「導電型」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

ただし、ｐ型またはｎ型のいずれか一方が第１導電型で他方が第２導電型であるとする。例文帳に追加

Herein, any one of a p-type or an n-type is assumed first conductivity, and the other second conductivity. - 特許庁

ｎ型ダイヤモンド半導体とダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法ならびに電子デバイス例文帳に追加

n-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR, ELECTRIC CONDUCTIVITY CONVERTING METHOD OF DIAMOND SEMICONDUCTOR, AND ELECTRONIC DEVICE - 特許庁

電流ブロック半導体層１１は、第３の半導体層９と異なる導電型を有する。例文帳に追加

The layer 11 has a different conductivity from the layer 9. - 特許庁

ｐ^＋型ゲート半導体部４は、ｎ型ドリフト半導体部３の導電型と逆導電型を有し、ｎ型ドリフト半導体部３の第１及び第２の領域３ｂ，３ｃ上に設けられている。例文帳に追加

The gate semiconductor part 4 includes a reverse conductivity type to the conductivity type of the semiconductor part 3, and is provided on first and second regions 3b, 3c of the semiconductor part 3. - 特許庁

ＭＯＳ型電界効果トランジスタの制御電極４０は、第１導電型の電極部４２、４５及び４８と、第２導電型の電極部４６と、第１導電型の電極部及び第２導電型の電極部の間にｐｎ接合４９とを有している。例文帳に追加

A control electrode 40 of the MOS type field effect transistor includes first conductive type electrode portions 42, 45 and 48, a second conductive type electrode portion 46, and a pn junction 49 between the first conductive type electrode portions and the second conductive type electrode portion. - 特許庁

そして、前記p型半導体層およびi型半導体層を除去して露出したn型半導体層の上にn型電極15が設けられ、前記p型半導体層上にp型電極16が設けられている。例文帳に追加

Then an n-type electrode 15 is formed on the n-type semiconductor layer 11 exposed by removing the layers and a p-type electrode 16 is formed on the p-type semiconductor layer. - 特許庁

基板（５）上に、第１導電型半導体層（４、３）、活性層（２）、および第２導電型半導体層（１）をエピタキシャルに順次積層する。例文帳に追加

First conductivity type semiconductor layers (4, 3), the active layer (2) and a second conductivity type semiconductor layer (1) are laminated epitaxial sequentially on a substrate (5). - 特許庁

低抵抗領域３１ａでは、半導体スペーサ層１９の導電型は半導体スペーサ層２１の導電型と異なる。例文帳に追加

In a low-resistance region 31a, the conductive type of the semiconductor spacer layer 19 is different from the conductive type of the semiconductor spacer layer 21. - 特許庁

第１導電型半導体領域３は、第１導電型のＧａＡｓ半導体基板１１上に設けられる。例文帳に追加

The first conductivity type semiconductor region 3 is provided on a GaAs semiconductor substrate 11 of the first conductivity type. - 特許庁

発光デバイスは、第１の導電型の第１半導体層と、活性領域と、第２の導電型の第２半導体層とを含む。例文帳に追加

The light emitting device comprises a first conductivity type first semiconductor layer, an active region, and a second coductivity type second semiconductor layer. - 特許庁

窒化物発光素子１１は、第１導電型の窒化物半導体層１３と、第２導電型の窒化物半導体層１５と、活性層１７とを備える。例文帳に追加

The nitride light-emitting element 11 includes a first conductivity type nitride semiconductor layer 13, a second conductivity type nitride semiconductor layer 15, and an active layer 17. - 特許庁

活性層５は、第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７との間に設けられる。例文帳に追加

The active layer 5 is provided between the first conductivity type semiconductor region 3 and the second conductivity type semiconductor region 7. - 特許庁

第２導電型半導体層２３は第１導電型半導体層２５と活性層１７との間に設けられる。例文帳に追加

The second conductivity type semiconductor layer 23 is provided between the first conductivity type semiconductor layer 25 and active layer 17. - 特許庁

