「層間絶縁」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

層間絶縁分担電圧が層間絶縁の部分放電電圧未満か、層間絶縁分担電圧における課電寿命が回転電機全体の余寿命以上の場合には、供試インバータで駆動可と判断する。例文帳に追加

Then the determined voltage born by interlayer insulation is compared with the partial discharge characteristic and voltage-applied life-time characteristic of the electric rotating machine. - 特許庁

素子５が設けられた半導体基板３の表面側が第１層間絶縁膜９および第２層間絶縁膜１３で覆われており、この第２層間絶縁膜１３上にボンディングパッド１５が形成されている。例文帳に追加

The surface side of a semiconductor substrate 3 provided with elements 5 is covered with a first interlayer insulating film 9 and a second interlayer insulating film 13 with a bonding pad 15 being formed on the second interlayer insulating film 13. - 特許庁

その後、３層目層間絶縁膜６のみを研磨することにより、３層目層間絶縁膜６の突出した凸部６ａを削り、３層目層間絶縁膜６を平坦化する。例文帳に追加

Then, a protruded projection parts 6a of the third interlayer insulating film 6 are cut, and the third interlayer insulating film 6 is flattened by polishing only the third interlayer insulating film 6. - 特許庁

第三層間絶縁膜１０３、第二層間絶縁膜１０４、第二エッチングストッパ膜１０５、および第一層間絶縁膜１０６にビアホール１１１を形成する。例文帳に追加

A via hole 111 is made in the third interlayer insulating film 103, the second interlayer insulating film 104, the second etching stopper film 105 and the first interlayer insulating film 106. - 特許庁

その後、層間絶縁膜６ｂ、ストレージノード層間絶縁膜９に対して選択比の取りやすい２０〜７０ｎｍ程度のエッチングストッパ膜１０を形成し、ストレージノード層間絶縁膜９を成膜する。例文帳に追加

Then, an interlayer insulating film 6b and an etching stopper film 10 of about 20-70 nm which is easy to take selectivity ratio to a storage node interlayer insulating film 9 are made, and the Storage node interlayer insulating film 9 is grown. - 特許庁

機械強度、均一性に優れた低誘電率の層間絶縁膜形成用組成物、該組成物を硬化して得られる層間絶縁膜および該組成物を用いた層間絶縁膜の形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition for forming a low K interlayer insulating film with high mechanical strength and uniformity, an interlayer insulating film obtained by curing the composition, and a method of forming the interlayer insulating film using the composition. - 特許庁

その下部層間絶縁膜を直接覆うように下部層間絶縁膜とはエッチング特性の異なる上部層間絶縁膜１０を形成する。例文帳に追加

An upper part inter-layer insulating film 10, whose etching characteristics is different from the lower part inter-layer insulating film 8, is so formed as to directly cover the lower part inter-layer insulating film 8. - 特許庁

シリコン基板１上に形成した第１層間絶縁膜５上に局所配線１５を形成し、この局所配線１５を覆うように第１層間絶縁膜５上に第２層間絶縁膜８を形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming local wiring 15 on a first interlayer insulating film 5 formed on a silicon substrate 1, and forming a second interlayer insulating film 8 on the first interlayer insulating layer 5 to cover the local wiring 15. - 特許庁

半導体チップ１Ｃのコーナ部において、層間絶縁膜３、層間絶縁膜５および層間絶縁膜６が除去されて、長溝９が形成されている。例文帳に追加

At a corner of the semiconductor chip 1C, the interlayer dielectric 3, the interlayer dielectric 5 and the interlayer dielectric 6 are removed to form an elongated groove 9. - 特許庁

第１の層間絶縁膜１０３Ａの開口部に有機膜からなる第３の層間絶縁膜１０６を充填した後、ハードマスク１０８Ａを用いて第１の層間絶縁膜１０３Ａをエッチングする。例文帳に追加

After the opening part of the first inter-layer insulating film 103A is filled with a third inter-layer insulating film 106 composed of an organic film, the first inter-layer insulating film 103A is etched, while using a hard mask 108A. - 特許庁

