「半導体中」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

配線基板に載置した半導体装置をリフロー炉内に投入して加熱し、その加熱中に半導体装置に反り発生しても両者の半田が正しく接合できる半導体装置及びその製造方法を得ること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device for throwing a semiconductor device placed on a wiring board into reflow furnace for heating, and for correctly bonding the solders of both of them even when any warpage happens on the semiconductor device while it is heated. - 特許庁

Ｒ＝ｄ／ｓｉｎβ （１）α＜β≦２α （２）ただし、ｄ：半導体ウェハの厚さの１／２、β：半導体ウェハの端面の円弧の中心角の１／２、α：ＣＭＰ研磨時の半導体ウェハの最大傾斜角の絶対値。例文帳に追加

Here, in the formula (1) and the formula (2), (d) denotes 1/2 of a thickness of the semiconductor wafer, β denotes 1/2 of a center angle of the circular arc of the end surface of the semiconductor wafer, and α denotes the absolute value of a maximum angle of inclination of the semiconductor wafer at the time of CMP polishing. - 特許庁

半導体基板の中部に深いウエルを有する場合、面積低減ができ、しかも高性能な半導体素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To reduce area by providing deep n-type wells at the middle of a p-type semiconductor substrate, p-type wells contacting the above n-type wells and n-type wells contacted of the above p-type wells. - 特許庁

異種基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、保護膜上に横方向成長させる窒化物半導体層を保護膜上で接合させずに途中で窒化物半導体層の成長を止める。例文帳に追加

A method of growing a nitride semiconductor layer on a heterosubstrate is performed. - 特許庁

半導体素子の温度テスト中に半導体素子自体の発熱による温度偏差を補償して、正確な温度下でテストを遂行できる半導体素子テストハンドラの発熱補償装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for compensating the heat generation of a semiconductor element test handler, which compensates the temperature deviation due to the heat generation of the semiconductor element itself, in the temperature test of the semiconductor element, and which can perform the test at an accurate temperature. - 特許庁

半導体チップ１下のダイボンド材４は、半導体チップ１の辺中心部から外側へはみ出す傾向にあるが、突起部１１により半導体チップ１の端部側へ案内され、濡れ性が改善される。例文帳に追加

A die bonding material 4 under the semiconductor chip 1 is ready to flow over the central part on the side of the semiconductor chip 1 to the outside, but it is guided by the protrusion 11 to the end side of the semiconductor chip 1, thus improving the wettability. - 特許庁

電荷をトラップする絶縁膜を具えた半導体装置の、初期C-V特性を測定し、次いで、前記半導体装置に対して電圧を印加し、前記半導体装置の前記絶縁膜中に電荷注入を行う。例文帳に追加

The initial C-V characteristics of a semiconductor device with an insulating film for trapping an electric charge are measured, and then, a voltage is applied to the semiconductor device, for injecting electric charges in the insulating film of the semiconductor device. - 特許庁

III−Ｖ族化合物半導体層中のＮ組成比を、層厚方向において均一化することができるIII−Ｖ族化合物半導体層の形成方法及び半導体光素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a semiconductor layer of compounds of group III-V by which the composition ratio of N in the semiconductor layer of compounds of group III-V can be uniformized in the direction of its thickness, and to provide a method for manufacturing a semiconductor light element. - 特許庁

測定対象となる半導体基板４を分割構造のステージ２で挟持し、半導体基板４の外周面とステージ２の外周面とで、半導体基板４の外周面を中心とする平坦部Ｆを形成する。例文帳に追加

The semiconductor substrate 4 for measurement target is sandwiched by a stage 2 of divided structure, and a flat part F centering around the outer circumferential surface of the semiconductor substrate 4 is formed by the outer circumferential surface of the semiconductor substrate 4 and the outer circumferential surface of the stage 2. - 特許庁

半導体製造工程中における帯電の発生を防止し、該帯電による半導体デバイスの破壊および製の劣化を防ぐことのできる半導体加工用粘着シートを提供する。例文帳に追加

To provide an adhesive sheet for processing a semiconductor substrate with which the generation of electrostatic charge during a semiconductor manufacturing process is prevented, and the breakage of a semiconductor device and the deterioration of a product attributable to the electrostatic charge is prevented. - 特許庁

