「レジスト除去」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行い、その後、レジストパターンを除去する。例文帳に追加

An ion is implanted by using the resist pattern as a mask, and then the resist pattern is removed. - 特許庁

レジスト溶解液モニタリング方法、半導体装置の製造方法、及びレジスト膜除去装置例文帳に追加

METHOD FOR MONITORING RESIST SOLUTION, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND RESIST FILM REMOVER - 特許庁

レジスト膜は、前記基板の周縁部におけるレジスト膜の不要部分が除去されている。例文帳に追加

In the resist film, an unnecessary part deposited on the periphery of the substrate is removed from the resist film. - 特許庁

レジスト液を供給する装置において，レジスト液中に溶け込んでいる気体を予め除去する。例文帳に追加

To previously remove a gas dissolved in a resist liquid in a resist liquid supply apparatus. - 特許庁

その後、フォトレジスト２１、２２を、フォトレジスト２２上に堆積した金属５１と共に除去する。例文帳に追加

Thereafter, photoresists 21, 22 are removed together with the metal 51 deposited on the photoresist 22. - 特許庁

レジスト除去及びレジスト下のフィーチャのファセット制御のためのプラズマ例文帳に追加

PLASMA FOR RESIST REMOVAL AND FACET CONTROL OF FEATURE UNDER RESIST - 特許庁

最後に、レジスト膜７００を酸素プラズマやレジスト剥離液等を用いて除去する（図３（ｄ））。例文帳に追加

Finally, the resist film 700 is removed by using an oxygen plasma or a resist peeling liquid, etc. (Fig.3(d)). - 特許庁

そして、ＢＯＥ１２１の裏面に形成したレジスト膜１２４をレジスト剥離液を用いて除去する。例文帳に追加

Then the resist film 124 formed on the back of the BOE 121 is removed by using a resist peeling liquid. - 特許庁

レジストを回収可能なレジスト剥離除去方法及びそれを用いる半導体製造装置例文帳に追加

RESIST PEELING AND REMOVING METHOD CAPABLE OF RECOVERING RESIST AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE USING IT - 特許庁

レジスト除去装置には、ＵＶ処理室７およびレジスト剥離処理室８が備えられている。例文帳に追加

The resist removing apparatus includes a UV processing chamber 7 and a resist stripping chamber 8. - 特許庁

レジスト塗布時に基板の貫通孔に入り込んだレジストを容易に除去する。例文帳に追加

To easily remove a resist entering a through hole of a substrate in resist coating. - 特許庁

その後、第２レジストパターン３１および第２レジストパターン３２を除去する。例文帳に追加

Thereafter, the second resist pattern 31 and the first resist pattern 30 are removed. - 特許庁

レジスト12を現像処理し、露光部分を除去しレジスト12による凹凸形状を形成する。例文帳に追加

The resist 12 is developed and exposed parts are removed to form a rugged shape of the resist 12. - 特許庁

レジスト残渣物を低温、短時間で完全に除去できるフォトレジスト剥離剤を提供すること。例文帳に追加

To provide a photoresist stripper for completely removing a resist residue at low temperatures in a short time. - 特許庁

その後、レーザーリフトオフによりサファイア基板１０を分離除去し、レジスト膜１５を除去する。例文帳に追加

After that, the sapphire substrate 10 is separated for removal by laser lift-off to remove the resist film 15. - 特許庁

露出された酸化ブロッキング膜１６０を除去し、フォトレジストを除去する。例文帳に追加

The exposed oxidizing blocking film 160 is removed, and the photoresist is eliminated. - 特許庁

Ｃｕｌｘの反応生成物を水洗処理によって除去した後、フォトレジストを除去する。例文帳に追加

After a reaction product of the Culx is eliminated by water washing treatment, the photo resist is eliminated. - 特許庁

除去工程では、膨潤したレジスト膜パターンが膨潤化に使用された薬液を用いて除去される。例文帳に追加

In the removal step, the swollen resist film pattern is removed using the chemical used for the swelling. - 特許庁

その後、イオン注入された部分の３層絶縁膜を除去し、また、レジストマスクを除去する。例文帳に追加

The three-layer insulating film in the portion of ion implantation is removed thereafter, and the resist mask is removed. - 特許庁

フォトレジスト４Ａを除去した後、その除去面に有機層間膜５を形成する。例文帳に追加

After the photoresist 4A is removed, an organic inter layer film 5 is formed on that removed surface. - 特許庁

そして、ＳＦ_6ガスによるドライエッチングによりSiＮ膜２を除去し、その後レジストを除去する（ｃ）。例文帳に追加

The SiN film 2 is removed by dry etching by SF6 gas, and the resist is then removed (c). - 特許庁

フォトレジストの除去に続いて、第２のエッチングにより、ＢＡＲＣが完全に除去される。例文帳に追加

Removal of the photoresist is followed by second etching, by which the BARC is completely removed. - 特許庁

フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物、並びにそれを用いた残渣除去方法例文帳に追加

COMPOSITION FOR REMOVING PHOTORESIST RESIDUE AND POLYMER RESIDUE AND METHOD OF REMOVING RESIDUE USING IT - 特許庁

Ｌｏｗ−ｋ膜残渣ポリマー及びレジストの除去液及び除去方法例文帳に追加

LIQUID AND METHOD OF REMOVING RESIDUAL POLYMER AND RESIST OF LOW-K FILM - 特許庁

リフロー工程後に、フォトレジスト層が除去され、かつ絶縁金属層も除去される。例文帳に追加

After a reflow process is carried out, the photoresist layer is removed off, and the insulating metal layer is also removed. - 特許庁

