「レジスト除去」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

その後、Ｏ_２アッシャー及び薬液によってレジスト４，７を除去し、溝５を開口する。例文帳に追加

Therefore, the groove 5 is opened by removing the resists 4 and 7 by using an O2 asher and a liquid chemical. - 特許庁

基板に与えるダメージを抑えつつ、フォトレジスト層上の異物を除去する。例文帳に追加

To remove foreign materials on a photoresist layer while suppressing damage applied to a substrate. - 特許庁

Ａｌ配線工程などにおけるレジスト残渣除去を全て単一の薬液で行えるようにする。例文帳に追加

To remove all resist residual liquids in Al wiring process steps, etc., using only a single chemical liquid. - 特許庁

基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing apparatus and a method for removing a photoresist on a top surface of a substrate. - 特許庁

レジストパターンの形成方法と残存膜除去処理システムおよび記録媒体例文帳に追加

METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, SYSTEM FOR REMOVAL PROCESSING OF REMAINING FILM, AND RECORDING MEDIUM - 特許庁

撥液膜やレジストの除去工程をなくして、製造工程を簡略化する。例文帳に追加

To simplify a manufacturing process by eliminating liquid repelling membrane and resist removal processes. - 特許庁

次に、レジストマスク２６を酸素プラズマ処理によるフルアッシングにより除去する。例文帳に追加

Then the resist mask 26 is removed by full-ashing in an oxygen plasma process. - 特許庁

フォトレジスト等の残渣、および／又はエッチング／アッシング後の残渣等の残渣が除去できる。例文帳に追加

To provide a cleaning composition and method for removing residues such as, for example, remaining photoresist and/or residues resulting from etching and/or ashing. - 特許庁

次に、レジストパターン１５をマスクとし、サイドウォール酸化膜残り１４を除去する。例文帳に追加

Then, the resist pattern 15 is turned to a mask, and the sidewall oxidized film remainder 14 is removed. - 特許庁

レジストやポリマー残渣を確実に剥離除去可能とし、配線へのダメージを最小限に抑える。例文帳に追加

To reliably remove a resist and polymer residue and to minimize damage to wiring. - 特許庁

先ず、ウェハの下地のＳＯＧ膜上に形成された不良のレジストパターンを酸化して除去する。例文帳に追加

First, a defective resist pattern formed on an SOG film of the base of a wafer is oxidized and removed. - 特許庁

その後、エッチングレジスト２２を除去することにより、本実施例のメタルマスク１３が完成する。例文帳に追加

Thereafter, the etching resists 22 are removed, whereby the metal mask 13 can be obtained. - 特許庁

レジスト残渣の除去をＵＶアッシング法やＲＩＥ法などの化学的方法により行う。例文帳に追加

The resist residue is removed by a chemical method such as a UV ashing method, an RIE method or the like. - 特許庁

その後、レジストパターンを剥離液又は酸素プラズマアッシングにより除去する。例文帳に追加

After that, the resist pattern is removed by using a resist stripper or oxygen plasma ashing. - 特許庁

次に、金属メッキ膜５１０を残して、第１のレジストフレーム４１０を除去する。例文帳に追加

The first resist frame is then removed by allowing the metallic plating film 510 to be left. - 特許庁

レジスト除去を行うことにより、断面形状が階段形状であるエアブリッジ１０が完成する。例文帳に追加

By removing the resist, the air bridge 10 whose cross section has a staircase shape is completed. - 特許庁

フラッグ１０６は、フォトレジストを除去した後に残存する触媒材料１０３であってよい。例文帳に追加

The flags 106 may be remaining catalytic materials 103 remaining after the removal of photoresists. - 特許庁

その後，レジストパターン寸法縮小剤の未硬化部分を純水により洗浄除去する。例文帳に追加

Afterwards, an unhardened portion of the resist pattern dimension reduction agent is cleaned with the deionized water for removal. - 特許庁

次に、レジスト膜９１上の第３の薄膜Ｆ３をリフトオフ法により除去する。例文帳に追加

Next, the third thin film F3 on the resist film 91 is removed by liftoff technology. - 特許庁

無電解めっき工程の後、レジストを除去し、露呈する銅薄膜及びマンガン層の不要部分を除去する。例文帳に追加

After the electroless plating process, the resist is removed and the unneeded part of the exposed copper thin film and manganese layer is removed. - 特許庁

フォトレジストを除去後、この絶縁膜上に電極膜を堆積し、不要部をエッチング除去しパッド電極ＤＰ１０，ＤＰ２０とする。例文帳に追加

After removing the photoresist, an electrode film is deposited on the insulating film and unnecessary part is removed by etching to obtain pad electrodes DP10 and DP20. - 特許庁

連続的に触媒電極を用いてレジスト除去などを行うに当たり、除去レートが簡単に回復する処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing method for easily recovering a removal rate in removing a resist or the like using a catalyst electrode consecutively. - 特許庁

次に、レジスト層９を除去した後（ｇ）、各Ｎｉ層１２の間のＣｕ層６，８をエッチング処理により除去する（ｈ）。例文帳に追加

After the resist layer 9 is eliminated (g), the Cu layers 6, 8 between the Ni layers 12 is eliminated by etching (h). - 特許庁

フォトレジスト（６０）は、現像液（７０）と化学的反応が生じて除去されるとともに、その噴射圧力によって確実に除去することができる。例文帳に追加

The photoresist (60) is removed by the chemical reaction with the developing solution (70) and can surely be removed by the spray pressure thereof. - 特許庁

生成したＣｕｌｘの反応生成物を水洗処理によって除去した後、フォトレジストを除去する。例文帳に追加

After a reaction product of the produced Culx is eliminated by water washing treatment, the photo resist is eliminated. - 特許庁

