「導電型」に関連した英語例文の一覧と使い方(279ページ目) - Weblio英語例文検索

表面に凹凸を有する導電性を有する基板１の表面に、感光波長における吸収係数が大きな第１のフォトレジスト層２を形成し、さらにその上に、吸収係数が小さな第２のフォトレジスト層３を形成し、露光、現像することにより、精度が良く、かつ、開口部に残渣がない電鋳型６を作ることができるので、基板表面形状を忠実に転写した電鋳部品８を提供する。例文帳に追加

The electroforming mold 6 free from the residue in the opening part is formed with high precision by forming a first photoresist layer 2 having large absorption coefficient in a photosensitive wavelength on the surface of the conductive substrate 1 having the projecting and recessed parts on the surface and further forming a second photoresist layer 3 having smaller absorption coefficient is formed thereon and exposing and developing, thereby providing the electroforming component 8 faithfully transferred of the substrate surface shape. - 特許庁

船体磁気模型を製作することなく、船体内に設ける候補となる消磁コイルの中から選択した各消磁コイルに通電した場合の任意の調定面又は調定線における消磁状態を船舶設計段階からシミュレーションすることができ、これにより前記調定面又は調定線における船体外部磁場が最も小さくなる消磁コイルの組合せを導出することの可能な船体の消磁コイル組合せ導出方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for deriving the demagnetization coil combination of a hull simulating the demagnetized state at an arbitrary adjusting surface or line when conducting each demagnetization coil to be selected among the demagnetization coils as candidates provided in the hull from the ship design stage without manufacturing any hull magnetic model, and deriving the combination of the demagnetization coils in which the hull external magnetic field at the adjusting surface or line is minimized. - 特許庁

射出成形用金型に、ホットランナーマニホールド加熱用誘導コイルが巻き付けてあるホットランナーマニホールドが組み込まれているままの状態で、同ホットランナー加熱用誘導コイルとアース間の絶縁抵抗もしくは静電容量をまたはそれらの関数となっている物理量を測定し、測定して得られた測定量を判定基準値と比較してホットランナーマニホールドからの樹脂洩れの有無／程度を判定する。例文帳に追加

In such a state that a hot runner manifold having a hot runner manifold heating induction coil wound therearound is incorporated in an injection mold, the insulation resistance, electrostatic capacity or physical quantity becoming the function thereof between the hot runner manifold heating induction coil and the ground is measured and the measured quantity is compared with a judge reference value to judge the presence/degree of the resin leak from the hot runner manifold. - 特許庁

電極４５が中心領域Ｍに形成されているｎ^＋型のコンタクト領域４６に接触し、中心領域Ｍの最外周に形成されているコンタクト領域４６ａを介して周辺領域Ｎの第２半導体層２８と接続しており、そのコンタクト領域４６ａから繰返し構造２６の周縁までの距離の少なくとも１／８以上の距離に亘って、周辺領域Ｎに伸びていることを特徴とする半導体装置。例文帳に追加

The semiconductor device contacts an n^+-type contact region 46 whose electrode 45 is formed in the central region M, connected to a second semiconductor layer 28 of the peripheral region N via a contact region 46a formed at the outmost periphery of the central region M, and extends to the peripheral region N over at least 1/8 of a distance from the contact region 46a to the periphery of the repetitive structure 26. - 特許庁

ＬＥＤからの発熱を積極的に逃がすようにするため、極めて薄いプリント基板を熱伝導板に密着状態で接着固定し表面実装型のＬＥＤを切頭円錐形状の凹面部に実装し、ＬＥＤの熱を熱伝導板を介して外部へ放散し、ＬＥＤの温度上昇を抑止することにより、ＬＥＤの順方向電流を大きくでき、明るく点灯しながら温度上昇が少なくなりＬＥＤの寿命を延ばすことができる製造方法である。例文帳に追加

Heat in the LEDs is dispersed to the outside via the thermal-conductive board and an increase in the temperature of the LEDs is inhibited, thus increasing the forward current of the LEDs and achieving bright lighting and reducing a temperature increase for extending the life of the LEDs. - 特許庁

本発明のシリコンインゴットの製造方法は、坩堝内に保持された、第１の導電型を規定する第１のドーパントを含有するシリコン融液から、チョクラルスキー法により太陽電池用の単結晶インゴットを引き上げる工程と、単結晶シリコンインゴットを引き上げた後の坩堝内の残留分（坩堝残）を、多結晶シリコンインゴットの原料として用いてインゴットを形成する工程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing a silicon ingot is characterized by including a process for pulling up a single crystal ingot for solar cells by a Czochralski method from silicon melt containing a first dopant which specifies a first conductivity, and a process for forming an ingot using a residue in a crucible after pulling up the single crystal silicon ingot (crucible residue) as a raw material of the polycrystalline silicon ingot. - 特許庁

