「半導体中」に関連した英語例文の一覧と使い方(107ページ目) - Weblio英語例文検索

この発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素層上に接して二酸化珪素で構成されるゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜形成工程後に、一酸化窒素または一酸化二窒素とトランス−１，２−ジハロゲノエチレンとを含有するガス中で前記ゲート絶縁膜が形成された前記炭化珪素層を加熱処理する窒化工程とを備える。例文帳に追加

This method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device includes a gate insulating film forming process forming the gate insulating film constituted by silicon dioxide on the silicon carbide layer, and a nitriding process heating the silicon carbide layer on which the gate insulating film is formed in a gas containing nitrogen monoxide or dinitrogen monoxide and trans-1,2-difluoroethylene after the gate insulating film forming process. - 特許庁

ＳｉＣ基板１の表面層に不純物のドーピングを行なう工程と、不純物がドーピングされたＳｉＣ基板の表面に、不活性ガス雰囲気中でカーボン膜２を堆積する工程と、カーボン膜が堆積されたＳｉＣ基板をアニール処理する工程と、アニール処理されたＳｉＣ基板に堆積されているカーボン膜を除去する工程とを含むことを特徴とするＳｉＣ半導体素子の製造方法。例文帳に追加

A method of manufacturing an SiC semiconductor element includes steps of: doping a surface layer of an SiC substrate 1 with an impurity; depositing a carbon film 2 on a surface of the SiC substrate doped with the impurity in an inert gas atmosphere; annealing the SiC substrate having the carbon film deposited; and removing the carbon film deposited on the annealed SiC substrate. - 特許庁

ＭＯＳ型半導体メモリ装置６０１は、大きなバンドギャップを持つ第１の絶縁膜１１１および第５の絶縁膜１１５と、最も小さなバンドギャップを持つ第３の絶縁膜１１３との間に、両者の中間の大きさのバンドギャップを持つ第２の絶縁膜１１２および第４の絶縁膜１１４を備えている。例文帳に追加

The MOS semiconductor memory device 601 includes a second insulating film 112 and a fourth insulating film 114 having an intermediate size of a band gap between a first insulating film 111 and a fifth insulating film 115 having a larger band gap and a third insulating film 113 having the smallest band gap. - 特許庁

半導体用サブストレートにおいて、ＣＯ２ＹＡＧレーザを用いてビアホールを形成すると、ビアホール底部で樹脂残渣が生じ、レーザ加工によるビアホール内の凹凸によりスパッタが完全に皮膜形成されず、樹脂中に金属が拡散するため、これらの問題点を対策した加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a processing method that takes measures against the following problems: when a via hole is formed in a semiconductor substrate using a CO2YAG laser, resin residues are produced at a via hole bottom part; and then film formation by sputtering is incomplete owing to unevenness of the via hole formed by laser processing, so that metal is diffused in a resin. - 特許庁

当該層からの反射光の復路に設置される複数領域回折格子の中心領域からの半導体検出器上の回折位置を回折格子周辺部分からの回折位置より光軸から離すことで、他層からの迷光を回折格子の周辺部領域の感度領域に入射させない。例文帳に追加

A diffracting position on a semiconductor detector from the central region of a plural-region diffraction grating disposed on a return path of light reflected from a layer of interest is separated from an optical axis by farther than the diffracting position from around the diffraction grating, and thereby stray light from other layers is prevented from being incident into a sensitivity region of a peripheral region of the diffraction grating. - 特許庁

半導体レーザ１００の長さ方向Ｌの両端面に、長さ方向Ｌの中央に位置する部分の、下部ＳＣＨ層１１２、多重量子井戸活性層１１３、上部ＳＣＨ層１１４の代わりに、Ａｌを含まないＧａＩｎＡｓＰでなる、受動導波路層としてのコア層１２３が形成されている。例文帳に追加

On both end faces of a semiconductor laser 100 in a lengthwise direction L, core layers 123 are formed which are composed of GaInAsP not containing Al and work as passive waveguide layers, instead of a lower part SCH layer 112, a multiple quantum well active layer 113 and an upper part SCH layer 114 which are positioned in the center of the lengthwise direction L. - 特許庁

