「導電型」に関連した英語例文の一覧と使い方(278ページ目) - Weblio英語例文検索

二重化構造は、トランジスタに対して、ゲート同士が相互に接続された同じ導電型のチャネルのＭＯＳトランジスタをソース又はドレインのラインに関して直列に更に接続すること、又は、インバータに対して、出力段のＶＤＤ側及びＶＳＳ側に、それぞれ１個ずつのｐＭＯＳトランジスタを挿入することによって形成される。例文帳に追加

The duplicate structure is formed by connecting MOS transistors of the same conduction type channel whose gates are interconnected with respect to source or drain lines furthermore or inserting one each pMOS transistor to a VDD side and a VSS side of an output stage of the inverter. - 特許庁

ドレインＤ、ゲートＧ、ソースＳ及び高濃度拡散領域のバックゲートＢＧが、この順序で形成され、ドレイン出力端子ｐａｄを有する絶縁ゲート電界効果型トランジスタを含む半導体集積回路装置において、バックゲート用に形成された前記高濃度拡散領域の一部分の、ドレイン出力端子ｐａｄが設けられた位置とは反対側のみに金属配線を設ける。例文帳に追加

In the semiconductor integrated circuit apparatus, a drain D, a gate G, a source S, and a back gate BG in a high-concentration diffusion region are formed in this order, and an insulating gate field effect transistor having a drain output terminal pad is included. - 特許庁

平行平板型プラズマ処理装置において、アッシングまたはエッチング時のチャージアップ・ダメージを受ける確率を低くすることができ、かつエッチング前後で層間絶縁膜の誘電率を大きく変化させてしまうことなく良好なデバイス形成のための加工を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a parallel plate plasma processing system, and a method for fabricating a semiconductor device using the plasma processing system, in which the probability of charge-up damage can be lowered at the time of ashing or etching and machining for fabricating a good device can be carried out without varying the permittivity of an interlayer insulation film before and after etching. - 特許庁

高出力半導体発光素子を用いても人の目に安全で高い光の取り出し効率が得られると共に、低消費電力でかつ小型化と低コスト化ができ、高速かつ広範囲な通信エリアを有する光通信システムに適した光源装置およびそれを用いた光通信システムを提供する。例文帳に追加

To provide a small and inexpensive light source device which is safe for a human eye even if a high output semiconductor light emitting element is used, has high light output efficiency, low power consumption, and is suitable for a light communication system having a high speed and wide communication area and to provide the light communication system. - 特許庁

大気圧プラズマ照射部１５は、不活性ガスの誘導結合型プラズマからなる一次プラズマ４６を吹き出す放電管３３と、第２の不活性ガスと反応性ガスの混合ガス領域と一次プラズマ４６が衝突されることによりプラズマ化した混合ガスから成る二次プラズマ４７を発生する混合器４１を備える。例文帳に追加

The atmospheric pressure plasma irradiation section 15 comprises a discharge tube 33 for spouting out primary plasma 46 composed of induction coupling type plasma of inert gas, and a mixer 41 for generating secondary plasma 47 composed of mixed gas resulting in plasma via a collision between a mixed gas region and the primary plasma 46, the mixed gas region including second inert gas and reactive gas. - 特許庁

チタノセン系光重合開始剤および銅フタロシアニン系着色顔料を含有する光重合型感光性組成物からなる感光層を有する感光性平版印刷版を、画像露光した後、無機のアルカリ剤とポリオキシアルキレンエーテル基を有するノニオン系界面活性剤を含有し、ｐＨ１０．０〜１２．５、導電率３〜３０ｍＳ／ｃｍの現像液で現像することを特徴とする。例文帳に追加

A photosensitive planographic printing plate having a photosensitive layer comprising a photopolymerizable photosensitive composition containing a titanocene photopolymerization initiator and a copper phthalocyanine coloring pigment is imagewise exposed and developed with a developing solution of pH 10.0-12.5 having 3-30 mS/cm electric conductivity and containing an inorganic alkali agent and a nonionic surfactant having a polyoxyalkylene ether group. - 特許庁