多孔質燃料極基板を構造体とし、酸素イオン伝導体からなる緻密質固体電解質と多孔質空気極で構成された燃料極支持型固体酸化物形燃料電池セルの燃料極基板用グリーンシートの製造方法において、安定化ジルコニア粉末および／またはドープセリア粉末、酸化ニッケル粉末、および樹脂球状微粒子を主成分とする混練物を押出成形することを特徴とする燃料極基板用グリーンシートの製造方法。例文帳に追加

In the method of producing a green sheet for the fuel electrode substrate of a fuel electrode supporting type solid oxide fuel cell having a structure of porous fuel electrode substrate and constituted of compact solid electrolyte consisting of an oxygen ion conductor and a porous air electrode, a kneaded material principally comprising stabilized zirconia powder and/or doped ceria powder, nickel oxide powder, and fine spherical particles of resin is extrusion molded. - 特許庁

ＨＤＤ部材や、薄膜シリコン型太陽電池基板をはじめとする半導体層形成基板などの、精緻な表面が要求される部材に適したステンレス鋼板であって、無電解Ｎｉめっき等の表面処理を施さなくても、ステンレス鋼板の裸の表面のままで、クリーン環境下で行われる洗浄工程で優れた洗浄性を呈する表面キズが少ないステンレス鋼板を大量生産に適した手法にて提供する。例文帳に追加

To provide a stainless steel sheet suitable for members requiring a minute surface such as a HDD member and a semiconductor layer forming substrate including a thin film silicon type solar battery substrate, and having reduced surface flaws to exhibit excellent detergency in a cleaning step performed in a clean environment as being the naked surface of the stainless steel sheet even without performing surface treatment such as electroless Ni plating by a means suitable for mass production. - 特許庁

トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とＭＯＳ型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部にラッチアップを防止するために高エネルギーのアルゴンイオン注入などにより結晶性を破壊されたシリコン領域や、金などの重金属を注入した領域からなるキャリア捕獲領域を形成し、配置する。例文帳に追加

The semiconductor device having a trench isolation structure is constituted by forming at least one well region and an MOS type transistor at the high power supply voltage circuit part, and a carrier capturing region composed of a silicon region whose crystallinity is broken by argon ion implantation of high energy or the like and a region into which heavy metal such as gold is implanted is formed and disposed at an end of a well region so as to prevent a latch-up. - 特許庁

十分な熱接着性と耐ブロッキング性を有し、導電層との密着性が優れていてコンデンサとしての長期耐久性を飛躍的に向上させることができるコンデンサ用ポリエステル系積層フィルムを提供すること及びかかるコンデンサ用ポリエステル系積層フィルムを用いて得た電子機器の小型化、軽量化及びコストダウンの要求を満足することができるコンデンサを提供すること。例文帳に追加

To provide a polyester laminated film for a capacitor which has sufficient thermal adhesive properties and blocking resistance and excellent adhesive properties with a conductive layer and the durability for a prolonged term of which as the capacitor can be improved remarkably, and to provide the capacitor capable of satisfying the demands for miniaturization, lightening and cost reduction of electronic equipment obtained by using such a polyester laminated film for the capacitor. - 特許庁

十分な熱接着性と耐ブロッキング性を有し、導電層との密着性が優れていてコンデンサとしての長期耐久性を飛躍的に向上させることができるコンデンサ用ポリエステル系積層フィルムを提供すること及びかかるコンデンサ用ポリエステル系積層フィルムを用いて得た電子機器の小型化、軽量化及びコストダウンの要求を満足することができるコンデンサを提供すること。例文帳に追加

To provide a polyester laminated film for a capacitor, which has sufficient thermal adhesive properties and blocking resistance and excellent adhesive properties with a conductive layer and the durability for a prolonged term of which as the capacitor can be improved remarkably, and to provide the capacitor capable of satisfying the demands for miniaturization, lightening and cost reduction of electronic equipment obtained by using such a polyester laminated film for the capacitor. - 特許庁

外部共振器型半導体レーザ光源部の外部共振器長を変化させて出力光波長を連続的に可変する波長可変光源において、出力波長の連続的な可変により発生するモードホップを防止するために、前記外部共振器長を変化させる手段として、前記レーザダイオード１の駆動電流を制御するレーザダイオード電流制御手段７，８を有することを特徴とする波長可変光源。例文帳に追加

