「レジスト除去」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

次に、第３のレジストパターン２５を除去した後、半導体基板１１に対して熱処理を行うことにより、引っ張り応力含有部２４Ａによって、第１の活性領域１１ａにおけるｎ型ゲート電極１５ａの下に位置するチャネル領域に対してゲート長方向に沿った引っ張り応力を生じさせる。例文帳に追加

Then, after removing the third resist pattern 25, heat treatment is carried out for the semiconductor substrate 11, and a tensile stress along the gate length direction is produced for the channel region located under the n-type gate electrode 15a in the first active region 11a by the tensile stress containing portion 24A. - 特許庁

しかる後、レジストを剥離して下地めっき層４を露出させ、この露出した下地めっき層４をイオンミリング法で除去することにより、両電極５と同一形状の下地めっき層４を形成し、両電極５がそれぞれ下地めっき層４を介して抵抗体２の両端部に接続された薄膜抵抗素子を得る。例文帳に追加

Thereafter, the resist is separated to make the base plating layer 4 exposed, the exposed base plating layer 4 is removed through an ion milling method by which the base plating layer 4 of the same shape as the electrodes 5 is formed, and the electrodes 5 are connected to the ends of the resistor 2 through the intermediary of the base plating layer 4 for the formation of a thin film resistor element. - 特許庁

第１ノズル体１０には、第１噴出口１２および第１吸引口１３が設けられており、第１噴出口１２からは被処理基板２００の被処理面２０１に向けて有機レジストを分解除去する第１処理流体が噴出され、第１吸引口１３からは処理済みの第１処理流体が吸引される。例文帳に追加

The first nozzle body 10 is provided with a first ejection opening 12 and a first suction opening 13 wherein first processing fluid for decomposing and removing organic resist is ejected from the first ejection opening 12 toward the processing surface 201 of the substrate 200, and the first processing fluid used for processing is sucked from the first suction opening 13. - 特許庁

集積回路及びマイクロ電気機械デバイスを加工する時のホトレジスト除去のために用いられるプラズマ灰化機械のためのグリッド板組立体において、上方グリッド板と、前記上方グリッド板から可変間隙により分離された下方グリッド板とを具え、然も、前記上方及び下方のグリッド板が一連の孔を有する、上記グリッド板組立体。例文帳に追加

A grid board assembly, which is for a plasma-ashing machine used for removing a photoresist as an integrated circuit and a micro electromechanical device are worked, is provided with an upper grid board and an lower grid board that is separated from the upper grid board with a variable gap in between, and each of these upper and lower grid boards has a chain of holes. - 特許庁

ベース基材１１上に設けられた樹脂層１５上に犠牲導体層ＣＰを形成後、配線パターンの形状に応じてパターニングされた開口部を有するドライフィルムレジスト層Ｒ１を形成し、上記開口部から露出している犠牲導体層ＣＰの部分を除去後、樹脂層１５の露出している部分に溝１５ａを形成する。例文帳に追加

After a sacrificial conductor layer CP is formed on a resin layer 15 provided on a base 11, a dry film resist layer R1 having an opening patterned according to the shape of a wiring pattern is formed, the part of the sacrificial conductor layer CP which is exposed from the opening is removed, then a groove 15a is formed at an exposed part of the resin layer 15. - 特許庁

フェノール類とアルデヒド類を酸性触媒下で反応させて得られたフェノール樹脂に、該フェノール樹脂に対する良溶媒と純水を加えて均一に溶解した後、擬似移動層型クロマト分離装置により、水溶性不純物を連続的に除去することを特徴とするフォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法である。例文帳に追加

The objective method for the production of a phenolic resin for photoresist comprises the reaction of a phenol with an aldehyde in the presence of an acidic catalyst to obtain a phenolic resin, the addition of a good solvent for the phenolic resin and pure water to the obtained phenolic resin to form a uniformly dissolved solution and the continuous removal of the water-insoluble impurities from the solution by a pseudo-moving bed chromatographic separator. - 特許庁

本発明はウエファ周端部に白抜きパターンを用いることにより、ウエファ周端部のレジストを除去してウエファ周端部のメタルをエッチングするもので、全面にメタルパターンを形成した場合の周端部の品質上不完全チップの削除に関わる工程の短縮やメタルを残した場合のブレードの短命化の問題を解決し、プリアライメント補正も可能とするものである。例文帳に追加