本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。例文帳に追加

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a step of forming an insulating film on a wafer whose surface is formed of a silicon carbide layer, and a nitriding processing step of nitriding an interface between the silicon carbide layer and an insulating film by heat-treating the wafer after insulating film formation at a predetermined processing temperature in a nitrogen oxide gas atmosphere to which carbon monoxide gas is added. - 特許庁

周辺回路部Ｙは、半導体基板２１に形成された複数の回路素子と、前記複数の回路素子上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成され、前記複数の回路素子の少なくとも一部と電気的に接続される第２の配線２６と、前記１の配線と前記２の配線とを電気的に接続する導電部２９と、を備える。例文帳に追加

The peripheral circuit part Y includes a plurality of circuit elements formed on a semiconductor substrate 21; an insulating film formed on the plurality of circuit elements, second wiring 26 which is formed in the insulating film and is electrically connected to at least a part of the plurality of circuit elements; and a conductive portion 29, which electrically connects the first wiring and the second wiring. - 特許庁

半導体デバイスの製造方法であって、ダイシングテープに支持されたウエーハの溝中に所定温度に加熱された電熱線を挿入し、溝の底に露出したダイボンディング用粘着フィルムに電熱線を接触させて溶融し、ダイボンディング用粘着フィルムに破断起点を形成する。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device includes inserting a heating wire heated at predetermined temperature into a groove of a wafer held with a dicing tape, bringing the heating wire into contact with the pressure sensitive adhesive film for die bonding exposed on a bottom of the groove to fuse the film, and thus forming a fracture starting point on the pressure sensitive adhesive film for die bonding. - 特許庁

例えば、半導体装置全体（ＴＯＰ）の中からフリップフロップとなる複数のシードＳＥＤを均一的に設定し、１回目のトレース処理として、各ＳＥＤの有効範囲（ノードＮＤＥ）を各ＮＤＥ毎の目的関数（タイミング収束の難易度等を含む）の値が均一となるように並行して拡大させる。例文帳に追加

For example, a plurality of seeds SEDs, which become flip-flops from among the whole semiconductor device (TOP), are uniformly set, and as the first tracing processing, the effective ranges (node NDEs) of the SEDs are each extended in parallel so that the values of objective functions (including difficulty levels of timing convergence or the like) for the respective NDEs may become uniform. - 特許庁

半導体結晶からなる光吸収層上に、アルカリ金属又はこれらの酸化物などからなる被覆層を形成してなるフォトカソードの製造方法において、前記被覆層の形成中に、ピーク波長が互いに異なる複数の単波長光を交互に照射し、各単波長光からの光照射による放出電流にそれぞれ基づいて、前記被覆層の形成態様を制御するようにした。例文帳に追加

In the method of manufacturing the photo cathode formed by forming alkali metal or a coating layer made of oxides or the like on a light absorbing layer made up of semiconductor crystal, a plurality of single wavelength lights different from one another in peak wavelength are alternately irradiated during formation of the coating layer, and the forming modes of the coating layer are controlled respectively based on discharge currents by light radiation from the respective single wavelength lights. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置は、消去単位であるブロックを複数有するメモリセルアレイと、ブロックに対する内部動作の実行期間中は、ビジー信号を出力するレディ／ビジー制御回路と、バッドブロックコマンドの入力を受けた時に、レディ／ビジー制御回路がビジー信号を出力している場合は、ブロックを不良ブロックとして登録する制御部と、を具備する。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array with a plurality of blocks each being the erasing unit; a ready/busy control circuit that outputs a busy signal when an internal operation is being done to the blocks; and a control unit that registers the blocks as defective blocks when the ready/busy control circuit outputs the busy signal in receiving an input of a bad block command. - 特許庁

真空ポンプ装置Ｓの駆動中は、半導体製造装置からの水素ガスが最初に吸入される第１ブースターポンプ５５の排気口５６ｂに、導入口５６ｃ及び導入管７０を介して、水素ガスより粘性率の高い窒素ガスを供給し、この窒素ガスの粘性を利用して水素ガスの移送性を向上させる。例文帳に追加

While the vacuum pump device S is being driven, nitrogen gas with higher viscosity coefficient than that of the hydrogen gas is supplied to an exhaust port 56b of the first booster pump 55, in which the hydrogen gas from a semiconductor manufacturing device is first sucked, via an introduction port 56c and an introduction pipe 70, so as to improve a transferring property of the hydrogen gas using the viscosity of the nitrogen gas. - 特許庁

