「レジスト除去」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

洗浄液を用いてレジスト膜３０１を洗浄し、レジスト膜３０１に付着した臭化カリウム等の異物を除去する（Ｓ６）。例文帳に追加

The resist film 301 is washed by using a washing liquid to remove (S6)foreign materials such as potassium bromide sticking to the resist film 301. - 特許庁

次に、該露光されたフォトレジスト層を除去し、該フォトレジスト層の未露光部分と該誘電体層との上に透明導電層を堆積する。例文帳に追加

Then, the exposed photoresist layer is removed and a transparent conductive layer is deposited on an unexposed portion of the photoresist layer and the dielectric layer. - 特許庁

この際、重ね合わせ精度が所定の規格を満たすまで、レジストを一旦除去し再度レジスト１２ｂを形成する。例文帳に追加

Here, the resist is temporarily removed to form a resist 12b again until the precision in overlapping meets a predetermined specification. - 特許庁

液浸露光用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用塗布処理部２００およびレジストカバー膜除去処理部２５０を備える。例文帳に追加

The liquid immersion processing block 13 includes a resist cover film coating section 200 and a resist cover film removing section 250. - 特許庁

導電性基材１上をレジストで覆い、配線となるべき箇所を逆台形となるようにレジストを除去して導電性基材を露出させる。例文帳に追加

A conductive substrate 1 is covered with a resist, and the resist is removed so that an area for wiring may be reverse-trapezoidal, thereby exposing the conductive substrate. - 特許庁

この発明は基板に付着残留するレジストを確実に除去することができるようにしたレジスト剥離装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a resist peeling device capable of securely removing resist sticking and remaining on a substrate. - 特許庁

この発明は基板からレジスト膜を効率よく確実に除去することができるようにしたレジスト膜の剥離装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a resist film peeling device that efficiently and certainly removes a resist film from a substrate. - 特許庁

第４に、レジストパターンをマスクとして層間絶縁層４５がエッチングされ、該レジストパターンが除去される。例文帳に追加

The interlayer insulating layer 45 is etched using the resist pattern as a mask and the resist pattern is removed. - 特許庁

次にレジスト膜をマスクにして第２のＳｉ酸化膜をパターニングし、レジスト膜を灰化除去する。例文帳に追加

Then the film 105 is patterned using a resist film as a mask and the resist film is removed by ashing. - 特許庁

基板から剥離したドライフィルムレジストのローラコンベアへの絡みや巻き付きを防止したレジスト除去装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a resist removing apparatus which prevents a dry film resist from being entwined with or wound around a roller conveyor. - 特許庁

現像処理により露光された第２のレジスト膜３４を除去して、第２のレジスト膜３４を所望の再配線パターンにパターニングする。例文帳に追加

The second resist film 34 exposed to light by developing treatment is removed to form the second resist film 34 into a desired rewiring pattern. - 特許庁

現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜３ｂを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。例文帳に追加

By applying development processing, a portion of a non-crosslinked lower layer resist material film is removed while leaving the crosslinked lower layer resist film 3b. - 特許庁

この後、レジストパターン１６と共にレジストパターン１６の上に堆積している不要なメッキ下地膜１９を除去する。例文帳に追加

Then an unnecessary plating base film 19 which is deposited on the resist pattern 16 is removed together with the resist pattern 16. - 特許庁

この発明は基板に付着してレジストを能率用句確実に除去できるようにしたレジスト剥離装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a resist stripping apparatus that can reliably and efficiently remove resist deposited on a substrate. - 特許庁

第２のレジストパターン４３を除去し、銅張り基板２０の両面にめっき被膜４２が露出するソルダーレジスト層３２を形成する。例文帳に追加

Finally, the second resist pattern 43 is removed, and a solder resist layer 32 exposing the plated coating 42 is formed on the opposite sides of the copper clad substrate 20. - 特許庁