半導体チップ３１〜３４を複数段積み重ねて積層型半導体装置を形成する積層型半導体装置の製造方法であって、内部中空の収納基板１中に複数の半導体チップを積み重ねるとともに、基板の中空２は、底面側から順次、半導体チップ配設空間２１〜２４が広くなっており、かつ該基板１はあらかじめ一体的に形成されている。例文帳に追加

In the method of manufacturing a laminated semiconductor device by stacking semiconductor chips 31 to 34 in plural stages, the plurality of semiconductor chips are stacked within accommodation substrates (1) having an internal hollow (2), the hollow 2 has spaces 21 to 24 for disposition of the chips which are sequentially spread from its bottom surface side, and the substrates 1 are previously integrally formed. - 特許庁

半導体ウエハの試験データを処理することにより、前記半導体ウエハの製造工程の異常を検出する半導体試験データ処理方法において、前記半導体ウエハの不良領域が集中している度合を求め、前記不良領域が集中している度合から、前記半導体ウエハの製造工程の異常の度合を示す指標を求めることを特徴とする。例文帳に追加

In the method for processing the test data of the semiconductor which detects the abnormality in the fabricating process of a semiconductor wafer by processing the test data of the semiconductor wafer, a concentrating degree of defected regions on the semiconductor wafer is obtained and an index of a degree of the abnormality in the fabricating process of the semiconductor wafer is obtained from the concentrating degree of the defected regions. - 特許庁

半導体装置は、支持基板３１上に埋め込み酸化物層３２を介在して形成された第１の半導体層３３と、この支持基板上に形成された第２の半導体層３４とを備え、上記第１の半導体層中に第１の素子が形成され、上記第２の半導体層中に第２の素子が形成されている。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a first semiconductor layer 33 formed on a support substrate 31 via an embedded oxide layer 32; and a second semiconductor layer 34 formed on the support substrate, a first element is formed in the first semiconductor layer, and a second element is formed in the second semiconductor layer. - 特許庁

半導体装置は、支持基板３１上に埋め込み酸化物層３２を介在して形成された第１の半導体層３３と、この支持基板上に形成された第２の半導体層３４とを備え、上記第１の半導体層中に第１の素子が形成され、上記第２の半導体層中に第２の素子が形成されている。例文帳に追加

The semiconductor device has a 1st semiconductor layer 33 which is formed on a base substrate 31 across an buried oxide layer 32 and a 2nd semiconductor layer 34 which is formed on the base substrate and also has a 1st element formed in the 1st semiconductor layer and a 2nd element in the 2nd semiconductor layer. - 特許庁

本発明は、ゲート絶縁膜（１４）と、アンバイポーラ特性を有する有機半導体膜（２０）とを備える有機半導体装置（１）の製造方法であって、真空中または還元雰囲気中で、ペンタセンを用いて有機半導体膜（２０）を形成する半導体膜形成工程を含み、前記半導体膜形成工程以降、有機半導体装置（１）を真空中または還元雰囲気中に維持することを特徴とする、有機半導体装置の製造方法を提供するものである。例文帳に追加

The method of manufacturing the organic semiconductor device 1 having a gate insulating film 14 and the organic semiconductor film 20 with unbipolar characteristics includes a semiconductor film formation process for forming an organic semiconductor film 20 using pentacene in vacuum or a reduced atmosphere, where the organic semiconductor device 1 is maintained in vacuum or a reduced atmosphere after the semiconductor film formation process. - 特許庁

半導体プロセスからの排ガスをポンプなどによる吸着を最小限に抑え、半導体プロセス内で生じている事象を正確に分析可能とすると共に、半導体プロセスの動作中にもガス分析装置のメンテナンスを容易とする半導体プロセス排ガスの分析方法および半導体プロセス排ガスの分析システムを提供する。例文帳に追加

To restrain adsorption, by a pump or the like, of exhaust gas from a semiconductor process to the minimum, accurately analyze an event generated in the semiconductor process, and facilitate maintenance for a gas analyzer during an operation of the semiconductor process. - 特許庁