In the wavelength variable light source for continuously varying the output light wavelength, by changing the external resonator length of an external resonator-type semiconductor laser light source part, this wavelength variable light source has laser diode current control means 7 and 8 for controlling the drive current of a laser diode 1 as a means for changing the external resonator length, in order to prevent the mode hop caused by the continuous variation of the output wavelength. - 特許庁

アルミニウム支持体上にエチレン性不飽和二重結合を有する化合物、光重合開始剤、及び、高分子結合剤からなる光重合型感光性組成物の感光層を有する感光性平版印刷版を、画像露光した後、無機のアルカリ剤とポリオキシアルキレンエーテル基を有するノニオン系界面活性剤を含有し、ｐＨ１０．０〜１２．５、導電率３〜３０ｍＳ／ｃｍの現像液で現像することを特徴とする。例文帳に追加

A photosensitive planographic printing plate with a photosensitive layer of a photopolymerization type photosensitive composition containing a compound having an ethylenically unsaturated double bond, a photopolymerization initiator and a polymer binder on an aluminum substrate is imagewise exposed and developed with a developing solution of pH 10.0-12.5 having 3-30 mS/cm electric conductivity and containing an inorganic alkali agent and a nonionic surfactant having a polyoxyalkylene ether group. - 特許庁

ソースドレイン電極１５０は、ｎ型半導体領域１００に設けられた各リセス部１００ａに、その底部から少なくともチャネル領域の深さにまで形成されたシリコンゲルマニウム層１１１と、その上に形成され、炭素とシリコンゲルマニウム層のゲルマニウム濃度よりも低いゲルマニウムとを含むカーボンドープドシリコンゲルマニウム層１１２と、その上に形成された金属シリサイド層１１５とから構成される。例文帳に追加

The source drain electrodes 150 comprise silicon germanium layers 111 formed at respective recessed parts 100a provided in the n-type semiconductor region 100, at least to the depth of a channel region from the bottom part thereof, carbon doped silicon germanium layers 112 formed thereupon and containing carbon and germanium of concentration lower than the germanium concentration of the silicon germanium layers, and metal silicide layers 115 formed thereupon. - 特許庁

化粧品的に許容可能な媒体に、(ａ)少なくとも一の蛍光染料及び／又は蛍光増白剤、(ｂ)アニリン、ピロール、チオフェン又はビスチオフェン、フラン、パラ-フェニレンスルフィド、パラ-フェニレンビニレン、インドール、芳香族アミド、芳香族ヒドラジド、芳香族アゾメチン、及び芳香族エステル型の少なくとも一の繰り返し単位を好ましくは有する少なくとも一の導電性ポリマーを含有せしめてなる組成物に関する。例文帳に追加

The composition is provided by incorporating (a) at least one fluorescent dyestuff or fluorescent brightening agent, (b) at least one electroconductive polymer preferably having at least one recurring unit of a type of aniline, pyrrole, thiophene or bisthiophene, furan, p-phenylenesulfide, p-phenylenevinylene, indole, an aromatic amide, an aromatic hydrazide, an aromatic azomethine or an aromatic ester in a cosmetically acceptable medium. - 特許庁

プラズマ法で製造された平均粒子径が５〜９０ｎｍの範囲であるほぼ球状の正方晶系酸化錫微粒子７５〜９２重量％と、分子内に少なくとも２個以上のアクリロイル基若しくはメタクリロイル基を有する（メタ）アクリレート化合物８〜２５重量％からなる固形分１００重量部に対して、２種類以上のアルコール系有機溶媒２５０〜６００重量部を配合し、分散させてなることを特徴とする紫外線硬化型透明導電性塗料組成物に関する。例文帳に追加

This coating composition is prepared by dispersing 100 pts.wt. solid component which comprises 75-92 wt.% almost spherical, tetragonal tin oxide particles having an average particle size of 5-90 nm and produced by the plasma method and 8-25 wt.% (meth)acrylate compound having at least two acryloyl or methacryloyl groups in 250-600 pts.wt. at least two alcoholic organic solvents. - 特許庁

また、速度の速い水流から動力を得るために使用される新規の誘導型発電機と、関連する海底に配置された水中投錨システムに抗してシステムに張力を与えるための浮揚タンクと、システムの精度制御及び連続的な調整機能に役立つ複数のサブ・チャンバを備え、流体を充填したバラスト・チャンバとについて詳細な説明をすることによって、システムの配置、位置決め、保守、制御、及び運転をするための方法と手段も提供される。例文帳に追加

