「半導体中」に関連した英語例文の一覧と使い方(112ページ目) - Weblio英語例文検索

微細な電気回路配線を形成する半導体素子の配線形成方法において、基材中に少なくともＣｕ層を含む導電体材料の埋め込みにより電気回路を形成し、該導電体材料の熱拡散移動を防止する材料によって、前記電気回路の開放表面のみを被覆する。例文帳に追加

In the method of forming wirings of a semiconductor element in which ultra-fine electronic circuit wirings are formed, the electronic circuits are formed by embedding conductor materials including at least Cu layer into the substrate material and only the open surface of the electronic circuits is covered with a material for preventing movement by thermal diffusion of the conductor material. - 特許庁

複数ゲート電界効果トランジスタ構造のトランジスタチャネルをその中に形成するためのフィン状構造を持ち、フィン状構造がＳＯＩ型構造の少なくとも１つの活性半導体層から、ＳＯＩ型構造の埋込み絶縁体上に形成されてなる理想的な複数ゲート電界効果トランジスタ構造と、その製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an ideal Multiple Gate Field Effect transistor structure with a fin-like structure for forming therein a transistor channel of the Multiple Gate Field Effect transistor structure, the fin-like structure being formed from at least one active semiconductor layer of a SOI type structure on a buried insulator of the SOI type structure, and to provide a method for fablicating same. - 特許庁

溶接機と並列に接続された進相コンデンサ回路の半導体スイッチを制御するスイッチ制御手段３０では、通電同期信号出力部３３が、溶接機コントローラ１ａから出力される通電信号に基づいて、溶接機の漸増制御期間中に通電同期信号を出力する。例文帳に追加

In a switch control means 30 controlling a semiconductor switch of a phase advance capacitor circuit connected to the welder in parallel, a current carrying synchronizing signal output part 33 outputs a current carrying synchronizing signal during a gradual increase control period of the welder on the basis of a current carrying signal outputted from a welder controller 1a. - 特許庁

固定砥粒４６ａに半導体ウェハを押圧して摺動させつつ研磨を行うポリッシング方法において、固定砥粒４６ａの表面に遊離砥粒を生じさせるためのドレッシング中又はドレッシング後に、液体、もしくは不活性ガスと純水又は薬液とが混合された液体を固定砥粒４６ａの表面に噴射する。例文帳に追加

A liquid or that in which inactive gas and pure water or a chemical are mixed is injected on the surfaces of the fixed abrasive grains 46a during or after dressing to grow free abrasive grains on the surfaces of the fixed abrasive grains 46a under the polishing method to polish a semiconductor wafer while sliding it by pressing it on the fixed abrasive grains 46a. - 特許庁

カメラモジュール４０は、モールド成型体１２の実装側面に形成された突起部と、突起部と共に外部接続端子を構成する金属膜１５と、モールド成型体中に埋め込まれた半導体素子１４と、モールド成型体の開口を通じて撮像用レンズ１１に対向する撮像素子１３と、モールド成型体が実装された配線基板１９とを有する。例文帳に追加

The camera module 40 includes: projections formed on the mounting side face of a molding 12; a metal film 15 constituting an external connecting terminal in cooperation with the projections; a semiconductor device 14 buried in the molding; an imaging device 13 facing an imaging lens 11 through an aperture of the molding; and a wiring board 19 with the molding mounted thereon. - 特許庁

半導体記憶装置の十分な容量値を得ることができるメモリセル構造において、正負バイアス印加時でのリーク電流特性が０Ｖを中心に非対称性をもつ容量絶縁膜を使用する場合で、かつ、一方の極性のバイアスを印加した際にリーク電流が目標設定値を越えてしまう場合にでも、リーク特性を満足させ、電荷保持特性を満足させる。例文帳に追加