半導体素子による電子回路が形成された半導体基板と、半導体基板上に形成されるスパイラルインダクタと、半導体基板とスパイラルインダクタとの間に形成され、中心から外縁に向かって放射状に形成される複数の開口部を有するシールド層と、を備えることを特徴とする半導体装置。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate where an electronic circuit formed of semiconductor elements is formed, a spiral inductor formed on the semiconductor substrate, and a shield layer which is formed between the semiconductor substrate and the spiral inductor and has a plurality of openings formed radially from the center to the outer edge. - 特許庁

次いで、半導体単結晶１１及びアモルファス半導体１２に対して加熱処理を施し、半導体単結晶１１及びアモルファス半導体１２同士を固相相互拡散により混晶化して、前記格子定数ａ及び前記格子定数ｂの中間の格子定数ｃを有する無歪みの半導体混晶単結晶１３を形成する。例文帳に追加

Then, the semiconductor single crystal 11 and the amorphous semiconductor 12 are subjected to heat-treatment, and solid interdiffusion is performed between the semiconductor single crystal 11 and the amorphous semiconductor 12 to form an unstrained semiconductor mixed single crystal 13 having a lattice constant (c) midway between the lattice constants (a) and (b). - 特許庁

酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導体でチャネル領域が形成される薄膜トランジスタを用い、ＬＳＩやＣＰＵやメモリなどの半導体集積回路を作製する。例文帳に追加

A semiconductor integrated circuit such as an LSI, a CPU, or a memory is manufactured using a thin film transistor in which a channel formation region is formed using an oxide semiconductor which becomes an intrinsic or substantially intrinsic semiconductor by removing impurities serving as electron donors (donors) in the oxide semiconductor and has larger energy gap than that of a silicon semiconductor. - 特許庁

半導体素子１０１上に被覆形成される半導体素子保護樹脂２０５を、半導体素子１０１の中間接合層２０３とはんだ接合層２０４の間の外周面域にも被覆形成させ、半導体素子１０１内部の耐クラック性、および半導体素子１０１とはんだ材料１０４との界面に加わる応力の緩和性を向上させる。例文帳に追加

A semiconductor element protective resin 205 formed on a semiconductor element 101 by covering it is also formed in an outer peripheral surface region between an intermediate junction layer 203 of the semiconductor element 101 and a solder junction layer 204 by covering it; and thereby crack resistance in the semiconductor element 101 and a relaxation property of stress applied to an interface between the semiconductor element 101 and a solder material 104 are improved. - 特許庁

ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。例文帳に追加

The method for semiconductor solidification includes steps for: forming a bath of molten semiconductor 103 from a first charge 120 of semiconductor which includes dopants; and solidifying the molten semiconductor 103, and in addition includes, during solidification, the implementation of one or more steps for the addition of supplementary charges 120 of semiconductor, which also contains dopants, to the bath of molten semiconductor 103. - 特許庁

結晶成長条件の異なる２以上の半導体層を含む多層構造からなる半導体デバイスの製造方法であって、一の半導体層の結晶成長工程１０と他の半導体層の結晶成長工程１２との間における結晶成長中断工程２０において、降温工程２０ａおよび前記降温工程後の昇温工程２０ｃを含む半導体デバイスの製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device, having a multilayer surface including two or more semiconductor layers different in crystal growing conditions, comprises a temperature-lowering step 20a and a temperature-rising step 20c, after the temperature-lowering step in a crystal growth interrupted step 20 between a crystal growing step 10 of one semiconductor layer and a crystal growing step 12 of another semiconductor layer. - 特許庁

直径２０ｎｍ以下の金属微粒子を溶媒中に分散した溶液を、半導体基板上に塗布する工程と、溶媒を蒸発させる工程と、金属微粒子と半導体基板を反応させ、半導体基板表面に金属半導体化合物薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step of applying a solution wherein fine metal particles having a diameter of ≤20 nm are dispersed in a solvent, onto the semiconductor substrate; a step of evaporating the solvent; and a step of forming a metal-semiconductor compound thin film on a surface of the semiconductor substrate by causing the reaction between the fine metal particles and the semiconductor substrate. - 特許庁