その後、レジスト２８を除去し、ドライエッチングにより埋込シリコン２５を除去する。例文帳に追加

Thereafter, the resist 28 is removed, and the embedded silicon 25 is removed by dry etching. - 特許庁

レジスト膜５３の除去後、撮像部２を覆うマスク層５２を除去する。例文帳に追加

After the resist film 53 has been removed, the mask layer 52 covering the image sensing section 2 is removed. - 特許庁

続いて、レジストパターンを除去した後、１回目の有機物の除去を行なう。例文帳に追加

Continuously, after the resist pattern is removed, a first removal of the organic matter is made. - 特許庁

その後レジストパターン寸法縮小剤の上層部分を除去液により除去する。例文帳に追加

Then, an upper layer portion of the resist pattern size shrinking agent is removed by a removing liquid. - 特許庁

レジストマスク１１を除去した後に、絶縁膜８をエッチングにより除去する。例文帳に追加

After the resist mask 11 is removed, the insulating film 8 is removed by etching. - 特許庁

レジスト成分の除去方法、ＳＯＧ成分の除去方法及びこれらに用いる剥離液例文帳に追加

RESIST COMPONENT REMOVING METHOD, SOG COMPONENT REMOVING METHOD, AND REMOVING LIQUID THEREFOR - 特許庁

次に、フォトレジストパターンをモノエタノールアミン及びジメチルアセトアミドを主成分に含有するフォトレジスト除去液により除去する。例文帳に追加

The photo-resist pattern is then removed by the photoresist remover containing, as main components, monoethanolamine and dimethylacetamide. - 特許庁

その後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１６などのレジスト除去溶剤を用いて、ウエハー６から印刷レジスト膜１１を除去する。例文帳に追加

Thereafter, a resist removing solvent such as an N-methyl-2-pyrrolidone 16 or the like is used to remove the printing resist film 11 from the wafer 6. - 特許庁

フォトレジスト膜等の除去工程を有する半導体装置の製造方法及びフォトレジスト膜除去装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING STEP OF REMOVING PHOTORESIST FILM OR THE LIKE AND PHOTORESIST FILM REMOVING DEVICE - 特許庁

基板表面に塗布されたレジスト膜の除去方法であって、酸素プラズマによるアッシングにより基板表面のレジスト膜の除去を行なう。例文帳に追加

In the method for removing a resist film applied to the surface of a substrate, the resist film is removed from the surface of the substrate by ashing. - 特許庁

レジストマスクから露出するシリコン窒化膜及び第１熱酸化膜を順次に除去し、レジストマスクを除去する。例文帳に追加

The silicon nitride film and the first thermal oxide film exposed from the resist mask are removed one by one, and the resist mask is removed. - 特許庁

レジスト現像液中の炭酸塩の除去方法、除去装置、及びレジスト現像液の濃度管理方法例文帳に追加

METHOD FOR REMOVING CARBONATE IN RESIST DEVELOPING SOLUTION, REMOVING DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING CONCENTRATION OF RESIST DEVELOPING SOLUTION - 特許庁

レジスト除去またはレジスト残渣除去の処理液として、有機酸またはその塩と、水とを含有し、ｐHが８未満である薬液を用いる。例文帳に追加

A treating liquid for removing resists or resist residual liquids uses a chemical liquid containing an organic acid or its salt and water, resulting in a pH of less than 8. - 特許庁

ついで、開口部９の形成されたレジストマスク８をマスクとして、第２シリコン酸化膜５を除去し、レジストマスク８を除去する。例文帳に追加

Then making a resist mask 8 in which an opening 9 is formed as the mask, the second silicon oxide film 5 is removed, the resist mask 8 is removed. - 特許庁

マスク基板表面のレジストを高い効率で除去することができるマスク基板用レジスト除去装置を提供する。例文帳に追加

To provide a resist removing apparatus for mask substrate for removing resist on the surface of mask substrate in higher efficiency. - 特許庁

レジストマスクの除去方法、トランジスタ並びに液晶パネルの製造方法、およびレジストマスク除去装置例文帳に追加

RESIST MASK REMOVING METHOD AND APPARATUS THEREFOR, TRANSISTOR AND LIQUID CRYSTAL PANEL MANUFACTURING METHOD - 特許庁

レジスト膜の表面特性の変化を抑えながらレジスト膜上の付着物を除去することが可能な洗浄除去液を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning removing liquid for removing deposits on a resist film while suppressing variation in surface characteristics of the resist film. - 特許庁

本発明はレジスト膜の除去力が優れており、薬液疲労度が少ないレジスト除去用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resist removing composition which has excellent power to remove a resist film and ensures a low fatigue degree of the liquid chemicals. - 特許庁

画素不良を生じさせることなく基板端縁部のレジスト膜を除去することのできるレジスト膜除去装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for removing a resist film from the end edge part of a substrate without causing any defect of pixel. - 特許庁

該剥離剤組成物を用いて、フォトレジストを除去することを特徴とするフォトレジストの除去方法。例文帳に追加

A method for removing a photoresist is presented featuring that the above removing agent composition is used to remove a photoresist. - 特許庁