「半導体中」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

中空パッケージ及び半導体装置例文帳に追加

HOLLOW PACKAGE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体素子搭載中空パッケージ例文帳に追加

SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING HOLLOW PACKAGE - 特許庁

中空構造を有する半導体装置例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HOLLOW STRUCTURE - 特許庁

中空型半導体パッケージ例文帳に追加

HOLLOW-TYPE SEMICONDUCTOR PACKAGE - 特許庁

半導体装置用中間製品例文帳に追加

INTERMEDIATE PRODUCT FOR SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体パッケージ用中継基板、半導体サブパッケージおよび半導体装置例文帳に追加

RELAY SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR SUB PACKAGE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体装置に配設される中継部材、半導体装置、及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

RELAY MEMBER TO BE ARRANGED ON SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体基板の内部に中空を形成する方法及び半導体基板例文帳に追加

METHOD FOR FORMING HOLLOW INSIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

半導体素子収納用中空パッケージ及び半導体装置例文帳に追加

HOLLOW PACKAGE FOR HOUSING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体装置に配設される中継部材及び半導体装置例文帳に追加

RELAY MEMBER ARRANGED IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体装置およびその中間体ならびに半導体装置の製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, INTERMEDIATE PRODUCT THEREOF AND FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体基板上に半導体層を積層して作製する半導体素子の製造方法において、前記半導体基板上の半導体素子の分離に際しては、分離すべき素子単位を予め絶縁膜で囲い、この囲い中に半導体層を積層して半導体素子を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the semiconductor device manufactured by stacking a semiconductor layer on a semiconductor substrate, when the semiconductor devices on the semiconductor substrate are separated, device units to be separated are enclosed by an insulation film, and the semiconductor device is formed by stacking the semiconductor layer in the enclosure. - 特許庁

半導体装置１は、半導体基板中に形成されたｎ型半導体領域４と、ｎ型半導体領域４よりも半導体基板の表面から深い位置に形成されたｐ型半導体領域３と、ｐ型半導体領域３の一部に形成された重金属捕獲領域５とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device 1 comprises an n-type semiconductor region 4 formed in a semiconductor substrate, a p-type semiconductor region 3 formed in a position deeper than the region 4 from the surface of the semiconductor substrate, and a heavy-metal-capturing region 5 formed in a part of the region 3. - 特許庁

半導体装置の荷電中心位置の評価方法、半導体装置の荷電中心位置の評価装置、及び半導体装置の荷電中心位置の評価プログラム例文帳に追加

METHOD OF EVALUATING CHARGE CENTER POSITION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, EVALUATION APPARATUS AND PROGRAM THEREFOR - 特許庁

半導体基板や製造ラインを金属汚染することなく、真空中での半導体基板の加熱を容易に行うことができる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造用治具、および半導体装置の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method, tool, and apparatus for manufacturing a semiconductor device capable of easily heating a semiconductor substrate in a vacuum without contaminating the semiconductor substrate or a manufacturing line by metal. - 特許庁

または、第１の半導体領域と第２の半導体領域との間に、第１の半導体領域側から第２の半導体領域側に向けて不純物濃度を漸次低下させた中間半導体領域を設ける。例文帳に追加

Or, an intermediate region which is gradually decreased in impurity concentration starting from the first semiconductor region toward the second semiconductor region is provided between the first semiconductor region and the second semiconductor region. - 特許庁

半導体光電変換ユニットの半導体層と、導電性の透明中間層との間に、この半導体光電変換ユニットの半導体層と逆の導電性を示す半導体を介在させ、ｐｎ逆接合部を形成する。例文帳に追加

Between the semiconductor layer of each semiconductor photoelectric conversion unit and a conductive transparent intermediate layer, a semiconductor of the conductivity type opposite to that of the semiconductor layer of each semiconductor photoelectric conversion unit is provided to form a pn reverse junction portion. - 特許庁

化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide: a method for manufacturing a compound semiconductor film capable of increasing an amount of incorporation of zinc into a compound semiconductor crystal; a compound semiconductor film; and a semiconductor device using the compound semiconductor film. - 特許庁

半導体構造は、第１の半導体領域および半導体基板の中にキャパシタキャパシタをさらに含む。例文帳に追加

The semiconductor structure further includes a capacitor in the first semiconductor region and the semiconductor substrate. - 特許庁

半導体膜は第１の有機半導体の離散的領域を含んでおり、その離散的領域は第２の有機半導体のマトリクスの中に存在する。例文帳に追加

The semiconductor film includes the discrete region of the first organic semiconductor, and the discrete region is present in the matrix of the second organic semiconductor. - 特許庁

半導体ウェーハ２１中に半導体素子を形成し、この半導体ウェーハをダイシングライン２４に沿ってダイシングする。例文帳に追加

The processes of forming semiconductor devices in a semiconductor wafer 21 and making dicing cuts in the semiconductor wafer along dicing lines 24 are implemented. - 特許庁