本発明の半導体装置では、メモリセル領域AreaAにおける層間絶縁膜２６の上にキャパシタ３７が設けられ、周辺回路領域AreaBにおける層間絶縁膜３０の上に層間絶縁膜３０が設けられている。例文帳に追加

In the semiconductor device, a capacitor 37 is provided on an interlayer insulating film 26 in a memory cell region AreaA, and an interlayer dielectric 30 is provided on the interlayer dielectric 30 in a peripheral circuit region AreaB. - 特許庁

少なくとも外側の層間絶縁膜よりも、その内側の層間絶縁膜のドライエッチングレートが極めて遅い条件で、外側の層間絶縁膜を選択的にエッチングして、スルーホールを形成することを特徴とする。例文帳に追加

Under such condition as at least a dry-etching rate of an inter- layer insulating film is significantly slower than an inter-layer insulating film positioned outside of it, the inter-layer insulating film on the outer side is selectively etched to form a through hole. - 特許庁

半導体基板１０上に堆積された第１層の層間絶縁膜１１に第１層の金属配線１２を形成した後、第１層の層間絶縁膜１１の上に第２層の層間絶縁膜１３を堆積する。例文帳に追加

After a metal wiring 12 of a first layer is formed on an interlayer insulation film 11 of the first layer deposited on a semiconductor wafer 10, an interlayer insulation film 13 of a second layer is deposited on the film 11 of the first layer. - 特許庁

次に、第１構造体の第１層間絶縁膜上に、強誘電体キャパシタを埋め込むように、第２層間絶縁膜６０を形成した後、エッチングにより第２層間絶縁膜に第２開口部５２を設ける。例文帳に追加

Then, after a second interlayer insulating film 60 is formed on the first interlayer insulating film of the first structure so as to embed the ferroelectric capacitor, a second opening 52 is provided in the second interlayer insulating film by etching. - 特許庁

絶縁表面上に第１配線と、前記第１配線を覆う第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上の一部に接して第２層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜上に第２配線とを有し、前記第１配線と前記第２配線とが重なっている領域には、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜とが積層された半導体装置である。例文帳に追加

A semiconductor device includes first wiring, a first interlayer insulating film for covering the first wiring, a second interlayer insulating film abutting on one portion of an area on the first interlayer insulating film, and second wiring on the first interlayer insulating film and the second interlayer insulation film on an insulating surface, and also includes the stacked first and second interlayer insulating films at a region where the first wiring overlaps with the second wiring. - 特許庁

層間絶縁膜３０は、複数の第１ビアホール３５を有する第１絶縁部３１と、複数の第２ビアホール３６を有する第２絶縁部３２と、第１絶縁部３１と第２絶縁部３２との間に位置し、上面が平らな第３絶縁部３３とを備える。例文帳に追加

The interlayer insulating film 30 includes first insulation parts 31 having a plurality of first via holes 35, second insulation parts 32 having a plurality of second via holes 36, and third insulation parts 33 interposed between the first insulation parts 31 and second insulation parts 32 and having flat upper surfaces. - 特許庁

第１の絶縁膜４２と第２の絶縁膜４３とよりなる層間絶縁膜を挟んだ上下の配線を接続する接続孔４７を層間絶縁膜に形成する過程で、まず、第２の絶縁膜４３を５０ｎｍ程度残して接続孔４７を形成する。例文帳に追加

A connecting hole 47 is formed first of all with a second insulating film 43 of about 50 nm left therein, in the process to form, to an interlayer insulating film, the connecting hole 47 for connecting the upper and lower wirings to hold the interlayer insulating film with a first insulating film 42 and a second insulating film 43. - 特許庁

そして、ドリフト領域間においては、エミッタ電極とドリフト層間に層間絶縁膜が形成される。例文帳に追加

Between the drift regions, an interlayer dielectric is formed between an emitter electrode and a drift layer. - 特許庁

