「半導体中」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体用研磨スラリー中の異物検査方法例文帳に追加

METHOD OF INSPECTING FOREIGN MATTER IN SEMICONDUCTOR POLISHING SLURRY - 特許庁

半導体チップは中央部にパッドを有する。例文帳に追加

The semiconductor chip has a pad on a center part. - 特許庁

この時、ｎ型半導体領域８Ａ中よりｎ型半導体領域８Ｂ中の不純物濃度が低くなり、ｎ型半導体領域８Ｂ中よりｎ型半導体領域８Ｃ中の不純物濃度が低くなるようにする。例文帳に追加

In this case, the concentration of impurities in the n-type semiconductor region 8B becomes lower than that of impurities in the n-type semiconductor region 8A, and the concentration of impurities in the n-type semiconductor region 8C becomes smaller than that of impurities in the n-type semiconductor region 8B. - 特許庁

中空封止型半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SPACE SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

中間半導体領域は、500〜800℃の温度で形成する。例文帳に追加

The intermediate region is formed at a temperature of 500 to 800°C. - 特許庁

上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板から突き出し、前記半導体基板上の幅が前記半導体基板中の幅よりも狭い素子分離と、前記素子分離に挟まれた半導体基板部分上に形成された半導体層と、前記半導体層に形成されたＭＯＳＦＥＴとを具備する。例文帳に追加

The semiconductor device which has solved the above problems comprises a semiconductor substrate, an element isolation which protrudes from the semiconductor substrate and has a narrower width on the semiconductor substrate than a width in the semiconductor substrate, a semiconductor layer formed on a portion of the semiconductor substrate sandwiched between the element isolations, and a MOSFET formed in the semiconductor layer. - 特許庁

半導体チップの大きさに関わらず、従来よりも汎用的な利用が可能な半導体接続中継部材及び当該半導体接続中継部材を適用した半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor connection relay member which can be widely used further than the past regardless of the size of a semiconductor chip, and to provide a semiconductor device using the same. - 特許庁

化合物半導体結晶または単体半導体結晶を有機液相媒質中で成長させて得られる半導体超微粒子を含有する有機液相中から半導体超微粒子を分離する際に、該有機液相中に水を含有させた後、半導体超微粒子を分離する。例文帳に追加

In separating semiconductor ultramicroparticles from an organic liquid phase containing semiconductor ultramicroparticles obtained by growing crystals of a compound semiconductor or of an element semiconductor in an organic liquid phase medium, water is first added to the organic liquid phase, and the semiconductor ultramicroparticles are then separated therefrom. - 特許庁

第１の半導体チップ１１と第２の半導体チップ１８と中継基板４０とをパッケージ化した半導体装置１１０において、第１の半導体チップ１１の上に中継基板４０が配置され、中継基板４０の上に第２の半導体チップ１８が配置される。例文帳に追加

In the semiconductor device 110 with a first semiconductor chip 11, a second semiconductor chip 18, and the relay substrate 40 packaged; the relay substrate 40 is arranged on the first semiconductor chip 11, and the second semiconductor chip 18 is arranged on the relay substrate 40. - 特許庁

大サイズの半導体レーザーチップおよび半導体レーザーチップ連結バーを半導体特性の中間検査に用いることにより、製品の半導体レーザーチップの歩留まりおよび製造効率の向上を図る。例文帳に追加

To improve the production yield and manufacturing efficiency of semiconductor laser chip products by using a large semiconductor laser chip and a semiconductor laser chip connection bar for an intermediate test of the characteristics of a semiconductor. - 特許庁

複合半導体基板において、Ｓｉ基板とその上の窒化物系半導体層との応力を低減することにより、窒化物系半導体層中の欠陥密度を低くするとともに、複合半導体基板の反り量を小さくする。例文帳に追加

To provide a composite semiconductor substrate that lowers defect density in a nitride semiconductor layer and at the same time, an amount of warpage of the composite semiconductor substrate by reducing stress between an Si substrate and a nitride semiconductor layer. - 特許庁

本願発明においては、活性層がｐ型有機半導体により構成される薄膜トランジスタにあって、その有機半導体の溶液中に、該半導体よりも仕事関数が小さい微粒子を分散させることで、活性層用の半導体材料とした。例文帳に追加