透過型電子顕微鏡用の試料の作製方法において、半導体デバイスの特定箇所の観察断面に非晶質構造の保護膜を形成する工程と；前記保護膜が形成された観察断面の周囲を除去する工程と；少なくとも前記保護膜を含む領域を薄膜化する工程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

This manufacturing method of a sample for a transmission type electron microscope includes a process for forming a protective film of an amorphous structure to the observation cross section of the specific place of a semiconductor device, a process for removing the periphery of the observation cross section to which the protective film is formed and a process for forming the region containing the protective film into a thin film state. - 特許庁

本発明は錦糸線に関し、給電導線としての強度が高く、断線が少なくなり、振動が多い環境において動作抵抗が少なく、屈曲性能が向上し、軽量化が達成されることにより、製品としての性能と信頼性とを向上し、また、製品の薄型設計が可能になり、設計の自由度が増大する。例文帳に追加

To provide a tinsel wire which has high strength as an electric power supplying conductor wire, hardly causes disconnection, has small operation resistance even in an environment having much vibration, improves flexural performance, is reduced in weight, thereby improving performance and reliability as a product, enables thin designing of a product, and increases flexibility in design. - 特許庁

シャフト部材２と、該シャフト部材２の半径方向外側に配設された一層以上の弾性層３とを備える導電性弾性ローラ１において、前記弾性層３の少なくとも一層を、ウレタンアクリレートオリゴマー（Ａ）、光重合開始剤（Ｂ）及びリチウム塩（Ｃ）を含む弾性層用原料を紫外線照射で硬化させた紫外線硬化型樹脂から構成する。例文帳に追加

The conductive elastic roller 1 comprises a shaft member 2 and one or more elastic layers 3 disposed on the radial outside of the shaft member 2, wherein at least one layer of the elastic layers 3 is made of an ultraviolet curing resin obtained by curing raw material for an elastic layer containing a urethane acrylate oligomer (A), a photopolymerization initiator (B) and a lithium salt (C) by ultraviolet irradiation. - 特許庁

透明導電膜と蛍光体層を有するエレクトロルミネッセンス素子において、該蛍光体層が銅をドープした硫化亜鉛、セレン化亜鉛またはそれらの混晶を含む蛍光体を含み、該蛍光体が、周期律表の１３族の元素及び１５族の元素から選ばれる少なくとも一種の元素を含有することを特徴とする無機分散型エレクトロルミネッセンス素子。例文帳に追加

In the electroluminescent element having a transparent conductive film and a phosphor layer, this is the inorganic dispersion-type electroluminescent element in which the phosphor layer contains a phosphor containing copper-doped zinc sulfide, zinc selenide, or a phosphor containing their mixed crystals, and in which the phosphor contains at least one kind of element selected from group XIII element and group XV element in the periodic table. - 特許庁

本発明は、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型半導体装置において、Ｓｉと一種以上の金属元素からなる混合層を形成し、前記混合層を酸化処理しゲート絶縁膜を形成する製造方法により、Ｓｉ単結晶基板とゲート絶縁膜間に低誘電率なＳｉＯ_２形成を抑制した高容量なＭＩＳトランジスタ素子を作製することができるものである。例文帳に追加

In an MIS(Metal Insulator Semiconductor) type semiconductor device by the manufacturing method of forming a mixed layer composed of Si and one or more kinds of metal elements, oxidizing the mixed layer, and forming a gate insulation film; a high capacity MIS transistor element with suppressed low dielectric constant SiO_2 formation is manufactured between an Si single crystal substrate and the gate insulation film. - 特許庁

磁気回路内に設けられ、入力される駆動電流に基づいて振動するボイスコイル２と、ボイスコイル２に固定される振動板５と、を備え、ボイスコイル２の振動が振動板５に伝達されることにより音声が出力される粒子伝導型のスピーカ１０００において、振動板５に負荷するストレスの度合いを調整する調整回路２００を備えるよう構成した。例文帳に追加

