「反応スパッタリング」に関連した英語例文の一覧と使い方

反応性スパッタリング法により、基材５面上に薄膜を形成する方法において、Ｎｂを主成分とするスパッタリングターゲット３ｂとＡｌを主成分とするスパッタリングターゲット３ａをそれぞれ１枚以上用いて、該反応性スパッタリング法を行い、２種の該スパッタリングターゲット由来の成分を該基材５面上に同時に成膜することを特徴とする薄膜の形成方法。例文帳に追加

A method for depositing a thin film on a surface of a base material 5 by the reactive sputtering method uses one or more sputtering targets 3b containing Nb as a principal element and one or more sputtering targets 3a containing Al as a principal element for reactive sputtering to simultaneously deposit films of the components derived from two kinds of sputtering targets on the surface of the base material 5. - 特許庁

ＥＣＲプラズマを用いた反応性スパッタリングによる金型の離型処理方法例文帳に追加

RELEASING TREATMENT OF DIE BY MEANS OF REACTIVE SPUTTERING USING ECR PLASMA - 特許庁

反応性パルスＤＣスパッタリングを行うことによりパッシベーション膜を形成する。例文帳に追加

The passivation film is formed by a reactive pulse DC sputtering method. - 特許庁

反応性スパッタリングを用いて、多孔質で屈折率の低い光学薄膜を成膜する。例文帳に追加

To deposit a porous optical thin film having a low refractive index using reactive sputtering. - 特許庁

反応性スパッタリング用ターゲットおよびそれを用いて成膜した光学薄膜例文帳に追加

REACTIVE SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL THIN FILM DEPOSITED BY USING THE TARGET - 特許庁

減圧した成膜室１０にスパッタリングガス（Ａｒ）および反応性ガス（Ｏ_2 ）を導入し、反応性スパッタリングによって基板Ｗに成膜を行うスパッタ装置において、まず、スパッタリングガスのみを用いたメタルモード放電を行う。例文帳に追加

The sputtering apparatus is directed at forming a film on a substrate (W) by using a reactive sputtering technique after having introduced a sputtering gas (Ar) and a reactive gas (O_2) into a decompressed film-forming chamber 10. - 特許庁

スパッタリングガスは、スパッタリングガス導入系３０より放電空間１８に導入され、反応ガスは反応ガス導入系３１より放電空間１８外から容器１０内に導入される。例文帳に追加

The sputtering gas is introduced in the discharging space 18 by a sputtering gas introduction system 30, and the reaction gas is introduced in the container 10 by a reaction gas introduction system 31 from the outside of the discharging space 18. - 特許庁

無機ＥＬ素子のＥＬ発光層の形成において、反応性スパッタリング法に用いるバリウムアルミニウム系スパッタリングターゲットについて、大気中に長期間放置しても強度が低下することのない、高強度のスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a high-strength barium-aluminum-based sputtering target of which the strength does not decrease even when having been left in the atmosphere for a long period of time, and which is used for a reactive sputtering method for forming an EL light-emitting layer of an inorganic EL device. - 特許庁

酸化反応性ガスとスパッタリングガスを導入しながら、屈折率が異なる２種以上のスパッタリング材料を、別々の成膜ゾーンでスパッタリングすることにより、被加工物の表面に屈折率の異なる酸化膜を成膜してコールドミラーとすることを特徴とする。例文帳に追加

The cold mirror is manufactured by sputtering two or more kinds of sputtering materials each having different refractive index respectively in a separated film deposition zone while introducing oxidation reactive gas and a sputtering gas to deposit oxide films each having different refractive index on the surface of a processed material. - 特許庁

コバルトまたはニッケルのような強磁性材料をスパッタリングするのに使用されるプラズマを確実に点弧させるのに特に有利な直流マグネトロンスパッタリング反応器のためのシールドを提供する。例文帳に追加

To provide a shield for a DC magnetron sputtering reactor which is particularly favorable in reliably igniting plasma used for sputtering a ferromagnetic material such as cobalt and nickel. - 特許庁

本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源、ならびにそれを組み込んだマグネトロン・スパッタリング・デバイスに関する。例文帳に追加