The problem of the shortening of a process regarding the removal of an incomplete chip on quality at the peripheral end section at a time when the metallic pattern is formed on the whole surface and the shortening of the blade at a time when the metal is left is solved, and pre-alignment can also be corrected. - 特許庁

ＳＰＭ洗浄、ＡＰＭ洗浄およびＨＰＭ洗浄を行わず、過硫酸生成装置を用いて生成された過硫酸を含む硫酸溶液を用いて半導体ウエハの表面を洗浄し、フォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去した後に、半導体ウエハを純水洗浄し、乾燥させる。例文帳に追加

After removing organic substances such as a photoresist film or metallic particles by cleaning the surface of a semiconductor wafer using a sulfuric acid solution containing persulfuric acid produced with a persulfuric acid producing device without performing SPM cleaning, APM cleaning or HPM cleaning, the semiconductor wafer is cleaned with pure water and dried. - 特許庁

紫外線硬化樹脂組成物からなる粉体塗料を、インパクトメディア１１の衝突力によりプリント配線板１上に付着させて塗布し加熱溶融して塗膜を形成した後、所定のパターンとなるように紫外線を選択的に照射して露光し、塗膜の未露光部分を現像液で除去しレジストパターンを形成することを特徴としている。例文帳に追加

A powder paint, composed of an ultraviolet curing resin composition, is stuck and coated onto the printed-wiring board 1 by the impact force of an impact medium 11, it is heated ane melted, a coating film is formed, ultraviolet rays are irradiated and exposed selectively, so as to form a prescribed pattern, unexposed parts in the coating film is removed by developer, and the resist pattern is formed. - 特許庁

フォトレジスト法などによって正確な位置に多数の孔を開けた導電性薄板を準備し、プラスチック，ガラスなどの不良導体の正確な太さの線を前記孔に通して、線を引っ張った状態で、金属板を陰極にして電鋳することによって導電性薄板の厚さを増大してから線を除去し、機械加工して所定寸法にする手段を採用した。例文帳に追加

This method comprises setting up an electroconductive sheet having many open holes in precise positions by a photoresist method or the like, threading wires of a bad conductor like plastics or glass with precise thickness through the hole, increasing the thickness of electroconductive thin sheet by electrocasting on the metal sheet of a cathode in the state that wires are pulled, then removing the wires, and machining to turn the holes into a predetermined dimension. - 特許庁

レジストが形成された金属薄板４のエッチング処理後、洗浄装置１０により金属薄板４に付着したエッチング液を洗浄除去して金属薄板４の両面に開孔が形成されたシャドウマスクを得るシャドウマスクの製造装置において、スプレー手段２により金属薄板４に不活性な洗浄液を吹き付ける。例文帳に追加

The shadow mask is manufactured through such procedures that a metal sheet 4 furnished with a resist is subjected to etching and the etching liquid attached to the metal sheet 4 is rinsed off by a washing device 10 so that apertures are provided at the two surfaces of the sheet 4, and in this shadow mask manufacturing device, an inert washing solution is sprayed to the sheet 4 using a spray means 2. - 特許庁

第１の露光、現像工程に引き続くの第２露光工程において、照射光Ｒ2の光度を、第２フォトレジスト膜３´の照射光Ｒ2により照射されたエリアにおいて後順の第２現像工程で溶解除去され得る程度に感光した飽和感光領域ｄ´が、図示されるような断面が台形の先窄み形状となるまで低減させる。例文帳に追加

In a second exposure step subsequent to first exposure and developing steps, the luminous intensity of irradiation light R2 is decreased to such a degree that, in an area of a second photoresist film 3' irradiated with the irradiation light R2, a saturation exposure region d`exposed enough to be dissolved and removed in the subsequent second developing step has a tapered trapezoid cross section as shown in the figure. - 特許庁

感度、解像性及び密着性といった感光特性を維持したままスラッジ除去性に優れる感光性樹脂組成物、この樹脂組成物を用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及び十分に高密度化されたプリント配線板を得ることが可能なプリント配線板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive resin composition excellent in sludge removability while maintaining photosensitive characteristics such as sensitivity, resolution and adhesion, a photosensitive element using the resin composition, a method for forming a resist pattern and a method for producing a printed wiring board by which a printed wiring board of sufficiently high density can be obtained. - 特許庁