金属層の表面における酸化膜の形成および硬化性樹脂成分中におけるボイドの発生に起因する、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide: a conductive connection sheet that reduces generation of a leakage current between adjacent terminals due to formation of an oxide film on a surface of a metal layer and formation of a void in a curable resin component; a method for connection between terminals using the conductive connection sheet; a method for forming a connection terminal; a semiconductor device with high reliability; and an electronic apparatus. - 特許庁

弱酸性の水または空気が溶解した水、または電解イオン水２３２の中で、Ｇａ，Ａｌ及びＩｎのいずれかを含有する化合物半導体の基板１４２の表面と、表面の少なくとも基板１４２と接触する部位に導電性部材２６４を有する研磨パッド２４２の該表面とを互いに接触させつつ相対運動させて、基板１４２の表面を研磨する。例文帳に追加

In electrolytic ion water 232 in which weakly acidic water or air is dissolved, the surface of the substrate 142 made of the compound semiconductor containing one of Ga, Al and In, and the surface of a polishing pad 242 having an electrically conductive member 264 in at least the portion of the surface contacting the substrate 142 are relatively moved in contact with each other to polish the surface of the substrate 142. - 特許庁

半導体集積回路装置の製造方法において、非シアン系メッキ液を用いた電解金メッキ技術によって金バンプ電極を形成する工程中、メッキ液２１への印加電圧をモニターすることにより、メッキ液２１へのタリウムの添加量を検出して、タリウム添加濃度の減少による異常析出等のメッキ不良の発生を抑止する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device, the quantity of thallium to be added to a plating solution 21 is detected by monitoring the applied voltage to the plating solution 21 during the process of forming gold bump electrode by a gold electroplating technology using a non-cyanide based plating solution to restrain the plating defect such as abnormal deposition of gold due to the decrease of the concentration of thallium to be added. - 特許庁

半導体装置１００は、基板１０１上に形成された層間絶縁膜１０８と、層間絶縁膜１０８中に形成された第１の配線１２０により構成され、被切断部１５２を有する電気ヒューズ１５０と、第１の配線１２０と同層において、被切断部１５２の両側方に、それぞれ、被切断部１５２に沿って延在して形成された第２の配線１２６および第３の配線１２８と、を含む。例文帳に追加

A semiconductor device 100 include: an interlayer dielectric 108 formed over a substrate 101; an electric fuse 150 comprising first wiring 120 formed in the interlayer dielectric 108 and having a cut portion 152; and second wiring 126 and third wiring 128, which are formed respectively on both sides of the cut portion 152 while extending along the cut portion 152, in the same layer as the first wiring 120. - 特許庁

フラックス機能を有する化合物の樹脂組成物層中に対する添加を省略しても、溶融状態の金属材料を選択的に端子間に凝集させることができ、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide a conductive connection sheet coagulating a metal material in a molten state selectively between terminals even if eliminating the addition of a compound with a flux function into a resin composition layer, and reducing a leak current between the adjacent terminals, and a connection method between the terminals using such a conductive connection sheet, a method for forming a connection terminal, a semiconductor device of high reliability, and an electronic device. - 特許庁

構造が簡単でシステム全体を小型化することができ、しかも既存の半導体製造技術を利用して製造することができるとともに、量産性に優れ、検体液中に含まれる１ｐｐｍ程度のイオン、糖、脂質、抗体、抗原等の成分の濃度を極短時間で精度よく計測可能な信頼性、作業性に優れた溶液成分センサの提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a solution component sensor excellent in reliability and workability, simple in structure and capable of miniaturizing the whole of a system, capable of being produced using an existing semiconductor manufacturing technique, excellent in mass productivity, and capable of precisely measuring the concentration of a component contained in a specimen liquid in an amount of about 1 ppm, such as ion, sugar, lipid, antibody or antigen, in an extremely short time. - 特許庁

炭化珪素層の（０００−１）面または（１１−２０）面上に酸化物膜または酸窒化物膜を形成する工程と、酸化物膜または酸窒化物膜の形成後に、アンモニアガスを含む雰囲気中で熱処理しゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The method of fabricating the semiconductor device is characterized by comprising a step of forming an oxide film or oxynitride film on the surface (000-1) or (11-20) of the silicon carbide layer, a step of forming the gate insulating film by heat treatment in an atmosphere containing ammonia gas after the oxide film or oxynitride film has been formed, and a step of forming the gate electrode on the gate insulating film. - 特許庁