The particle conduction speaker 1000, comprising a voice coil 2 provided in a magnetic circuit and vibrating based on an input drive current, and a vibration cone 5 secured to the voice coil 2, and outputting voice when vibration of the voice coil 2 is transmitted to the vibration cone 5, includes a circuit 200 for regulating the extent of stress loaded to the vibration cone 5. - 特許庁

２つのアーム導波路２０、２１を横断する楔状の溝２２を形成し、溝２２に屈折率整合オイル２３を出し入れすることによってスイッチングを実現し、全反射を利用することなくスイッチング電力を極めて少なくして自己保持性も実現し、低損失の自己保持型のスイッチを歩留まりよく構成する。例文帳に追加

A self-holding type of switch with low loss is structured in a good yield by achieving switching by forming a wedge-shaped groove 22 crossing two arm waveguides 20, 21 and inserting and retreating a refractive index matching oil into and out of the groove, and achieving self-holding ability by reducing switching power extremely low without using total reflection. - 特許庁

走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピ作成装置において、ＣＡＤデータを基に画像に変換してＣＡＤ画像を作成するＣＰＵ（ＣＡＤ画像作成部）１２５１を、画像量子化幅決定処理部１２５１１と明度情報付与処理部１２５１２とパターン形状変形処理部１２５１３とで構成する。例文帳に追加

In the imaging recipe generating apparatus for SEM observation of a semiconductor pattern using a scanning type electronic microscope, a CPU (CAD image generating unit) 1251 for generating a CAD image by conversion into the image on the basis of the CAD data is constituted with an image quantizing width determining processing unit 12511, a luminosity information assignment processing unit 12512, and a pattern shape conversion processing unit 12513. - 特許庁

使用する抵抗性接着剤は基本的に液状であり、接着性抵抗体はこれら液状の熱可塑性接着剤、熱硬化型接着剤、また両接着剤を混ぜた接着剤に抵抗性フィラを混入させ、或いは抵抗性フィラと併せて導電性フィラを混入させ、その量を変えることによって抵抗率の調整を可能とする。例文帳に追加

The resistive adhesive agent to be used is basically liquid, and the resistivity of the adhesive resistor can be adjusted, by mixing an adhesive agent mixed with a liquid thermoplastic adhesive agent and a thermosetting adhesive agent or both the adhesive agents, with a resistive filler or with a conductive filler together with the resistive filler, and by changing its quantity. - 特許庁

より安全かつ安価に製造され、しかも高純度でかつ粒径の小さな銅超微粒子を用いることで、その製造コストを圧迫することなしに、より薄型化された、良好な特性を有するセラミックコンデンサを製造しうる新規なセラミックコンデンサ用導電ペーストと、それを用いたセラミックコンデンサとを提供する。例文帳に追加

To provide a new conductive paste for ceramic capacitors that can be manufactured more safely and inexpensively, and can manufacture a more thinned ceramic capacitor having improved characteristics without increasing the manufacturing costs by a highly pure copper ultra-fine particle with a small particle diameter, and to provide the ceramic capacitor using the conductive paste. - 特許庁

ドレイン領域側のゲート電極１５の端部近傍に沿う半導体領域１２の上面及び左右側面の部分はゲート絶縁膜１４よりも厚い選択的絶縁膜１７１で覆われ、選択的絶縁膜１７１下には、低濃度Ｎ^−型不純物拡散層１７２が形成される（オフセット構造１７）。例文帳に追加

Upper surface portion and right and left side face portions of the semiconductor region 12 along the end of the gate electrode 15 on the drain region side is covered with a selective insulating film 171 thicker than the gate insulating film 14, and a lightly doped n^--type impurity diffusion layer 172 is formed beneath the selective insulating film 171 (offset structure 17). - 特許庁