物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体１８から除去する方法であって、硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5：1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。例文帳に追加

A method of removing materials, and preferably photoresist, from a substrate 18 includes dispensing a liquid sulfuric acid composition including sulfuric acid and/or its desiccating species and precursors and having a water/sulfuric acid molar ratio of less than 5:1 onto a material coated substrate in an amount effective to substantially uniformly coat the material coated substrate. - 特許庁

半導体基板１に形成された強誘電体キャパシタの下部電極１９をＲｕ膜により形成するに際に、マスクとして用いたレジストを除去するための酸素プラズマによるアッシングで、プラズマ処理装置のチャンバ３１内の圧力は７０Ｐａ以上で、かつ、半導体基板１の温度は１００℃以下に保持する。例文帳に追加

In ashing by oxygen plasmas for removing a resist which was used for a mask when forming the bottom electrode 19 of a ferroelectric capacitor formed in a semiconductor substrate 1 by using an Ru film, the inside pressure of the chamber 31 of a plasma processing apparatus is kept at 70 Pa or above and the temperature of the semiconductor substrate 1 is kept at 100°C or less. - 特許庁

洗浄工程で架橋硬化型樹脂組成物の未硬化部分を容易に除去できる低粘度液体で、なおかつ架橋硬化型樹脂組成物の活性エネルギー線によってなる硬化部が高いガラス転移温度を有しており、十分な塗膜強度が得られるようなドライフィルムレジストを形成することができる架橋硬化型樹脂組成物の提供。例文帳に追加

To provide a crosslinked curing resin composition which is a liquid with low viscosity so that an uncured part of the crosslinked curing resin composition can be easily removed in a cleaning process and from which a dry film resist having sufficient coating film strength and having high glass transition temperature is formed in a cured part of the composition cured by active energy rays. - 特許庁

金材料の表面を被覆する有機物のレジスト材料を濃硫酸で除去するなどして、炭素リッチにした濃硫酸に過酸化水素水などの酸化剤を加えることにより、濃硫酸中に一酸化炭素を生成することができ、またバブリングなどで一酸化炭素を濃硫酸中に直接溶解させることができる。例文帳に追加

Carbon monoxide can be formed in the concentrated sulfuric acid by making carbon rich in the concentrated sulfuric acid through removing a resist material of an organic substance coated on the surface of the gold material with the concentrated sulfuric acid, and by adding an oxidizing agent such as hydrogen peroxide water to the concentrated sulfuric acid, or carbon monoxide can be directly dissolved in the concentrated sulfuric acid through bubbling. - 特許庁

オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去する際に使用されるオゾン水噴射チューブノズルであって、前記オゾン水を前記基板表面に噴射する噴射孔が設けられたチューブと、前記チューブの一端に螺合可能なボルトと、前記チューブの外周部の前記ボルトが螺合された部分に装着されるカラーとから構成されるオゾン水噴射チューブノズル。例文帳に追加

This ozone water jet tube nozzle is used when ozone water is used to remove the resist from on the surface of the substrate and comprises a tube formed with jet holes for jetting the ozone water to the surface of the substrate, a bolt which can be screwed into one end of the tube, and a collar mounted on the peripheral portion of the tube where the bolt is screwed in. - 特許庁

超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a post-ashing treatment solution which prevents the corrosion of metallic wiring and reliably removes residue such as a degenerated photoresist film and a metallic deposition from a substrate subjected a ashing after dry etching under severer conditions in an ultrafine patterning process and a treatment method using the solution. - 特許庁

本発明では、環境負荷が低く、層間絶縁膜を腐食することなく、フォトレジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、および、アッシング残渣物などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる半導体デバイス用の洗浄液、並びに該洗浄液を用いた半導体デバイス用の洗浄方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide cleaning liquid for a semiconductor device, for removing stuck matters on the surface of a cleaning object such as photoresist, etching residuals, an antireflective coating and ashing residuals with low environment loads and without corroding an interlayer dielectric; and to provide a cleaning method for the semiconductor device using the cleaning liquid. - 特許庁