To satisfy leakage characteristics and satisfy charge retention characteristics even in the case that the leakage current characteristics are centered during positive and negative application and a capacity insulation film having asymmetry is used in a memory cell structure capable of obtaining the sufficient capacity value of a semiconductor storage device and in the case that leakage current exceeds a target set value in applying one polar bias. - 特許庁

これにより、チャネル層３７によってドリフト層３３に形成される空乏層とリサーフ領域５２によってドリフト層３３に形成される空乏層とがＩＧＢＴセル１０とダイオードセル２０との境界付近で滑らかに接続されるので、当該境界付近における電界集中を緩和することができ、半導体装置の耐圧を確保することができる。例文帳に追加

Accordingly, a depletion layer formed by the channel layer 37 in a drift layer 33 and a depletion layer formed by the resurf region 52 in the drift layer 33 are smoothly linked at around a boundary between the IGBT cell 10 and the diode cell 20 thereby easing electric field concentration at around the boundary to ensure the breakdown voltage of the semiconductor device. - 特許庁

中間データを用いて半導体試験装置上で実行されるテストプログラム又はテストパタンプログラムを生成する生成装置などであって、自動化可能部分を特定して自動生成化を進ませた生成方法、その生成方法をコンピュータにより実行可能なプログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体、並びにシステム構成を簡略化する生成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a generation program for allowing automatic generation to advance, by specifying a part that can be automated, and also to provide a program for making a computer execute the generation method, a recording medium for recording the program, and a generating device for simplifying the system configuration. - 特許庁

高濃度Ｎ型の半導体基板１上に積層されたＰ型のエピタキシャル層上に、複数のトレンチ溝１１と、トレンチ溝１１内に充填された誘電体層１２に含まれるＮ型不純物が、Ｐ型のエピタキシャル層中に拡散して形成されたＮ型ピラー領域２と、拡散領域間に残ったＰ型のエピタキシャル層によるＰ型ピラー領域３とを備える。例文帳に追加

A plurality of trenches 11, an N type pillar region 2 formed by diffusing N type impurities contained in a dielectric layer 12 filling the trench 11 into a P type epitaxial layer, and a P type pillar region 3 by the P type epitaxial layer remaining between the diffusion regions are provided on the P type epitaxial layer laminated on a high concentration N type semiconductor substrate 1. - 特許庁

プラズマ照射或いは高温加熱、真空中の処理等の付加的なエネルギを用いることなく、極めて簡単な手法により被成膜面への成膜に対する下地依存性をほぼ完全に消去することができる被成膜面の改質方法及びこの改質方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for reforming a film-formation surface and a method for manufacturing a semiconductor device using the same by which the base dependency to film formation can be thoroughly eliminated on a film- formation surface, by eliminating an additional energy such as plasma irradiation or high temperature heating, processing in a vacuum, etc., by an extremely simplified method. - 特許庁

半導体ウェーハを処理するための縦型加熱炉に内蔵される石英プロセスチューブであって、上端部に天板を設けた円筒形石英ガラス管で構成されるプロセスチューブ本体と、該天板の上面に複数本の石英支柱を介して設けられかつ中央部を上方に湾曲させた石英補強部材とを有するようにした。例文帳に追加

The quartz process tube built in into a vertical heating furnace for processing a semiconductor wafer comprises the body of a process tube, constituted of a cylindrical quartz glass tube provided with a top plate in the upper end part, and a quartz reinforcing member provided on the upper surface of the top plate via a plurality of quartz columns and has a central part bent upward. - 特許庁

データ転送速度の速い制御部と内部にレジスタもしくはメモリを有しデータ転送速度の遅い被制御デバイスとを備えた半導体試験装置において、被制御デバイスからのデータの読み出しに要する時間を短縮できるとともに、書込み中に制御部から被制御デバイスに対するリード要求が発生した場合にも正しいデータを返送することができるようにする。例文帳に追加