配線板の層間接続構造およびその製造方法および層間絶縁層の穴開け装置例文帳に追加

INTERLAYER CONNECTION STRUCTURE OF WIRING BOARD AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND APPARATUS FOR PUNCHING INTERLAYER INSULATING LAYER - 特許庁

隣接する配線層間の距離が短くなり、配線層間の電気絶縁の信頼性が低い。例文帳に追加

To resolve a problem where the distance between adjacent wiring layers becomes shorter and thus the reliability of electrical insulation between the wiring layers is low. - 特許庁

半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成し、この第１の層間絶縁膜に第１の開孔を形成し、この第１の層間絶縁膜上に、第１の開孔を充填しないように第２の層間絶縁膜を形成し、この第２の層間絶縁膜に、第１の開孔に接続する第２の開孔を形成する。例文帳に追加

A first interlayer insulating film is formed on a semiconductor substrate, a first aperture is formed on the first interlayer insulating film, a second interlayer insulating film is formed on the first interlayer insulating film so as not to fill the first aperture, and a second aperture that is to be connected to the first aperture is formed on the second interlayer insulating film. - 特許庁

第２層間絶縁膜１０７をウエットエッチングレートの早い第２層間絶縁膜Ａ１０７Ａと通常の第２層間絶縁膜Ｂ１０７Ｂに分けることにより、第１層間絶縁膜１０６との界面での横方向のエッチングを積極的に利用し、層間絶縁膜界面でのくさび状の段差ができないようにし電極の断線を防ぐ。例文帳に追加

A second interlayer insulating film 107 is divided into a second interlayer insulating film A 107a having a fast wet etching rate, and a second interlayer insulating film B 107B having a usual wet etching rate to positively utilize transversal etching at an interface with a first interlayer insulating film 106 thereby avoiding formation of a wedge-shaped step difference at the interface of the interlayer insulating films and preventing disconnection of electrode wiring. - 特許庁

半導体ウエハ１上に積層された第１の層間絶縁膜２０と、第１の層間絶縁膜２０上に積層され第１の層間絶縁膜２０のエッチング特性と異なるエッチング特性を有する第２の層間絶縁膜２１と、第１及び第２の層間絶縁膜２０、２１に連通して形成された開口部２２内に形成されたキャパシタ２３とを備えたものである。例文帳に追加

This semiconductor device is provided with a first interlayer insulating film 20 laminated on a semiconductor wafer 1, a second interlayer insulating film 21 which is laminated on the first interlayer insulating film 20 and has etching characteristic different from that of the film 20, and a capacitor 23 formed in an aperture part 22, which is formed being continuously connected with the first and the second interlayer insulating films 20, 21. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴは、基板上１１に形成されたゲート電極１２と、ゲート電極を覆うように成膜された第１の層間絶縁膜１４と、第１の層間絶縁膜上に形成されてビッド線１６と、ビッド線上及び第１の層間絶縁膜上に成膜された第２の層間絶縁膜１８と、第２の層間絶縁膜上に形成された容量素子２０とを備えている。例文帳に追加

This MOSFET is provided with gate electrodes 12, the first interlayer insulating film 14 formed covering the gate electrodes 12, a bit line 16 formed on the first interlayer insulating film 14, the second interlayer insulating film 18 formed on the bit line 16, and the first interlayer insulating film 14 as well as a capacity element 20 formed on the second interlayer insulating film 18. - 特許庁

層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料と、窒素を含有するガスとを用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。例文帳に追加

A method for forming an interlayer insulating film is characterized in that an interlayer insulating film is formed on a substrate using a gas containing an insulating film material (known compound including silicon and CH_3) and nitrogen by a plasma CVD method. - 特許庁

絶縁性に優れ、高温でベークされた場合においても高い透明性を有する層間絶縁膜用ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた層間絶縁膜、該層間絶縁膜を具備する有機ＥＬ表示装置、及び液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photosensitive resin composition for an interlayer insulating film which is excellent in insulation and retains high transparency even when baked at a high temperature, an interlayer insulating film using the same, and an organic EL display and a liquid crystal display including the interlayer insulating film. - 特許庁

