「導電型」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

平型導体用電気コネクタ及び平型導体付き電気コネクタ例文帳に追加

ELECTRIC CONNECTOR FOR FLAT CONDUCTOR AND ELECTRIC CONNECTOR WITH FLAT CONDUCTOR - 特許庁

ただし、ｐ型またはｎ型のいずれか一方が第１導電型で他方が第２導電型であるとする。例文帳に追加

However, the first conductivity is p-type or n-type and the second conductivity is the other type. - 特許庁

第１導電型の半導体基板１上に、第２導電型の半導体層２１が形成されている。例文帳に追加

A second conductive semiconductor layer 21 is formed on the first conductive semiconductor substrate 1. - 特許庁

第２導電型の半導体層２１上に、第１導電型の半導体層２３が形成されている。例文帳に追加

A first conductive semiconductor layer 23 is formed on the second conductive semiconductor layer 21. - 特許庁

第２導電型半導体領域７は、第１導電型半導体領域３上に設けられる。例文帳に追加

The second conductivity type semiconductor region 7 is provided on the first conductivity type semiconductor region 3. - 特許庁

コンジット型強制冷却超電導導体および超電導磁石例文帳に追加

COMPULSORILY COOLED CONDUIT SUPERCONDUCTOR AND SUPER CONDUCTIVE MAGNET - 特許庁

基板と、透明導電膜と、第１の導電型半導体と、真性層と、第１の導電型と異なる導電型の第２の導電型半導体とを具える光起電力素子において、開放端電圧の低下を抑制する。例文帳に追加

To suppress the drop of the open-terminal voltage of a photovoltaic element provided with a substrate, transparent conductive films, a first- conductivity type semiconductor layer, an intrinsic layer, and a second- conductivity type semiconductor layer. - 特許庁

基板と、透明導電膜と、第１の導電型半導体と、真性層と、第１の導電型と異なる導電型の第２の導電型半導体とを具える光起電力素子において、開放端電圧の低下を抑制する。例文帳に追加

To suppress the decline of the open-terminal voltage of a photovoltaic element provided with a substrate, transparent conductive films, a first- conductivity type semiconductor layer, an intrinsic layer, and a second- conductivity type semiconductor layer. - 特許庁

一導電型を示す半導体と電極とのコンタクト部において、前記一導電型半導体と前記電極との間に一導電型半導体とは逆の導電型を示す逆導電型半導体を介在させるとともに、前記一導電型半導体と前記逆導電型半導体が接する領域の両半導体中のドーピング元素濃度を１×１０^１８／ｃｍ^３以上５×１０^２１／ｃｍ^３以下とした。例文帳に追加

At the contact part of one conductivity type semiconductor and an electrode, a semiconductor having a reverse conductivity type exists between them and the concentration of dopant in the one conductivity type semiconductor and the reverse conductivity type semiconductor is set in the range of 1×10^18 to 5×10^21/cm^3 in the contact area of both semiconductors. - 特許庁

ドレイン電極２、高濃度第１導電型半導体基板４、高濃度第２導電型バッファ層６、第１導電型ドリフト層８、第２導電型ドリフト層１０、第１導電型ボディ層１２の順で積層し、第１導電型ボディ層１２内に第２導電型エミッタ領域１８を形成し、第２導電型エミッタ領域１８を貫通して第２導電型ドリフト層１０に達するゲート電極２２を形成する。例文帳に追加

A second conductivity emitter region 18 is formed inside the first conductivity body layer 12, and a gate electrode 22 to the second conductivity drift layer 10 through the second conductivity emitter region 18 is formed. - 特許庁

Ｐ型の半導体基板１に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成し、第１Ｎ型導電領域２内に第１Ｐ型導電領域４，５，６、前記第２Ｎ型導電領域３内にＰ型の第２Ｐ型導電領域７，８，９を形成する。例文帳に追加

A first n-type conductive area 2 and a second n-type conductive area 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1, and first p-type conductive areas 4, 5, and 6 are formed in the first conductive area 2, and second p-type conductive areas 7, 8, and 9 are formed in the second n-type conductive area 3. - 特許庁

画素トランジスタの導電型をＰ型にした。例文帳に追加

The conductivity type of pixel transistors is a P type. - 特許庁

シリコン基板４０は、第１導電型（ｐ型）を有する。例文帳に追加

The silicon substrate 40 has a first conductive type (p-type). - 特許庁

横方向拡散型電界効果型半導体装置例文帳に追加

LATERAL DIRECTION DIFFUSION TYPE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