To reduce time required for reading data from devices to be controlled, and to return correct data when a read request to the devices to be controlled occurs from a control section during write in a semiconductor-testing device including the control sections having a fast data transfer speed and the devices to be controlled having a slow data transfer speed while having a register or a memory in the inside. - 特許庁

これにより、上方に位置するボンディングパッドＢＰ１，ＢＰ２に外部から応力が加えられた場合であっても、下方に伝達された力は、互いに交差するように積層配置された第３配線層および第４配線層により、応力が全体に分散され、特定箇所への応力集中を緩和し、半導体装置の強度劣化を最小限に抑制することを可能とする。例文帳に追加

So, even if bonding pads BP1 and BP2 positioned above are applied with stress from outside, the stress conveyed downward is dispersed across the entire by the third wiring layer and fourth wiring layer stacked to cross each other, thereby relaxing concentration of stress to a specific point, and suppressing degradation in strength of a semiconductor device to the minimum. - 特許庁

充填容器１８と、充填容器１８内に少なくとも一部が液体となるように充填されたアンモニアを具備し、該液相のアンモニア中の水分濃度が、０．５ｖｏｌｐｐｍ以下であることを特徴とするＧａＮ系化合物半導体製造用アンモニアであって、充填容器１８の材料が、マンガン鋼またはアルミニウム合金であることを特徴とする。例文帳に追加

The ammonia product for manufacturing GaN-based compound semiconductors is provided with a filling container 18 and ammonia filled in the filling container 18 in such a way that at least a part thereof is in a liquid state, wherein the water concentration in the liquid-phase ammonia is 0.5 vol ppm or lower, and the material of the filling container 18 is manganese steel or an aluminum alloy. - 特許庁

配線基板上に形成された接続用電極部と配線基板上に搭載された半導体素子との接続部に生じる空隙部分を封止するための封止樹脂組成物であって、封止樹脂組成物中に多層構造となる粒子を含み、多層構造となる粒子の少なくとも１層以上はシロキサン骨格を有する。例文帳に追加

The sealing resin composition is one for sealing a gap formed at the connection part between a connection electrode part formed on a wiring board and a conductor element mounted on the wiring board, wherein multilayer-structure-forming particles are contained in the sealing resin composition, and at least one layer of the multilayer-structure-forming particles has a siloxane skeleton. - 特許庁

ｎチャネル型ＴＦＴのゲッタリング領域には、ｎ型不純物元素（代表的にリン）を添加し、ｐチャネル型ＴＦＴのゲッタリング領域には、ｐ型不純物元素（代表的にボロン）および希ガス元素（代表的にはアルゴン）を添加して半導体膜中に残留している触媒元素をゲッタリングするための加熱処理を行う。例文帳に追加

Heat treatment for gettering catalytic element remaining in a semiconductor film, by adding n-type impurity element (typically phosphorus) to the gettering region of an n-channel type TFT and adding a p-type impurity element (typically boron) and a rare gas element (typically argon) to the gettering region of a p-channel type TFT. - 特許庁

導電性支持体上に直接または中間層を介して感光層を設けた電子写真感光体において、該電子写真感光体が書込光として４００〜４５０ｎｍの波長を有する半導体レーザー光を照射され、且つ該感光層が酸化防止剤及び３９０〜４６０ｎｍ波長領域の単色光を透過するバインダー樹脂からなることを特徴とする電子写真感光体。例文帳に追加

In the electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer directly formed on a conductive supporting body or formed with an intermediate layer interposed, the electrophotographic photoreceptor is irradiated with semiconductor laser light at 400 to 450 nm wavelength as the addressing light, and the photosensitive layer consists of an antioxidant and a binder resin which transmits monochromatic light in 390 to 460 nm wavelength region. - 特許庁

半導体検出器、電離箱、シンチレーション検出器等の各種の検出器において、その入射部に負電圧が印加された捕集電極２５を設け、この捕集電極２５によって大気中に存在する放射性イオンを捕捉するとともに、捕捉された放射性イオンが放出するα線等の放射線をこの検出器で直接検出する。例文帳に追加

