「半導体中」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

また、半導体装置１は、半導体チップ２の主面２ａ側に配置され、半導体チップ２の端部２ｂ、２ｃから少なくとも５０μｍ以上離間するように半導体チップ２の主面２ａの中央領域内に位置された配線基板６を有する。例文帳に追加

Further, the semiconductor device 1 has a wiring board 6 positioned in a center region of the principal surface 2a of the semiconductor chip 2 to be disposed on the side of the principal surface 2a of the semiconductor chip 2 and at least 50 μm apart from ends 2b and 2c of the semiconductor chip 2. - 特許庁

半導体素子２と半導体素子２を搭載する基板３との間に介在し、半導体素子から発せられた熱を放散させるヒートスプレッダ４を、半導体素子２が搭載される素子搭載面４１の周縁部４３が中央部４４に対して隆起した構成とする。例文帳に追加

The heat spreader 4 for dissipating the heat produced from the semiconductor device 2 and interposed between the semiconductor device 2 and the board 3 on which the semiconductor device 2 being mounted has a structure wherein the periphery 43 of the device mounting surface 41 on which the semiconductor device 2 being mounted is protruded relative to the central part 44 thereof. - 特許庁

その後、Ｐ型半導体層３の表面から、ＰＮ接合部ＪＣ、Ｎ−型半導体層２、半導体基板１の厚さ方向の途中にかけてエッチングし、半導体基板１に近づくに従って幅が大きくなるメサ溝８を形成する。例文帳に追加

After that, a mesa groove 8 is formed by etching the P-type semiconductor layer 3, a PN junction JC, the N-type semiconductor layer 2 and a partial thickness of the semiconductor substrate 1 so that a width of the mesa groove grows from a surface of the P-type semiconductor layer 3 toward the semiconductor substrate 1. - 特許庁

半導体素子形成領域の端部における電界集中を緩和し、半導体素子形成領域に形成した半導体素子のロールオフ特性の劣化を防止することができ、薄型化できて、しかも、悪戯に製造工程数を増加させない半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of reducing electric field concentration in an edge part of a semiconductor element forming region and of preventing an impairment of roll-off properties of a semiconductor element formed in a semiconductor element forming region which can be reduced in thickness and prevents the needless increase of the number of manufacturing steps, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

厚さ２００nm以下のSOIを、不活性雰囲気中において、SOIの結晶半導体を構成する半導体材料と金属との半導体金属化合物（例えばニッケルシリサイド）の共晶温度（例えば９６６℃）以上であって半導体材料の融点以下の温度で熱処理する。例文帳に追加

An SOI whose thickness is at most 200 nm is thermally treated in an inert atmosphere at a temperature which is at least the eutectic crystal temperature (e.g., 966°C) of a semiconductor metal compound (e.g., nickel silicide), which is composed of semiconductor material constituting the crystal semiconductor of the SOI and metal and at most the melting point of the semiconductor material. - 特許庁

耐熱性の異なる複数種類の半導体素子１１、１２と、これらの半導体素子１１、１２を実装した回路基板１５とを有し、前記半導体素子１１、１２の中で耐熱性の高い方の半導体素子１１の接続に熱伝導抑制手段を設ける。例文帳に追加

The semiconductor device has a plurality of kinds of semiconductor elements 11, 12 having a different heat resistance and a circuit substrate 15 mounting the semiconductor elements 11, 12, and the thermal conduction restricting means is provided to connect with the semiconductor element 11 which is higher in the heat resistance out of the semiconductor elements 11, 12. - 特許庁

互いに電気的に接続された半導体光電極１５と対向電極１６を有し、半導体光電極１５が表面に酸化チタン膜１９を成膜した窒化物半導体１８で形成され、対向電極１６及び半導体光電極１５が溶液１３中に配置されて成る。例文帳に追加