層間絶縁膜３により絶縁された多層配線の最上層の金属層５をパターニングして層間絶縁膜エッチング用ハードマスクを形成し、このマスクを用いて、層間絶縁膜３をエッチングして半導体基板１の周辺部分に基板表面が露出する空堀４を形成する。例文帳に追加

A hard mask for etching the interlayer dielectric is formed by patterning the uppermost metal layer 5 of a multilevel interconnection insulated by the interlayer dielectric 3, and the interlayer dielectric 3 is etched using the mask to form the empty groove 4 which is located in the periphery of the semiconductor substrate 1 to makes its surface exposed. - 特許庁

絶縁基板上に形成された半導体膜の、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の不純物領域上に、第１の層間絶縁膜を形成し、ゲート電極上に第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加

A first interlayer dielectric is formed on a pair of dopant regions functioning as a source region or a drain region of a semiconductor film formed on an insulating substrate, and the first interlayer dielectric and a second interlayer dielectric are formed on the gate electrode. - 特許庁

層間絶縁膜に開口した凹部の底部及び側壁から層間絶縁膜上面にかけて形成した導電膜を、導電膜形成後の凹部内に保護絶縁膜を形成すること無しに層間絶縁膜上面の導電膜のみを選択的に除去する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for selectively removing only a conductive film on the top surface of an interlayer insulating film without forming a protection insulating film in a recess after forming the conductive film, in the conductive film formed extending from a bottom and a sidewall of the recess formed at an interlayer insulating film to a top surface of the interlayer insulating film. - 特許庁

層間の絶縁膜１０としては、大部分を構成する第１絶縁膜１０１と、この第１絶縁膜１０１に隣接してＣｕ配線部材１２の側壁を形成する第２絶縁膜１０２が構成されている。例文帳に追加

A first insulation film 101 constituting a large part of the interlaminar insulation film 10 and a second insulation film 102 forming a side wall of the Cu wiring member 12 adjacent to the first insulation film 101 are constituted. - 特許庁

層間絶縁膜ＩＬは酸化シリコンを主体とする絶縁膜であり、特に、第２絶縁膜ＩＬ２はリンおよびホウ素を含み、第３絶縁膜ＩＬ３はリンを含む。例文帳に追加

The interlayer insulating film IL is an insulating film that is mainly made of silicon oxide, wherein especially the second insulating film IL2 contains phosphorus and boron, while the third insulating film IL3 contains phosphorus. - 特許庁

フッ素添加カーボン膜を絶縁膜例えば層間絶縁膜として用い、この絶縁膜に銅を含む金属配線を形成するにあたり、絶縁膜と金属配線との間において、フッ素及び銅の拡散を防ぐこと。例文帳に追加

To prevent the diffusion of fluorine and copper between a dielectric film and metal wiring when forming the metal wiring containing copper in the dielectric film using a fluorine-added carbon film as a dielectric film, e.g. interlayer dielectric film. - 特許庁

層間絶縁膜としてＢＰＳＧ絶縁膜を用いる場合に、ＢＰＳＧ絶縁膜上に形成される上部電極の電極材料がＢＰＳＧ絶縁膜に拡散することを抑制する。例文帳に追加

To prevent an electrode material of an upper electrode formed on a BPSG insulating film from diffusing in the BPSG insulating film when the BPSG insulating film is used as an interlayer insulating film. - 特許庁

その後、下層絶縁膜２２ａ及び上層絶縁膜２２ｂの２層構造の層間絶縁膜２２を形成し、上層絶縁膜２２ｂに開口部２４ａを形成する。例文帳に追加

Then, the insulation layer 22 as a two-layer structure of a lower insulation film 22a and an upper insulation film 22b is formed, and an opening 24a is formed on the upper insulation film 22b. - 特許庁