Ｃｕ配線１０を備える半導体装置１において、 Ｃｕ配線１０の断面構造は、側部及び下部をバリアメタル２０に接し、上部を絶縁膜３０に接し、絶縁膜３０に接するＣｕ配線１０の上部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の中央部のグレインサイズより小さ。例文帳に追加

In the semiconductor device 1 having the Cu wiring 10, a sectional structure of the Cu wiring 10 has side parts and a lower part in contact with a barrier metal 20, and an upper part in contact with an insulating film 30, and a the upper part of the Cu wiring 10 which comes into contact with the insulating film 30 is smaller in grain size than a center part of the Cu wiring 10. - 特許庁

また、半導体チップ１００は、シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１上に設けられた第一絶縁膜１２３〜第六絶縁膜１４３と、第一絶縁膜１２３〜第六絶縁膜１４３中に埋設された第一導電リング１２５〜第六導電リング１４５により構成されロジック部およびアナログ部１５３外周を取り囲む環状のシールリング１０５と、を有する。例文帳に追加

Moreover, the semiconductor chip 100 is constituted with a silicon substrate 101, a first insulating film 123 to a sixth insulating film 143 provided on the silicon substrate 101, and an annular seal ring 105 which is constituted by a first conductive ring 125 to a sixth conductive ring 145 embedded in the first insulating film 123 to the sixth insulating film 143 for surrounding the external circumference of the logic part and analog part 153. - 特許庁

冷媒流路を区画する多数のフィン１２１及び１２２を有して冷却対象となる半導体素子３００が搭載される冷却器１００と、この冷却器１００のフィン１２１及び１２２を上下に分断してかつ、それら分断した上下のフィン１２１及び１２２各々の先端からは離間される態様で冷媒流路中に設けられた樹脂板２００を備える。例文帳に追加

The cooling apparatus for a semiconductor device includes a cooler 100 having a large number of fins 121, 122 partitioning a coolant channel and mounted with each semiconductor element 300 being a cooling target and a resin plate 200 provided in the coolant channel in such a form that the fins 121 and 122 of the cooler 100 are vertically divided and the resin plate is spaced apart from each tip of the upper/lower fins 121, 122. - 特許庁

光導波路５を備える導波路型光変調器４において、導波路型光変調器４の光出射側の端面における光導波路５の有する光伝搬の有効範囲、すなわち、半導体光導波路構造を伝搬する光の基本モードが分布する領域の外の領域を、光導波路５を中心に横方向に対称に斜めに加工した。例文帳に追加

In a waveguide type optical modulator 4 including an optical waveguide 5, an effective range of a light propagation possessed by the optical waveguide 5 at an end face of a light emission side of a waveguide type optical modulator 4, that is, a region outside the region where a basic mode light propagating through a semiconductor optical waveguide structure is distributed is treated obliquely and symmetrically in the transverse direction around the center of the optical wave guide 5. - 特許庁

第１導電型のドレイン領域と第１導電型のソース領域との間に第２導電型のチャネル領域が形成された第１半導体領域と、第２導電型のチャネル領域上に形成された感応膜と、を含み、液体中の被検出物質を検出する感応素子と、第２導電型のチャネル領域の電位を制御し、且つフローティング化する制御機構と、を具備する。例文帳に追加

The chemical sensor includes: a first semiconductor region in which a channel region of a second conductivity type is formed between a drain region of a first conductivity type and a source region of a first conductivity type; and a sensitive membrane formed on the second conductivity type channel region; a sensor element for detecting a target substance in liquid; and a controlling mechanism for controlling and floating the potential of the second conductivity type channel region. - 特許庁

無色透明性と耐熱性に優れた樹脂組成物、これを有機溶媒中に溶解して得られる組成物、無色透明性と耐熱性に優れた耐熱性接着剤、耐熱性接着フィルム、接着フィルム付きリードフレーム、接着フィルム付き有機基板、及びこれらを用いた半導体装置を提供。例文帳に追加