The light energy conversion apparatus is constituted so as to have the semiconductor photoelectrode 15 and a counter electrode 16 which are connected to each other, to form the semiconductor photoelectrode 15 from the nitride semiconductor 18 having a titanium oxide film 19 formed on the surface and to arrange the counter electrode 16 and the semiconductor photoelectrode 15 in a solution 13. - 特許庁

また、半導体装置１００は、第一の半導体素子１０２に設けられた第一の導体１２ａと、第二の半導体素子１０４に設けられた第二の導体１２ｂとにより構成され、第一の半導体素子１０２に水平な方向を中心軸として巻回されたコイル２０を含む。例文帳に追加

Further, the semiconductor device 100 comprises a coil 20 constituted of a first conductor 12a provided on the first semiconductor element 102, and a second conductor 12b provided on the second semiconductor element 104 while being wound around a central axis in a direction horizontal to the first semiconductor element 102. - 特許庁

従来のＰＴタイプＩＧＢＴの構造において、ｐ^＋型半導体基板１０とｎ^＋型半導体層１１の間に低不純物濃度のｎ^−型半導体層１９を設け、更にこのｎ^−型半導体層１９中に低ライフタイム層２０を設けたことを特徴としている。例文帳に追加

A lightly doped n--type semiconductor layer 19 is provided between a p+-type semiconductor substrate 10 and an n+-type semiconductor layer 11 in a conventional PT-type IGBT structure, and furthermore a low life time layer 20 is provided inside the N--type semiconductor layer 19. - 特許庁

半導体素子（２０３，２０７）と、半導体素子に接続可能であり、半導体素子の機能を試験するためのスキャン回路（２２０）と、スキャン回路が試験を行うパス中に設けられるプロセスモニタ（ＰＭ）とを有する半導体装置が提供される。例文帳に追加

A semiconductor device comprises the semiconductor elements (203, 207), the scanning circuit (220) connectable to the semiconductor elements (203, 207) for testing the performance thereof, and the process monitor (PM) which is arranged in a path subjected to the testing by the scanning circuit (220). - 特許庁

単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを熱処理中に支持するための支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハ例文帳に追加

SUPPORT RING FOR SUPPORTING SEMICONDUCTOR WAFER COMPOSED OF MONOCRYSTALLINE SILICON DURING THERMAL TREATMENT, METHOD FOR THERMAL TREATMENT OF THE SEMICONDUCTOR WAFER, AND THERMALLY TREATED SEMICONDUCTOR WAFER COMPOSED OF MONOCRYSTALLINE SILICON - 特許庁

酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。例文帳に追加

For reducing the impurities such as moisture or hydrogen in an oxide semiconductor film, after the oxide semiconductor film is formed, first heat treatment is performed with the oxide semiconductor film exposed. - 特許庁

アモルファス半導体膜４の中にキャリア不純物をイオン注入し、その後に熱処理を行うことにより、アモルファス半導体膜４を多結晶化して、第２の多結晶半導体膜５を形成する。例文帳に追加

Then, by ion-implanting carrier impurities into the amorphous semiconductor film 4 and then performing heat treatment, the amorphous semiconductor film 4 is polycrystallized, thus a second polycrystalline semiconductor film 5 is formed. - 特許庁

このような基板は、特に、上記半導体層中にＧａＮ系の半導体発光層を含む発光ダイオードなどの半導体装置の形成に有効に利用できる。例文帳に追加

Such a substrate can be effectively used especially for formation of a semiconductor device such as a light emitting diode which comprises a GaN semiconductor light emission layer in the semiconductor layer. - 特許庁

次に、アモルファス半導体膜３Ａの中にキャリア不純物をイオン注入し、その後に熱処理を行うことにより、アモルファス半導体膜３Ａを多結晶化することにより、第２の多結晶半導体膜４を形成する。例文帳に追加

Then, by ion-implanting carrier impurities into the amorphous semiconductor film 3A and then performing heat treatment, the amorphous semiconductor film 3A is polycrystallized, thus forming a second polycrystalline semiconductor film 4. - 特許庁