ペースト組成物は、ｐ型シリコン半導体基板１の上に不純物層または電極層を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、熱膨張率がアルミニウムよりも小さく、かつ、溶融温度、軟化温度および分解温度のいずれかがアルミニウムの融点よりも高い無機化合物粉末とを含む。例文帳に追加

The paste composition are the paste composition for forming the impurities layer or the electrode layer on the p-type silicon semiconductor board 1 and comprise aluminum powder, an organic vehicle and inorganic compound powder having a lower thermal expansion coefficient than aluminum and one of whose melting temperature, whose softening temperature or whose decomposition temperature is higher than the aluminum melting point. - 特許庁

本発明は、化粧品的に許容可能な媒体に、(ａ)少なくとも一の酸化剤、(ｂ)アニリン、ピロール、チオフェン又はビスチオフェン、フラン、パラ-フェニレンスルフィド、パラ-フェニレンビニレン、インドール、芳香族アミド、芳香族ヒドラジド、芳香族アゾメチン、及び芳香族エステル型の少なくとも一の繰り返し単位を好ましくは有する少なくとも一の導電性ポリマーを含有せしめてなる組成物に関する。例文帳に追加

The composition is provided by incorporating (a) at least one oxidizing agent, (b) at least one electroconductive polymer preferably having at least one recurring unit of a type of aniline, pyrrole, thiophene or bisthiophene, furan, p-phenylenesulfide, p-phenylenevinylene, indole, an aromatic amide, an aromatic hydrazide, an aromatic azomethine or an aromatic ester in a cosmetically acceptable medium. - 特許庁

したがって、ＧａＮやＡｌＧａＮを用いてヘテロ接合電界効果型トランジスタ、発光ダイオード、またはレーザダイオードなどを作製する場合に、Ｇｄを含むＧａＧｄＮを用いることによって基板温度を一定に保った状態で結晶を成長させることができ、性能を落とすことなく窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の作製が可能となる。例文帳に追加

Thus, in the case of manufacturing a heterojunction field-effect transistor, a light emitting diode or a laser diode or the like by using GaN and AlGaN, by using GaGdN containing Gd, a crystal is grown in the state of keeping a substrate temperature fixed, and the nitride based III-V compound semiconductor device is manufactured without lowering the performance. - 特許庁

これにより、この半導体装置では、増幅器１０１と周波数混合器１０２を高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）で構成した場合に比べて、増幅器１０１と周波数混合器１０２とのインピーダンス整合をとるための整合回路２０３のサイズを縮小でき、小型化と低コスト化が可能となる。例文帳に追加

In this configuration, the size of the matching circuit 203 for matching the impedance between the amplifier 101 and the frequency mixer 102 can be reduced, compared to the case where the amplifier 101 and the frequency mixer 102 are built up with a high electron mobility transistor (HEMT), thereby enabling miniaturization and low cost. - 特許庁

絶縁ゲート型半導体装置において、オン電圧の低減を可能としつつ、スイッチング時の残留キャリアによる破壊を防止することが可能な素子構造および特にターンオフ時におけるチップ周辺領域での残留キャリアの排出を促し、遮断耐量を高めることのできる素子構造を提供する。例文帳に追加

To provide an insulated gate semiconductor apparatus wherein one device structure prevents breakdown due to residual carriers upon switching while capable of lowering the on-voltage, and the other device structure increases breaking capacity, by accelerating the discharge of residual carriers in the vicinity of the chip especially upon turnoff. - 特許庁

一つの半導体放射線検出器の放射線入射方向側上に熱中性子を核反応より荷電粒子に変換するコンバータ物質及び高速中性子により反跳陽子を発生するラジエータ物質を備えた中性子検出器とすることによって、中性子ポケット線量計として小型化でき、コストダウンできるものである。例文帳に追加

A neutron detector is provided with a converter substance 2 for converting a thermal neutron to a charged particle due to nuclear reaction and a radiator substance 3 for generating a bounding proton due to a high-speed neutron on a side in the radiation incidence direction of one semiconductor radiation detector, thus miniaturizing the detector as a neutron pocket dosimeter and reducing costs. - 特許庁