樹脂成分の低揮発化による封止樹脂中に発生するボイドの対策、半導体チップと半導体チップを接合する構造（ＣＯＣ構造）において半田接続性が良好で信頼性、作業性に優れ、半導体装置の製造工程が簡略化可能な半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び該組成物で封止された半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid epoxy resin composition for semiconductor sealing use, preventing the generation of voids in the sealing resin by lowering the volatility of resin components, exhibiting good solder joint in a structure (COC structure) to join a semiconductor chip to another chip, having excellent reliability and workability and effective for simplifying the production process of a semiconductor device and to provide a semiconductor device sealed with the resin composition. - 特許庁

半導体素子１０が、実装基板１１上に半田バンプ１２を介して実装される半導体パッケージにおいて、実装基板１１は半導体素子１０が搭載されるほぼ中央部分に排気口１１ａが設けられ、半導体素子１０が印刷塗布により半導体素子１０周辺から供給される樹脂により封止される。例文帳に追加

In a semiconductor package, where a semiconductor element 10 is mounted on a mounting board 11 via solder bumps 12, the mounting board 11 is provided with an exhaust port 11a almost in the center to load the semiconductor element 10, and the semiconductor element 10 is sealed with resin supplied from the periphery of the semiconductor element 10 by print coating. - 特許庁

半導体回路システム１００は、半導体回路１０ａ，１０ｂ，１０ｃの中の半導体回路１０ａの発振用端子１２４ａに発振用コンデンサ１４０ａを接続し、半導体回路１０ｂ，１０ｃの発振用端子１２４ｂ，１２４ｃに半導体回路１０ａのクロック生成回路部１２ａによって生成されたクロックを入力する。例文帳に追加

In a semiconductor circuit system 100, a oscillation capacitor 140a is connected to a oscillation terminal 124a of a semiconductor circuit 10a in semiconductor circuits 10a, 10b, and 10c, and a clock generated by a clock generating circuit unit 12a is input to oscillation terminals 124b and 124c of the semiconductor circuits 10b and 10c. - 特許庁

本発明に係る半導体装置は、半導体層と；前記半導体層中に形成された素子分離膜と；前記素子分離膜によって囲まれたアクティブ領域の半導体層と；前記アクティブ領域の半導体層の深さ方向における側壁部であり、前記素子分離膜との境界部分に形成された空隙部とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a semiconductor layer; an element isolation film formed in the semiconductor layer; a semiconductor layer in an active region surrounded by the element isolation film; and a gap, formed on a sidewall portion of the semiconductor layer in the active region which extends in a depth direction, and at boundary between the element isolation film and the active region. - 特許庁

ＳＬＳ法を利用して形成される半導体膜を有する半導体デバイスであって、該半導体膜のレーザ照射領域中央部における微結晶の発生を軽減し結晶成長長さを長くすることにより、その半導体膜が大粒径の多結晶膜で構成されていることを特徴とする半導体デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a crystal growth length is elongated by reducing the generation of microcrystals at the center of a laser irradiating region of a semiconductor film formed by utilizing a sequential lateral solidification method so that the semiconductor film is formed of a polycrystalline film having a large grain size in the device having the semiconductor film, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

屈折率が異なる２種の半導体層が積層されているｎ型にドープされたｎ型半導体分布ブラッグ反射器において、屈折率（禁則帯幅）が異なる２種の半導体層の間に、前記２種の半導体層の間の屈折率を有する中間層（半導体層）が設けられていることを特徴としている。例文帳に追加

The n-type semiconductor distributed Bragg reflector in which two kinds of semiconductor layer having a different refractive index are stuck and doped in an n-type, is provided with an intermediate layer (semiconductor layer) having a refractive index between the two kinds of semiconductor layers, between the two semiconductor layers having different refractive indexes (inhibited band width). - 特許庁

本発明に係る半導体装置は、半導体基板中のトレンチに形成されたトレンチキャパシタと、トレンチキャパシタを駆動するトランジスタと、トレンチキャパシタとトランジスタとの電気的接続経路の一部を構成するトレンチ上部の半円柱状半導体層と、半円柱状半導体層内に埋め込まれ、半円柱状半導体層よりも低い抵抗率を有する低抵抗層とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with the trench capacitor formed in the trench of a semiconductor substrate, the transistor for driving the trench capacitor, a semicircular column type semiconductor layer constituting a part of an electric connection route between the trench capacitor and the transistor while being arranged above the trench, and a resistance layer embedded into the semicircular column type semiconductor layer and having a resistivity lower than that of the semicircular column type semiconductor layer. - 特許庁