リン酸および塩酸と、１〜４級アミンから選択される１種または２種以上のアミンとを含有し、ｐＨが０．５〜１３の範囲の水溶液であり、リン酸を０．５〜３０質量％、塩酸を０〜１０（但し０は含まない）質量％アミンを総計０．５〜２５質量％含有する構成のレジスト残渣除去剤および洗浄剤とした。例文帳に追加

The resist residue remover and cleaner is an aqueous solution of pH 0.5-13 containing 0.5-30 mass% phosphoric acid, >0 to 10 mass% hydrochloric acid and 0.5-25 mass%, in total, of one or more amines selected from primary to quaternary amines. - 特許庁

リチウム化合物の形成能の高い元素を含む活物質層２を有する負極１０の一面に、多数の開孔部１２ｃを有するレジストパターンを形成し、次いで開孔部１２ｃを通じて露出している部位をエッチングにより除去して活物質層２にその厚さ方向へ延びる貫通孔５を多数形成する。例文帳に追加

On one face of the anode 10 having an active material layer 2 containing an element with the high forming ability of a lithium compound, a resist pattern with a number of open holes 12c is formed, and then, portions exposed through the open holes 12c are removed by etching to form a number of through-holes 5 on the active material layer 2 extended in a thickness direction. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、シリコン基板３１上に形成した熱酸化膜３２上にポリシリコン膜３３を形成し、エッチングを行ってゲート電極３５及びゲート酸化膜３２ａを形成し、フォトレジスト膜３４を除去してから、ゲート電極３５の周囲に、ゲート酸化膜３２ａ及び熱酸化膜３２と一体化した周囲酸化膜３８を熱酸化法で形成する。例文帳に追加

In the manufacture of a semiconductor device, a polysilicon film is made on a thermal oxide film formed on a silicon substrate 31, and a gate electrode 35 and a gate oxide film 32a are formed through etching, and after removal of a photoresist film, a peripheral oxide film 38 united with the gate oxide film 32a and the thermal oxide film is made through thermal oxidation method around the gate electrode 35. - 特許庁

次に、スクライブ線Ｂに沿って半導体基板２を除去して、Ａｕメッキ層７をもつ半導体素子（ペレット）１，・・・に個々に分離するとともに、スクライブ線Ｂの部分にフォトレジスト５を露出させた後、石英板４を１５０〜１９０℃に加熱して低融点ワックス６を溶融し、石英板４を多孔質石英板３から剥離する。例文帳に追加

The wafer 2 is removed along a scribe line B, the semiconductor pellets 1 having an Au plate layer are individually separated, the photo resist 5 is exposed at the scribe line B, the low- melting-point wax 6 is melted with the quartz substrate 4 heated at 150 to 190°C, and the quartz substrate 4 is exfoliated from the porous quartz substrate 4. - 特許庁

本発明は、絶縁層と密着する面の表面粗さの小さい金属箔を使用した場合でも、金属箔除去後の絶縁層上のソルダーレジストの密着を確保することができ、ＰＣＴに対する信頼性に優れ、かつ微細配線を有し、高周波信号の伝送損失の少ない回路基板を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a circuit board which ensures adhesion of solder resist onto an insulating layer after a metal foil is removed even in a case where a metal foil having a low surface roughness on the surface adhering to the insulating layer is used, while exhibiting excellent reliability for PCT, having fine wiring, and reducing transmission loss of high frequency signal. - 特許庁

サイドウォール２７形成後、レジストパターン２８により開口されたＬＤＭＯＳソース領域にあるゲート電極側壁のサイドォールのみを除去し、ＬＤＭＯＳ及び微細ＭＯＳのソース及びドレイン領域の高濃度拡散層を同時形成することにより、工程簡略化を図り、コスト低減を実現する。例文帳に追加

After a sidewall 27 is formed, only a sidewall of a gate electrode sidewall in an LDMOS source region opened corresponding a resist pattern 28 is removed, and high-density diffusion layers of source and drain regions of the LDMOS and the scaled MOS are formed at the same time to simplify the steps, thereby reducing the cost. - 特許庁

（１）表面に回路素子の形成された半導体ウェハ上の電極形成面側に配線形成用金属箔を積層する工程、該金属箔上に配線パターンを形成する工程、金属箔のエッチングを行う工程、および、レジストを除去して配線を形成する工程を含む、半導体ウェハ上の導体配線回路形成方法。例文帳に追加

