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層間絶縁の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5627件
層間絶縁膜群30は、層間絶縁膜群20よりも低い誘電率をもつ絶縁材料によって形成されている。例文帳に追加
The group of interlayer insulating films 30 is formed of an insulating material of a dielectric constant lower than that of the group of interlayer insulating films 20. - 特許庁
層間絶縁膜の誘電率を低く保ちつつ、層間絶縁膜と他の絶縁膜との密着性を改善する。例文帳に追加
To improve the adhesiveness between the interlayer insulating film and other insulating films while keeping a dielectric constant of an interlayer insulating film low. - 特許庁
第1層間絶縁膜3と、強誘電体キャパシタ4と、絶縁性水素バリア膜5と、第2層間絶縁膜6と、第2層間絶縁膜6と絶縁性水素バリア膜5と第1層間絶縁膜3とを貫通するコンタクトホール7と、を備えた強誘電体メモリ装置1である。例文帳に追加
The ferroelectric memory device 1 comprises: a first interlayer insulating film 3; a ferroelectric capacitor 4; an insulating hydrogen barrier film 5; a second interlayer insulating film 6; and a contact hole 7 passing through the second interlayer insulating film 6, the insulating hydrogen barrier film 5, and the first interlayer insulating film 3. - 特許庁
層間絶縁樹脂シートと多層配線基板例文帳に追加
INTERLAYER INSULATING RESIN SHEET AND MULTILAYER WIRING BOARD - 特許庁
多層プリント配線板用層間絶縁接着剤例文帳に追加
INTER-LAYER INSULATION ADHESIVE FOR MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD - 特許庁
ポリイミド、ポリアミック酸および層間絶縁膜例文帳に追加
POLYIMIDE, POLYAMIC ACID, AND INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁
層間絶縁接着シ−トおよび多層回路基板例文帳に追加
INTERLAYER INSULATING ADHESIVE SHEET AND MULTILAYER CIRCUIT BOARD - 特許庁
低誘電率層間絶縁膜を形成する方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING LOW PERMITTIVITY INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁
多層プリント配線板用層間絶縁樹脂組成物例文帳に追加
INTERLAMINAR INSULATING RESIN COMPOSITION FOR MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD - 特許庁
多層プリント配線板用層間絶縁材例文帳に追加
INTERLAYER INSULATING MATERIAL FOR MULTILAYER PRINTED WIRING BOARDS - 特許庁
多層プリント配線板用層間電気絶縁材料例文帳に追加
INTERLAMINAR INSULATING MATERIAL FOR MULTILAYER PRINTED- WIRING BOARD - 特許庁
半導体層間絶縁膜用有機材料例文帳に追加
ORGANIC MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁
半導体装置の層間絶縁膜の形成方法例文帳に追加
FORMATION OF LAYER INSULATION FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法例文帳に追加
DRY-ETCHING METHOD OF LOW-PERMITTIVITY INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁
層間絶縁膜のドライエッチング方法及びその装置例文帳に追加
DRY ETCHING METHOD AND APPARATUS OF INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁
半導体装置は、層間絶縁膜1と、層間絶縁膜1内に形成された下部配線5と、層間絶縁膜1上に形成されたライナー膜11と、ライナー膜11上に形成された層間絶縁膜12とを備えている。例文帳に追加
The semiconductor device includes an interlayer insulating film 1, a lower wiring line 5 formed within the interlayer insulating film 1, a liner film 11 formed on the interlayer insulating film 1, and an interlayer insulating film 12 formed on the liner film 11. - 特許庁
半導体素子の層間絶縁膜の形成方法例文帳に追加
FORMATION METHOD FOR INTERLAYER INSULATION FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁
層間絶縁膜及びその製造方法例文帳に追加
INTERLAYER INSULATION FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
半導体素子の層間絶縁膜形成方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING INTERLAYER INSULATION FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
低誘電率層間絶縁膜の形成方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING LOW DIELECTRIC CONSTANT INTERLAYER DIELECTRIC FILM - 特許庁
硬化性樹脂組成物および層間絶縁膜例文帳に追加
CURING RESIN COMPOSITION AND INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁
低誘電率材料及び層間絶縁膜の製造方法例文帳に追加
LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL AND PRODUCTION OF INTERLAMINAR INSULATION FILM - 特許庁
半導体装置1は、半導体基板10、層間絶縁膜20(第1の層間絶縁膜)、層間絶縁膜30(第2の層間絶縁膜)、および配線構造40を備えている。例文帳に追加