In the solution of the organic semiconductor, fine particles having a work function smaller than that of the semiconductor are dispersed. - 特許庁

酸化物半導体層を形成した後に有機絶縁層を形成するため、酸化物半導体層の形成時に有機絶縁層中の有機物が酸化物半導体層に混入して半導体特性が劣化することが防止される。例文帳に追加

The organic insulating layer is formed after the oxide semiconductor layer is formed so as to prevent deterioration in semiconductor characteristics due to mixing of an organic substance in the organic insulating layer with the oxide semiconductor during the formation of the oxide semiconductor layer. - 特許庁

半導体素子中における半導体単結晶の転位密度を低減することが可能な新規な製造方法を提供し、これによって低転位密度の領域を有する半導体単結晶層を具えた半導体素子を得る。例文帳に追加

To provide a novel manufacturing method, with which dislocation density of semiconductor crystals in a semiconductor element can be reduced, and a semiconductor element including a semiconductor single-crystal layer, having a low dislocation density layer formed by this method. - 特許庁

半導体ウエハをレジスト剥離液中で回転させて、半導体ウエハの一面に設けられたレジスト膜を剥離するとき、半導体ウエハに反りがあっても、半導体ウエハを安定良く回転させるようにする。例文帳に追加

To stably rotate a semiconductor wafer even though the semiconductor wafer has a warpage when rotating the semiconductor wafer in a resist-exfoliating liquid to exfoliate the resist film provided on one surface of the semiconductor wafer. - 特許庁

半導体ウエハの研磨中に研磨パッドの状態の直接的な測定が行なえる、半導体ウエハの研磨状態識別装置、半導体ウエハの研磨装置、および半導体ウエハの研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor wafer polishing state identifying apparatus, semiconductor wafer polishing apparatus, and semiconductor wafer polishing method in which a state of a polishing pad can be directly measured, while polishing a semiconductor wafer. - 特許庁

工程数の増加や金属原子が半導体層中へ過度に拡散することなく、不純物を含む半導体層の均一な熱処理を可能とする半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of performing a uniform thermal treatment in a semiconductor layer including impurities without increasing the number of processes and allowing metallic atoms to be excessively diffused into the semiconductor layer, and to provide a semiconductor device. - 特許庁

半導体装置に用いられる半導体膜を再現性よく、かつ制御性よくエッチングするとともに、半導体膜中に結晶欠陥が導入されるのを防ぎ、優れた性能を有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a semiconductor device with superior performance, protecting from crystal defect being introduced in a semiconductor film, as well as repeatedly and controllably etching the semiconductor film used for the semiconductor apparatus. - 特許庁

半導体層を形成する半導体層の形成方法において、半導体層中の構造欠陥を抑制する構造欠陥抑制物質を、当該半導体層が形成される物質層の表面に供給する。例文帳に追加

With this method for forming a semiconductor layer, a structural defect suppressing substance which suppresses structure defects in the semiconductor layer is supplied to then top surface of a substance layer, where the semiconductor layer is formed. - 特許庁

半導体回路１１は、半導体基板１３と、この半導体基板１３の表面と同一の平面になるように互いに所定の距離を隔てて半導体基板１３中に埋め込まれた複数のホール素子１４ａ，１４ｂから構成されている。例文帳に追加

A semiconductor circuit 11 is constituted of a semiconductor substrate 13 and a plurality of Hall elements 14a, 14b buried in the semiconductor substrate 13 so as to be flush with the substrate 13. - 特許庁

半導体素子中央部に外部接続用開口部を有する半導体装置で、同一形状、同一容量の半導体素子を積層することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which semiconductor elements with the same shape and the same capacitance can be laminated in the semiconductor device including an external connection element in the center of the semiconductor elements. - 特許庁

半導体基板の半導体洗浄中又は半導体洗浄後に、前記半導体基板１の高清浄表面２上に高分子の直鎖状有機化合物３を付着させる。例文帳に追加

When or after the semiconductor substrate is cleaned, a straight-chain organic compound 3 composed of a high polymer is attached to the highly clean surface 2 of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