その後、プラズマを用いたドライアッシングまたはレジスト剥離液を用いたウエット処理により、前記レジストを除去する。例文帳に追加

After this, the resist is removed by dry ashing using a plasma or wet processing, using a resist-peeling liquid. - 特許庁

液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤およびこれを用いたレジストパターン形成方法例文帳に追加

SOLVENT FOR REMOVING LIQUID IMMERSION EXPOSURE PROCESS-USE RESIST PROTECTION FILM AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN BY USING THE SAME - 特許庁

液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤およびこれを用いたレジストパターン形成方法例文帳に追加

SOLVENT FOR REMOVING RESIST PROTECTION FILM USED IN IMMERSION EXPOSURE PROCESS, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING THE SAME - 特許庁

ウエハー上に良好なレジストパターンを形成し、ウエハーに損傷を与えることなく容易にレジストパターンを除去すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method where a satisfactory resist pattern is formed on a wafer, and the resist pattern is removed easily without damaging the wafer. - 特許庁

次に露光現像によって前記間隔Ｔ２内に埋められたレジスト層７０を残し、それ以外のレジスト層７０を除去する。例文帳に追加

Then, the resist layer 70 buried in the space T2 is left by an exposing phenomenon, and the other resist layer 70 is removed. - 特許庁

リブ材等の部材を痛めることなく短時間でフォトレジストを除去するフォトレジスト剥離液を提供する。例文帳に追加

To provide a photoresist stripping solution which removes a photoresist in a short period of time, without damaging members such as ribs. - 特許庁

その後、現像処理を行うことにより、露光したレジストを除去し、レジストマスク１０７を形成する。例文帳に追加

Thereafter, the exposed parts of the resist are moved by a development process to form a resist mask 107. - 特許庁

また、有機被膜としてリソグラフィー用のレジストを想定すると、レジスト除去工程において有効である。例文帳に追加

It is effective in a resist eliminating process that resist for lithography is assumed as the organic coating film. - 特許庁

また、フォトレジスト膜３の除去前にフォトレジストカバー膜７を形成し、フォトレジスト膜３とフォトレジストカバー膜７とを同時に除去することにより、水溶性樹脂膜２に形成された溝６を保護することができる。例文帳に追加

A photoresist cover film 7 is formed prior to the removal of the photoresist film 3 and the photoresist film 3 and the photoresist cover film 7 are simultaneously removed, by which the grooves 6 formed at the water-soluble resin film 2 may be protected. - 特許庁

第１レジスト領域がほとんど露光されずに済むことによって、レジスト膜除去工程において第１レジスト領域のレジスト膜が除去されるのを防ぐことができ、第１不純物注入工程においてチャネル領域に不純物イオンが注入されるのを防ぐことができる。例文帳に追加

Since the first resist region is hardly exposed, it is made possible to prevent the resist film in the first resist region from being removed in a resist film removal process and, further, it is made possible to prevent impurity ions from being injected into the channel region in a first impurity injection process. - 特許庁

露出したレジストバリア層(3)をエッチング除去した第１の金属膜(2)の露出面(2a)に第２の金属膜(5)を形成し、最後に、第２のレジスト膜(4b)並びに第２のレジスト膜(4b)に被覆されたレジストバリア層(3)及び第１の金属膜(2)を除去して、半導体基板(1)を露出させる。例文帳に追加

The method also comprises steps of forming a second metal film (5) on an exposed surface (2a) of the first metal film (2) in which the exposed layer (3) is removed by etching, finally removing the film (4b) and the layer (3) and the film (2) coated by the film (4b), and thereby exposing the substrate (1). - 特許庁

２層レジストによるパターン形成方法であって、上層レジストの現像除去の際に下層レジストも除去されてしまうことを防止または抑制し、パターン形成後に下層レジストを容易に剥離でき、しかも工程が複雑にならないパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern forming method, through which a pattern is formed by the use of a two-layered resist film, where a lower resist film is restrained or prevented from being removed when an upper resist film is removed by developing, the lower resist film is easily separated after a pattern is formed, and forming processes do not become complicated. - 特許庁