(1) The method for forming a conductor interconnection circuit on a semiconductor wafer comprises a step for laying a metal foil for forming interconnection on the side for forming the electrodes of the semiconductor wafer having circuit elements formed on the surface, a step for forming an interconnection pattern on the metal foil, a step for etching the metal foil, and a step for removing resist and forming an interconnection. - 特許庁

このような識別記号１６ａは、まず、ビットマークを形成するための貫通孔２２を有するマスク２０を、フォトレジスト膜が形成されたウエハ１０上に配置し、基準点から水平方向に所定距離だけ移動させた後、露光させ、次いで、露光部分又はその周囲をエッチング除去するか、あるいは、その部分に薄膜を積層することにより得られる。例文帳に追加

The discrimination symbol 16a is provided, by arranging a mask 20 comprising a through-hole 22 for forming the bit mark on the wafer 10, where a photoresist film is formed, which is moved by a prescribed distance in horizontal direction from a reference point for exposure, and then removing by etching the exposed part or its surrounding or laminating a thin film on the part. - 特許庁

電解メッキ用リードとしての金属板にメッキレジストを形成後、最終的にチップ接続用端子となる部分の金属板に、レーザー照射もしくは、部分エッチングを行い、電解メッキにより配線パターンを形成し、その上に絶縁膜を形成し、最後に金属板をエッチングにより除去する。例文帳に追加

The method comprises the steps of forming a plating resist to a metal plate as a lead for electrolytic plating, and then irradiating laser or partially etching to the metal plate of the part to be finally becoming a terminal for connecting the chip, forming a wiring pattern by the electrolytic plating, forming an insulating film on it, and removing the metal plate by etching at the end. - 特許庁

深孔を穿孔したときに生じるオーバーハングを除去することができるとともに、その深孔が形成された基板表面への所定形状のレジスト形成等の困難な工程を省略することができる半導体装置の製造方法、半導体装置、回路基板及び電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can remove the overhang brought about when a deep hole is perforated and which can omit a difficult step such as a step of forming a resist of a predetermined shape on the surface of a substrate in which the deep hole is formed, and to provide the semiconductor device, a circuit substrate and an electronic apparatus. - 特許庁

フォトレジストを利用して透明材料に周期的パターンを形成させ（１−ｅ）、エッチング処理を行い（１−ｆ）、オーバーコート材をボッティングする（１−ｇ）ことで、金属板を使用するときと比べて、エッチングマスクを除去する必要性を無くし、工程が少なくなり簡便、低コストで偏光回折素子を作成できる。例文帳に追加

A cyclic pattern is formed (1-e) on the transparent material by using photoresist, etching processing is carried out (1-f), and an overcoat material is potted (1-g) to eliminate the need to remove the etching mask as compared with use of a metal plate, thereby easily forming a polarizing and diffracting element at low cost while decreasing processes. - 特許庁

下部電極38への不純物の注入の際のレジストマスクをプラズマアッシングして剥離した後に、第１の絶縁膜41の表面に入ったダメージ層を除去する希フッ酸処理をすることにより、第１の絶縁膜41中のゲート絶縁膜部43にダメージがないため薄膜トランジスタ23の特性劣化は発生しない。例文帳に追加

After a resist mask for the injection of impurities into the lower electrode 38 is peeled by plasma ashing, dilute hydrofluoric acid processing for removing a damage layer formed in the surface of a 1st insulating film 41 is carried out and then a gate insulating film part 43 in the 1st insulating film 41 has no damage, so the thin film transistor 23 has no characteristic deterioration. - 特許庁

未露光部を希アルカリ溶液で容易に除去することができ、柔軟性、密着性、耐熱性に優れたフォトレジスト用光硬化性樹脂組成物、及び、該組成物を用いてなり、低温発泡や重力不良による色ムラの生じにくいカラムスペーサ及び液晶表示素子を提供する。例文帳に追加

To provide a photosetting resin composition for photoresist from which an unexposed portion can easily be removed with a dilute alkali solution and which excels in flexibility, adhesion and heat resistance, and to provide columnar spacers and a liquid crystal display element which are obtained using the composition and hardly cause unevenness in coloring due to low-temperature foaming and defective flow of liquid crystal by gravity. - 特許庁

