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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 半導体中に関連した英語例文

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半導体中の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5764



例文

半導体中空パッケージ例文帳に追加

SEMICONDUCTOR HOLLOW PACKAGE - 特許庁

半導体装置用継基板及び半導体装置例文帳に追加

RELAYING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体接続継部材及び半導体装置例文帳に追加

SEMICONDUCTOR CONNECTION RELAY MEMBER AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体空樹脂パッケージ例文帳に追加

HOLLOW RESIN PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR - 特許庁

例文

半導体素子用空パッケージ例文帳に追加

HOLLOW PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁


例文

空パッケージ及び半導体装置例文帳に追加

HOLLOW PACKAGE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体素子搭載空パッケージ例文帳に追加

SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING HOLLOW PACKAGE - 特許庁

空構造を有する半導体装置例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HOLLOW STRUCTURE - 特許庁

空型半導体パッケージ例文帳に追加

HOLLOW-TYPE SEMICONDUCTOR PACKAGE - 特許庁

例文

半導体装置用間製品例文帳に追加

INTERMEDIATE PRODUCT FOR SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

例文

半導体パッケージ用継基板、半導体サブパッケージおよび半導体装置例文帳に追加

RELAY SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR SUB PACKAGE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体装置に配設される継部材、半導体装置、及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

RELAY MEMBER TO BE ARRANGED ON SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体基板の内部に空を形成する方法及び半導体基板例文帳に追加

METHOD FOR FORMING HOLLOW INSIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

半導体素子収納用空パッケージ及び半導体装置例文帳に追加

HOLLOW PACKAGE FOR HOUSING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体装置に配設される継部材及び半導体装置例文帳に追加

RELAY MEMBER ARRANGED IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体装置およびその間体ならびに半導体装置の製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, INTERMEDIATE PRODUCT THEREOF AND FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体基板上に半導体層を積層して作製する半導体素子の製造方法において、前記半導体基板上の半導体素子の分離に際しては、分離すべき素子単位を予め絶縁膜で囲い、この囲い半導体層を積層して半導体素子を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the semiconductor device manufactured by stacking a semiconductor layer on a semiconductor substrate, when the semiconductor devices on the semiconductor substrate are separated, device units to be separated are enclosed by an insulation film, and the semiconductor device is formed by stacking the semiconductor layer in the enclosure. - 特許庁

半導体装置1は、半導体基板に形成されたn型半導体領域4と、n型半導体領域4よりも半導体基板の表面から深い位置に形成されたp型半導体領域3と、p型半導体領域3の一部に形成された重金属捕獲領域5とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device 1 comprises an n-type semiconductor region 4 formed in a semiconductor substrate, a p-type semiconductor region 3 formed in a position deeper than the region 4 from the surface of the semiconductor substrate, and a heavy-metal-capturing region 5 formed in a part of the region 3. - 特許庁

半導体装置の荷電心位置の評価方法、半導体装置の荷電心位置の評価装置、及び半導体装置の荷電心位置の評価プログラム例文帳に追加

METHOD OF EVALUATING CHARGE CENTER POSITION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, EVALUATION APPARATUS AND PROGRAM THEREFOR - 特許庁

半導体基板や製造ラインを金属汚染することなく、真空での半導体基板の加熱を容易に行うことができる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造用治具、および半導体装置の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method, tool, and apparatus for manufacturing a semiconductor device capable of easily heating a semiconductor substrate in a vacuum without contaminating the semiconductor substrate or a manufacturing line by metal. - 特許庁

または、第1の半導体領域と第2の半導体領域との間に、第1の半導体領域側から第2の半導体領域側に向けて不純物濃度を漸次低下させた半導体領域を設ける。例文帳に追加

Or, an intermediate region which is gradually decreased in impurity concentration starting from the first semiconductor region toward the second semiconductor region is provided between the first semiconductor region and the second semiconductor region. - 特許庁

半導体光電変換ユニットの半導体層と、導電性の透明間層との間に、この半導体光電変換ユニットの半導体層と逆の導電性を示す半導体を介在させ、pn逆接合部を形成する。例文帳に追加

Between the semiconductor layer of each semiconductor photoelectric conversion unit and a conductive transparent intermediate layer, a semiconductor of the conductivity type opposite to that of the semiconductor layer of each semiconductor photoelectric conversion unit is provided to form a pn reverse junction portion. - 特許庁

化合物半導体結晶への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide: a method for manufacturing a compound semiconductor film capable of increasing an amount of incorporation of zinc into a compound semiconductor crystal; a compound semiconductor film; and a semiconductor device using the compound semiconductor film. - 特許庁

半導体構造は、第1の半導体領域および半導体基板のにキャパシタキャパシタをさらに含む。例文帳に追加

The semiconductor structure further includes a capacitor in the first semiconductor region and the semiconductor substrate. - 特許庁

半導体膜は第1の有機半導体の離散的領域を含んでおり、その離散的領域は第2の有機半導体のマトリクスのに存在する。例文帳に追加

The semiconductor film includes the discrete region of the first organic semiconductor, and the discrete region is present in the matrix of the second organic semiconductor. - 特許庁

半導体ウェーハ21半導体素子を形成し、この半導体ウェーハをダイシングライン24に沿ってダイシングする。例文帳に追加

The processes of forming semiconductor devices in a semiconductor wafer 21 and making dicing cuts in the semiconductor wafer along dicing lines 24 are implemented. - 特許庁