Methods and means for deploying, positioning, maintaining, controlling and operating the system are also provided by a detailed explanation on the ballast chambers filled with fluid. - 特許庁

本発明は、被冷却物に設けられた装着部に、寒冷を発生させる冷却部を有した冷凍機を装着する冷凍機装着構造、冷凍機冷却型超電導マグネット装置、冷凍機装着構造を備えた凝縮装置、及び冷凍機装着構造の装着方法に関し、装着部に装着された冷却部と被冷却物との間の熱的な接続を十分に確保して、冷却部により被冷却物の冷却を効率良く行うことを目的とする。例文帳に追加

To efficiently cool an object to be cooled by a cooling part by sufficiently securing thermal connection between the cooling part mounted to a mounting part and the object to be cooled. - 特許庁

スイッチング用パワートランジスタ１がＯＮ時は、整流用トランジスタ７はＯＦＦし、スイッチング用パワートランジスタ１がＯＦＦ時は、整流用トランジスタ７のドレイン・ゲート間を短絡し、順バイアスモードのダイオードとして使用し、スイッチング用パワートランジスタ１がＯＮ時は、整流用トランジスタ７はＯＦＦし、スイッチング用パワートランジスタ１がＯＦＦ時は、整流用トランジスタ７のドレイン・ゲート間を短絡し、順バイアスモードのダイオードとして使用し、スイッチング用パワートランジスタ１のスイッチングと静電誘導型トランジスタのスイッチングとを同期整流とした昇圧チョッパー回路とする。例文帳に追加

When switching power transistor 1 is on, a rectifying transistor 7 is off while the switching power transistor 1 is off, the rectifying transistor 7 is shorted between a drain and a gate to be used as a diode in forward bias mode, thus switching the switching power transistor 1 and switching of an electrostatic induction transistor are in synchronous rectification. - 特許庁

本発明は、化粧品的に許容可能な媒体に、(ａ)少なくとも一の直接染料、(ｂ)式１に示すアニリン類、ピロール、チオフェン又はビスチオフェン、フラン、パラ-フェニレンスルフィド、パラ-フェニレンビニレン、インドール、芳香族アミド、芳香族ヒドラジド、芳香族アゾメチン、及び芳香族エステル型の少なくとも一の繰り返し単位を好ましくは有する少なくとも一の導電性ポリマーを含有せしめてなる組成物に関する。例文帳に追加

The composition comprises (a) at least one direct dye, (b) at least one conductive polymer preferably having at least one repeating unit selected from an aniline expressed by formula 1, pyrrole, thiophene or bisthiophene, furan, p-phenylene sulfide, p-phenylene vinylene, indole, an aromatic amide, an aromatic hydrazide, an aromatic azomethine and an aromatic ester type, and a cosmetically permissible medium. - 特許庁

導体１を、低密度ポリエチレンおよびメタロセン型触媒を用いて重合された直鎖状低密度ポリエチレンの少なくとも一種と、スチレン成分を含有する水添ポリマーとのポリマーアロイをシラン架橋してなる絶縁体２で被覆し、その上をさらにオレフィン系樹脂に金属水酸化物を配合したノンハロゲン難燃性オレフィン系樹脂組成物からなるシース３で被覆したことを特徴とする被覆電線・ケーブル。例文帳に追加

Conductors 1 are coated with an insulation layer 2 obtained by silane cross-linking a polymer alloy composed of a straight-chain low density polyethylene polymerized with a low density polyethylene and a metallocene catalyst, with water added polymer containing a styrene component, which is covered with a non-halogenous flame-retardant olefinic resin sheath 3 composed of a mixture of an olefinic resin and metal hydroxide to produce the coated wires and cables. - 特許庁

半導体基板１に不純物がイオン注入されて形成されたソース／ドレインとして機能するビットライン５と、ゲート電極として機能するワードライン７とが交差する構成の埋め込みビットライン型フラッシュメモリにおいて、ビットライン５を形成するための不純物のイオン注入及びその活性化のためのアニール処理を行った後に、シリコン酸化膜／シリコン窒化膜／シリコン酸化膜からなる３層構造のＯＮＯ膜６を成膜する。例文帳に追加

In a buried bit line type flash memory arranged such that a bit line 5 functioning as source-drain formed by implanting impurity ions into a semiconductor substrate 1 intersects a word line 7 functioning as a gate electrode, a three layer structure ONO film 6 of silicon oxide film/silicon nitride film/silicon oxide film is formed after impurity ions for forming the bit line 5 are implanted and annealing for activation is performed. - 特許庁