半導体基板１０全面にシリコン系の導電性材料膜６ａを形成し、絶縁膜３をストッパとしたＣＭＰやエッチバックによって、導電性材料膜６ａの絶縁膜３よりも上の部分を除去して平坦化した後、導電性材料膜６ａ及び絶縁膜３上にレジストのマスクパターン７を形成する。例文帳に追加

A silicon based conductive material film 6a is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 10, the portion of the conductive material film 6a above the insulating film 3 is removed and planarized by CMP or etch back using the insulating film 3 as a stopper, and then a mask pattern 7 of resist is formed on the conductive material film 6a and the insulating film 3. - 特許庁

高耐圧ＭＯＳトランジスタ領域１Ａにおけるアクティブ領域ＡＲ上のゲート絶縁膜１３を覆い且つエッジの一部が半導体層１ｂ上に位置するレジストＲ１をゲート絶縁膜１３上に形成し、ゲート絶縁膜１３を除去することで低耐圧ＭＯＳトランジスタ領域１Ｂにおけるアクティブ領域ＡＲを露出させ、ゲート絶縁膜１３Ｂを形成する。例文帳に追加

A resist R1 covering a gate insulating film 13 on the active region AR in the high withstand voltage MOS transistorregion 1A with a part of the edge positioning on the layer 1b is formed on the film 13, the active region AR in the low withstand voltage MOS transistor region 1B is exposed by removing the film 13, and a gate insulating film 13B is formed. - 特許庁

基板上の特定領域と、他の所定領域において、相互に厚さを異にするシリコン絶縁膜が形成されて成る半導体装置の製造方法であって、第１のシリコン絶縁膜２８の特定領域の除去工程におけるフォトリソグラフィによるエッチング、即ち開口２８Ｗの穿設において、フォトレジスト層の塗布に先立って、ＨＭＤＳ被着と加熱を行うものである。例文帳に追加

In the method for fabricating a semiconductor device where silicon insulation films having a different thickness are formed, respectively, in a specified region and other specified region on a substrate, HMDS coating and heating are performed prior to coating of a photoresist layer when photolithographic etching, i.e., boring of an opening 28W, is performed in the process for removing the specified region of a first silicon insulation film 28. - 特許庁

アクリル酸から誘導され、かつ環式構造を有しない構成単位であって、側鎖にアルコール性水酸基を有する構成単位（ａ０−１）と、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を含有する構成単位（ａ１）とを含むアルカリ可溶性樹脂（Ａ１）を有機溶剤に溶解してなる、レジスト層用のアルカリ現像液で除去可能な保護膜形成用材料。例文帳に追加

The material for forming a protective film removable with an alkaline developer for a resist layer is obtained by dissolving in an organic solvent an alkali-soluble resin (A1) including a constitutional unit (a0-1) derived from acrylic acid, having no cyclic structure and having an alcoholic hydroxyl group in a side chain and a constitutional unit (a1) including an alicyclic group having a fluorinated hydroxyalkyl group. - 特許庁

半導体製造等のレジスト処理工程における超清浄空間から排出される分子状汚染物質を含有する排気を、製造設備ラインの操業を停止させることなく除去清浄化し、精密に調温・調湿して、超清浄空間に長期間に亘って連続安定に循環供給する。例文帳に追加

To remove and clean exhaust gas containing molecular pollutant discharged from a superclean space in a resist treatment process like semiconductor manufacturing without stopping the operation of a manufacturing facility line, and to continuously and stably circulate and feed to the superclean space over a long period by precisely controlling temperature and humidity. - 特許庁

薄膜の成膜又は洗浄後の基板表面に予め容易に除去可能な水溶性有機溶剤を塗布し、基板表面に分子レベルのラッピングを行って保管し、保管された当該基板にレジストを塗布する前に、基板表面に疎水化処理、具体的にはヘキサメチルジシラザンを用いて基板表面の水酸基をトリメチルシリル基に置換する。例文帳に追加

A water-soluble organic solvent which is easily removed is previously applied to the surface of the substrate that is subjected to a thin film forming process or a cleaning process so as to wrap up the surface of the substrate at a molecular level, and the wrapped substrate is stored. - 特許庁