電子部品や半導体製造品の製造に用いられる真空装置内の圧力を測定する真空センサにおいて、真空センサの構成部品の中で、測定環境からのダメージを受けやすい圧力検出素子部が破損した場合であっても、真空センサ部全体を新しい真空センサと交換する必要のない簡易交換型真空センサを提供する。例文帳に追加

To provide a simple exchange type vacuum sensor which has no need of replacing the entire vacuum sensor with a new vacuum sensor even when a pressure detecting element easy to be damaged by the measuring environment is broken in the vacuum sensor for measuring the pressure in a vacuum apparatus for use in manufacturing electronic components or semiconductor products. - 特許庁

半導体材料の基板（２０）上に犠牲領域（２１）を形成し、そしてエピタキシャル層（２５）が成長し、その後、電気機械的超小型集積構造体が形成されるエピタキシャル層（２５）の領域（３３）を囲んで応力解放溝（３１）が形成され、その後、残留応力を解放するために、ウェハ（２８）が熱処理される。例文帳に追加

A sacrifice region 21 is formed on a substrate 20 of a semiconductor material, an epitaxial layer 25 grows, then a stress release groove 31 is formed by surrounding a region 33 of the epitaxial layer 25 in which an electromechanical microminiature integrated structural body is formed, and then a wafer 28 is heat-treated to release residual stress. - 特許庁

ポリプロピレン１００重量部に対して、高分子型帯電防止剤を１〜８０重量部添加した樹脂フィルム基材面上に、ベースポリマーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤とからなる粘着剤を塗布し、粘着剤層を形成してなる半導体基板加工用粘着シート。例文帳に追加

The adhesive sheet for processing a semiconductor substrate is obtained by applying an adhesive consisting of a base polymer, a radiation polymerizable compound and a radiation polymerization initiator on a surface of a resin film base material prepared by adding 1-80 pts.wt. of a polymer-type antistatic agent to 100 pts.wt. of polypropylene to form an adhesive layer. - 特許庁

ノニオン界面活性剤及び／又はアニオン界面活性剤、及び解離定数pkaが１０〜１３の範囲にある弱酸またはその塩、及び芳香族カルボン酸化合物又はその塩を含有し、pHが１１．５以上１２．８以下でかつ電導度が３〜４０ｍＳ／cmであることを特徴とする光重合型感光性平版印刷版用現像液。例文帳に追加

The developing solution for a photopolymerizable photosensitive planographic printing plate contains a nonionic surfactant and/or an anionic surfactant, a weak acid or its salt having a dissociation constant pka of 10 to 13 and an aromatic carboxylic acid compound or its salt and has 11.5 to 12.8 pH and 3 to 40 mS/cm electric conductivity. - 特許庁

逆並列に接続された半導体スイッチング素子、高速遮断器及び限流インピーダンス素子が並列に接続された複合型限流装置において、高速遮断器に直列に、通常時には抵抗が零に近いか非常に小さく、過電流が流れた時は瞬時に高抵抗になる転流用装置を設ける。例文帳に追加

In a composite type current limiter in which a semiconductor switching element connected inversely in parallel, a high speed circuit breaker and a current limiting impedance element are connected in parallel, and a commutator which shows no resistance or very small resistance when the power is fed or shows momentarily a high resistance when an over-current flows is provided in series to a high speed circuit breaker. - 特許庁

表示層と光導電層とを積層してなる光書込み型の表示記録媒体４に光を照射し、表示記録媒体４に画像を書込む光書込み装置２は、光出射領域が画素サイズよりも小さくなるように規制する光量規制部材２３が、ＬＣＤパネル２２の光出射面に設けられている。例文帳に追加