積層型半導体装置、積層型構造体、及び電子機器例文帳に追加

LAMINATED SEMICONDUCTOR DEVICE, LAMINATED STRUCTURE AND ELECTRONIC EQUIPMENT - 特許庁

正極導電体及び偏平型非水電解質電池例文帳に追加

POSITIVE ELECTRODE CONDUCTIVE MATERIAL AND FLAT NONAQUEOUS ELECTROLYTE BATTERY - 特許庁

静電誘導型発電装置とそれを用いた発電方法例文帳に追加

ELECTROSTATIC INDUCTION GENERATOR AND GENERATING METHOD USING THE SAME - 特許庁

静電誘導型半導体デバイスおよびその製造方法例文帳に追加

ELECTROSTATIC INDUCTION TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

伝導冷却型超電導磁石システム例文帳に追加

CONDUCTION COOLING TYPE SUPERCONDUCTING MAGNET SYSTEM - 特許庁

ヨーク付き伝導冷却型超電導マグネット装置例文帳に追加

CONDUCTION COOLING TYPE SUPERCONDUCTING MAGNET DEVICE WITH YOKE - 特許庁

超電導コイル装置、誘導子型同期機、及び変圧装置例文帳に追加

SUPERCONDUCTING COIL APPARATUS, INDUCTOR TYPE SYNCHRONOUS MACHINE, AND TRANSFORMER - 特許庁

超電導コイル装置及び誘導子型同期機例文帳に追加

SUPERCONDUCTING COIL APPARATUS AND INDUCTOR TYPE SYNCHRONOUS MACHINE - 特許庁

トンネル接合領域１９は、第２導電型半導体層２３および第１導電型半導体層２５を含み、第２導電型半導体層２３および第１導電型半導体層２５はトンネル接合ＴＪを成す。例文帳に追加

The tunnel junction region 19 includes a second conductivity type semiconductor layer 23 and a first conductivity type semiconductor layer 25, both of which form a tunnel junction TJ. - 特許庁

第１導電型の半導体基板（５２）または第１導電型の半導体層と、この第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成された第１導電型の分離領域（５５）とを有する。例文帳に追加

A light-receiving element has a first conductive semiconductor substrate (52) or a first conductivity-type semiconductor layer, and a first conductivity-type isolation region (55) formed in the first conductivity-type semiconductor substrate (52) or the type semiconductor layer. - 特許庁

半導体材料の導電型判別方法とその装置例文帳に追加

METHOD AND EQUIPMENT FOR JUDGING CONDUCTIVITY TYPE OF SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁

誘導型電子広告システムと対象者の誘導方法例文帳に追加

GUIDED ELECTRONIC ADVERTISING SYSTEM AND GUIDING METHOD OF OBJECT - 特許庁

第一導電型半導体領域１表面に複数の第二導電型半導体層２ａ及び２ｂを形成し、第二導電型半導体層２ａ及び２ｂ間の第一導電型半導体領域１表面を除去する。例文帳に追加

A plurality of second conductivity-type semiconductor layers 2a and 2b are formed on the surface of a first conductivity-type semiconductor region 1. the surface of the first conductivity-type semiconductor region 1 between the second conductivity-type semiconductor layers 2a and 2b is removed. - 特許庁

誘導型の制動エレメント並びに誘導型の渦電流式操作エレメント例文帳に追加

INDUCTIVE DAMPING ELEMENT AND INDUCTIVE EDDY-CURRENT-TYPE OPERATION ELEMENT - 特許庁

導電性ペースト、色素増感型太陽電池用導電層、及び色素増感型太陽電池例文帳に追加

CONDUCTIVE PASTE, CONDUCTIVE LAYER FOR DYE-SENSITIZED SOLAR CELL, AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL - 特許庁

第１導電型の半導体基板１上に第２導電型のエピタキシャル層２を設ける。例文帳に追加

A second conductivity type epitaxial layer 2 is provided on a first conductivity type substrate 1. - 特許庁

半導体基板１００に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成する。例文帳に追加

A first N type conductive region 2 and a second N type conductive region 3 are formed on a semiconductor substrate 100. - 特許庁

ここで光吸収層３は、導電型半導体基板２と同一の導電型を有する。例文帳に追加

The light absorbing layer 3 has the same conductivity type as the conductivity type semiconductor substrate 2. - 特許庁