パッシベーション膜３から露出し、その上面にチタンナイトライド膜から成るキャップメタル２が積層されたアルミニウム膜から成る金属層（パッド電極）１を含む基板全面にポリイミド膜４を形成し、前記ポリイミド膜４上に形成したレジスト膜をマスクにして前記パッド電極１上のポリイミド膜３を除去する。例文帳に追加

This polyimide film 4 is formed over the entire surface of a substrate including a metal layer (pad electrode) 1 made of an aluminum film, which is exposed from a passivation film 3 and has a cap metal 2, made of a titanium nitride film, stacked on the top surface, and a resist film formed on the polyimide film 4 is used as a mask to remove the polyimide film 3 on the pad electrode 1. - 特許庁

銅メッキされたビアにより表裏導通された回路基板において、ソルダーレジスト８の表面粗化処理、更に半田ボール搭載面の銅露出部のパラジウム除去処理、および表面処理工程が、有機防錆処理、無電解金メッキ、無電解スズメッキ、半田処理からなる半導体パッケージ用基板の製造方法。例文帳に追加

In relation to a circuit board of which the front and back sides are electrically connected through copper-plated vias, in this manufacturing method of a board for a semiconductor package, a surface roughening process of solder resist 8, a palladium removal process of a copper exposure part on a solder ball mounting surface, and a surface treatment process comprises an organic rustproofing process, electroless gold plating, electroless tin plating and a solder process. - 特許庁

その後、金属層３の少なくとも一部にミリング加工を施し、次いでエッチング加工を施し、その後にエッチングレジスト６を除去することによって、幅または径ｃが金属層の厚さｄに対して、 ｃ／ｄ≦２．５の関係を満たすスリットや孔などの凹状部１０を有する回路基板材料を製造する。例文帳に追加

After that, the circuit board material having a concave part 10 such as a slit or a hole satisfying the relation of c/d≤2.5 in which the c is a width or a diameter and d is a thickness is manufactured by providing a milling-machining to at least a part of the metal layer 3, then providing an etching machining, and then removing an etching resist 6. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、先ず、第２のフォトレジストマスク１４を溶剤を使用して溶解除去した後、Ｔｉ膜９に対して積層金属膜（主にＡｕ）の選択比の大きな混合ガスとしてＡｒとＮ_２の混合ガス、または、ＡｒとＯ_２の混合ガスのいずれかを使用して積層金属膜をイオンミリングする。例文帳に追加

In the method of manufacturing the semiconductor device, first, a second photoresist mask 14 is removed by melting using a solvent, and then the multilayer metal film is ion-milled using a mixed gas of Ar and N_2 or a mixed gas of Ar and O_2 as a mixed gas having a larger selectivity against the multilayer metal film (especially, Au) than against a Ti film 9. - 特許庁

相対的に薄いゲート絶縁膜の形成領域におけるゲート絶縁膜７ａをエッチング除去するためのマスクであるフォトレジスト膜３ｅを用いて、そこから露出する半導体基板１に相対的に薄いゲート絶縁膜を持つｎチャネル型電界効果トランジスタおよびｐチャネル型電界効果トランジスタのしきい値電圧調整用の不純物を一括して導入する。例文帳に追加

Using a photoresist film 3e, which is a mask for etching/ removing a gate insulating film 7a in a formation region of a relatively thin gate insulating film, an impurity for adjusting the threshold voltage of an n- channel type field effect transistor and p-channel type field effect transistor having a relatively thin gate insulating film, is introduced in batch in a semiconductor substrate 1 exposed there. - 特許庁

また、２層レジストパターン５および可溶層パターン２Ａを共に溶解可能な溶剤を用いてこれらを１回の操作で溶解除去するので、第１の薄膜パターン１７にバリを発生させることなく円滑なリフトオフ操作を行うことができ、より微小な寸法を有する第１の薄膜パターン１７を高精度かつ容易に形成することができる。例文帳に追加

In addition, since both the two-layer resist pattern 5 and a soluble layer pattern 2A are removed by dissolution through one time operation by using a solvent which can dissolve both the patterns 5 and 2A, the first thin film pattern 17 having more minute size can be formed easily with high accuracy by performing smooth lift-off operation without causing any burrs in the first thin film pattern 17. - 特許庁