The optical writer 2 which writes an image to the optical write type display medium 4 constituted by laminating a display layer and a photoconducting layer by irradiating the display recording medium 4 with light is provided with a light quantity control member 23, which performs control so that a light projection area may be smaller than a pixel size, on a light projection surface of an LCD panel 22. - 特許庁

化粧品的に許容可能な媒体に、(ａ)硬質の非皮膜形成粒子、(ｂ)特に、アニリン、ピロール、チオフェン又はビスチオフェン、フラン、パラ-フェニレン硫化物、パラ-フェニレンビニレン、インドール、芳香族アミド、芳香族ヒドラジド、芳香族アゾメチン、及び芳香族エステル型の少なくとも一の繰り返し単位を好ましくは有する、少なくとも一の導電性ポリマーを含有せしめてなる組成物。例文帳に追加

The composition contains (a) rigid non-film-forming particles and (b) at least one electrically-conductive polymer in a cosmetically acceptable medium, wherein the electrically-conductive polymer preferably has at least one repeating unit comprising, especially, aniline, pyrrole, thiophene or bisthiophene, furan, p-phenylenesulfide, p-phenylenevinylene, indole, an aromatic amide, an aromatic hydrazide, an aromatic azomethine, and an aromatic ester type. - 特許庁

フラットフレキシブルケーブル１２における偏平断面の各導体線１２ａの先端に設けた接続端子１２ａ′を、耐熱性の回路基板１１に列状に並べて形成して成る各端子電極１５の各々に対して半田付けにて接続する場合に、半田づけの良否の確認が容易でき、且つ、前記接続端子の曲がり変形を小さくするとともに、前記回路基板の小型化等を図る。例文帳に追加

To easily confirm the quality of soldering and reduce the bending deformation of a connection terminal in the case of connecting the connection terminals 12a' arranged to tips of respective conductor wires 12a of a flat flexible cables 12 having flat cross sections, to respective terminal electrodes 15 formed by arranging the connection terminals on a heat resistant circuit board 11 in a row, by soldering, and to miniaturize the circuit board. - 特許庁

本発明の樹脂封止型半導体装置１０は、制御素子１８が実装された回路基板１２と、外部装置と電気的に接続される接続端子２６，２８と、回路基板１２が表面に配置されると共にパワー素子３２が実装された本体部３０とを有するリードフレーム１４と、回路基板１２及び本体部３０を一体に封止するモールド樹脂１６とを備えている。例文帳に追加

A resin sealed semiconductor apparatus 10 includes: a circuit board 12 mounted with the control element 18; a lead frame 14 having connection terminals 26 and 28 electrically connected to an external device and a body portion 30 having the circuit board 12 mounted on a surface and also mounted with the power element 32; and a mold resin 16 for sealing the circuit board 12 and body portion 30 in one body. - 特許庁

第２サイドウォール部４６の第２下部絶縁膜５４は、Ｐ型半導体基板１２の上表面１２Ａの上表面１２Ａの上表面１２Ａ上においてシリコン酸化膜６２の分だけ第１サイドウォール部２６のシリコン熱酸化膜３４よりも厚肉とされ、該シリコン酸化膜６２は第２ゲート電極４２の側壁を側方から覆う部分を有しない。例文帳に追加

Second lower insulating films 54 of the second side wall portions 46 have a thickness thicker than that of silicon thermal oxidation films 34 of the first side wall portions 26 by the thickness of silicon oxide films 62 on an upper surface 12A of a p-type semiconductor substrate 12, and the silicon oxide films 62 do not have a part covering the side walls of the second gate electrodes 42 from a side. - 特許庁

コピー機等に用いられる、クリーニングブラシのみでフィルミング現象およびクリーニング不良による画質低下を解消し、なおかつ感光体に傷もつけず画質低下を起こさない低コスト、省スペースの小型画像形成装置に適した、クリーニングブラシを可能にする導電性繊維を提供する。例文帳に追加