前記第１半導体パターンは、前記第１導電型または前記第２導電型を有する。例文帳に追加

The semiconductor pattern has the first conduction type or the second conduction type. - 特許庁

第１導電型の半導体層２２に第１導電型のベース領域９を備える。例文帳に追加

A semiconductor layer 22 of a first conductivity type includes a base region 9 of the first conductivity type. - 特許庁

一導電型半導体層内部に逆導電型不純物の埋め込み領域を設ける。例文帳に追加

A region of embedding a reverse conductivity-type impurity is provided in the inside of one conductivity-type semiconductor layer. - 特許庁

各半導体柱状部は、第１導電型とは反対の第２導電型とすることができる。例文帳に追加

Each semiconductor columnar part may have second conductivity type opposite to first conductivity type. - 特許庁

第２導電型の電流拡散層は、第２導電型の下地層および第１導電型の電流ブロック層を覆って形成される。例文帳に追加

The second conductive type current diffusion layer 17 is formed covering the second conductive type base layer 15 and the first conductive type current block layer 16. - 特許庁

Ｐ型の半導体基板１に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成し、第１N型導電領域２内に第１Ｐ型導電領域４，５，６、前記第２Ｎ型導電領域３内に第２Ｐ型導電領域７，８，９を点対称に形成する。例文帳に追加

A first N-type conductive region 2 and a second N-type conductive region 3 are formed on a P-type semiconductor substrate 1; and first P-type conductive regions 4, 5 and 6 inside the first N-type conductive region 2 and second P-type conductive regions 7, 8 and 9 inside the second N-type conductive region 3 are formed in point symmetry. - 特許庁

半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、第２導電型の延長ドレイン領域と、第２導電型の高濃度ドレイン領域と、第２導電型のソース領域と、第１導電型の隣接領域と、第１導電型の高濃度ドレイン隣接領域とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with a 1st conductive type semiconductor substrate, a 2nd conductive type extended drain region, a 2nd conductive type high-concentration drain region, a 2nd conductive type source region, a 1st conductive type adjacent region, and a 1st conductive type high-concentration drain adjacent region. - 特許庁

成長工程（Ｓ１）とは、第１導電型の半導体からなる第１導電型層と、第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の半導体からなる第２導電型層とを、少なくともそれぞれ１層以上交互に成長させることにより積層体を形成する工程である。例文帳に追加

The growing process (S1) is to form a laminated body by alternately growing a first conduction type layer formed of a first conduction type semiconductor and a second conduction type layer formed of a second conduction type semiconductor whose conduction type is different from the first conduction type by not less than one layer for each layer. - 特許庁

半導体光デバイス１ａは、第１導電型半導体層５と、第２導電型半導体層９と、化合物半導体部７とを備える。例文帳に追加

A semiconductor optical device 1a has a 1st conductivity type semiconductor layer 5, a 2nd conductivity type semiconductor layer 9, and a compound semiconductor 7. - 特許庁

半導体装置は、第１導電型を有する半導体基板１を含む。例文帳に追加

A semiconductor device includes a semiconductor substrate 1 including a first conductivity type. - 特許庁

第１導電型のウェルに第１導電型の第１拡散層が形成され、第２導電型のウェルには第１導電型の第２拡散層、第２導電型の第３拡散層及び第４拡散層が形成されている。例文帳に追加

In a well of 1st conduction type, a 1st diffusion layer of the 1st conduction type is formed; and in a well of the 2nd conduction type, a 2nd diffusion layer of the 1st conduction type, a 3rd diffusion layer of the 2nd conduction type, and a 4th diffusion layer, are formed. - 特許庁

その導電型の第一高濃度拡散区、第一導電型と相反する第二導電型の第二高濃度拡散区、第二導電型の第三高濃度拡散区、及び第一導電型の第四高濃度拡散区は、井戸内に位置する。例文帳に追加

A field oxidized layer isolates first and second high concentration diffusion regions from third and fourth high concentration diffusion regions. - 特許庁

P型半導体２６とN型半導体２７とが交互に配置され、電極２３がP型半導体およびN型半導体の両側に配置される。例文帳に追加

Then P-type semiconductors 26 and N-type semiconductors 27 are arranged alternately, and electrodes 23 are formed on both sides of the P-type semiconductors and N-type semiconductors. - 特許庁