強誘電体膜形成時に半導体基板の裏面に付着する汚染成分が半導体基板中に拡散し、半導体デバイスの特性変動を起こすことを防止する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents the occurrence of a characteristic fluctuation of a semiconductor device due to a fact that contamination components attached to the back of a semiconductor substrate in forming a ferroelectric film spread in the semiconductor substrate. - 特許庁

第１のカバー部は、半導体ウェハの表面を露出させつつ半導体ウェハの裏面の少なくとも外縁部を被覆するように半導体ウェハを収容し、半導体ウェハの裏面の中心部分において第１の開口部を有する。例文帳に追加

The first cover houses a semiconductor wafer so as to cover at least an outer edge portion of a second surface of the semiconductor wafer while exposing a first surface of the semiconductor wafer and has a first opening in its center portion. - 特許庁

ＩＧＢＴ領域が形成されている半導体基板を備えている半導体装置において、半導体基板の表面側に形成された素子構造を変えることなく、半導体基板の平面中央部の温度上昇を抑制する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device including a semiconductor substrate having an IGBT region formed thereon, wherein a temperature increase on a planar center of the semiconductor substrate is prevented without changing an element structure formed on the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

発光素子用基板は、発光層６を含む半導体層（ｎ型半導体層５、発光層６、ｐ型半導体層７、基板４）と、半導体層と中間層３５を介して接合された基礎基板２とを備える。例文帳に追加

The substrate for the light-emitting element includes a semiconductor layer (an n-type semiconductor layer 5, a light-emitting layer 6, a p-type semiconductor layer 7, and a substrate 4) including the light-emitting layer 6, and the base substrate 2 bonded to the semiconductor layer through an intermediate layer 35. - 特許庁

半導体集積回路の試験方法と、半導体集積回路の試験装置と、半導体集積回路の試験方法の実施に用いる標準回路基板と、半導体集積回路の試験方法の実施に用いるＤＣ系中継手段例文帳に追加

TESTING METHOD OF SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, TESTING DEVICE OF SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, STANDARD CIRCUIT BOARD USED FOR PERFORMING TESTING METHOD OF SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND DC SYSTEM RELAY MEANS USED FOR PERFORMING TESTING METHOD OF SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

半導体基板上に半導体回路を有し、上記半導体基板内における上記半導体回路の下に、上記半導体基板を劈開分離するイオンが注入されたイオン注入層を有する回路基板を製造するに際し、上記イオン注入層中のイオンを保持したまま上記半導体回路から該半導体回路中に存在する上記劈開分離のためのイオンを脱イオンする。例文帳に追加

In manufacturing the circuit substrate having: the semiconductor circuit on the semiconductor substrate; and an ion injection layer under the semiconductor circuit on the semiconductor substrate into which the ion for cleavage separating the semiconductor substrate is injected, the ion for the cleavage separation existing in the semiconductor circuit is removed from the semiconductor circuit while keeping the ion in the ion injection layer. - 特許庁

半導体基板１上に半導体層２を介して、磁性混晶半導体３をエピタキシャル成長させ、前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子／半導体複合材料４を形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1, a magnetic mixed crystal semiconductor 3 is formed through epitaxial growth across a semiconductor layer 2, and a heat treatment is carried out in or after the epitaxial growth to form a magnetic body particulate/semiconductor compound material 4, having ferromagnetic particulates embedded in the semiconductor. - 特許庁

半導体薄膜に接して逆導電形の第３の半導体領域を設け、該半導体領域から逆導電形のキャリアを前記半導体薄膜へ供給する、ないしは前記半導体薄膜から逆導電形のキャリアを前記第３の半導体領域へ引き抜くことにより前記半導体薄膜中のキャリア量を制御する。例文帳に追加

A carrier amount is controlled by providing a reverse conducting third semiconductor region that contacts the semiconductor thin film, and supplying a reverse conducting carrier from the semiconductor region to the semiconductor thin film or drawing a reverse conducting carrier from the semiconductor thin film to the third semiconductor region. - 特許庁

一導電型を示す半導体と電極とのコンタクト部において、前記一導電型半導体と前記電極との間に一導電型半導体とは逆の導電型を示す逆導電型半導体を介在させるとともに、前記一導電型半導体と前記逆導電型半導体が接する領域の両半導体中のドーピング元素濃度を１×１０^１８／ｃｍ^３以上５×１０^２１／ｃｍ^３以下とした。例文帳に追加