In various detectors such as a semiconductor detector, an ionization chamber and a scintillation detector, a scavenging electrode 25 is arranged for impressing negative voltage on the incident part, the radioactive ion existing in the atmopsphere is captured by this scavenging electrode 25, and a radioactive ray such as an α ray emitted by the captured radioactive ray is directly detected by this detector. - 特許庁

これによりＳｉＮ保護膜１８０中に水素が存在することで生じる窒化物半導体表面の状態変化と表面欠陥準位の荷電状態の変化が抑制され、ゲート漏れ電流と電流コラプスとをコマーシャルレベルの高い特性要求を満足するレベルまで抑制することが可能となる。例文帳に追加

Thus, a state change on the surface of the nitride semiconductor and a change in a charging state of the surface defect level caused by the presence of hydrogen in the SiN protection film 180 are suppressed so that the gate leakage current and current collapse can be suppressed to a level for satisfying the high characteristic requirement of the commercial level. - 特許庁

シリコン基材にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を被覆した半導体製造装置用部材であって、基材とＳｉＣ膜の界面にＳｉＣ膜が基材中に突出してなる凹凸が形成され、ＳｉＣ膜の厚さが１０〜１２０μｍで、ＳｉＣ膜の厚さと基材の厚さの比が０．０１〜０．１６であることを特徴とする。例文帳に追加

In the component for the apparatus for manufacturing a semiconductor with its substrate covered with a SiC film by a CVD method, concavity and convexity are formed with its SiC film projected into the substrate in the phase boundary between the substrate and SiC film, the thickness of SiC film is 10 to 120 μm, and the proportion of SiC film thickness to substrate thickness is 0.01 to 0.16. - 特許庁

例えば半導体ウエハや液晶装置等の電気光学装置用基板などの各種の基板を加熱処理する際に用いる基板加熱装置および電気光学装置の製造装置に係り、プロキシミティピン等の支持部材との接触で基板の中央部付近に窪みや傷がついたり、加熱不良が生じることなく、基板全体を良好かつ均一に加熱できるようにする。例文帳に追加

To satisfactorily and evenly apply heat to an overall substrate without causing dent or scratches around the center of the substrate by contact with a support member such as a proximity pin or causing faulty heating, in a substrate heater used for heating various substrates including a semiconductor wafer and a substrate for an electro-optical device such as a liquid crystal device and a manufacturing apparatus of the electro-optical device. - 特許庁

電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハ等へのパーティクルの付着を防止する電気銅めっき用アノード、該アノードの製造方法、該アノードを用いた電気銅めっき方法及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない被めっき物を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an anode for copper electroplating which suppresses the generation of particles, such as sludge, produced on the anode side in a plating solution is less stuck with particles to semiconductor wafers, etc., in performing copper electroplating, a method of manufacturing this anode, a copper electroplating method using this anode and an object to be plated which is plated by using these and is less stuck with the particles. - 特許庁

ダイシング用粘接着テープは、粘接着剤中の接着成分にはエポキシ樹脂のような低分子量物質が多く含まれているため、ダイシング時に粘接着剤が軟化して、ヒゲ状の切削屑が多く発生しＩＣなどの半導体装置組立工程での接着不良や不良品の発生する欠点を持つが、このような欠点のないダイシング用粘接着テープを提供する。例文帳に追加

To provide a pressure sensitive adhesive tape for dicing that can solve defects of causing improper adhesion and improper IC products in a semiconductor device assembling process for ICs or the like, because many low molecular weight substances such as an epoxy resin are included in adhesive components in a pressure sensitive adhesive agent in a conventional pressure sensitive adhesive tape, and the adhesive components are softened at dicing resulting in producing many whisker-like cutting trashes. - 特許庁

基材と、その表面に形成された１５〜４０ａｔ％の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。例文帳に追加

