りを確実に防止しつつ良好な生産効率でレジストを除去することが可能な、レジスト除去装置およびレジスト除去方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method of removing a resist which can remove the resist with good production efficiency while preventing the resist from being retained certainly. - 特許庁