At the contact part of one conductivity type semiconductor and an electrode, a semiconductor having a reverse conductivity type exists between them and the concentration of dopant in the one conductivity type semiconductor and the reverse conductivity type semiconductor is set in the range of 1×10^18 to 5×10^21/cm^3 in the contact area of both semiconductors. - 特許庁

第１の半導体からなり厚み方向に貫通する穴を有する支持基板と、前記支持基板の上に設けられ前記第１の半導体よりもバンドギャップが大なる第２の半導体からなる半導体層と、前記半導体層の上に設けられたオーミック電極と、前記穴の中に露出した前記半導体層の表面に設けられたショットキー電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a support substrate of a first semiconductor comprising a hole penetrating in thickness direction, a semiconductor layer of a second semiconductor which is provided on the support substrate and has a band gap larger than that of the first semiconductor, an ohmic electrode provided on the semiconductor layer, and a Schottky electrode provided on the surface of the semiconductor layer exposed in the hole. - 特許庁

被測定対象物である半導体表面を走査型トンネル顕微鏡(STM)で観察する際に、探針を基準として半導体に正の電圧を印加して得られた半導体表面のSTM像と、探針を基準として半導体に負の電圧を印加して得られた半導体表面のSTM像とを比較することにより、半導体中の不純物原子を検出することを特徴とする半導体不純物原子検出方法である。例文帳に追加

When the surface of the semiconductor which is a measuring target is observed by a scanning tunnel microscope (STM), the STM image of the surface of the semiconductor by applying positive voltage to the semiconductor on the basis of a probe is compared with the STM image of the surface of the semiconductor obtained by applying negative voltage to the semiconductor on the basis of the probe to detect the impurity atom in the semiconductor. - 特許庁

半導体製造装置内での半導体基板の搬送中に、半導体基板に対して成膜、エッチングなどの処理を行う処理チャンバーの雰囲気から半導体基板に付着する異物を抑制（低減）できる半導体製造装置内での半導体基板搬送方法および半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of carrying a semiconductor substrate in a semiconductor manufacturing apparatus, which can restrain (reduce) sticking of foreign matters to the semiconductor substrate from the atmosphere of a treatment chamber, which performs a treatment such as film formation or etching to the semiconductor substrate during carriage of the semiconductor substrate into the semiconductor manufacturing apparatus; and to provide a semiconductor manufacturing apparatus. - 特許庁

本発明の太陽電池は、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層とに挟まれた光吸収半導体層とを備え、前記光吸収半導体層は、少なくとも２つ以上のエネルギー準位を前記光吸収半導体層の禁制帯中に備えていることを特徴とする。例文帳に追加

A solar cell of the present invention comprises a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and a light-absorbing semiconductor layer which is sandwiched between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer and has at least two energy levels in a forbidden band of the light-absorbing semiconductor layer. - 特許庁

前記半導体薄膜に接して逆導電形の第３の半導体領域を設け、該半導体領域から逆導電形のキャリアを前記半導体薄膜へ供給する、ないしは前記半導体薄膜から逆導電形のキャリアを前記第３の半導体領域へ引き抜くことにより前記半導体薄膜中のキャリア量を制御する。例文帳に追加

A third opposite conductivity type semiconductor region is provided in contact with the semiconductor thin film and opposite conductivity type carriers are fed from the semiconductor region to the semiconductor thin film or opposite conductivity type carriers are extracted from the semiconductor thin film to the third semiconductor region thus controlling the quantity of carriers in the semiconductor thin film. - 特許庁

画像センサー半導体装置は、第1ドーパントを有する半導体基板、ドーパントの第1タイプとは異なる第2のタイプのドーパントを有し、半導体基板の上に配置された半導体層、及び、半導体層中に形成された画像センサーを含む。例文帳に追加

The image sensor semiconductor device includes: a semiconductor substrate having a first type of dopant; a semiconductor layer having a second type of dopant different from the first type of dopant and disposed on the semiconductor substrate; and an image sensor formed in the semiconductor layer. - 特許庁