To provide an integrated anode and activated reactive gas source for use in a magnetron sputtering device and a magnetron sputtering device incorporating the same. - 特許庁

ターゲット上に非侵食領域が残らず、かつ、反応性スパッタリングを行う場合には、均一な膜質の膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus capable of preventing any non-erosive area from remaining on a target, and depositing a film of a uniform quality when performing the responsive sputtering. - 特許庁

交流型プラズマディスプレイパネルにおける誘電体層の保護膜であるＭｇＯ薄膜を反応性スパッタリング法により製造するときに用いるＭｇスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a Mg sputtering target used when manufacturing a thin film of MgO with a reactive sputtering method, which is a protective coating of a dielectric layer for the plasma display panel of an alternating current type. - 特許庁

本発明は、反応性キャリアガス混合物を利用して、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスを提供する。例文帳に追加

A DC magnetron reactive sputtering process is provided by utilizing a reactive carrier gas mixture. - 特許庁

本発明は、反応性ガス中でターゲットをスパッタしてその材料を放出させて基板上に薄膜を形成する反応性スパッタリングに関し、生産効率の良い制御が可能な反応性スパッタリングの制御方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a control method for reactive sputtering which deposits a thin film on a substrate by sputtering targets in a reactive gas to emit the material, and can be controlled with excellent production efficiency. - 特許庁

エレクトロルミネセンスへの応用を目的とし、シリコン過剰酸化物からシリコンナノ粒子をＤＣ反応性スパッタリングによって形成する方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING SILICON NANOPARTICLES FROM SILICON RICH-OXIDE BY DC REACTIVE SPUTTERING FOR ELECTROLUMINESCENCE APPLICATION - 特許庁

マグネトロン・スパッタリング・デバイスにおいて使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源例文帳に追加

INTEGRATED ANODE AND ACTIVATED REACTIVE GAS SOURCE FOR USE IN MAGNETRON SPUTTERING DEVICE - 特許庁

第２誘電体層１３は、Ａｒガス、Ｏ_2ガス及びＮ_2ガスからなる混合ガス雰囲気中において、反応性スパッタリングにより成膜する。例文帳に追加

The second dielectric layer 13 is formed by reactive sputtering in a gaseous mixture atmosphere composed of Ar gas, O_2 gas and N_2 gas. - 特許庁

薄膜バルク音響共振子の製造方法、圧電膜の形成方法および非反応性スパッタリング装置例文帳に追加

THIN-FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR MANUFACTURING METHOD, PIEZOELECTRIC FILM FORMING METHOD AND NON-REACTIVE SPUTTERING DEVICE - 特許庁

基板の限定がなく、簡易な方法で、窒化物半導体薄膜の分極方向を制御することができる反応スパッタリング法を実現する。例文帳に追加

To materialize a reactive sputtering method for controlling a polarization direction of a nitride semiconductor thin film by a simple method without being restricted in substrates. - 特許庁

複数のターゲットの同時放電による反応性スパッタリングにおいて、堆積された膜の組成をコントロールすることを目的とする。例文帳に追加

To control the composition of a deposited film in the reactive sputtering caused by the simultaneous discharge of a plurality of targets. - 特許庁

スパッタリング・ガスおよび反応性ガスは、投入口を通して容器内に、また単一の開口部を通してコーティング・チャンバー内に結合される。例文帳に追加

Sputtering gas and reactive gas are coupled through an input port into the vessel or through the single opening into the coating chamber. - 特許庁

プラズマ電極に付着した粉末状の反応生成物である硝安や硫安を機械的又は電気的にスパッタリングして剥離させる。例文帳に追加

Ammonium nitrate or ammonium sulfate being the powdery reaction product bonded to a plasma electrode is released mechanically or electrically by sputtering. - 特許庁

例文

窒化反応が良好で窒化物薄膜の生成に適し、かつ、スパッタリングイールドが高く成膜速度が高い成膜を行う。例文帳に追加

To provide a film-forming method which causes an adequate nitriding reaction, is suitable for producing a nitride thin film, and forms a film at a high sputtering yield and at a high film-forming speed. - 特許庁

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