第１導電型の半導体基板の表面から離れて基板の内部に第２導電型の第１半導体領域を設ける。例文帳に追加

Apart from a surface of a first conductive semiconductor substrate, a first second-conductive-type semiconductor field is provided in an inside of the substrate. - 特許庁

第２導電型半導体領域２１が活性領域１７と第１導電型半導体領域１９との間に位置する。例文帳に追加

A second conductivity type semiconductor region 21 is located between the active region 17 and the first conductive type semiconductor region 19. - 特許庁

下層シリコン系膜３に一導電型の不純物を導入し、上層シリコン系膜６には、他導電型の不純物を導入する。例文帳に追加

One conductivity-type impurities are introduced in a silicon film 3 of a lower layer and other conductivity-type impurities and introduced in a silicon film 6 of an upper layer. - 特許庁

この複数の発光セルは、それぞれが第１の導電型上部半導体層、活性層、第２の導電型下部半導体層を有する。例文帳に追加

Each of the light-emitting cells comprises a first conductive-type upper semiconductor layer, an active layer and a second conductive-type lower semiconductor layer. - 特許庁

基板上に、少なくとも、第１の導電型の半導体層と活性層と第２の導電型の半導体層を積層する。例文帳に追加

In a method for manufacturing a semiconductor light emitting device, at least a first conductivity type semiconductor layer, an activity layer and a second conductivity type semiconductor layer are laminated on a substrate. - 特許庁

第１導電型の第１半導体層２１上に、第１導電型の第２半導体層２２が設けられる。例文帳に追加

On a first conductivity type first semiconductor layer 21, a first conductivity type second semiconductor layer 22 is provided. - 特許庁

半導体層６０は、結晶Ｓｉ層５０の半導体層６０と接触している部分の導電型と同じ導電型を有する。例文帳に追加

The semiconductor layer 60 has the same conductivity type as the conductivity type of a portion in contact with the semiconductor layer 60 of the crystal Si layer 50. - 特許庁

半導体パッケージ、導電性ポスト付き基板、積層型半導体装置、半導体パッケージの製造方法及び積層型半導体装置の製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, SUBSTRATE WITH CONDUCTIVE POST, AND LAMINATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

表面側から局所的第１導電型層１４、広域的第２導電型層１５、広域的第１導電型層１６の順で積層された構造を持ち、第１導電型層１４と第２導電型層１５を貫いて第１導電型層１６に達するトレンチゲート電極９が形成されており、深い方の第１導電型層１６内でトレンチゲート電極９が貫く深さに欠陥層６を形成する。例文帳に追加

A local first conductivity layer 14, a wide second conductivity layer 15, a wide first conductivity layer 16 are formed successively from the surface. - 特許庁

第１導電型半導体クラッド層と、第１導電型半導体クラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型半導体クラッド層と、第２導電型半導体クラッド層上に形成された絶縁膜と、第２導電型半導体クラッド層と電気的に接続された金属電極と、絶縁膜上に形成された電気回路素子とを有する。例文帳に追加

The semiconductor laser diode has a 1st conductivity type semiconductor clad layer, an active layer formed on the 1st conductivity type semiconductor clad layer, a 2nd conductivity type semiconductor clad layer formed on the active layer, an insulating film formed on the 2nd conductivity type semiconductor clad layer, a metal electrode electrically connected to the 2nd conductivity type semiconductor clad layer, and the electric circuit element formed on the insulating film. - 特許庁

ｐ型半導体層の上方にｐ型電極２３０が設けられている。例文帳に追加

A p-type electrode 230 is provided above the p-type semiconductor layer. - 特許庁

リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

RECESS OXIDATION TYPE FIELD EFFECT COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

過電圧保護機能内蔵型ＭＯＳ型半導体装置とその製造方法。例文帳に追加

OVERVOLTAGE PROTECTIVE FUNCTION BUILT-IN MOS SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

小型で電極端子数の多いノンリード型の半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a small non-lead type semiconductor device with a number of electrode terminals. - 特許庁