その後、下層絶縁膜１９ａ及び上層絶縁膜１９ｂの２層構造の層間絶縁膜１９を形成し、容量電極１６ｃの上方に上層絶縁膜１９ｂの開口部２０を形成する。例文帳に追加

Then, an insulation layer 19 as a two-layer structure of a lower insulation film 19a and an upper insulation film 19b is formed, and an opening 20 of the upper insulation film 19b is formed above the capacitive electrode 16c. - 特許庁

層間絶縁樹脂層やソルダーレジスト層等の絶縁樹脂層にピンホールが形成されるのを防止し、かかる絶縁樹脂層の絶縁性及び接続信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve insulating property and connection reliability of an insulating resin layer such as an inter-layer insulating resin layer and a solder resist layer by preventing a pinhole from being formed in the insulating resin layer. - 特許庁

省エネルギーで、絶縁層の絶縁特性および層間密着性を良好にできる絶縁電線の製造装置および絶縁電線の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a device and method for producing an insulation wire, saving energy and capable of allowing an insulation layer to have good insulation characteristics and interlayer adhesion. - 特許庁

ゲイト絶縁膜およびゲイト電極を覆って層間絶縁膜を成膜後、層間絶縁膜をパターニングし、少なくとも１つのゲイト電極を露呈する。例文帳に追加

After forming an interlayer insulating film by covering a gate insulating film and gate electrodes, at least one of the gate electrodes is exposed by patterning the interlayer insulating film. - 特許庁

層間絶縁体、あるいは層内絶縁体および層間絶縁体としてエアギャップを統合する銅のインタコネクトを製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a copper interconnect integrating an air gap as an inter-layer insulator or an in-layer insulator and the inter- layer insulator. - 特許庁

第１のガラス基板１０には、層間絶縁膜２３と、この層間絶縁膜２３の上に形成された共通電極２５と、この共通電極２５の上に画素絶縁膜２７を介して形成された画素電極２９とが設けられている。例文帳に追加

On the first glass substrate 10, an interlayer dielectric 23, a common electrode 25 formed on the interlayer dielectric 23 and a pixel electrode 29 formed on the common electrode 25 through a pixel insulating film 27 are formed. - 特許庁

絶縁性水素透過防止膜１１６の上には第２の層間絶縁膜１１８が形成され、第２の層間絶縁膜１１８には第３の導電性プラグ１１９が埋め込まれている。例文帳に追加

A second interlayer insulation film 118 is formed on the insulating hydrogen anti-permeation film 116 and a third conductive plug 119 is embedded in the second interlayer insulation film 118. - 特許庁

ＴＦＴアレイ基板２００は、基板１０上に半導体層１、ゲート絶縁膜２、走査線３及び容量線３ｂ、平坦化処理された層間絶縁膜４、層間絶縁膜７、画素電極９ａが順次積層されて構成される。例文帳に追加

The TFT array substrate 200 is formed by successively laminating a semiconductor layer 1, gate insulating film 2, scanning line 3 and capacitor line 3b, flattened interlayer insulating film 4, interlayer insulating film 7 and pixel electrodes 9a on a substrate 10. - 特許庁

電子デバイスなどの層間絶縁膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有する層間絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an insulation film-forming composition forming an interlayer insulation film having a low dielectric constant and excellent mechanical strength used as an interlayer insulation film of an electronic device or the like. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に形成された層間絶縁膜１０２と、層間絶縁膜１０２上に設けられている多層絶縁膜１４０とを備える。例文帳に追加

This semiconductor device comprises a semiconductor substrate (not shown in the figure), an interlayer insulating film 102 formed on the semiconductor substrate, and a multi-layer insulating film 140 provided on the interlayer insulating film 102. - 特許庁

プラグ１６を形成した絶縁膜１４上にシリコンリッチな酸化膜よりなる層間絶縁膜１７およびＴＥＯＳ膜よりなる層間絶縁膜１８を形成する。例文帳に追加

On an insulation film 14 wherein plugs 16 are formed, an interlayer insulation film 17 consisting of a silicon-rich oxide film and an interlayer insulation film 18 consisting of TEOS film are formed. - 特許庁