シリコン結晶中に形成欠陥を形成して半導体装置の特性を調節するにあたって、半導体装置間のばらつきが少ない半導体装置群を量産する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for mass-producing a group of semiconductor devices with little variation among semiconductor devices in adjusting the characteristics of semiconductor devices by forming crystal defects in a silicon crystal. - 特許庁

パッシベーションのためのＩｎＰ半導体２９を成長した後に、燐雰囲気中で熱処理３１を行うので、半導体メサ上に成長されたＩｎＰ半導体がマイグレートする。例文帳に追加

After an InP semiconductor 29 is grown for passivation, heat treatment 31 is conducted in a phosphor atmosphere, thus allowing the InP semiconductor grown on a semiconductor mesa to migrate. - 特許庁

この構成により、窒化物半導体基板上の素子構造中に、基板よりも熱膨張係数の小さいＡｌを含む窒化物半導体層を有することで、そのＡｌを含む窒化物半導体層を結晶性良く形成することができる。例文帳に追加

Since a nitride semiconductor layer containing Al having a coefficient of thermal expansion smaller than that of the substrate exists in the element structure on the nitride semiconductor substrate, the nitride semiconductor layer containing Al can be formed with good crystallinity. - 特許庁

中央領域に電極パッドが設けられた半導体チップを用いながら、半導体チップの上部空間を有効に活用することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of effectively utilizing a space above a semiconductor chip while using the semiconductor chip provided with an electrode pad in a center region. - 特許庁

材料析出物を有するゾーンを半導体内に形成することにより、半導体素子の製造プロセス中に半導体材料内に内方拡散することが可能な貴金属を効果的にゲッタリングする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for effective gettering of noble metals which may diffuse inward in a semiconductor material during a process of manufacturing a semiconductor element, by forming in the semiconductor a zone having a material precipitate. - 特許庁

保護回路は、半導体基板上に設けられ、配線を有する半導体装置の製造工程中に、配線に流入する電荷から前記半導体装置を保護する。例文帳に追加

A protection circuit is provided on a semiconductor substrate to protect a semiconductor device against a charge flowing into wiring during a manufacturing process of the semiconductor device having the wiring. - 特許庁

半導体ウェハのダイシング中にチッピングを発生することなく良好な切断面を有する半導体素子を作製することができる半導体製造装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing apparatus which can manufacture a semiconductor element having an excellent cut surface without causing chipping when a semiconductor wafer is diced. - 特許庁

半導体素子と配線基板間に中空部を有する半導体素子実装基板をポリイミドフィルムにより、ボイドなどの欠陥を生じさせることなく密着被覆し、信頼性の高い半導体装置を製造する。例文帳に追加

To manufacture a semiconductor device of high reliability, by adhesively covering with a polyimide film, without generating such defects as voids in a semiconductor-element mounting board, having hollow portion between semiconductor element and a wiring board. - 特許庁

量子ドット半導体素子及び該製造方法並びに量子ドット半導体素子を用いた量子ドット半導体レーザ、光増幅素子、光電変換素子、光送信機、光中継機及び光受信機例文帳に追加

QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL AMPLIFICATION ELEMENT, PHOTOELECTRIC TRANSDUCER, OPTICAL TRANSMITTER, OPTICAL RELAY AND OPTICAL RECEIVER USING THE QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

単結晶半導体層に窒素雰囲気中でレーザビームを照射して、単結晶半導体層の表面を平坦化し、しかる後支持基板に接着された単結晶半導体層から、一又は複数の表示パネルを作製する。例文帳に追加

The single crystal semiconductor layer is irradiated with laser beams in a nitrogen atmosphere, the surface of the single crystal semiconductor layer is planarized, and then one or a plurality of display panels are manufactured from the single crystal semiconductor layer bonded to the support substrate. - 特許庁