The member for a semiconductor processing apparatus having corrosion resistance and plasma erosion resistance in combination is created by a base material, and a vapor phase precipitated vapor deposition film of a chemically stable amorphous carbon-hydrogen solid material containing 15 to 40at.% hydrogen formed on the surface of the base material, and by dispersively incorporating superfine particles of a metal oxide into the vapor phase precipitated vapor deposition film of the amorphous carbon-hydrogen solid material. - 特許庁

画像形成技術の中でポジ型画像形成材料において、感光層の膜強度と保存安定性とに優れ、特に、紫外光、可視光及び赤外光を放射する固体レーザ及び半導体レーザ光を用いて記録することによりコンピューター等のデジタルデータから直接製版可能な平板印刷用版材を作成可能な酸分解型（ポジ型）感光性組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an acid decomposition type (positive type) photosensitive composition excellent in film strength and storage stability of photosensitive layer in a positive type image-forming material in an image-forming technique and particularly capable of preparing a plate material for litho printing which can be directly photo-engraved by using solid-state laser radiating ultraviolet light, visible light and infrared light and semiconductor laser from digital data of computer, etc. - 特許庁

有機溶媒中に分散した高発光特性を持った半導体ナノ粒子を、極性部、疎水部３、親水部４、機能部５から選択される２部以上の組み合わせ（ここで、疎水部は必須成分であり、親水部と機能性部は兼ねていてもよい）から構成される界面活性剤、両親媒性分子、脂質により被覆を行うことにより、粒子の化学的耐久性付与を行う。例文帳に追加

A semiconductor nanoparticle having high luminescence property and dispersed in an organic solvent is imparted with chemical durability by coating the particle with a surfactant composed of a combination of two or more parts selected from a polar part, a hydrophobic part 3, a hydrophilic part 4 and a functional part 5 (the hydrophobic part is an essential component and the hydrophilic part may be used also as the functional part), an amphipathic molecule and a lipid. - 特許庁

基板１の上に、少なくとも一部が多孔質化された第１の多結晶シリコン層３を有するとともに、前記第１の多結晶シリコン層３の中で、または前記多結晶シリコン層３に接して設けられた第２の多結晶シリコン層４Ｂおよび第３の多結晶シリコン層５の間に、ＰＮ接合が形成されていることを特徴とする結晶シリコン薄膜半導体装置を提供する。例文帳に追加

A crystal silicon thin film semiconductor device is characterized by the fact that a first polycrystalline silicon layer 3, which is, at least, partially turned porous, is provided on a substrate 1, and a PN junction is formed in the first polycrystalline silicon layer 3 or between a second polycrystalline silicon layer 4B which is provided coming into contact with the first polycrystalline silicon layer 3 and a third polycrystalline silicon layer 5. - 特許庁

同一基板をベースとして互いに高さが異なる２以上のレーザ素子部を有する場合にも、ジャンクションダウン組立時において装置が傾くことなく正確な組み立てができ、且つ、各レーザ素子部のリッジ部への応力の集中を抑制することができ、設計の自由度を損なうことなく製造コストの低い半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device that can be assembled accurately without being inclined in junction down assembly, even if at least two laser elements having mutually different height are provided with the same substrate as a base, can suppress the concentration of stress to the ridge section of each laser element, and has low manufacturing costs without losing the degree of freedom in designing, and to provide a method for manufacturing the semiconductor laser device. - 特許庁

また、本発明のリードフレーム１１は、中央に配置された外部カソードリード９Ｂに拡幅部９Ａを設け、直列接続回路のフルモールド型半導体装置を製作できるようにしたので、第一リード端子３Ｃが空くことがなく、電流経路が相対的に短くなり、また、電流バランス的に略左右対称形状となりＬ分の相殺が期待できる。例文帳に追加