To provide a resin composition excellent in colorless transparency and heat resistance, a composition obtained by dissolving the same in an organic solvent, a heat resistant adhesive excellent in colorless transparency and heat resistance, a lead frame attached with an adhesive film, an organic substrate attached with an adhesive film, and a semiconductor device using these things. - 特許庁

感光性ソルダーレジスト又は非感光性ソルダーレジストを印刷後、これを硬化反応させる為の加熱工程を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記感光性ソルダーレジスト１又はソルダーレジスト１２を硬化反応させる加熱工程（ベーク炉６）を、窒素置換雰囲気中において行うことを特徴とする。例文帳に追加

In the manufacturing method of a tape carrier for the semiconductor device comprising a heating step for curing the photosensitive solder resist or a non-photosensitive solder resist after it is printed, the heating step (baking furnace 6) for curing the photosensitive solder resist 1 or the solder resist 12 is carried out in a nitrogen substitution atmosphere. - 特許庁

両面電極構造をもつ無線認識用半導体チップを用いて、その上下を異方導電性接着剤でアンテナ導体で接続する構造のトランスポンダでは、異方導電性接着剤の中にある導電性粒子によって、表面の電極とシリコン基板がショートして、トランスポンダが動作不能となってしまう。例文帳に追加

To solve the following problem that the operation of a transponder having a structure of an antenna conductor connecting the both sides of a radio recognizing semiconductor chip having a double-sided electrode structures by an anisotropic conductive adhesive agent fails by a short-circuit between the surface of the electrode and a silicon substrate caused by conductive particles in the anisotropic conductive adhesive agent. - 特許庁

回転子は、スリップリングと給電・受電ブラシを介して多スロットの鉄心に重ね巻き巻線を施した回転子巻線にＤＣ電流を流し、バランス良好で耐遠心力に優れた回転体となし、固定子は、十分な冷却風路を持つ磁極集中巻線式の１〜３相巻線により磁極を生成する如くして、位置検出手段による位置信号によって各相の半導体スイッチを開閉制御する。例文帳に追加

A stator generates a magnetic pole of a one-phase to three-phase magnetic pole concentration winding having a sufficient cooling wind path, and controls the opening/closing of a semiconductor switch of each phase by a position signal generated by a position detection means. - 特許庁

半導体や液晶を製造する工程で使用され、圧縮空気や圧縮不活性ガス等の、低露点高圧ガス中に不純物として含まれるアンモニア等の塩基性化合物を除去可能なフィルタで、フィルタ自体からの二次汚染の問題がなく、インラインでも再生可能なフィルタを提供する。例文帳に追加

To provide a filter capable of being regenerated even in a line that is used in a production process for a semiconductor or liquid crystal and can remove basic compounds such as ammonia contained as impurities in high pressure gases of a low dew point such as compressed air and a compressed inert gas without causing secondary pollution by the filter itself. - 特許庁

光リソグラフィを中心としたナノファブリケーション、特に電子線、ＥＵＶリソグラフィに好適な、密着性、感度、及び表面平滑性を向上させたコアシェル型ハイパーブランチポリマーをベースポリマーとして含み、超ＬＳＩ等の半導体装置製造用の微細パターンを形成することが可能なレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resist composition which contains, as a base polymer, a core-shell type hyper branched polymer suitable for nano fabrication consisting mainly of photolithography, especially for electron beams, EUV lithography, and improved in adhesiveness, sensitivity, and surface smoothness, and can form fine patterns for producing semiconductors such as VLSI. - 特許庁

複数の配線層を有し、最上の配線層を保護膜で覆って構成される半導体装置において、配線容量低減のために配線間に空洞を形成した場合、空洞上方の保護膜中に接合界面が形成され、その接合界面を通して浸入した水分によりはいせんが腐食する問題を解決する。例文帳に追加

To solve the problem of a semiconductor device constituted to include a plurality of wiring layers covering the highest wiring layer with a protection film that when a cavity is formed among wires to reduce wiring capacitance, junction interface is formed within the protection film at the upper part of the cavity, and the wiring is corroded with water invaded through the junction interface. - 特許庁

ＴＥＯＳ−ＣＶＤ法で作製したＳｉＯ_２絶縁膜を形成させたＳｉウエハを、酸化セリウム粒子、ポリアクリル酸アンモニウム塩および水を含むスラリーであって、スラリー中の酸化セリウム粒子の平均粒径が２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である半導体基板研磨用酸化セリウム研磨剤で研磨する。例文帳に追加