A semiconductor device 1 is equipped with a semiconductor substrate 10, an interlayer insulating film 20 (a first interlayer insulating film), an interlayer insulating film 30 (a second interlayer insulating film), and a wiring structure 40. - 特許庁
層間絶縁膜40は、例えば窒化シリコンからなる。例文帳に追加
The interlayer insulating film 44 comprises silicon nitride for example. - 特許庁
層間絶縁膜16は、単層構造の膜である。例文帳に追加
The interlayer insulating film 16 is a film having a single layer structure. - 特許庁
半導体基板上に層間絶縁膜を堆積する。例文帳に追加
An interlayer insulating film 10 is deposited on a semiconductor substrate 1. - 特許庁
半導体用層間絶縁薄膜及びその製法例文帳に追加
INTERLAYER INSULATING THIN FILM FOR SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
層間絶縁膜の上に、パッシベーション膜を形成する。例文帳に追加
A passivation film is formed on the interlayer insulating film. - 特許庁
有機層間絶縁膜のエッチング処理方法例文帳に追加
METHOD FOR ETCHING ORGANIC INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁
半導体装置1は、半導体基板10、層間絶縁膜群20(第1の層間絶縁膜群)、層間絶縁膜群30(第2の層間絶縁膜群)、およびシールリング40(ガードリング)を備えている。例文帳に追加
The semiconductor device 1 includes a semiconductor substrate 10, a group of interlayer insulating films 20 (a first group of interlayer insulating films), a group of interlayer insulating films 30 (a second group of interlayer insulating films), and a seal ring 40 (guard ring). - 特許庁
半導体層間絶縁膜の形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁
層間絶縁膜の段差測定装置例文帳に追加
DIFFERENCE MEASURING DEVICE FOR INSULATION FILM BETWEEN LAYERS - 特許庁
低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法例文帳に追加
METHOD FOR DRY-ETCHING LOW DIELECTRIC CONSTANT INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁
層間絶縁膜は、第1の層間絶縁膜201と、第1の層間絶縁膜201上に形成され銅の拡散を防止する性質を有する第2の層間絶縁膜202とから構成される。例文帳に追加
A layer insulating film is constituted of a first layer insulating film 201 and a second layer insulating film 202 which is formed on the first layer insulating film 201 and has a character to prevent the diffusion of copper. - 特許庁
低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法例文帳に追加
DRY ETCHING METHOD OF INSULATING FILM BETWEEN LOW DIELECTRIC CONSTANT LAYERS - 特許庁
そして、層間絶縁膜9を形成する。例文帳に追加
Then, an interlayer insulating film 9 is formed. - 特許庁
層間絶縁膜用感放射線性樹脂組成物例文帳に追加
RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁
この後、バリア膜、層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加
Then a barrier film and an inter-layer insulating film are formed. - 特許庁
層間絶縁膜のドライエッチング方法例文帳に追加
次に、層間絶縁膜7を全面に形成する。例文帳に追加
Then, an inter-layer insulating film 7 is formed on the entire surface face. - 特許庁
層間絶縁膜1は、SiO_2からなる。例文帳に追加
An interlayer insulating film 1 is formed of SiO_2. - 特許庁
TFT液晶ディスプレイ用層間絶縁膜例文帳に追加
INTERLAYER INSULATING FILM FOR TFT LIQUID CRYSTAL DISPLAY - 特許庁
層間絶縁構造およびその形成方法例文帳に追加
INTER-LAYER INSULATING STRUCTURE AND ITS FORMING METHOD - 特許庁
層間絶縁膜製造用の塗布組成物の製造法例文帳に追加
PROCESS FOR PREPARING COATING COMPOSITION FOR MANUFACTURING INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁
半導体層間絶縁膜形成用塗布液保存法例文帳に追加
METHOD OF PRESERVING COATING LIQUID FOR FORMING SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁
半導体装置及び層間絶縁層形成方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTER-LAYER INSULATION LAYER FORMING METHOD - 特許庁
難燃性樹脂組成物及び層間絶縁接着剤例文帳に追加
FLAME-RETARDANT RESIN COMPOSITION AND LAYER INSULATION ADHESIVE - 特許庁
層間絶縁膜のドライエッチング方法例文帳に追加
そして、全面に第2の層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加
Then a second inter-layer insulation film is formed over the whole surface. - 特許庁
層間絶縁膜の形成方法、及び半導体装置例文帳に追加
FORMATION OF INTERLAYER INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
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