「半導体中」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体基板（１）の外周側部分の厚みを凸部８を有する中央部分よりも薄くする。例文帳に追加

The thickness of the outer peripheral side of the semiconductor substrate (1) is made thinner than the central part having the projection (8). - 特許庁

半導体ウェハ１のおもて面側の中央部に、デバイスの表面構造を形成する。例文帳に追加

The surface structure of the device is formed at the center of the surface side of a semiconductor wafer 1. - 特許庁

半導体チップの表面が所定の高さでない場合も、交点が中心から外れる。例文帳に追加

When the surface of the semiconductor chip is not at a prescribed height, the intersection point is also off the center. - 特許庁

第１中間層１５１ｂは、アモルファスシリコン等の非晶質半導体から構成されている。例文帳に追加

The first intermediate layer 151b is formed of amorphous semiconductor such as amorphous silicon or the like. - 特許庁

使用環境の厳しい中であっても、高い信頼性を図ることができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of achieving high reliability even in a severe use environment. - 特許庁

記憶部のデータ書換え動作中でも割込み処理を実行ができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for executing interrupt processing even during the data rewriting operation of a storage part. - 特許庁

配線基板２の略中央部には、半導体チップ３が搭載されている。例文帳に追加

A semiconductor chip 3 is mounted on nearly the middle part of a wiring substrate 2. - 特許庁

ｎ型不純物濃度の深さ方向のピークが半導体膜４中に位置する。例文帳に追加

The peak of concentration of the n-type impurity in the depthwise direction is positioned in the semiconductor film 4. - 特許庁

保持装置２により半導体ウェハ１０の片面の略中心を吸着して保持する。例文帳に追加

A holding device 2 holds the semiconductor wafer 10, by adsorbing the semiconductor wafer 10 at almost the center of one surface thereof. - 特許庁

また、半導体量子井戸構造中のスピン偏向した励起子間のスピン交換相互作用を利用する。例文帳に追加

Further, spin exchange interaction between spin-deflected excitons in the semiconductor quantum well structure is used. - 特許庁

即ち、中間層１４Ａは、有機半導体層１２と絶縁層１６との間に配設させる。例文帳に追加

That is, the intermediate layer 14A is arranged between the organic semiconductor layer 12 and the insulating layer 16. - 特許庁

半導体装置の製造工程中における静電気起因の電気特性不良を軽減する。例文帳に追加

To reduce poor electrical characteristics caused by static electricity during the process of manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

そして、半導体ウェハ１の裏面の中央部のみを、砥石を用いて研削する。例文帳に追加

Only the center of the back surface of the semiconductor wafer 1 is ground by a grinding tool. - 特許庁

レーザ光の強度分布曲線の中心点の変位を抑制できる半導体レーザを提案する。例文帳に追加

To propose a semiconductor laser which can prevent the displacement of a central point of intensity distribution curve of laser light. - 特許庁

半導体集積回路装置の設計中あるいは設計完了後の論理変更を容易とする。例文帳に追加

To make it easy to make a logic change during or after the design of a semiconductor integrated circuit device. - 特許庁

中間層１２は少なくとも半導体層２０が形成される側の表面が結晶とされている。例文帳に追加

The intermediate layer 12 has a crystal surface at least on the side where the semiconductor layer 20 is formed. - 特許庁

半導体チップ中心付近での電力消費が抑えられるオンチップ・バスを提供する。例文帳に追加

To provide an on-chip bus suppressing power consumption near the center of a semiconductor chip. - 特許庁

サイズの異なる半導体チップを収納することができる中空パッケージを提供する。例文帳に追加

To provide a hollow package where semiconductor chips different in sizes can be stored. - 特許庁

半導体の化学機械研摩プロセス中の金属除去レ—トを増大させる方法及びＣＭＰ方法例文帳に追加

METHOD FOR INCREASING METAL-REMOVAL RATE DURING CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING PROCESS FOR SEMICONDUCTOR, AND CMP METHOD - 特許庁

半導体チップ１の第２の主面への応力集中を回避して寿命を延ばす。例文帳に追加

To extend the life while evading stress concentration of a semiconductor chip 1 to a second principal surface. - 特許庁

半導体製造装置中で使用するためのセラミック部材を洗浄する方法を提供する。例文帳に追加

The cleaning method is provided for use in a semiconductor manufacturing apparatus. - 特許庁