An Si wafer for forming the SiO_2 insulating film manufactured by a TEOS-CVD method is polished by the cerium oxide abrasive for polishing a semiconductor substrate that is slurry containing cerium oxide particles, a polyacrylic acid ammonium salt, and water, where the average particle diameter of the cerium oxide particles in the slurry is 200 nm or higher and 400 nm or smaller. - 特許庁

半導体装置は、シリコン基板１１の主表面上に設けられたアモルファスマトリックス層２２と前記アモルファスマトリックス層中に散在された高誘電率の結晶体２１とを備えたパイロセラミクスにより形成されたゲート絶縁膜１３と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極１４とを具備している。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with a gate insulating film 13 formed of pyro ceramics which has an amorphous matrix layer 22 arranged on the main surface of the silicon substrate 11, and crystal 21 of the high dielectric constant dispersed in the amorphous matrix layer; and with a gate electrode 14 disposed on the gate insulating film. - 特許庁

半導体製造装置でウエハ１３を保持する静電チャックであって、静電チャックの中央部に設けられた第１の電極部４２と、静電チャックの周辺部に設けられた第２の電極部４３を具備し、該第１と第２の電極部は独立に制御することができ、最初に第１の電極部を動作させ、次に第２の電極部を動作させることを特徴とする静電チャックを提供する。例文帳に追加

The electrostatic chuck for holding a wafer 13 in a semiconductor manufacturing device comprises a first electrode 42 disposed in the center of the electrostatic chuck, and a second electrode 43 disposed at the periphery of the electrostatic chuck, wherein the first and second electrodes can be controlled independently such that the first electrode is operated first followed by the operation of the second electrode. - 特許庁

シリコン基板４および該シリコン基板４上に複数の柱状電極１２を有する半導体構成体２の周囲におけるベース板１上には、エポキシ系樹脂等からなる樹脂中に熱膨張係数低下用材料としての繊維やフィラーが混入されたものからなる絶縁層２１が設けられている。例文帳に追加

The insulating layer 21, formed of a material where fiber and filler as the materials for deteriorating thermal expansion coefficient are mixed in resin formed of epoxy resin or the like, is arranged on the base plate 1 at a periphery of the semiconductor structure 2 having the silicon substrate 4 and a plurality of pillar-shaped electrodes 12 on the silicon substrate 4. - 特許庁

インナーリード端子を固定する絶縁性のテープ１に電気伝導性の回路３を描画し、該回路と対応するインナーリード端子とを貫通するスルーホール２に導電性物質を充填することで絶縁性のテープに描画された回路と対応するインナーリード端子とを電気的に接続することでリード端子のクロス配線を可能にした樹脂製中空半導体パッケージを用いる。例文帳に追加

An electric conductive circuit 3 is drawn on an insulating tape 1 fixing an inner lead terminal, a through hole 2 passing through the circuit and a corresponding inner lead terminal is filled with a conductive substance, and the circuit drawn on the insulating tape is connected to the corresponding inner lead terminal electrically, thus enabling the crossed wiring of the lead terminal in the hollow semiconductor package made of resin. - 特許庁

この時、非磁性貴金属または半導体層中に生じる量子井戸準位は、磁性金属層同士の相対的な磁化方向の変化により閉じ込め条件が変わり、誘電率が変化するため、それにより磁性金属同士の相対的な磁化の向きの変化を光の吸収、反射、透過強度により測定することができる。例文帳に追加

At this time, the quantum well level generated in the nonmagnetic noble metal or the semiconductor layer is changed in confinement conditions by a change in the relative magnetization directions of the magnetic metallic layers with each other and the dielectric constant is changed and therefore the change in the relative magnetization directions of the magnetic metals with each other can be measured by the absorption, reflection and transmission intensity of light. - 特許庁

その形成時には、ゲート絶縁膜４上に仕事関数制御層５、中間層６および低抵抗層７の各層の積層後、ゲート加工を行い、ＬＤＤ領域９、サイドウォール８およびソース・ドレイン領域１０を順に形成して、半導体基板２に導入した不純物の活性化アニールを行う。例文帳に追加