レジストパタ−ンを除去後、給電用金属膜の金属めっき層が形成されていない部分をイオンミリング法によって除去する。例文帳に追加

After the resist pattern is removed, the portion of the power feeding metal film formed with no metal plating layer is removed by the ion milling method. - 特許庁

イオン注入マスクとして使用されたレジスト膜パターンが酸化工程、膨潤化工程、除去工程を順に経ることにより除去される。例文帳に追加

The resist film pattern that has been used as an ion injection mask is removed by going through the steps of oxidation, swelling, and removal. - 特許庁

次に、フォトレジスト膜を除去した後、希フッ酸洗浄液を使ってビアホール３７の内部を洗浄し、アルミナ残渣を除去する。例文帳に追加

Next, after removing the photoresist film, inside of the via hole 37 is washed with washing liquid consisting of dilute hydrofluoric acid to remove the residual alumina. - 特許庁

これにより、レジスト膜５の除去とともに、層間絶縁膜３中に取り込まれたフッ素および水を除去することができる。例文帳に追加

Thus, the resist film 5 can be removed, and fluorine and water taken in the interlayer insulating film 3 can be also removed. - 特許庁

レジスト層を除去した後、エッチングにより回路パターン間に残った導体層１部分およびめっき層１４部分を除去する。例文帳に追加

The method also comprises the steps of removing the resist layer, and then removing the conductor layer 1 retained between the circuit patterns and the plated layer 14 by etching. - 特許庁

バンプ形成領域以外のレジスト層が除去された積層板１０にエッチングを施すことにより、バンプ形成領域以外の導体箔を除去する。例文帳に追加

Subsequently, the multilayer plate 10 is etched, thus removing the conductor foil except the bump forming regions. - 特許庁

フォトレジスト材料の除去プロセス及び該除去プロセスを使用したＣＭＯＳフォトセンサ—の製造方法例文帳に追加

REMOVAL PROCESS OF PHOTORESIST MATERIAL, AND MANUFACTURE OF CMOS PHOTOSENSOR USING THE REMOVAL PROCESS - 特許庁

第２レジストパターン２０３を除去した後、犠牲層９を選択的に除去して可動部１５の下部に空間部ａを形成する。例文帳に追加

After the second resist pattern 203 is removed, the sacrificial layer 9 is selectively removed to form a space part (a) below the movable part 15. - 特許庁

高ドーズイオンが注入されたレジストを良好に除去することができる除去工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production process of a semiconductor device including a process for removing resist into which high dose ions are implanted. - 特許庁

次に露出した前記シリコン酸化膜をエッチングして除去し、続いてトレンチ底部に残ったレジストを除去する。例文帳に追加

Subsequently, an exposed silicon oxide film is removed by etching and the resist remaining at the bottom of the trench is removed. - 特許庁

次に、レジストマスク５６を除去し、導電性材料シード５４の不要部分を除去する（磁性材料シード露出工程）。例文帳に追加

Then, the resist mask 56 is removed, and the unnecessary part of the conductive material seed 54 is eliminated (magnetic material seed exposing step). - 特許庁

その後、レジストマスクを除去し、さらにエッチング処理により、犠牲層の一部を残して該犠牲層を除去する。例文帳に追加

Thereafter, the resist mask is removed, and furthermore the sacrificial layer is removed with one part left by an etching processing. - 特許庁

その後、レジスト層１２を除去するとともに、前記導体線路間の不要な下地導体層を除去する。例文帳に追加

Thereafter, the resist layer 12 is removed, and the unnecessary substrate conductor layer between the conductor lines is removed. - 特許庁

被加工物に露光し潜像形成後（ＥＢ露光後）、現像前に、レジスト表面層３を除去（面荒れ領域除去）する。例文帳に追加

After a latent image is formed by exposing the object (EB exposure), the resist surface layer 3 is removed (a rough surface region is removed) before developing. - 特許庁

その後、該領域のレジストを完全に除去し、露出したアルミ膜のみ選択エッチング除去する。例文帳に追加

Afterwards, the complete removal of the resist of the region is carried out, and the selective etching removal of only the exposed aluminum film is carried out. - 特許庁

次に、導電性樹脂層２３を凸部３０が露出するまで研磨除去し、フォトレジスト２６で形成された凸部３０を剥離除去する。例文帳に追加

Then, the conductive resin layers 23 are polished and removed till the protruded parts 30 are exposed and the protruded parts 30 formed with the photo-resist 26 are peeled to be removed. - 特許庁

厚膜感光性樹脂組成物層除去用剥離液、レジストパターンの除去方法及びプラズマディスプレイパネルの製造法例文帳に追加

PEELING LIQUID FOR REMOVING THICK-FILM PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION LAYER, METHOD FOR REMOVING RESIST PATTERN AND PRODUCTION OF PLASMA DISPLAY PANEL - 特許庁

半導体基体上のレジストや被膜残渣を、残渣物なく高速に除去できる除去用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for removal with which a resist or a coating residue on a semiconductor substrate can be fast removed without leaving a residue. - 特許庁

これをマスクとして保護膜をエッチング除去することにより中間保護膜ＴＨ１０とし、フォトレジストを除去する。例文帳に追加

It is used as a mask for removing the passivation by etching, thus obtaining an intermediate passivation TH10 and then the photoresist is removed. - 特許庁

磁気抵抗効果素子の形成工程において、レジスト及びその上に堆積した磁区制御膜を除去する工程で、確実に除去する。例文帳に追加

To surely remove the resist and the magnetic domain control film deposited thereon in a process of removing them in a process of forming a magnetoresistive effect element. - 特許庁