III族窒化物系化合物半導体からなる第１の半導体層１２を、窒素原子を含む気体中で加熱する工程と、その後、第１の半導体層１２上に、III族窒化物系化合物半導体からなる第２の半導体層１３を結晶成長させる工程とを含む。例文帳に追加

This manufacturing method comprises a first process of heating a first semiconductor layer 12 of III nitride compound semiconductor in an atmosphere of gas containing nitrogen atoms, and a second process of growing a second semiconductor layer 13 of III nitride compound semiconductor in crystal. - 特許庁

半導体装置に内蔵された半導体検査装置のクリティカルパスを通る信号がテスト動作中に変動するときにも、当該半導体検査装置の動作速度をその半導体検査装置によって検査することが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of inspecting the working speed of the semiconductor device by a semiconductor inspection device, even when signals fluctuate, while passing through a critical path of the semiconductor inspection device built in the semiconductor device. - 特許庁

３つの球状半導体１１の中央に形成される窪みの上に１つの球状半導体１１を載せ、４つの球状半導体１１が三角錐を形成するように球状半導体１１を立体的に積み上げて半導体装置１を形成する。例文帳に追加

A spherical semiconductor 11 is placed on a recessed part that is formed on the center of three spherical semiconductors 11 in contact with each other, so that the four spherical semiconductors form a triangular cone three-dimensionally, thus forming a semiconductor device 1. - 特許庁

半導体デバイスの裏面側からのエミッション顕微鏡装置による観測結果に基づいて不良半導体素子を特定する場合でも、半導体デバイス中の不良半導体素子の特定を、容易化しかつ正確に行うことができる半導体素子不良解析方法を提供する。例文帳に追加

To provide the subject method capable of easily and accurately specifying the inferior semiconductor element in a semiconductor device, even when the inferior semiconductor element is specified on the basis of the observation result by an emission microscope apparatus from the rear surface side of the semiconductor device. - 特許庁

ソース電極及びドレイン電極間に挟持されたｎ型有機半導体層を備えた有機半導体素子において、ｎ型有機半導体層の中間に介在されたｐ型有機半導体層と、ｐ型有機半導体層に包埋されたゲート電極と、を備える。例文帳に追加

The organic semiconductor device, provided with the n-type organic semiconductor layer pinched between the source electrode and the drain electrode, is equipped with the p-type organic semiconductor layer interposed at a middle point in the n-type organic semiconductor layer and the gate electrode embedded in the p-type organic semiconductor layer. - 特許庁

非晶質の半導体膜７と微結晶の半導体膜１１とをダンデムした構成の太陽電池パネル１において、上記非晶質の半導体膜７と上記微結晶の半導体膜１１との間に、微結晶のｎ型半導体膜で構成された中間層９が設けられている。例文帳に追加

In this solar cell panel 1 wherein an amorphous semiconductor film 7 and a microcrystalline semiconductor film 11 are arranged in tandem, an intermediate layer 9 made of a microcrystalline n-type semiconductor film is provided between the amorphous semiconductor film 7 and the microcrystalline semiconductor film 11. - 特許庁

ソース電極及びドレイン電極間に挟持されたｐ型有機半導体層を備えた有機半導体素子において、ｐ型有機半導体層の中間に介在されたｎ型有機半導体層と、ｎ型有機半導体層に包埋されたゲート電極と、を備える。例文帳に追加

The organic semiconductor device provided with a p-type organic semiconductor layer pinched between a source electrode and a drain electrode is equipped with an n-type organic semiconductor layer, interposed at a middle point in the p-type organic semiconductor layer and a gate electrode embedded in the n-type organic semiconductor layer. - 特許庁

窒素元素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層中の窒素元素の組成比を、当該III−Ｖ族化合物半導体層の厚み方向において均一化することができるIII−Ｖ族化合物半導体層の形成方法、半導体光素子の製造方法及び半導体光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a formation method of a III-V compound semiconductor layer which uniformizes a composition ratio of nitrogen element in the III-V compound semiconductor layer containing nitrogen element in a thickness direction of the III-V compound semiconductor layer, and also to provide a manufacturing method of the semiconductor light element. - 特許庁