In the lead frame 11, an expanded width part 9A is formed in an external cathode lead 9B arranged at the center, and since the fully molded semiconductor device comprising the series connection circuit can be manufactured, a first lead terminal 3C will not become unoccupied, a current route becomes relatively short, a current balance takes a nearly symmetrical shape, and the offset of an L portion can be expected. - 特許庁

（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるフェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤、及び（Ｅ）Ｎ−シクロヘキシル−２−ベンゾチアゾリルスルファンアミドを必須成分とし、全無機物が全エポキシ樹脂組成物中に８４重量％以上、９４重量％以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。例文帳に追加

This epoxy resin composition for sealing a semiconductor comprises (A) an epoxy resin represented by general formula (1), (B) a phenol resin represented by general formula (2), (C) an inorganic filler, (D) a curing accelerator and (E) an N-cyclohexyl-2-benzothiazolylsulfamide as essential components, and the content of the whole inorganic materials in the whole epoxy resin composition is 84-94 wt.%. - 特許庁

その課題の解決には、外国語の教育とか学習の効率を良くするために、学習者に熱中させればよいと考えて、教材として用いる、メモリー用のテープやディスクやカードや半導体素子などに記録された内容を再生した時に、その再生が時々休止するものを用いると言う手段を用いることにしたと言うわけである。例文帳に追加

Means, such as tapes, disks, cards, semiconductor elements, etc., for memory to be used as teaching materials which occasionally cause of the pause of the reproduction of the contents recorded thereto when such contents are reproduced are used by considering the fact that the only solution for the improvement of the efficiency of the education and learning of the foreign languages is to let a learning person to be enthusiastic about the learning. - 特許庁

半導体素子の作動に伴い発生する熱を効果的に大気中に放散するため、放熱基体は、タングステンまたはモリブデンの多孔質体に銅を含侵させてなる複合材料層３ａと、複合材料層３ａの上下面上に位置し且つ複合材料層３ａに含侵している銅と連続的につながっている銅からなる銅層３ｂとを含んでなる。例文帳に追加

In order to effectively radiate the heat generated by the operation of the semiconductor device into the atmosphere, the heat dissipation substrate comprises a composite material layer 3a made of porous material of tungsten or molybdenum with copper impregnated and copper layers 3b located on the upper surface and the lower surface of the composite material layer 3a, both of which are continuously connected to the copper impregnated in the composite material layer 3a. - 特許庁

ピンに負荷される荷重を、前記ピンの内部に発生するひずみから検出する荷重センサにおいて、前記ピンの中心付近に設けられた穴の内部に、ひずみ検出用の検出棒が衝撃緩和材を介して設けられ、前記検出棒には半導体ひずみセンサが設けられた荷重センサとする。例文帳に追加

The load sensor is structured, such that a detection rod for detecting a strain is provided in the inside portion of a hole formed near a center of a pin via a shock-relaxing material, and a semiconductor strain sensor is provided in the detection rod, in a load sensor detecting a load applied to the pin from the strains generated in the inside portion of the pin. - 特許庁

制御部１１は、出力リレーＲＹ１、ＲＹ２をオフ制御中に半導体スイッチをオン／オフ制御して所定の直列符号を出力回線に出力し、このとき各電流センサによって検出されるセンサ出力の時系列な変化と出力回線に出力した直列符号との比較から出力回線の混触状態を判定する。例文帳に追加

While controlling the output relays RY1, RY2 to off, a control unit 11 performs on/off control of the semiconductor switch and outputs a certain series sign to an output line and determines the state of mixed contact in the output line based on comparison between time-series changes in sensor outputs detected by each current sensor at that time and the series sign output to the output line, the control unit. - 特許庁

外観比較検査装置の検査ファイルに、領域Ａ，Ｂを指定し、さらに領域Ａ，Ｂの各々の比較ピッチ（第１の比較ピッチｄ１，第２の比較ピッチｄ２）および比較方向（Ｙ方向，Ｘ方向）を検査ファイルに入力することにより、半導体ウエハ上を電子ビームで走査する１回の一連の検査動作中に、比較ピッチおよび比較方向を変更する。例文帳に追加