半導体集積回路装置１０は、半導体集積回路装置用基板１の中央部に半導体チップＣＰが搭載してある。例文帳に追加

In a semiconductor integrated circuit device 10, semiconductor chips CP are mounted on the center of a substrate for semiconductor integrated circuit device 1. - 特許庁

半導体の並列駆動回路において、各半導体の電力損失を均等に分散させて所定半導体のみの熱集中を回避する。例文帳に追加

To avoid the thermal concentration of only a prescribed semiconductor by equally dispersing the power loss of each semiconductor in a parallel drive circuit of the semiconductor. - 特許庁

半導体チップ（２）をすでに実装された半導体チップ（１４）に配置すると、半導体チップ（２）の中心が最初に衝突する。例文帳に追加

When a semiconductor chip (2) is placed on an already mounted semiconductor chip (14), the center of the semiconductor chip (2) hits first. - 特許庁

半導体装置は、前記半導体パッケージの中空底部に、半導体素子が装着され気密封止されてなる。例文帳に追加

In the semiconductor device, a semiconductor element is mounted and sealed hermetically on the hollow bottom section of the semiconductor package. - 特許庁

第１の半導体素子１２Ａを制御する第２の半導体素子１２Ｂは、半導体装置１０の中央部付近に配置される。例文帳に追加

A second semiconductor device 12B controlling the first semiconductor device 12A is arranged near a center section of the semiconductor device 10. - 特許庁

半導体光素子の作製プロセス中、半導体ウェハにダメージを与えることを抑制可能な半導体光素子の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor optical element capable of preventing a semiconductor wafer from being damaged during a manufacturing process of the semiconductor optical element. - 特許庁

実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、Ｉｎ含有中間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。例文帳に追加

A semiconductor light-emitting element includes a first semiconductor layer, a light-emitting part, a second semiconductor layer, and an In-containing intermediate layer. - 特許庁

半導体チップの応力集中を防止し、半導体チップの特性劣化や信頼性の低下を防止できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which the characteristics and reliability of a semiconductor chip can be prevented from deteriorating by preventing concentration of stress thereto. - 特許庁

半導体層中の小分子半導体は、１００ナノメートル未満の結晶サイズを有する。例文帳に追加

The small molecule semiconductor in the semiconducting layer has a crystallite size of less than 100 nanometers. - 特許庁

半導体層中のドーパント拡散制御プロセス及びそれにより形成された半導体層例文帳に追加

PROCESS FOR CONTROLLING DOPANT DIFFUSION IN SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED THEREBY - 特許庁

エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置用中空パッケージ、並びに半導体部品装置例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION, HOLLOW PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR PART DEVICE - 特許庁

エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置用中空パッケージ、並び半導体部品装置例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION, HOLLOW PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR PART DEVICE BY USING THE SAME - 特許庁

化合物半導体装置の製造中に化合物半導体への水素の添加を防ぐ。例文帳に追加

To prevent a hydrogen from being added to a compound semiconductor during manufacturing of a compound semiconductor device. - 特許庁

炭化珪素半導体ウエハ中の転位検出方法および炭化珪素半導体装置の製造方法例文帳に追加

DISLOCATION DETECTING METHOD IN SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR WAFER, AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

結晶化中にドープ半導体チャージを添加する半導体の凝固方法例文帳に追加

METHOD FOR SEMICONDUCTOR SOLIDIFICATION WITH ADDITION OF DOPED SEMICONDUCTOR CHARGES DURING CRYSTALLIZATION - 特許庁

続いて、半導体基板２を窒素雰囲気中に配置して、半導体基板２が熱処理される。例文帳に追加

Subsequently, a semiconductor substrate 2 is disposed in a nitrogen atmosphere and heat-treated. - 特許庁

半導体パッケージの製造中に半導体部品を基板に供給する機器例文帳に追加

APPARATUS FOR SUPPLYING SUBSTRATES WITH SEMICONDUCTOR COMPONENT DURING MANUFACTURING OF SEMICONDUCTOR PACKAGE - 特許庁

半導体製造装置、半導体装置の製造方法およびガス中金属の除去方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND REMOVING METHOD OF METAL IN GAS - 特許庁

半導体装置の製造工程において、半導体層膜中に不純物が混入することを防ぐ。例文帳に追加

To prevent impurities from contaminating a film of a semiconductor layer in a process of manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

成形回路基板、半導体素子収納用中空パッケージおよび同パッケージを用いた半導体素子例文帳に追加

MOLDED CIRCUIT BOARD, HOLLOW PACKAGE FOR HOUSING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

膜（３６）の半導体層中に半導体デバイス（２４、２６、２８．．．３０）を形成する。例文帳に追加

The semiconductor devices (24, 26, 28, ..., 30) are formed in a semiconductor layer of a membrane (36). - 特許庁

半導体装置、半導体装置製造用中間体およびそれらの製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, INTERMEDIATE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM - 特許庁

半導体基板洗浄方法、半導体基板洗浄装置、及び液中気泡混合装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE CLEANING, AND APPARATUS FOR MIXING AIR BUBBLES INTO LIQUID - 特許庁

半導体中の不純物の活性化方法および半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR ACTIVATING IMPURITY IN SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