To provide a conductive fiber capable of providing a cleaning brush usable for a copy machine or the like, reducing the decrease of image quality caused by a filming phenomenon and cleaning insufficiency only by the cleaning brush, hardly causing reduction of the image quality without damaging a photoreceptor, and suitable for a low-cost space-saving small image-forming device. - 特許庁

投射型表示装置もしくは照明装置等の半導体光源の通電劣化状況を、正確に測定・検出・判別しそれを報知する手段、更には測定・判断する方法を提供することにより、これらの装置利用者に光源ユニットの作動状況もしくは交換時期を正しく知らしめることを可能にする。例文帳に追加

To enable appropriate announcement to the users about the light source unit operating state or about the time for replacement by providing a means for correctly measuring, sensing, and characterizing degradation in conductivity in the semiconductor light source of a projection type display system or of a lighting unit and for announcing the results and, furthermore, by providing a method for measurement and judgement. - 特許庁

上記斜めイオン注入と、上記ウェルコンタクト層４を形成するためのイオン注入とは、ウェルコンタクト層４の不純物プロファイルにおいて、縦軸に深さをとり、横軸に不純物濃度をとったとき、不純物拡散層を形成する不純物のプロファイル３３を、ウェルコンタクト層４を形成する第１導電型の不純物プロファイル３４が覆い被さるように行なう。例文帳に追加

The oblique ion pouring and the ion pouring for forming the well-contact layer 4 are effected, so that the profile 34 of a first conductivity impurities forming the well contact layer 4 covers the profile 33 of impurities forming the impurities diffusion layer in the profile of impurities in the well contact layer 4, when a depth is positioned in the axis of ordinates and the density of impurities is positioned in the axis of abscissas. - 特許庁

液晶を封入して貼り合わせた二枚の透明基板のうち一方の透明基板２に、他方の透明基板３における一つの側面３ａより突出するはみ出し部２ａを設けて、この表面に、複数個の半導体チップ４，５と、外部への接続用端子電極群６とを設けて成る液晶表示装置において、その小型・軽量化と、低インピーダンス化とを図る。例文帳に追加

To reduce the size and weight, and the impedance of a liquid crystal display device wherein one substrate 2 of two transparent substrates stuck together with a liquid crystal filled in-between is provided with a sticking-out part 2a projecting from one side face 3a of the other substrate 3, and plural semiconductor chips 4, 5, and a group of electrodes for external connections are arranged on this surface. - 特許庁

ＤＲＡＭ内蔵型システムＬＳＩのロジック回路部において、ＭＯＳトランジスタのサイドウォールを、すでに形成されているＤＲＡＭのポリシリコン容量蓄積電極をマスクとして異方性エッチングで形成する際など、マスクのチップ内占有率がデバイス品種により異なっても、サイドウォールを一定の設計幅に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can form a sidewall in a predetermined designed width even if an occupied area of a mask in a chip is different according to the type of a device when the sidewall of a MOS transistor is formed with a polysilicon capacity storage electrode of an already formed DRAM used as the mask by anisotropic etching in a logic circuit of a DRAM-containing system LSI. - 特許庁

原料金属粉末を熱プラズマ中に導入することにより、球状化された球状金属粉末を型に充填し、２００Ｐａ以下の減圧雰囲気中において、直流パルス電流密度５Ａ／ｍｍ^２以上、圧力２０ＭＰａ以上で該球状金属粉末を焼結するターゲット材の製造方法である。例文帳に追加

In the method for producing a target material, raw material metal powder is introduced into thermal plasma, thus spheroidal metal powder subjected to spheroidizing is packed into a die, and the spheroidal metal power is sintered at a direct current pulse current density of ≥5 A/mm^2 under a pressure of ≥20 MPa in a pressure-reduced atmosphere of ≤200 Pa. - 特許庁

凹凸のあるプリプレグ２０１の両面に、ベースフィルム１０１の片側に熱可塑性樹脂層１０２を有する離型性フィルム２０２を熱ラミネートすることにより、熱可塑性樹脂層１０２の軟化により密着を確保することにより、穴加工、導電性ペースト充填時における剥離やペーストにじみを抑制することができる。例文帳に追加