半導体プロセス中の粒子の突発的発生の検知、プロセスの稼働に対する損害の防止。例文帳に追加

To sense sudden generation of a particle in a semiconductor process, and to prevent damage to operation of the process. - 特許庁

通常使用中にはテストモードにエントリーされにくい半導体装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a mode is hard to be entered to a test mode in normal use. - 特許庁

中間部半導体領域１５３は、ｎ型の不純物を低濃度に含んでいる。例文帳に追加

The intermediate semiconductor region 153 includes an n-type impurity in lower concentration. - 特許庁

半導体プロセス中にウエハの微小領域のひずみ量を測定する。例文帳に追加

To measure a distortion amount in a minute region of a wafer during a semiconductor process. - 特許庁

半導体装置に配設される中継部材５０は、第１の端子５１と第２の端子５２とを備える。例文帳に追加

The relay member 50 disposed in the semiconductor device is provided with a first terminal 51 and a second terminal 52. - 特許庁

歪吸収中間層遷移モジュールを有するＩＩＩ族窒化物半導体構造例文帳に追加

III-NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH STRAIN-ABSORBING INTERLAYER TRANSITION MODULES - 特許庁

第１導電型の電荷蓄積領域１２は、半導体基板１１中に埋め込まれている。例文帳に追加

A first conductivity type charge accumulation region 12 is buried in a semiconductor substrate 11. - 特許庁

デポジション中に下層の損傷を防止する保護層を持った半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LAYER FOR PROTECTING UNDERLYING LAYER AGAINST DAMAGE DURING DEPOSITION - 特許庁

真空下の半導体処理システムにおいて加工中の製品を処理する方法及びシステムに関する。例文帳に追加

To provide a method and system for processing a workpiece in a vacuum-based semiconductor processing system. - 特許庁

動作中の温度上昇が著しく僅かな点で優れた半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser which is superior in that the temperature rise during operation is markedly reduced. - 特許庁

さらに、中心領域を分割することで、半導体検出器の面積を小さくする。例文帳に追加

Further, the area of the semiconductor detector is reduced by dividing the central region. - 特許庁

配線層３の中央部には、半導体素子５がハンダ６により接合されている。例文帳に追加

The semiconductor element 5 is joined to a center part of the wiring layer 3 with solder 6. - 特許庁

半導体素子４０は、支持部材５０に設けられた開口部５４の中に位置している。例文帳に追加

The semiconductor element 40 is positioned in an opening 54 provided in a supporting member 50. - 特許庁

そしてｐ型半導体層４０中でキャリア再結合過程を経ることで発光する。例文帳に追加

The ballistic electrons pass through a carrier recombination process in the p-type semiconductor layer 40 to emit light. - 特許庁

ゲートとドレインの間で生じる電界集中を緩和する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which electric field concentration caused between a gate and a drain is relaxed. - 特許庁

中継基板のサイズを縮小した低コストな半導体装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To achieve a low-cost semiconductor device with a reduced size of a relay board. - 特許庁

電界集中を緩和し、高い耐圧を得ることが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that relaxes electric field concentration to ensure a high breakdown voltage. - 特許庁

可動部中に絶縁分離構造を設けた半導体構造を容易に製造可能にする。例文帳に追加

To easily manufacture a semiconductor structure in which an insulating separation structure is provided in a movable part. - 特許庁

活性化領域２のコーナー部分６への電界集中が少ない半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device without a small concentration of electric field at a corner portion 6 of an activation region 2. - 特許庁

電流集中が抑えられた高品質の半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a high-quality semiconductor light emitting element in which current concentration is suppressed. - 特許庁

熱集中による温度上昇が低減されたパワー半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device which is reduced in temperature rise due to the concentration of heat. - 特許庁

該基板は中に半導体発光デバイスを搭載するように構成された空洞を含んでもよい。例文帳に追加

The substrate may include a cavity configured to mount the semiconductor light emitting device therein. - 特許庁

絶縁基板１３の中央部に半導体チップ搭載用の貫通孔部１３ｃを設ける。例文帳に追加

A through-hole section 13c for mounting a semiconductor chip is arranged in the center of an insulating substrate 13. - 特許庁

応力集中に対して内部電極が断線、剥離しにくい半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which an internal electrode is hard to be disconnected or peeled by stress concentration. - 特許庁