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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 半導体中に関連した英語例文

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半導体中の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5764



例文

半導体製造工程における半導体基板の待機或いは搬送に、大気の水分等不純物の半導体基板への付着を制御できる基板収納装置及びその不純物制御方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a substrate accommodating apparatus and impurity controlling method for controlling adhesion to semiconductor substrate of impurity such as water or the like in the atmosphere during the waiting or transfer of the semiconductor substrate in the semiconductor manufacturing process. - 特許庁

半導体チップ10−1、10−2上に、半導体チップが備えるチップパッド11と半導体チップが搭載されるパッケージ基板1が備えるボンディングフィンガー3とを接続する各配線を継する、複数の継パッド23を備えた継基板21を搭載する。例文帳に追加

The semiconductor device includes a relay substrate 21 having a plurality of relay pads 23 to relay each wiring connecting chip pads 11 of semiconductor chips and bonding fingers 3 of a package substrate 1, on which the semiconductor chips are mounted, on the semiconductor chips 10-1 and 10-2. - 特許庁

複数のワイヤのの少なくとも一部のワイヤ80は、それらが第1半導体チップ20のボンディングパッド28と周辺エッジ55との間点51を少なくとも含む領域において第1半導体チップ20と第2半導体チップ30との間隔の略央に位置する。例文帳に追加

At least part of wires 80 among the plurality of wires is located almost at the center of interval of the first semiconductor chip 20 and the second semiconductor chip 30 in a area including at least an intermediate point 51 of the bonding pads 28 of the first semiconductor chip 20 and the periphery edge 55. - 特許庁

FIB(集束イオンビーム)-SEMは、半導体製造ラインのでウエハの表面を検査する(点検する)。例文帳に追加

The FIB-SEM inspects wafer surfaces in the semiconductor production lines.  - 科学技術論文動詞集

例文

半導体ウエハ等の特性を、パージガス雰囲気で試験するプローバである。例文帳に追加

This prober tests the characteristics of a semiconductor wafer, etc., in a purge gas atmosphere. - 特許庁


例文

エピタキシャル成長により形成される半導体に窒素原子を効率良く導入する。例文帳に追加

To efficiently introduce nitrogen atoms into a semiconductor layer formed by expitaxial growth. - 特許庁

ケイ素を含む半導体から触媒元素を効率良く除去するための技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for eliminating efficiently a catalyst element from semiconductor films containing silicon. - 特許庁

半導体チップの銅溶接パッドの酸化を解決する金線接合プロセス例文帳に追加

GOLD WIRE BONDING PROCESS FOR SOLVING OXIDATION OF COPPER WELDING PAD IN SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁

体積試料の放射能をゲルマニウム半導体検出器によって測定する方法例文帳に追加

METHOD OF MEASURING RADIOACTIVITY IN VOLUME SAMPLE BY GERMANIUM SEMICONDUCTOR DETECTOR - 特許庁

例文

エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体素子収納空パッケージ例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION AND HOLLOW PACKAGE HOUSING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE COMPOSITION - 特許庁

例文

半導体製造に生じるガスを処理するための吸着型ガススクラバー例文帳に追加

ADSORPTION TYPE GAS SCRUBBER FOR TREATING GAS GENERATED DURING PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR - 特許庁

エポキシ樹脂組成物、半導体素子収納用空パッケージ及び電子部品装置例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION, HOLLOW PACKAGE FOR STORING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC COMPONENT DEVICE - 特許庁

半導体上層40は、間領域にマグネシウムを含むδドープ層44を有する。例文帳に追加

The semiconductor upper layer 40 has a δ doped layer 44 including magnesium in an intermediate layer. - 特許庁

半導体からの電子放出現象により大気に電子を放出させる電子放出素子である。例文帳に追加

It is an electron emission element which emits electron into the atmosphere by electron emitting phenomenon from a semiconductor. - 特許庁

半導体チップ50にその厚さの途までの深さを有した溝20が形成されている。例文帳に追加

A groove 20, having a depth to the middle of thickness of a semiconductor chip 50, is formed in the semiconductor chip 50. - 特許庁

ゲート電極への砒素のイオン注入を抑制することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where ion implantation of arsenic into a gate electrode can be suppressed. - 特許庁

エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体素子収納用空パッケージ例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION AND HOLLOW PACKAGE FOR HOUSING SEMICONDUCTOR ELEMENT BY USING THE SAME - 特許庁

半導体レーザーモジュール、ファイバー型光増幅器、光継器、および光伝送システム例文帳に追加

SEMICONDUCTOR LASER MODULE, FIBER TYPE OPTICAL AMPLIFIER, OPTICAL REPEATER, AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM - 特許庁

デバイスは、その半導体チャンネル領域24が形成されているシリコン基板20を有する。例文帳に追加

The device has a silicon substrate 20 formed with a semiconductor channel region 24 therein. - 特許庁

半導体封止用エポキシ樹脂組成物のカーボン凝集物の検査方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an inspection method of a carbon aggregate in an epoxy resin composition for semiconductor sealing. - 特許庁

継回路9と半導体装置1は、ポリシリコン配線13で接続される。例文帳に追加

The relay circuit 9 and the semiconductor device 1 are connected with each other through polysilicon wiring 13. - 特許庁

窒素はリン化硼素系半導体中で等電子的トラップ不純物として作用する。例文帳に追加

Nitrogen acts as an isoelectronic trap impurity in a boron phosphide based semiconductor. - 特許庁

発光ダイオード素子において、半導体材料と金属との反応を防止する。例文帳に追加

To prevent reaction between semiconductor material and metal in a light emitting diode element. - 特許庁