本発明によるレジスト除去用組成物は、電子回路または表示素子の金属配線をパターン化するレジストの除去用組成物に関し、前記レジスト除去用組成物は、アルキレンカーボネート、および３級アミンおよび酸化剤のうちの少なくともいずれか一つを含む。例文帳に追加

The resist-removing composition relates to a composition for removing a resist for patterning metal lines in an electronic circuit or a display element, and the composition contains at least one of alkylene carbonate, tertiary amine and oxidizing agent. - 特許庁

オゾン水を用いてマスク基板の側面のレジストを除去するマスク基板用レジスト除去装置であって、前記マスク基板の側面の略全面に前記オゾン水を噴射する複数のノズルが設置されているマスク基板用レジスト除去装置。例文帳に追加

In the resist removing apparatus for the mask substrate removing the resist on the side surface of the mask substrate by using ozone water, a plurality of nozzles for jetting the ozone water to the nearly entire surface of the side surface of the mask substrate are provided. - 特許庁

マスク基板に形成されたレジストを高効率に除去することができ、とりわけマスク基板の側面の四隅に形成されるような極端に厚いレジストを、高効率に除去することができるマスク基板用レジスト除去装置を提供する。例文帳に追加

To provide a resist removing apparatus for a mask substrate capable of highly efficiently removing resist formed on the mask substrate and highly efficiently removing especially the resist formed at four corners of the side surface of the mask substrate and having extremely large thickness. - 特許庁

次に、型母材（５）により圧縮された部分に残留する上層レジスト（４）を除去し、選択的に下層レジスト（３）を除去し、Ｎｉ電鋳し、基板（１）と、金属層（２）と、を離型し、Ｎｉ電鋳プレート上の残留レジスト（３、４）を除去し、高アスペクト比スタンパを製造する。例文帳に追加

Subsequently, the upper resist (4) remaining on the part compressed by the mold matrix (5) is removed, the lower resist (3) is selectively removed, the substrate (1) and the metal layer (2) are separated by Ni electroforming, and the residual resists (3) and (4) on an Ni electroforming plate are removed to manufacture a high aspect ratio stamper. - 特許庁

レジストだけでなく、ポリマー、特に有機金属性ポリマー及び金属酸化物の除去能に優れるほか、下部膜を損傷しないレジスト除去用組成物及びこれを用いたレジスト除去方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a composition for the removal of a resist that has excellent capability of removing not only a resist but also a polymer, especially an organometallic polymer and a metal oxide, and that does not impair a film formed underneath a resist and exposed by the removal of a resist, and to provide a method for the removal of a resist using the composition. - 特許庁

基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置１は、基板を支持する支持部１０と、基板上部のフォトレジストを除去する乾式処理部２０と、基板上部のフォトレジストを除去する湿式処理部３０を有する。例文帳に追加

A substrate processing apparatus for removing a photoresist on a top surface of a substrate includes a supporting part 10 for supporting the substrate, a dry type processing part 20 for removing the photoresist on the top surface of the substrate, and a wet type processing part 30 for removing the photoresist on the top surface of the substrate. - 特許庁

さらに、側面が側壁で覆われた残存部分の上面を覆うようにレジスト306を形成し、レジストの形成後にウェットエッチングを行うことにより除去予定部分を除去し、ウェットエッチングの後にレジストを除去する。例文帳に追加

A resist 306 is further formed so as to cover the upper surface of the residual portion whose side surface is covered by the side wall, wet etching is executed to remove the removal scheduled portion after the resist is formed, and the resist is removed after the wet etching. - 特許庁

