「層間絶縁」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

基板１上に層間絶縁膜２１が形成されており、層間絶縁膜２１上にポリシリコン層１０が形成されている。例文帳に追加

An interlayer insulation film 21 is formed on a substrate 1, and a polysilicon layer 10 is formed on the interlayer insulation film 21. - 特許庁

そのザップダイオード上に層間絶縁膜３６を形成し、その層間絶縁膜３６の上に金属膜３９を積層する。例文帳に追加

Then an interlayer insulating film 36 is formed on the zap diode and a metallic film 39 is formed on the insulating film 36. - 特許庁

ポリシリコン層１０を覆って層間絶縁膜２２が形成されており、層間絶縁膜２２上にポリシリコン層１１が形成されている。例文帳に追加

An interlayer insulation film 22 is formed, while the polysilicon layer 10 is covered, and a polysilicon layer 11 is formed on the interlayer insulation film 22. - 特許庁

層間絶縁膜４と層間絶縁膜７の間には、隣り合う画素電極９ａ間の領域付近に対応してパターン膜６ｂが配置される。例文帳に追加

A pattern film 6b is arranged between the interlayer insulating film 4 and the interlayer insulating film 7 approximately according to the region between adjacent pixel electrodes 9a. - 特許庁

次に、これらを覆う層間絶縁膜を形成した後、層間絶縁膜上部に第２ドレイン電極と接続される画素電極を形成する。例文帳に追加

An interlayer insulating film for covering them is formed thereon, and a pixel electrode to be connected to the second drain electrode is formed on the interlayer insulating film. - 特許庁

ゲート電極６上は層間絶縁膜７によって覆われており、Ａｌのソース電極１０１は、層間絶縁膜７上に延在する。例文帳に追加

The gate electrode 6 is covered with an interlayer insulation film 7 and an Al source electrode 101 stretches to over the interlayer insulation film 7. - 特許庁

次に、表面に酸化防止膜が形成された配線を覆うように第１の層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜１０７を形成する。例文帳に追加

A second interlayer insulation film 107 is formed on the first interlayer insulation film to cover the wiring where the oxidation preventing film is formed at the surface. - 特許庁

その後、ＣＭＰ処理された層間絶縁膜２４３ｂの表面をエッチングすることにより、層間絶縁膜２４３ｂの膜厚を調整する。例文帳に追加

Subsequently the film thickness of the interlayer insulating film 243b is adjusted by etching the surface of the CMP processed interlayer insulating film 243b. - 特許庁

層間絶縁膜１０及び下層配線１２上にライナー膜２０と層間絶縁膜２２とが順次形成される。例文帳に追加

A liner film 20 and an interlayer insulating film 22 are formed on the interlayer insulating film 10 and the lower layer wiring 12 sequentially. - 特許庁

ゲート電極１２およびソース領域１４は、層間絶縁膜によって覆われ、この層間絶縁膜上にソース電極が形成されている。例文帳に追加

The gate electrode 12 and the source region 14 are covered with interlayer insulating film, and a source electrode is formed on this interlayer insulating film. - 特許庁

銅酸化物になると、銅の層間絶縁膜への拡散が遅くなり、後の工程の処理等により層間絶縁膜中へ拡散することはなくなる。例文帳に追加

When it turns into an oxide of copper, since the diffusion of copper into an interlayer insulating film becomes slow, there is no diffusion in the treatment of the subsequent processes. - 特許庁

液晶表示素子の層間絶縁膜を形成するための感放射線性組成物、それから形成された層間絶縁膜、および液晶表示素子例文帳に追加

RADIATION SENSITIVE COMPOSITION FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT, INTERLAYER INSULATION FILM FORMED THEREFROM AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT - 特許庁

コンタクトプラグ１７は、第１層間絶縁膜および第２層間絶縁膜内に設けられ、配線層およびソース／ドレイン領域に接する。例文帳に追加

A contact plug 17 is provided in the first interlayer insulating film and the second interlayer insulating film, and contacts the wiring layer and source/drain region. - 特許庁

層間絶縁膜１０及び下層配線１４上にライナー膜２０と層間絶縁膜２２とが順次形成される。例文帳に追加

On the interlayer dielectric 10 and the lower layer wiring 14, a liner film 20 and an interlayer insulating film 22 are sequentially formed. - 特許庁

クロック配線３８の上面を層間絶縁膜６２の表面より後退させ、この上に層間絶縁膜６４を積層する。例文帳に追加

The upper surface of the clock wiring 38 is retreated from the surface of the interlayer insulation film 62, and the interlayer insulating film 64 is laminated on this. - 特許庁