0.9〜1.2μmの心波長の光を発光する、高出力化可能な光半導体素子を得る。例文帳に追加

To obtain an optical semiconductor element that emits light of 0.9 to 1.2 μm in center wavelength and can be increased in output. - 特許庁

フッ素によってInAlAsのSiドナーを補償する半導体デバイス例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH COMPENSATION OF Si DONORS IN InA As BY FLUORINE - 特許庁

半導体研磨用スラリーの異物汚染を高効率で検出することを目的とする。例文帳に追加

To detect contaminations in slurry for polishing a semiconductor with high efficiency. - 特許庁

単結晶の不純物元素含有量の制御方法、単結晶および半導体デバイス例文帳に追加

METHOD FOR CONTROLLING CONTENT OF IMPURITY ELEMENT IN SINGLE CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

従って、酸化物半導体に意図せずに生じるキャリアを低減することができる。例文帳に追加

Accordingly, carriers unintentionally occurring in the oxide semiconductor film can be reduced. - 特許庁

半導体記憶装置の周辺回路には、内部リフレッシュ制御回路12が設けられている。例文帳に追加

In the peripheral circuit of the semiconductor memory, an internal refresh control circuit 12 is provided. - 特許庁

加熱処理を行って、半導体の金属元素をゲッタリングサイト層にゲッタリングさせる。例文帳に追加

Heat treatment is performed thereon to perform gettering of a metal element in the semiconductor layer with the gettering site layer. - 特許庁

半導体デバイスに二つの仕事関数を持つゲート電極を形成する方法とシステム例文帳に追加

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING GATE ELECTRODE HAVING TWO WORK FUNCTIONS IN SEMICONDUCTOR GATE - 特許庁

AM間周波可変利得増幅回路、可変利得増幅回路及びその半導体集積回路例文帳に追加

AM INTERMEDIATE FREQUENCY VARIABLE GAIN AMPLIFIER CIRCUIT, VARIABLE GAIN AMPLIFIER CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF - 特許庁

また、積層工程を経た上記半導体基板を水素雰囲気で冷却する。例文帳に追加

After the lamination step, the semiconductor substrate is cooled in a hydrogen atmosphere. - 特許庁

半導体処理のガスの利用効率を向上させるための方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND SYSTEM FOR ENHANCING UTILIZATION EFFICIENCY OF GAS UNDER PROCESSING SEMICONDUCTOR - 特許庁

III族窒化物系化合物半導体発光素子の電極の銀のマイグレーションの抑制。例文帳に追加

To inhibit migration of silver in an electrode for a III nitride compound semiconductor light-emitting element. - 特許庁

半導体チップCHの央部には、パワーアンプ領域38が位置している。例文帳に追加

A power amplifier region 38 is located at the center section of a semiconductor chip CH. - 特許庁

このうち、間の半導体素子の下側に対して、ダイオード3を取り付ける。例文帳に追加

Each of diodes 3 is mounted at positions under the middle semiconductor elements 2. - 特許庁

複数の薄膜層を積層した半導体素子において、薄膜層の酸素濃度を低減する。例文帳に追加

To reduce the concentration of oxygen in each membrane layer of a semiconductor device constructed by laminating a plurality of membrane layers. - 特許庁

半導体装置が、バーンイン動作試験に過電流が流れたことを検出する手段を有する。例文帳に追加

This semiconductor device has a means for detecting an overcurrent flow during the burn-in operation test. - 特許庁

次に非酸化性雰囲気で熱処理することにより、半導体基板1内に空洞4を形成する。例文帳に追加

Then, the cavity 4 is formed in the semiconductor substrate 1 by performing heat treatment in a non-oxidizing atmosphere. - 特許庁

アニールによるII−IV族の半導体材料の沈殿物を除去するための方法例文帳に追加

METHOD FOR ELIMINATING PRECIPITATE IN GROUP II-IV SEMICONDUCTOR MATERIAL BY ANNEALING - 特許庁

本発明は、半導体パッケージのダイ上の電圧をより正確に測定できるようにする。例文帳に追加

To enable more accurate measurement of the voltage on a die in a semiconductor package. - 特許庁

したがって、プラズマ処理半導体ウエハ150の冷却効率を向上させることができる。例文帳に追加

As a result, cooling efficiency of the semiconductor wafer 150 can be enhanced during plasma processing. - 特許庁

央処理装置とメモリモジュールとの間に光コネクションを有する半導体装置例文帳に追加

SEMICONDUCTOR APPARATUS HAVING OPTICAL CONNECTIONS BETWEEN CENTRAL PROCESSING UNIT AND MEMORY MODULE - 特許庁

半導体封止用樹脂組成物の成分の偏りやばらつきを効果的に抑制する。例文帳に追加

To effectively restrain deviation or inhomogeneity of the components in the semiconductor sealing resin composition. - 特許庁

さらに、少なくとも一つのコーナーリフレクタ1が半導体レーザチップに形成される。例文帳に追加

Further, at least one corner reflector 1 is formed in the semiconductor laser chip. - 特許庁

p型半導体基板1に、n型の延長ドレイン領域2を形成する。例文帳に追加

An n-type extended drain region 2 is formed in a p-type semiconductor substrate 1. - 特許庁

SOI基板の単結晶半導体の酸素濃度を低減させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for reducing oxygen concentration in a single crystal semiconductor layer of a SOI substrate. - 特許庁

P型の半導体基板P-subに間層として埋め込みN型層B-Nが配設されている。例文帳に追加

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub. - 特許庁

例文

半導体レーザとしてλ/4位相シフトを央に設けたDFBレーザを用いることができる。例文帳に追加

A DFB laser having a λ/4 phase shift provided in the center thereof can be used as the semiconductor laser. - 特許庁

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