When in the formation, after each layer of the work function control layer 5, the intermediate layer 6, and the low resistance layer 7 are laminated on the gate insulating film 4, gate processing is performed, an LDD region 9, a sidewall 8, and a source drain region 10 are formed sequentially, active annealing of impurities introduced in the semiconductor substrate 2 is performed. - 特許庁

半導体装置１１に、シリコンチップ２と、シリコンチップ２が実装される絶縁基板３と、鉄鋼材料や銅合金等の導電体で構成され、シリコンチップ２に当接してシリコンチップ２と絶縁基板３との接合面に略垂直な方向の圧縮応力をシリコンチップ２の略中央部に付与するニードルブロック６と、を具備した。例文帳に追加

The semiconductor device 11 comprises a silicon chip 2, an insulating board 3 on which the silicon chip 2 is mounted, and a needle block 6 which is in contact with the silicon chip 2 to apply a compressive stress in a direction almost perpendicular to the junction face between the silicon chip 2 and the insulating board 3 to the approximate center of the silicon chip 2. - 特許庁

半導体基板をＡｒ、水素、またはこれらの混合ガス雰囲気中で熱処理を行うための石英製プロセスチューブを有する熱処理炉において、該熱処理炉の炉口側の均熱帯から外れた領域に、前記石英製プロセスチューブの内壁面を覆う取り外し可能な第１カバー部材を設けるようにした。例文帳に追加

In the thermal annealing furnace having the quartz process tube for thermally annealing a semiconductor substrate in an atmosphere of an argon gas, a hydrogen gas or their mixed gas, a first cover member, which covers the inner wall surface of the quartz process tube and which is detachable, is provided in the area outside of the soaking zone on the furnace inlet side of the thermal annealing furnace. - 特許庁

格子状のマスク２により成長領域Ｄを区分したエピタキシャル成長において、隣接する成長領域Ｄのエッジ部分との間、マスク２の帯の中央部にIII族窒化物系化合物半導体の消費領域Ｃが形成されているので、成長領域Ｄのエッジ部分に不必要にIII族及びV族の原料が供給されることが無い。例文帳に追加

In the epitaxial growth dividing a growing region D with a lattice-like mask 2, a consumption region C of a group III nitride compound semiconductor is formed in the central part of a band of the mask 2 between the edge parts of the adjacent growing regions D so that group III and group V raw materials are not unnecessarily supplied to the edge part of the growing region D. - 特許庁

正または負の電場もしくは、アース電位をかけることができる導体または半導体からなる電極を操作する方法、あるいは、磁場を用いた機構を操作する方法等により、プラズマ中の正イオンおよび電子の軌道を制御し、基板に入射する正イオンおよび電子の、それぞれの量およびエネルギーを制御して成膜する。例文帳に追加

This method for forming the thin film comprises controlling tracks of the positive ions and electrons in plasma, and controlling quantity and energy of each the incident positive ions and electrons onto a substrate by operating an electrode consisting of a conductor or a semiconductor to which a positive or negative electric field or a ground potential can be applied, or by operating a mechanism which uses a magnetic field, or the like. - 特許庁

骨格中にハロゲン原子を含まず、水銀ランプのｉ線に対する透明性が高く高感度であり、半導体装置の製造工程で通常使用される現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液）による現像が可能であり、２８０℃のキュアで熱硬化レリーフパターンが得られるポジ型感光性樹脂組成物に適したポリマーを提供する。例文帳に追加

To provide a polymer suitable for a positive photosensitive resin composition that includes no halogen atoms in its skeleton, is highly transparent to an i-ray from a mercury lamp and highly sensitive, can be developed with a developing liquid (2.38% TMAH aqueous solution) usually employed in a manufacturing process of a semiconductor device, and gives a thermoset relief pattern when cured at 280°C. - 特許庁

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）一般式（１）で表されるアルカンチオールを必須成分とし、一般式（１）で表されるアルカンチオールが全エポキシ樹脂組成物中に０．１〜１０重量％含まれることを特徴とする特徴とする半導体封止用金型離型回復樹脂組成物。例文帳に追加

The resin composition for recovering releasability of a mold for semiconductor sealing, is composed essentially of (A) an epoxy resin, (B) phenol resin, (C) curing accelerator, (D) inorganic filler and (E) alkane thiol expressed by formula (1), where the alkane thiol expressed by formula (1) is contained by 0.1-10 wt.% of the total epoxy resin component. - 特許庁