一対の冷却管３の間に配される複数の半導体素子２は、少なくともその中の１個の半導体素子２が他の半導体素子２に対してＺ方向にずれるように配置されている。例文帳に追加

Many semiconductor elements 2 provided between a pair of cooling tubes 3 are arranged such that at least one of the semiconductor elements 2 is displaced in Z direction from the remaining semiconductor elements 2. - 特許庁

中央部に電源電極を備えた半導体素子の信頼性テストを容易に行うことができる半導体素子及び半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element and a semiconductor device for which reliability of the semiconductor element having a power supply electrode at a center portion can be easily tested. - 特許庁

III族窒化物半導体領域中のｐ型ドーパントを活性化するｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、および半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a forming method of p-type group III nitride semiconductor regions and group III nitride semiconductor elements which is performed by activating p-type dopants present in group III nitride semiconductor regions. - 特許庁

半導体基板１上に第１の多結晶半導体膜３を形成し、その表面から膜厚の途中までの領域に不活性元素をイオン注入することにより、該領域をアモルファス半導体膜３Ａに変化させる。例文帳に追加

By forming a first polycrystalline semiconductor film 3 on a semiconductor substrate 1 and ion-implanting an inert element in a region to the middle of a film thickness from the surface, the region is changed into an amorphous semiconductor film 3A. - 特許庁

レーザ光の中心波長が１３００〜１４４０ｎｍの範囲にある半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子の発振状態が安定した半導体レーザモジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser module which has a center wavelength in the range of 1,300 and 1,440 nm for laser light and which keeps a semiconductor laser element in a stable oscillation state. - 特許庁

半導体チップ１上の中央側に形成される内部集積回路領域８と、その内部集積回路領域８の外側であって半導体チップ上１に形成されるＩ／Ｏ領域２と、を含む半導体集積回路である。例文帳に追加

This semiconductor integrated circuit includes: an internal integrated circuit region 8 formed on a central side on a semiconductor chip 1; and an I/O region 2 formed on a semiconductor chip 1 outside the internal integrated circuit region 8. - 特許庁

プラズマ雰囲気中で単結晶シリコン基板とこれに対向して設置された電極間にバイアス電圧を印加し、半導体領域に電流を流すことにより、半導体領域上に半導体結晶を析出させる。例文帳に追加

Then semiconductor crystals are precipitated in the semiconductor area by making a current flow to the semiconductor area, by applying a bias voltage across the silicon substrate and an electrode set up oppositely to the substrate. - 特許庁

本発明の樹脂中導電性異物評価用の半導体装置１は、半導体チップ３と、半導体チップ３を封止する樹脂封止材４と、を備える。例文帳に追加

The semiconductor device 1 for evaluating conductive foreign matter in resin includes a semiconductor chip 3 and a resin sealing material 4 for sealing the semiconductor chip 3. - 特許庁

半導体冷却ユニット１は、電力用の半導体素子１１を含む半導体モジュール１０と、冷媒を流動させる中空部２１を有する扁平形状の冷却チューブ２０とを組み合わせてなるユニットである。例文帳に追加

The semiconductor cooling unit 1 is constituted by combining a semiconductor module 10 containing a power semiconductor element 11 with flat-shaped cooling tubes 20 having hollow sections 21 in which a refrigerant is made to flow. - 特許庁

酸素過剰な酸化物半導体を再現性良く形成する方法、及び酸化物半導体中に外部から水素や水が極力混入しないデバイス構成によって信頼性の高い半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable semiconductor device by a method of forming an oxygen-excess oxide semiconductor with good reproducibility, and a device configuration where hydrogen or water is not mixed in the oxide semiconductor device from the outside as much as possible. - 特許庁

ＭＯＳデバイスは、第１の伝導型の半導体層と、半導体層の上面に近接して半導体層中に形成された第２の伝導型の第１および第２のソース／ドレイン領域とを含む。例文帳に追加

The MOS device comprises a first conduction-type semiconductor layer and second conduction-type first and second source/drain regions, which are formed in the semiconductor layer closely to an upper face of the semiconductor layer. - 特許庁