Comparing pitch and comparing direction are altered during a series of inspection operations where a semiconductor wafer is scanned with an electron beam by specifying regions A and B in the inspection file of a visual comparative inspection equipment and inputting the comparing pitch (first comparison pitch d1, second comparison pitch d2) and the comparing direction (X direction, Y direction) of respective regions A and B into the inspection file. - 特許庁

この半導体記憶装置は、Ｐｔからなる上部導電層２２ｆと、Ｉｒ、シリコンおよび窒素を含有する材料からなる下部導電層２２ｄと、上部導電層２２ｆと下部導電層２２ｄとの間に配置され、上部導電層２２ｆと下部導電層２２ｄとを密着させるための中間導電層２２ｅとを含むキャパシタ下部電極２２ａを備えている。例文帳に追加

The semiconductor storage device is provided with a capacitor lower electrode 22a including: an upper conductive layer 22f comprising Pt; a lower conductive layer 22d made of a material including Ir, silicon, and nitrogen; and an intermediate conductive layer 22e arranged between the upper/lower conductive layers 22f, 22d for adhering the upper/lower conductive layers 22f, 22d to each other. - 特許庁

半導体素子８がダイパッド１２にダイアタッチされており、ワイヤー７によってボンディングパッド２０と基板上の配線パターン５とを結線し、ダイパッド１２中にスルーホール１１を形成し、内装基板２によって挟まれている放熱プレーン３および基板裏面の放熱領域４とダイパッド１２とが熱的に接続されている構造とした。例文帳に追加

A semiconductor element 8 is die-attached to a die pad 12, a bonding pad 20 is connected with a wiring pattern 5 on a substrate with a wire 7, a through-hole 11 is made with the die pad 12, and the die pad 12 is coupled thermally with a heat dissipation plane 3, being sandwiched by interior substrates 2 and a heat dissipation region 4 on the rear surface of the substrate. - 特許庁

逆阻止半導体素子において、順方向耐圧達成用の第１のターミネーションのみを一方の主表面に形成し、逆方向耐圧達成用の第２のターミネーションは他方の主表面の活性領域の周囲に設けた第１の凹部の中に形成し、高い順逆両方向耐圧と高い量産性を実現する。例文帳に追加

In a reverse blocking semiconductor element, an only first termination for achieving a breakdown voltage of a forward direction is formed on a main surface, a second termination for achieving a breakdown voltage of a backward direction is formed in a first recess around an active region of the other main surface, and the high breakdown voltage of both forward and backward directions and high mass productivity are achieved. - 特許庁

半導体装置に形成された高速動作回路部は、フッ素が導入されていないＳｉＯＮゲート絶縁膜（第１のゲート絶縁膜）１３を構成要素として含むｎＭＯＳトランジスタと、当該ＳｉＯＮゲート絶縁膜１３よりも膜厚が厚く、その膜中にフッ素が導入されたＳｉＯＮゲート絶縁膜（第２のゲート絶縁膜）１４を構成要素として含むｐＭＯＳトランジスタとを備えている。例文帳に追加

A high-speed operating circuit formed in the semiconductor device comprises: an nMOS transistor including, as a component, an SiON gate insulating film (first gate insulating film) 13 in which fluorine is not introduced, and a pMOS transistor including, as a component, the SiON gate insulating film (second gate insulating film) 14 which is thicker than the SiON gate insulating film 13, and in which fluorine is introduced. - 特許庁

記録再生中に、記録再生における移動範囲の外側にある退避位置に光ピックアップ装置１２が移動し、光ピックアップ装置１２のハウジング１０と、メインシャーシ２１に取り付けられた、炭素シートで構成された熱伝導体３１とが面接触して、半導体レーザ１をメインシャーシ２１に熱的に結合させ、冷却する。例文帳に追加

