「半導体中」に関連した英語例文の一覧と使い方(116ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体製造分野で使用される特にプロセスガス中の微小パーティクルを除去するプロセスガス用濾過部材の改良に関するものであって、ロウ付け加工の採用と例えば配管の継手部内にも直接装着できるコンパクト化とによって、濾過特性に優れながらも従来のような太径のハウジング部材との併用を無くすることを可能として、配管密度の向上を図るとともに、これまで使用時に必要とされてきた高圧ガス容器としての許認可問題を解消し得る濾過部材に関係するものである。例文帳に追加

To provide a method for fixing a filter member capable of preventing the deterioration of filtration performance due to brazing connection and capable of making the member compact and to provide the filter member obtained by using the method. - 特許庁

基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ層をその厚みの途中まで選択的にドライエッチングして略ストライプ状の凸状体を形成する工程と、前記凸状体の上面と両側面とに保護膜を形成する工程と、前記凸状体の周囲の前記ＩｎＧａＡｌＰ層をフッ酸を含有する溶液でエッチングすることにより、前記凸状体を含むリッジを形成する工程と、を備えたことを特徴とする光半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

The manufacturing method of an optical semiconductor element comprises the steps of forming a substantially stripe-shaped protruded structure by selectively dry etching an InGaAlP layer formed on a substrate up to the middle of its thickness, forming a protective film on the upper surface and both side surfaces of the protruded structure, and forming the ridge including the protruded structure by etching the InGaAlP layer around the protruded structure with a solution containing fluorinated acid. - 特許庁

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。例文帳に追加

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer. - 特許庁

複数の基板を保持する基板保持部と、前記基板の表面を平坦化するプラズマ処理部と、前記基板の表面を絶縁膜を形成するスパッタ成膜処理部と、前記基板の表面と裏面を装置内で反転させる反転部と、基板と基板との表面を向かい合わせに貼り合わせ、一対の基板とする貼り合せ部と、前記一対の基板を熱処理する熱処理部と、を有する半導体基板の製造装置にて、表面清浄化、平坦化処理を行いつつ、工程中の基板移動距離を少なくする。例文帳に追加

In the manufacturing apparatus, the moving distance of the substrate during the process is reduced, while cleaning the surface, and performing planarization treatment. - 特許庁

さらに、2002年においては、111件（前年比▲2.6%）の対日M&Aがあり、具体的には、東芝によるマイクロンテクノロジー（米国）への半導体製造設備の売却や、セイコーインスツルメンツによるビーオーシー・エドワーズ（イギリス）への真空ポンプ事業の売却等前年に引き続き日本企業の事業見直しに係る案件があった一方で、ウォルマート（米国）による西友への資本参加や、ロシュ（スイス）による中外製薬の買収等流通・製薬業界再編の本格化を進展させるような事例も目立つ等、日本市場における外資企業のプレゼンスは日々高まってきている。例文帳に追加

Moreover, in 2002 there were 111 M&A cases (-2.6 percent year-on-year) in Japan. In concrete terms, there were cases involving Japanese corporations reexamining their businesses, as there had been in the year before, such as Toshiba selling its semiconductor manufacturing equipment to Micron Technology (US) and Seiko Instruments Inc. selling its vacuum pump business to BOC Edwards (UK). Meanwhile, other cases that captured attention were those that triggered the full-scale restructuring of Japanese distribution and pharmaceutical industries such as capital participation in Seiyu by Wal-Mart (US) and the acquisition of Chugai Pharmaceutical by Roche (Switzerland). Thus, foreign companies are increasing their presence in Japanese markets day by day. - 経済産業省

そうした中、被災の程度が大きい岩手県、宮城県、福島県の東北3 県や茨城県等の周辺地域（以下、被災地域という。）は、我が国における自動車部品産業、半導体等の電子部品産業やそれらの生産に必要な素材等関連産業の集積地域の一部であるため、被災地域からの部品や素材の供給が停滞するのではないかという懸念が各方面から表明され、実際の国内外の生産活動に影響を与えているものもある。例文帳に追加