プラズマ気相成長法により半導体基板上に弗素添加酸化珪素膜を成膜する工程中において、成膜される半導体基板が載置された反応容器内部をプラズマの経時変化を抑制するように構成された半導体製造装置及びこの半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing apparatus, the inside of a reaction container in that a semiconductor substrate to be formed is placed, is composed so that the change in plasma with time can be suppressed, and a method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor- manufacturing device, in a process for forming a fluorine-added silicon oxide film on a semiconductor substrate through the plasma vapor growth method. - 特許庁

本半導体位置検出器においては、半導体導電層１２が形成された受光面に光が入射し、その入射光位置に応じて半導体導電層１２の両端部からそれぞれ出力される電流値が可変する半導体位置検出器において、半導体導電層１２の途中に両端部間の電気伝導を遮断可能なゲート電極１１を絶縁膜１０を介して設けた。例文帳に追加

In a semiconductor position detector where light enters the light receiving face where a semiconductor conductive layer 12 is made and the current values outputted each from both ends of the semiconductor conductive layer 12 vary according to the position of its incidence, a gate electrode 11 capable of interrupting the electric conduction between both ends is provided through an insulating film 10 in the middle of the semiconductor conductive layer 12. - 特許庁

また、所定形状の絶縁基板からなる半導体パッケージに、接続用バンプを設けた半導体チップを同接続用バンプを介して載設し、同半導体チップを密封封止して形成した半導体装置１０において、絶縁基板上面に、半導体チップの接続用バンプとそれぞれ接続する接続配線３を、絶縁基板の中央部分から放射状に伸延させて設ける。例文帳に追加

Also, in the semiconductor device 10 formed by mounting the semiconductor chip formed with connecting bumps via the connecting bumps in a semiconductor package composed of an insulating substrate having a predetermined shape and by hermetically sealing the semiconductor chip, connecting wiring 3 connected to each of the connecting bumps of the semiconductor chip is provided so as to radially extending from the center of the insulating substrate. - 特許庁

２枚の半導体チップを接合した三次元デバイスとして機能する半導体装置において、上側の半導体チップ２０の裏面を研磨したり、上側の半導体チップ２０の側面全体を樹脂層３０により覆ったり、あるいは、上側の半導体チップ２０の中央部を周辺部よりも厚くする。例文帳に追加

In the semiconductor device functioning as a three-dimensional device by bonding two semiconductor chips, rear surface of the upper semiconductor chip 20 is ground, side face of the upper semiconductor chip 20 is covered entirely with a resin layer 30, or the central part of the upper semiconductor chip 20 is made thicker than the circumferential part. - 特許庁

半導体装置１０は、中心領域の半導体基板２０の表面部分に形成されているアノード領域２７と、終端領域の半導体基板２０の表面部分の少なくとも一部に形成されているリサーフ層２５と、リサーフ層２５内の半導体基板２０の表面部分の少なくとも一部に形成されている表面局所半導体領域２６を備えている。例文帳に追加

The semiconductor device 10 is provided with an anode region 27 formed on the surface portion of a semiconductor substrate 20 of a center region, a resurf layer 25 formed on at least a part of the surface portion of the semiconductor substrate 20 of a termination region, and a surface local semiconductor region 26 formed on at least a part of the surface portion of the semiconductor substrate 20 in the resurf layer 25. - 特許庁