Separation and paste bleeding at the time of perforating and conductive paste packing can be inhibited by heat laminating the releasing film 202 having a thermoplastic resin layer 102 at double-sides of the irregular prepreg 201 and at one side of a base film 101, and by assuring adhesion with the softening of the thermoplastic resin layer 102. - 特許庁

従来、下請比率が高かった自動車部品産業（輸送機械器具）とデスクトップパソコンや半導体等のエレクトロニクス産業（電気機械器具）を比較すると、インテグラルの典型である自動車部品産業に比べ、モジュール化が進んだエレクトロニクス産業で下請企業の割合の減少幅が大きい（前掲第2-1-9図）。例文帳に追加

Comparing the automobile parts industry (transportation machinery and equipment), in which the subcontracting ratio has traditionally been high, with electronics industries such as desktop computers and semiconductors (electrical machinery and equipment), the scale of the decline in the proportion of subcontractors is greater in the electronics industry, where modularization has made greater inroads than in the typically integral technology oriented automobile parts industry (Fig. 2-1-9). - 経済産業省

半導体基板と、この基板の片面に形成されたこれとは異なる導電型の高濃度ドーパント拡散層及びこの高濃度ドーパント拡散層よりもドーパント濃度が低い低濃度ドーパント拡散層を含む二段エミッタ層と、この二段エミッタ層の高濃度ドーパント拡散層と電気的に接続する略平行な複数の細線状の電極とを具備する太陽電池セルであって、上記高濃度ドーパント拡散層が、上記電極の形状に対応する細線状の形状を有し、この細線状高濃度ドーパント拡散層の長手方向に沿って幅方向片側又は両側に高濃度ドーパント拡散層が突出した突出部が複数個形成されてなることを特徴とする太陽電池セル。例文帳に追加

According to the present invention, even when displacement between a pattern of the high-concentration dopant diffusion layer in the two-stage emitter layer and a pattern of the electrodes arises more than a little in mass production, extreme degradation in photoelectronic conversion efficiency can be suppressed, and as a result, solar battery cells with high efficiency can be manufactured in high yield. - 特許庁

セラミックス原料に対して炭素原子を分子中に有する重合性物質の少なくとも１種を配合してなる組成物を、成形型内に供給し、該成形型内において前記重合性物質を重合せしめて、該重合性物質の重合体である高分子化合物が均一に存在せしめられてなる成形体を形成した後、該成形体を還元焼成することにより、セラミックス焼結体として、目的とする導電性セラミックス製品を得る。例文帳に追加

The desired conductive ceramic product is obtained by supplying a composition prepared by blending at least one of polymerizable materials each having carbon atom in a molecule to a ceramic raw material into a forming mold, polymerizing the polymerizable material in the forming mold to form the formed body in which a high molecular compound of the polymer of the polymerizable material uniformly exists and reducing and firing the formed body to form a ceramic sintered compact. - 特許庁

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma. - 特許庁

スイッチング素子としてハイサイドＭＯＳＦＥＴとローサイドＭＯＳＦＥＴとを有する同期整流型のスイッチング電源を制御する半導体集積回路をサージ電圧から保護する保護回路を、端子Ｖｓｗと端子Ｖｂｏｏｔ間にｍ段（ｍは整数）に直列接続されたツェナーダイオードにより構成される第１クランプ回路を接続し、端子Ｖｂｏｏｔと端子Ｖｒｅｇ間にｎ段（ｎは整数）に直列接続された第２クランプ回路を接続し、端子Ｖｒｅｇと基準電位ＧＮＤ間にｍ段に直列接続されたツェナーダイオードにより構成される第３クランプ回路を接続する構成とした。例文帳に追加

A protection circuit protects a semiconductor integrated circuit that controls a synchronous rectification switching power supply having a high-side MOSFET and a low-side MOSFET as switching elements from a surge voltage. - 特許庁