層間絶縁膜の形成方法、および当該層間絶縁膜を有するストレージキャパシタの形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING INTERLAYER DIELECTRIC FILM AND METHOD OF FORMING STORAGE CAPACITOR HAVING INTERLAYER DIELECTRIC FILM - 特許庁

層間絶縁膜１１ｂに配線溝１５を形成し、配線溝１５を含む層間絶縁膜１１ｂ上に窒化チタン膜１６を形成する。例文帳に追加

A wiring channel 15 is formed at an interlayer insulating film 11b, and a titanium nitride film 16 is formed on the interlayer insulating film 11b comprising the wiring channel 15. - 特許庁

有機成分を主成分とする有機膜からなる層間絶縁膜に対して、層間絶縁膜を酸化させることなくエッチングできるようにする。例文帳に追加

To etch an interlayer insulation film that is composed of organic film made mainly of organic constituent without oxidizing the interlayer insulation film. - 特許庁

半導体基板１０の上に第１の層間絶縁膜１１、第２の層間絶縁膜１３が形成されている。例文帳に追加

A first interlayer insulating film 11 and a second interlayer insulating film 13 are formed on a semiconductor substrate 10. - 特許庁

導体ＣＬＧと導体ＣＬＶとは、層間絶縁膜２０，３０のうち誘電率が高い方の層間絶縁膜２０だけをそれらの間に挟んでいる。例文帳に追加

Only the insulating film 20 having the larger permittivity of the interlayer insulating films 20, 30 is held between a conductor CLG and a conductor CLV. - 特許庁

次に、アルミ膜１５ａ上に上層層間絶縁膜１６を形成し、上層層間絶縁膜１６にビアプラグ１７を形成する。例文帳に追加

Then, an upper layer interlayer insulating film 16 is formed on the aluminum film 15a, and a via plug 17 is formed in the upper layer interlayer insulating film 16. - 特許庁

層間絶縁膜２３は有機膜からなり、上層画素電極２４は層間絶縁膜２３介してＴＦＴ５と重畳している。例文帳に追加

The interlayer insulating film 23 consists of an organic film and the upper pixel electrode 24 is overlapped on the TFT 5 with the interlayer insulating film 23. - 特許庁

配線１３を覆う層間絶縁膜１５の上面に、層間絶縁膜よりもエッチング速度の遅いエッチングストッパ膜１６を形成する。例文帳に追加

An etching stopper film 16 having a slower etching rate than that of an interlayer insulating film, is formed on an upper surface of the interlayer insulating film 15 covering wiring 13. - 特許庁

シリコン基板１上に層間絶縁膜４を形成し、層間絶縁膜４をエッチングしてコンタクトホール５を形成する。例文帳に追加

An interlayer insulation film 4 is formed on a silicon substrate 1 and then the interlayer insulation film 4 is etched and a contact hole 5 is made. - 特許庁

層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、埋め込みプラグを介して層間絶縁膜上の金属配線と半導体とのコンタクトを取る。例文帳に追加

A contact hole is formed on the inter-layer insulating film, and a metal wire on the inter-layer insulation film and a semiconductor are brought into contact through a buried plug. - 特許庁

半導体基板の上面に層間絶縁膜１０１が形成されており、層間絶縁膜１０１内に下層配線１０５が形成されている。例文帳に追加

An interlayer dielectric 101 is formed on the top of a semiconductor substrate, and a lower layer wiring 105 is formed in the interlayer dielectric 101. - 特許庁

コンタクトホール／層間絶縁膜の形成方法、コンタクトホール／層間絶縁膜、表示素子、表示装置、半導体演算素子およびコンピュータ例文帳に追加

CONTACT HOLE/INTERLAYER INSULATING FILM, FORMING METHOD THEREOF, DISPLAY DEVICE, DISPLAY UNIT, SEMICONDUCTOR OPERATIONAL DEVICE AND COMPUTER - 特許庁

層間絶縁膜を低誘電率化しても、層間絶縁膜を容易に加工することが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device wherein an interlayer insulating film can be worked easily in the case that permittivity of the interlayer insulating film is made low. - 特許庁

多層プリント配線板用層間絶縁接着剤および多層プリント配線板用層間絶縁接着剤付き銅箔例文帳に追加

INTERLAMINAR INSULATING ADHESIVE FOR MULTILAYERED PRINTED WIRING BOARD AND COPPER FOIL WITH INTERLAMINAR INSULATING ADHESIVE FOR THE MULTILAYERED WIRING BOARD - 特許庁

半導体基板１１上には層間絶縁膜１２が形成され、層間絶縁膜１２内にはコンタクトプラグ１３が埋め込まれている。例文帳に追加

An interlayer insulating film 12 is formed on a semiconductor substrate 11, and a contact plug 13 is embedded in the interlayer insulating film 12. - 特許庁

