「層間絶縁」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

多層配線基板の製造方法及び絶縁性層間接合材例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER WIRING BOARD AND INSULATING INTERLAYER JOINING MATERIAL - 特許庁

上部領域１７ｃは、層間絶縁膜１１の側面を含む。例文帳に追加

The upper region 17c includes the side surface of the interlayer insulating film 11. - 特許庁

層間絶縁膜１１の上側に形成された画素電極を備える。例文帳に追加

A pixel electrode is formed on the upper side of the interlayer insulating film 11. - 特許庁

Ｓｉ基板１上に第１の層間絶縁膜２を形成する。例文帳に追加

A first interlayer insulation film 2 is formed on an Si substrate 1. - 特許庁

層間絶縁膜２上にトリミング素子Ｔを形成する。例文帳に追加

A trimming element T is formed on an interlayer insulation film 2. - 特許庁

半導体層間絶縁材料及びこれを用いた半導体素子例文帳に追加

SEMICONDUCTOR LAYER-INSULATING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

低誘電率層間絶縁膜材料およびこれを用いた半導体装置例文帳に追加

INTERLAYER DIELECTRIC MATERIAL WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT - 特許庁

半導体基板２上には、第１層間絶縁膜３が形成されている。例文帳に追加

A first interlayer dielectric 3 is formed on a semiconductor substrate 2. - 特許庁

多層配線の層間絶縁層の膜剥れや、クラックを防止する。例文帳に追加

To prevent the peeling of films and cracks in the interlayer insulation layer of multilayer wiring. - 特許庁

層間絶縁膜の形成方法、半導体製造装置、及び半導体装置例文帳に追加

METHOD OF FORMING INTERLAYER INSULATING FILM, SEMICONDUCTOR PROCESSING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

層間絶縁膜およびマイクロレンズは、上記組成物から形成される。例文帳に追加

The interlayer insulation film and microlenses are formed from the composition. - 特許庁

半導体基板上に層間絶縁膜(22)が形成されている。例文帳に追加

An interlayer insulating film 22 is formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

そのシリコン窒化膜８上に層間絶縁膜１１が形成されている。例文帳に追加

An interlayer insulating film 11 is formed on the silicon nitride 8. - 特許庁

層間絶縁膜形成方法、半導体デバイス、及び半導体製造装置例文帳に追加

METHOD FOR FORMING INTERLAYER DIELECTRIC FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE AND APPARATUS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR - 特許庁

層間絶縁膜１２の上部に反射防止膜１４を成膜する。例文帳に追加

An antireflection film 14 is formed on the upper part of an interlayer insulating film 12. - 特許庁

層間絶縁膜およびその製造方法、ならびに半導体装置例文帳に追加

INTERLAYER INSULATION FILM, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ例文帳に追加

RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATION FILM AND MICROLENS - 特許庁

有機系低誘電率層間絶縁膜のエッチング方法および装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR ETCHING INSULATING FILM BETWEEN ORGANIC LOW DIELECTRIC CONSTANT LAYERS - 特許庁

（ａ）半導体基板上に、凹部が設けられた層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加

(a) An interlayer dielectric provided with a recess is formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

次に、シリコン窒化膜上に層間絶縁膜６０を形成する。例文帳に追加

An interlayer insulating film 60 is formed on the silicon nitride film. - 特許庁

低誘電率層間絶縁膜、それを有する基板およびその製造方法例文帳に追加

LOW DIELECTRIC-CONSTANT INTERLAYER INSULATION FILM, SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

多層プリント配線板製造用の層間絶縁材料を提供する。例文帳に追加

To provide an interlayer insulation material for use in producing a multilayer printed wiring board. - 特許庁

次に、第一の層間絶縁膜２に埋め込み配線７を形成する。例文帳に追加

Then, the embedded wiring 7 is formed in the first inter-layer insulation film 2. - 特許庁

層間絶縁膜１の上にエッチングストッパ膜２が形成される。例文帳に追加

An etching stopper film 2 is formed on an interlayer insulating film 1. - 特許庁

エッチングストッパ膜４の上には層間絶縁膜５が形成される。例文帳に追加

An interlayer insulating film 5 is formed on the etching stopper film 4. - 特許庁

次に、第１の層間絶縁膜上に配線１０６を形成する。例文帳に追加

A wiring 106 is formed on the first interlayer insulation film. - 特許庁

半導体基板１０上には、層間絶縁膜２０が形成されている。例文帳に追加

An interlayer insulating film 20 is formed on a semiconductor substrate 10. - 特許庁

それから製造された層間絶縁膜およびマイクロレンズ。例文帳に追加

The interlayer insulating film and the microlens are produced from the above composition. - 特許庁

基板上にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加

An inter-layer insulating film having a contact hole is formed on a substrate. - 特許庁

層間絶縁膜１７には溝１７ａ，１７ｂが形成されている。例文帳に追加

Grooves 17a and 17b are formed on the interlayer insulating film 17. - 特許庁

半導体装置の配線層間絶縁膜及びその製造方法例文帳に追加

INTER-WIRING LAYER INSULATING FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

そして、このダミーパターンの上に層間絶縁膜５を形成する。例文帳に追加

Then the interlayer insulating film 5 is formed on the dummy patterns. - 特許庁

注入マスク材１の上層には層間絶縁膜７を形成する。例文帳に追加

A layer insulation film 7 is formed in an upper layer of the implantation mask material 1. - 特許庁

層間絶縁膜２上には、配線３が所定のパターンで形成されている。例文帳に追加

On an interlayer dielectric 2, wiring 3 is formed in a prescribed pattern. - 特許庁

トリミング素子Ｔの上を層間絶縁膜３ａで被覆する。例文帳に追加

An interlayer insulation film 3a covers the trimming element T. - 特許庁

アルミニウム配線１１上に層間絶縁膜１２が形成されている。例文帳に追加

An interlayer insulation film 12 is formed on an aluminum interconnect 11. - 特許庁

その後、第２層間絶縁膜と、銅を用いた第２導電層を形成する。例文帳に追加

Subsequently, a second interlayer insulation film and a second conductive layer are formed. - 特許庁

インクジェット方式により層間絶縁膜を形成するための組成物例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING INTERLAYER INSULATING FILM BY INK JET SYSTEM - 特許庁

層間絶縁膜の形成方法および半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING INTERLAYER INSULATING FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体基板の表面上に層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加

An interlayer insulating film is formed on a surface of a semiconductor substrate. - 特許庁

半導体装置の層間絶縁膜形成材料及びその形成方法例文帳に追加

MATERIAL FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING THE SAME - 特許庁

層間絶縁膜に、その底面まで達するビアホールを形成する。例文帳に追加

On the inter layer insulating film, a via hole reaching its bottom surface is formed. - 特許庁

半導体装置の製造方法及び層間絶縁膜の形成方法例文帳に追加

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTER- LAYER INSULATION FILM - 特許庁

半導体基板中の複数の素子層間を有効に絶縁分離する。例文帳に追加

To effectively insulate and isolate a plurality of element layers in a semiconductor substrate. - 特許庁

半導体装置は、複数の空孔を含む層間絶縁膜１６を備えている。例文帳に追加

The semiconductor device includes the interlayer insulating film 16 that has multiple holes. - 特許庁