In such a dire situation, since some parts of the Japanese automotive and electronic parts (such as semiconductors) industries, and related industrial manufacturing materials necessary for those productions are located in the three severely damaged Tohoku prefectures of Iwate, Miyagi, and Fukushima and neighborhood areas of Ibaraki etc. (herein after referred to as "disaster-stricken area"), a concern was expressed from various quarters that supply of parts and materials from disaster-stricken areas may be delayed or interrupted. In fact, some of the domestic and foreign production activities were affected. - 経済産業省

予め重量を測定した測定容器に試料を充填した後に重量を測定し、重量の差をとして記録する。測定容器を検出装置に載せ、２．２．３で設定した測定時間で測定し、スペクトルを得る。スペクトルを「文部科学省編放射能測定シリーズNo.7 ゲルマニウム半導体検出器によるガンマ線スペクトロメトリー」に記載の方法、あるいは国際的に認められた方法で解析し、試料中の放射性セシウム濃度X と測定結果に伴う計数誤差による標準偏差σX を得る。例文帳に追加

Weigh an empty measurement vessel. Pack the sample into the vessel and weigh. Record the difference as the sample weight. Place the measurement vessel on the detector, and perform the measurement for the time set in 2.2.3. Analyze the obtained spectrum according to the method described in “Gamma-ray Spectrometry using Germanium Semiconductor Detectors” of MEXT's Radiation Measurement Method Series 7 or an internationally accepted method to obtain the radioactive cesium concentration X in the sample and the standard deviation of measurement result originating in the counting error σX . - 厚生労働省

ロ　マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、プログラムを電気的に消去することができるプログラマブルロム（フラッシュメモリーを含む。）、スタティック式のラム、化合物半導体を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、デジタルアナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールドプログラマブルロジックデバイス、ニューラルネットワークを用いたもの、カスタム集積回路（ハからチまでのいずれか若しくはルに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計したものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。以下この条において同じ。）又はＦＦＴプロセッサであって、次のいずれかに該当するもの（他の貨物に使用するように設計したものを除く。）例文帳に追加

b) Microprocessors, microcomputers, microcontrollers, programmable ROM that can electronically delete programs (including flash memory), static RAM, and devices using storage elements that employ compound semiconductors, analog-to-digital converters, digital-to-analog converters, electro-optical integrated circuits or optical integrated circuits used for signal processing, field programmable logic devices, those using neural networks, custom integrated circuits (excluding those for which it is possible to determine whether or not they are goods that fall under any of (c) through (h), or (k), or those for which it is possible to determine whether or not they are goods falling under any of the goods in the middle column of rows 5 through 15 of the appended table 1 of the Export Order; hereinafter the same shall apply in this Article) or FFT processors that fall under any of the following categories (excluding those designed for use in other goods  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ＬＥＤエピフィルム２０と、このＬＥＤエピフィルム２０の第１の面２０ａ上に配置された光学的反射面３０ａと、ＬＥＤエピフィルム２０の第２の面２０ｂ上に配置された光学的反射面１１ａとを有し、ＬＥＤエピフィルム２０内で発生した光を第１の面２０ａを通して出射する半導体発光装置であって、λ_０をＬＥＤエピフィルム２０で発生する光の発光中心波長とし、ｎをＬＥＤエピフィルム２０の屈折率とし、ｈをＬＥＤエピフィルム２０の厚さとし、ｍを０又は正の整数とし、ξをＬＥＤエピフィルム２０で発生する光の干渉が無いときの発光スペクトルの半値幅としたときに、次式を満足する。例文帳に追加

The semiconductor light emitting device has an LED epitaxial film 20, an optical reflective surface 30a arranged on a first surface 20a of the film 20, and an optical reflective surface 11a arranged on a second surface 20b of the film 20, and outputs the light generated in the film 20 through the surface 20a. - 特許庁