小型で損失の少ない導波管型誘電体フィルタを得る。例文帳に追加

To provide a compact waveguide dielectric filter whose loss is small. - 特許庁

縦チャネル型絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製方法例文帳に追加

FABRICATION OF VERTICAL CHANNEL INSULATED GATE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

これにより、小型の電磁誘導型変位センサが実現できる。例文帳に追加

Hereby, a small-sized electromagnetic induction type displacement sensor can be realized. - 特許庁

二液型の常温硬化型異方性導電接着剤を提供する。例文帳に追加

To provide a two-pack type ambient-curable anisotropic conductive adhesive. - 特許庁

金型の加熱方法、金型、誘導加熱ヒータ及びその電源装置例文帳に追加

DIE HEATING METHOD, DIE, INDUCTION HEATER, AND ITS POWER SOURCE DEVICE - 特許庁

シールドされた積層コイル型電磁誘導型変位センサを提供する。例文帳に追加

To provide a shielded laminated coil type electromagnetic induction type displacement sensor. - 特許庁

平型ケーブルの平型導体と電気接続端子との接続方法例文帳に追加

CONNECTION METHOD FOR FLAT CONDUCTOR OF FLAT CABLE AND ELECTRIC CONNECTION TERMINAL - 特許庁

蓄冷型冷凍機及び蓄冷型冷凍機を搭載した超電導マグネット例文帳に追加

REGENERATIVE REFRIGERATOR, SUPERCONDUCTIVE MAGNET MOUNTED WITH THE SAME - 特許庁

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ型である複数の第１拡散層２５、導電型がＰ^＋型である複数の第２拡散層２６、導電型がＮ型である第３拡散層８、および導電型がＰ^＋型である第４拡散層１１が形成されている。例文帳に追加

A first diffusion layer 25 having N type conductivity, a second diffusion layer 26 having P^+ type conductivity, a third diffusion layer 8 having N type conductivity, and a fourth diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth. - 特許庁

絶縁ゲート型電界効果型トランジスタ及び半導体装置例文帳に追加

INSULATED GATE FET AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

色素増感型光半導体およびそれを用いた色素増感型太陽電池例文帳に追加

PHOTOCHEMICALLY SENSITIZED OPTICAL SEMICONDUCTOR AND PHOTOCHEMICALLY SENSITIZED SOLAR BATTERY USING THE SAME - 特許庁

電流制御部は、Ｐ型半導体基板１１と逆導電型のＮ型ウェル１２と、Ｐ型半導体基板１１と同導電型のＰ＋拡散層１３とが接合したダイオード１７で構成される。例文帳に追加

The current control unit is composed of a diode 17 joining an n-type well 12 having a reverse conductivity type to a p-type semiconductor substrate 11, and a p^+-diffusion layer 13 having the same conductivity type as the p-type semiconductor substrate 11. - 特許庁

半導体受光素子は多層構造で、各層はそれぞれの厚さと幅を有し、かつ第一の導電型（例えばｐ型）または第二の導電型（例えばｎ型）のいずれかの導電型特性を有する。例文帳に追加

A semiconductor light receiving element has multilayered structure, and each layer has each thickness and width and has conductivity property of either a first conductivity (for example, p-type) or a second conductivity (for example, n-type). - 特許庁

光電変換用酸化物半導体電極および色素増感型太陽電池例文帳に追加

PHOTOELECTRIC CONVERSION OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE AND DYE-SENSITIZED SOLAR BATTERY - 特許庁

表面伝導型電子放出素子及び該電子放出素子を利用する電子源例文帳に追加

SURFACE CONDUCTION ELECTRON EMITTING ELEMENT AND ELECTRON SOURCE USING IT - 特許庁

超電導モータに電力を供給する発電機を小型化する。例文帳に追加

To downsize a generator which supplies a superconductive motor with power. - 特許庁

導電性に優れた固体電解質型燃料電池用セパレータ例文帳に追加

SEPARATOR FOR SOLID ELECTROLYTE FUEL CELL WITH EXCELLENT CONDUCTIVITY - 特許庁

電解装置、電気化学反応型膜装置及び多孔質導電体例文帳に追加

ELECTROLYZER, ELECTROCHEMICAL REACTION TYPE MEMBRANE APPARATUS AND POROUS CONDUCTOR - 特許庁