ウェハー表面保護のために、パターン形成可能領域をフォトレジストで覆うフォトレジスト被覆工程と、フォトレジスト被覆工程に続いて、剥がれの原因となる不要膜を除去できる薬液を用いて、不要膜のみを完全に除去する不要膜除去工程と、その後、前記ウェハー表面保護用のフォトレジストを剥離するフォトレジスト剥離工程とを有する半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of coating a photoresist covering a pattern-formable region for protecting the surface of the wafer, completely removing only the unwanted films, after the photoresist coating step, by the use of chemicals capable of removing the unwanted films causing the peel off, and peeling off the photoresist for protecting the surface of the wafer. - 特許庁

基盤上にフォトレジストパターン層が形成された、フォトレジスト積層体を、エッチング処理した後、不要となった前記積層体のフォトレジストパターン層を、オゾン水を用いて除去するフォトレジスト除去装置であって、上記オゾン水は、原料水とオゾンガスとを気体のみを通し液体の透過を阻止するオゾンガスを溶け込ますようにして生成することを特徴とするフォトレジスト除去装置。例文帳に追加

In the apparatus for removing a photoresist, the photoresist pattern layer of each photoresist laminate unnecessitated after the etching of the photoresist laminate with the photoresist pattern layer formed on a substrate is removed with ozonized water produced by separating raw water and gaseous ozone using a gaseous ozone permeation membrane being gas- permeable but liquid-impermeable and dissolving gaseous ozone in the raw water. - 特許庁

この発明に係る電子材料の印刷膜形成方法は、基板１上にレジストを塗布してレジスト膜２を形成し、レジスト膜２の所要部分を除去し、レジスト膜２の除去した部分に電子材料のインキ４を注入して印刷膜を形成し、しかる後にインキ４を硬化させ、この硬化後にレジスト膜２を除去するか又はそのままとする。例文帳に追加

In the method for forming a printed film of an electronic material, a resist is applied on a substrate 1 to form a resist film 2, the required part of the resist film 2 is removed, ink 4 of the electronic material is injected into the part freed of the resist film 2 to form a printed film, the injected ink 4 is cured and the resist film 2 is optionally removed. - 特許庁

水面上の低誘電率誘電体材料を傷つけることなくフォトレジスト材料を除去する例文帳に追加

to remove photoresist material without damaging low-k dielectric material on the wafer surface  - コンピューター用語辞典

次に、最も浅い溝の箇所にフォトレジストを形成させて他の溝の箇所をさらに深く除去する。例文帳に追加

Then, a photoresist film is formed on the shallowest groove, and the other grooves are made still deeper by removal. - 特許庁

次いで、フォトレジスト膜２４を、各パイレックス（登録商標）基板から除去する。例文帳に追加

Then, the photoresist film 24 is removed from the respective Pyrex (R) substrates. - 特許庁

最後に、図１（ｄ）でフォトレジスト７をマスクとして選択的にゲート絶縁膜６を除去する。例文帳に追加

Lastly, the gate insulating film 6 is removed selectively while using the photo-resist 7 as a mask in Fig.(d). - 特許庁

次に、酸素ガスプラズマ７を用いたアッシング処理によって、フォトレジスト５を除去する。例文帳に追加

Next, the photoresist 5 is removed by ashing treatment using oxygen gas plasma 7. - 特許庁

その後、上層（６）、下層（５）及び保護層（７）を含むレジストを除去する。例文帳に追加

Thereafter, the resist which includes the upper layer (6), the lower layer (5) and the protection layer (7), is removed. - 特許庁

フォトレジスト残渣除去液組成物及び該組成物を用いる半導体回路素子の製造方法例文帳に追加

PHOTORESIST RESIDUE REMOVING LIQUID COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CIRCUIT ELEMENT USING THE COMPOSITION - 特許庁

金属拡散防止膜51上に形成したシード層52を、レジストを用いて選択的に除去する。例文帳に追加

A seed layer 52 formed on a metal diffusion preventive film 51 is selectively removed using resist. - 特許庁