塗布型層間絶縁膜形成用組成物の製造方法、塗布型層間絶縁膜形成用組成物および電子デバイス例文帳に追加

PROCESS FOR PRODUCING COATING TYPE INTERLAMINAR INSULATION FILM-FORMING COMPOSITION, COATING TYPE INTERLAMINAR INSULATION FILM-FORMING COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE - 特許庁

複数のゲートパターン１３２〜１３２ｄは隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々提供される。例文帳に追加

A plurality of gate patterns 132a to 132d are each provided between adjacent lower interlayer dielectrics and adjacent upper interlayer dielectrics. - 特許庁

次に、層間絶縁膜を形成し、さらに、レジストをマスクにして、層間絶縁膜にトレンチを形成する。例文帳に追加

Then, an interlayer insulating film is formed, and in addition, the trench is formed in the interlayer insulating film with a resist as a mask. - 特許庁

全体に層間絶縁膜１２が設けられ、ゲート電極１０上に、層間絶縁膜１２を貫通するビアプラグ１４が複数個設けてある。例文帳に追加

An interlayer insulating film 12 is provided on the whole and a plurality of via plugs penetrating the film 12 are provided on the electrode 10. - 特許庁

層間絶縁膜の評価用ＴＥＧを含む半導体装置とその製造方法及び層間絶縁膜の評価方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE INCORPORATING INTERLAYER INSULATING FILM EVALUATING TEG, ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD FOR EVALUATING INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁

第１層間絶縁層２０と、第２層間絶縁層５０とは、引張応力を有する層と、圧縮応力を有する層とを含んでいる。例文帳に追加

The insulating layer 20 and the insulating layer 50 contain layers having a tensile stress and layers having a compressive stress. - 特許庁

さらに、ＣＭＰ法を用いて、層間絶縁膜３をゲート電極２からの厚さが０．８μｍとなるまで研磨し、層間絶縁膜３を平坦化する。例文帳に追加

The film 3 is polished by a CMP(chemical-mechanical polishing) method until a thickness of the film from the gate electrode 2 becomes 0.8 μm to be thereby flatten. - 特許庁

Ｓｉ基板１上に層間絶縁膜２を成膜し、層間絶縁膜２にコンタクトホール４を形成する。例文帳に追加

An interlayer insulating film 2 is formed on an Si substrate 1, and a contact hole 4 is formed at the interlayer insulating film 2. - 特許庁

半導体チップ１０は、ＩＣチップ２０上に層間樹脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０を配置して成る。例文帳に追加

In a semiconductor chip 10, an interlayer resin insulating layer 50 and an interlayer resin insulating layer 150 are formed on an IC chip 20. - 特許庁

基板11上に第1層間絶縁膜13を形成し、第1層間絶縁膜13に導電体柱14A、14Bを形成する。例文帳に追加

A first interlayer insulation film 13 is formed on a substrate 11, and conductor posts 14A, 14B are formed in the first interlayer insulation film 13. - 特許庁

半導体基板１０の上に、エッチングストッパー膜１７、第１の層間絶縁膜１８及び第２の層間絶縁膜１９を順次形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 10, an etching stopper film 17, a first interlayer insulating film 18 and a second interlayer insulating film 19 are formed in order. - 特許庁

また、好ましくは、第３層間絶縁膜の比誘電率は、第１及び第２層間絶縁膜（４１及び４２）のそれよりも低い。例文帳に追加

Preferably, the specific dielectric constant of the 3rd interlayer insulating film is smaller than those of 1st and 2nd interlayer insulating films (41 and 42). - 特許庁

汎用の現像液を使用可能な層間絶縁膜を形成する方法及び層間絶縁膜用感光性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming an interlayer insulation film in which a general-purpose developer can be used and a photosensitive resin composition for the interlayer insulation film. - 特許庁

プラグ２６、２７が形成されていない領域の層間絶縁膜２４の一部を除去し、層間絶縁膜２４に段差を形成する。例文帳に追加

A part of the interlayer-insulating film 24 over a region on which the plugs 26, 27 are not formed is eliminated, and a step-difference is formed on the interlayer-insulating film 24. - 特許庁

基板全面に層間絶縁膜２６を堆積した後、層間絶縁膜２６のうち浮遊ゲートを形成するべき部分に溝（凹部）を形成する。例文帳に追加

An interlayer insulating film 26 is deposited on all the surface of the substrate 10, and a groove (recess) is provided to a part of the interlayer insulating film 26 where a floating gate is to be formed. - 特許庁