半導体集積回路装置10は、半導体集積回路装置用基板1の央部に半導体チップCPが搭載してある。例文帳に追加

In a semiconductor integrated circuit device 10, semiconductor chips CP are mounted on the center of a substrate for semiconductor integrated circuit device 1. - 特許庁

半導体の並列駆動回路において、各半導体の電力損失を均等に分散させて所定半導体のみの熱集を回避する。例文帳に追加

To avoid the thermal concentration of only a prescribed semiconductor by equally dispersing the power loss of each semiconductor in a parallel drive circuit of the semiconductor. - 特許庁

半導体チップ(2)をすでに実装された半導体チップ(14)に配置すると、半導体チップ(2)の心が最初に衝突する。例文帳に追加

When a semiconductor chip (2) is placed on an already mounted semiconductor chip (14), the center of the semiconductor chip (2) hits first. - 特許庁

半導体装置は、前記半導体パッケージの空底部に、半導体素子が装着され気密封止されてなる。例文帳に追加

In the semiconductor device, a semiconductor element is mounted and sealed hermetically on the hollow bottom section of the semiconductor package. - 特許庁

第1の半導体素子12Aを制御する第2の半導体素子12Bは、半導体装置10の央部付近に配置される。例文帳に追加

A second semiconductor device 12B controlling the first semiconductor device 12A is arranged near a center section of the semiconductor device 10. - 特許庁

半導体光素子の作製プロセス半導体ウェハにダメージを与えることを抑制可能な半導体光素子の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor optical element capable of preventing a semiconductor wafer from being damaged during a manufacturing process of the semiconductor optical element. - 特許庁

実施形態によれば、第1半導体層と、発光部と、第2半導体層と、In含有間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。例文帳に追加

A semiconductor light-emitting element includes a first semiconductor layer, a light-emitting part, a second semiconductor layer, and an In-containing intermediate layer. - 特許庁

半導体チップの応力集を防止し、半導体チップの特性劣化や信頼性の低下を防止できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which the characteristics and reliability of a semiconductor chip can be prevented from deteriorating by preventing concentration of stress thereto. - 特許庁

半導体の小分子半導体は、100ナノメートル未満の結晶サイズを有する。例文帳に追加

The small molecule semiconductor in the semiconducting layer has a crystallite size of less than 100 nanometers. - 特許庁

半導体のドーパント拡散制御プロセス及びそれにより形成された半導体例文帳に追加

PROCESS FOR CONTROLLING DOPANT DIFFUSION IN SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED THEREBY - 特許庁

エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置用空パッケージ、並びに半導体部品装置例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION, HOLLOW PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR PART DEVICE - 特許庁

エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置用空パッケージ、並び半導体部品装置例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION, HOLLOW PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR PART DEVICE BY USING THE SAME - 特許庁

化合物半導体装置の製造に化合物半導体への水素の添加を防ぐ。例文帳に追加

To prevent a hydrogen from being added to a compound semiconductor during manufacturing of a compound semiconductor device. - 特許庁

炭化珪素半導体ウエハの転位検出方法および炭化珪素半導体装置の製造方法例文帳に追加

DISLOCATION DETECTING METHOD IN SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR WAFER, AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

結晶化にドープ半導体チャージを添加する半導体の凝固方法例文帳に追加

METHOD FOR SEMICONDUCTOR SOLIDIFICATION WITH ADDITION OF DOPED SEMICONDUCTOR CHARGES DURING CRYSTALLIZATION - 特許庁

続いて、半導体基板2を窒素雰囲気に配置して、半導体基板2が熱処理される。例文帳に追加

Subsequently, a semiconductor substrate 2 is disposed in a nitrogen atmosphere and heat-treated. - 特許庁

半導体パッケージの製造半導体部品を基板に供給する機器例文帳に追加

APPARATUS FOR SUPPLYING SUBSTRATES WITH SEMICONDUCTOR COMPONENT DURING MANUFACTURING OF SEMICONDUCTOR PACKAGE - 特許庁

半導体製造装置、半導体装置の製造方法およびガス金属の除去方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND REMOVING METHOD OF METAL IN GAS - 特許庁

半導体装置の製造工程において、半導体層膜に不純物が混入することを防ぐ。例文帳に追加

To prevent impurities from contaminating a film of a semiconductor layer in a process of manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

成形回路基板、半導体素子収納用空パッケージおよび同パッケージを用いた半導体素子例文帳に追加

MOLDED CIRCUIT BOARD, HOLLOW PACKAGE FOR HOUSING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

膜(36)の半導体半導体デバイス(24、26、28...30)を形成する。例文帳に追加

The semiconductor devices (24, 26, 28, ..., 30) are formed in a semiconductor layer of a membrane (36). - 特許庁

半導体装置、半導体装置製造用間体およびそれらの製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, INTERMEDIATE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM - 特許庁

半導体基板洗浄方法、半導体基板洗浄装置、及び液気泡混合装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE CLEANING, AND APPARATUS FOR MIXING AIR BUBBLES INTO LIQUID - 特許庁

例文

半導体中の不純物の活性化方法および半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR ACTIVATING IMPURITY IN SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

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