無極性面での窒化物系半導体の気相成長において、成長中の窒化物系半導体層に発生するピットを抑制し、かつ、高性能な半導体装置を作製する上で、窒化物系半導体層の自乗根平均の表面粗さを５ｎｍ以下となる窒化物系半導体の気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition method of a nitride semiconductor, capable of suppressing a pit to be generated in a growing nitride semiconductor layer concerning the vapor deposition of the nitride semiconductor on a nonpolar surface, and allowing the surface roughness of a root mean square in the nitride semiconductor layer to be not more than 5nm in manufacturing a semiconductor device with high performance. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、半導体基板に所定の不純物元素を導入する工程と、不純物元素の固有振動数に共鳴する波数の光で基板上の所定の箇所を照射して導入した不純物元素を拡散させ、半導体基板中に不純物拡散領域を形成する工程と、半導体基板上に半導体素子を形成する工程とを含む。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device comprises processes of introducing a prescribed impurity element into a semiconductor substrate, forming an impurity diffused region in the semiconductor substrate by radiating the light of a frequency resonating the characteristic frequency of the impurity element to diffuse the impurity element, and forming a semiconductor element on the semiconductor substrate. - 特許庁

本発明は、装置を大型化することなく、可動吸着部が半導体ウェーハまたは半導体ペレットに接近するときの動作速度を昇降途中においては遅くすることなく、半導体ウェーハまたは半導体ペレットの近傍においてのみ動作速度を減速させ、接触時のストレスを低減するエアシリンダを具備した半導体製造装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing device equipped with an air cylinder which reduces operation speed only in the vicinity of a semiconductor wafer or a semiconductor pellet and which reduces stress during contact, without making the device large, and without slowing the operation speed in the midst of moving up and down when a movable attracting part approaches the semiconductor wafer or the semiconductor pellet. - 特許庁

洗浄液２を洗浄槽１からオーバーフローするように供給しながら、洗浄液２に半導体ウエハ５を浸漬して半導体ウエハ５を洗浄する半導体ウエハのウェット洗浄方法において、半導体ウエハ５の洗浄中に、半導体ウエハ５を洗浄液２から１度以上露出させるものである。例文帳に追加

In a method for wet cleaning a semiconductor wafer, by which a semiconductor wafer 5 is cleaned by immersing the semiconductor wafer 5 into a cleaning solution 2, while the cleaning solution 2 is supplied so as to overflow a cleaning tub 1, the semiconductor wafer 5 is exposed from the cleaning solution 2 once or more during cleaning of the semiconductor wafer 5. - 特許庁

中間層２は窒化物半導体層３の成長中に加熱されることによりボイドが生じる。例文帳に追加

The intermediate layer 2 produces voids in it by being heated while a nitride semiconductor layer 3 grows. - 特許庁

この半導体装置１０は、接着層１中に、金属からなる中空粒子が分散している。例文帳に追加

In the semiconductor device 10, metallic hollow particles are dispersed in the adhesive layer 1. - 特許庁

また、スペーサ２０の中心が半導体チップ３０の中心に一致していなくてもよい。例文帳に追加

Further, a center of the spacer 20 unnecessarily corresponds to a center of the semiconductor chip 30. - 特許庁

中空部内の耐透湿性を向上させた中空型半導体パッケージを提供する。例文帳に追加

To provide a hollow-type semiconductor package improved in its resistance to moisture permeation in the hollow part. - 特許庁

単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁層を介して単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成する工程とを有し、単結晶半導体基板へのイオンの照射は、イオンドーピング法を用い且つ単結晶半導体基板を冷却しながら行う。例文帳に追加

The irradiation of the single-crystal semiconductor substrate with the ions is carried out by using an ion doping method while cooling the single-crystal semiconductor substrate. - 特許庁

半導体ナノ構造であって、基板上での半導体ナノワイヤの成長中に、触媒粒子によって画定される成長場所において、前記半導体ナノワイヤのタ−ゲットセグメント及び犠牲セグメントをそれぞれ形成する、異なるそれぞれの蒸気−液体−固体反応を支援することと、前記半導体ナノワイヤの前記犠牲セグメントを選択的に除去して、前記半導体ナノワイヤの前記タ−ゲットセグメントに対応する半導体ナノ構造を形成することと、を含む工程によって製造される、半導体ナノ構造。例文帳に追加

The semiconductor nanostructure is fabricated in steps including: supporting different vapor-liquid-solid reactions to respectively form target segments and sacrificial segments of semiconductor nanowires at growth locations defined by catalyst particles during the growth of semiconductor nanowires on a substrate; and selectively removing the sacrificial segments of the semiconductor nanowires to form semiconductor nanostructures corresponding to the target segments of the semiconductor nanowires. - 特許庁