During recording/reproducing, an optical pickup device 12 moves to a retreating position placed on an outer side of a range of motion for the recording/reproducing, a housing 10 of the pickup device 12 and a thermal conductive body 31 composed of carbon sheets and attached to a main chassis 21 become in surface contact, and a semiconductor laser 1 is thermally coupled with the main chassis 21 so as to be cooled. - 特許庁

Ｇａ及びＮを含む混晶からなり、窒化ガリウム系半導体の結晶成長に用いられる種結晶１０であって、種結晶１０の表面を、種結晶１０のｃ軸と平行な２つの方向の中の一方から観察したときの視野に、＋ｃ極性領域２０と、−ｃ極性領域３０とが含まれる種結晶１０を提供する。例文帳に追加

A seed crystal 10 is formed of a mixed crystal containing Ga and N, and is used for crystal growth of a gallium nitride-based semiconductor, wherein the seed crystal 10 contains a +c polar region 20 and a -c polar region 30 in the visual field of observation of the surface of the seed crystal 10 from one direction of two directions parallel with the c axis of the seed crystal 10. - 特許庁

樹脂注入方向Ａに対向した半導体チップ１の第１及び第２の辺６１、６２と他の第３及び第４の辺６３、６４とのコーナ部７２、７３における第３及び第４の辺６３、６４の上方のワイヤ５３と、ワイヤ５３に隣接する第３及び第４の辺６３、６４の上方のワイヤ５５とを電気的に同電位又は中立に形成した。例文帳に追加

At corner parts 72, 73 of first and second sides 61, 62 and third and fourth sides 63, 64 of a semiconductor chip 1 counterposed to a resin injecting direction A, a wire 53 upward of the third and forth sides 63, 64 and a wire 55 upward of the third and fourth sides 63, 64 adjacent to the wire 53 are formed electrically at the same potential or neutrally. - 特許庁

１０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有する窒化アルミニウム単結晶基板１１と、その単結晶基板１１上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５とを備える半導体素子である。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with: an aluminum nitride single crystal substrate 11 containing a transition metal of 10 ppb or more and 0.1 mol% or less; and at least one type of groups III-V nitride single crystal films 12, 14, 15 chosen from gallium nitride, aluminum nitride, boron nitride, indium nitride, and a mixed crystal composed of these nitrides, and formed directly on the substrate 11. - 特許庁

半導体装置を構成する絶縁膜２に不活性ガス、窒素および水素の内の少なくとも一種のイオン６を注入して絶縁膜２中に多数の空隙８を形成し、絶縁膜２の比誘電率をイオン注入前よりも低下させ、これによって低誘電率絶縁膜１０を得る。例文帳に追加

A method for obtaining the low permittivity insulating film comprises the steps of forming a number of air gaps 8 in the insulating film 2 by implanting at least a kind of ion 6 out of inert gas, nitrogen, or hydrogen to the insulating film 2 which composes the semiconductor device, and lowering the relative permittivity of the insulating film 2 lower than before the ion implantation, resulting in obtaining a low permittivity insulating film 10. - 特許庁

形状を賦与した後でも、力による変形に容易に追従し、応力集中を起こさずに均一に力を伝えることができ、変形によってもその光学特性、機械的特性、及び、物理的特性を損ねることのない、レンズ、光ファイバー、半導体レーザーなどの各種の光部品、それらに使用される光学材料、及び、建築部材、電子部品など広い範囲で使用される構造体を提供する。例文帳に追加

To provide various optical components such as a lens, an optical fiber and a semiconductor laser without damaging optical characteristics, mechanical characteristics and physical characteristics even due to deformation, by easily tracking deformation due to force even after a shape is molded and uniformly transmitting the force without causing stress concentration, and to provide an optical material used therefor and a structure used in a wide range of electronic components. - 特許庁