半導体基板中の構造欠陥が低減されたＭＯＳ型ヘテロ構造、或いは、半導体基板上の絶縁膜における半導体基板との界面の近傍に構造遷移層が存在しないＭＯＳ型ヘテロ構造を提供する。例文帳に追加

To provide a MOS hetero structure wherein structure defects in semiconductor substrates are decreased, or no structure transition layer exists near an interface between an insulation film on a semiconductor substrate and the semiconductor substrate. - 特許庁

半導体層構造の成長方法は、第１の半導体層１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）を成長させる工程と、第１の半導体層１１中に水素を導入する工程とを含む。例文帳に追加

A method of growing the semiconductor layer structure comprises a step for growing a first semiconductor layer 11 (11a, 11b, 11c) and a step for introducing hydrogen into the first semiconductor layer. - 特許庁

半導体レーザユニットハウジングは、半導体レーザユニットと嵌合する円筒形の中空部を備え、さらに、半導体レーザユニットを嵌合させた場合の光軸に対して一定の角度の面を備える。例文帳に追加

The semiconductor laser unit housing has a cylindrical hollow part to be fitted to the semiconductor laser unit, and further has a surface of a predetermined angle with respect to the optical axis when the semiconductor laser unit is fitted thereto. - 特許庁

半導体製造工程中における帯電の発生を防止し、該帯電による半導体デバイスの破壊および製の劣化を防ぐことのできる半導体加工用粘着シートを提供する例文帳に追加

To provide a adhesive sheet for processing semiconductor capable of preventing an electrification in a production process of semiconductor and preventing a semiconductor device from breaking and deteriorating caused with the electrification. - 特許庁

バンプ電極１１は、半導体チップ１０の半導体集積回路との接続関係を有し、半導体チップ１０主表面上において相互にチップ端部より中央側に寄って配置されている。例文帳に追加

The bump electrodes 11 have connection relations with the semiconductor integrated circuit of a semiconductor chip 10, and are arranged on the main surface of the semiconductor chip 10 mutually shifted to a center side from a chip end. - 特許庁

半導体ウェーハ輸送中の半導体ウェーハと層間紙との間の回転のズレを防止できる層間紙、半導体ウェーハの収納容器及び収納方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide the storage container and the storage method of an interlayer paper and a semiconductor wafer, which can prevent slippage of rotation between the semiconductor wafer and the interlayer paper during semiconductor wafer transport. - 特許庁

半導体ウェハ搬送部は、半導体ウェハを積載するための搬送アーム部分２Ｃと、半導体ウェハを冷却するのに使用する媒体の通路となる中空部分を有した配管部分３Ｓとを備えている。例文帳に追加

The semiconductor wafer carrier has a carrying arm 2C for mounting a semiconductor wafer, and a piping part 3S having a hollow portion which is the passage of a medium used for cooling the semiconductor wafer. - 特許庁

半導体チップ搭載用の配線基板、配線基板の製造方法、中継接続用の配線基板、半導体装置および半導体装置間接続構造例文帳に追加

CIRCUIT BOARD FOR SEMICONDUCTOR CHIP MOUNTING, MANUFACTURING METHOD FOR THE CIRCUIT BOARD, CIRCUIT BOARD FOR RELAY CONNECTING, SEMICONDUCTOR DEVICE AND CONNECTING STRUCTURE BETWEEN THE SEMICONDUCTOR DEVICES - 特許庁

半導体冷却ユニットは、電力用の半導体素子１１を含む半導体モジュール１０と、冷媒を流動させる中空部２１を有する扁平形状の冷却チューブ２０とを組み合わせてなるユニットである。例文帳に追加

The semiconductor cooling unit is composed by combining a semiconductor module 10 including a semiconductor element 11 for power and a cooling tube 20 in a flat shape provided with a hollow part 21 for making a coolant flow. - 特許庁