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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 層間絶縁の意味・解説 > 層間絶縁に関連した英語例文

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層間絶縁の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5627



例文

ゲート電極22を覆ってゲート絶縁膜21上に、水素化窒化シリコン膜により層間絶縁膜25を形成する。例文帳に追加

An interlayer dielectric 25 is formed on a gate dielectric 21 by using a hydrogenized silicon nitride film to cover therewith a gate electrode 22. - 特許庁

半導体基板(図示せず)上に形成された下層配線101に絶縁性バリア膜102及び層間絶縁膜103を順次形成する。例文帳に追加

On a lower layer interconnection 101 formed on a semiconductor substrate (not shown in Figure), an insulating barrier film 102 and an interlayer insulation film 103 are formed in order. - 特許庁

低誘電率絶縁体からなる層間絶縁膜を用いた半導体装置において、機械的及び熱的な耐性を向上できるようにする。例文帳に追加

To improve the mechanical and thermal resistances of a semiconductor device using a layer insulation film made of a low-dielectric constant insulator. - 特許庁

層間絶縁膜として用いられているSiO_2、SiOFよりも比誘電率の低い絶縁膜をシリコン基板に形成する。例文帳に追加

To form an insulating film with a lower dielectric constant than the dielectric constants of SiO2 and SiOF used as an interlayer insulating film. - 特許庁

例文

膜5の上に、絶縁膜3と同質の絶縁膜9を形成し、第2層配線用溝10および層間接続配線用孔11を形成する。例文帳に追加

An insulation film 9, whose quality is similar to the insulating film 3, is formed on the film 5, and second layer wiring grooves 10 and an interlayer connection wiring hole 11 are formed. - 特許庁


例文

容量絶縁膜5A上及び凹部10近傍の層間絶縁膜4上に容量上部電極9が形成されている。例文帳に追加

A capacitance upper electrode 9 is formed on the capacitive insulating film 5A and on the inter-layer insulating film 4 nearby the recess 10. - 特許庁

同様にして金属層29上に層間絶縁膜24’を形成して平坦化してから絶縁性の反射防止膜26’を形成する。例文帳に追加

In the same process, an interlayer insulating film 24' is formed on the metal layer 29 and flattened, and an insulating antireflection film 26' is formed. - 特許庁

絶縁体層とコイル用導体パターンを積層し、絶縁層間のコイル用導体パターンを接続して積層体内にコイルが形成される。例文帳に追加

Insulator layers and coil conductor patterns are laminated, and the coil conductor patterns between the insulator layers are connected to form a coil inside the laminate. - 特許庁

ガラス基板101上にゲート電極102,ゲート絶縁層103を形成し、その上に層間絶縁層104を形成する。例文帳に追加

A gate electrode 102 and a gate insulating layer 103 are formed on a glass substrate 101, and an interlayer insulating layer 104 is formed thereon. - 特許庁

例文

層間絶縁膜となるシリコン系絶縁膜が形成されたSiウェーハ上に、容量電極となるアモルファスシリコン膜を形成する。例文帳に追加

On an Si wafer on which a silicon-based insulating film which becomes an interlayer insulating film is formed, an amorphous silicon film which becomes a capacity electrode is formed. - 特許庁

例文

液晶表示素子の層間絶縁膜は上記感放射線性組成物から形成され、液晶表示素子は上記創刊絶縁膜を具備する。例文帳に追加

The interlayer insulation film of the liquid crystal display element is formed from the radiation sensitive composition and the liquid crystal display element has the interlayer insulation film. - 特許庁

この酸素バリア層71と同一面内で連続するように、絶縁性酸素バリア層31を層間絶縁膜2上に形成する。例文帳に追加

An insulating oxygen barrier layer 31 is formed on an interlayer dielectric 2 continuously to the oxygen barrier layer 71 in the same plane. - 特許庁

低比誘電率、弾性率等に優れた層間絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a composition for forming an insulation film capable of forming an interlayer insulation film excellent in low dielectric constant, elastic modulus, etc. - 特許庁

次に、スペーサ及び絶縁膜をマスクとして層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成する。例文帳に追加

Then, the spacer and insulation film are used as a mask to etch the interlayer insulation film, thereby forming a contact hole. - 特許庁

これにより、層間絶縁膜6の内部に含まれる水分が離脱され、ウエハ状態で長期間保存しても絶縁劣化のおそれがなくなる。例文帳に追加

Thereby, water contained inside the layer insulation film 6 can be removed and possibility of insulation deterioration is eliminated even in long-term storage in wafer state. - 特許庁

第1層目配線3と第2層目配線5との間には、層間絶縁膜4が設けられ、第2層目配線5は、保護絶縁膜6で被覆される。例文帳に追加

An interlayer insulation film 4 is provided between the first-layer wiring 3 and the second-layer wiring 5, and the second- layer wiring 5 is covered with a protection insulation film 6. - 特許庁

問題となる層間絶縁樹脂厚のバラツキが少なく、ガラスクロスのない絶縁層を有するプリント配線板を提供すること。例文帳に追加

To provide a printed wiring board having less dispersion of interlayer insulating resin thickness, which becomes a problem, and having an insulating layer without glass cloth. - 特許庁

ダミー配線50の上方に、絶縁膜(層間絶縁膜37、第1及び第2保護膜39,40)を介して信号配線6を形成する。例文帳に追加

Above the dummy wiring 50, signal wiring 6 is formed through an insulating film (interlayer insulating film 37, first and second protective films 39 and 40). - 特許庁

第2プラグ及びストッパ膜を備える第2絶縁膜上に、導電膜パターン、層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加

The second insulation film provided with the second plug and the stopper film has a conductive film pattern and interlayer insulation film formed thereon. - 特許庁

第3の層間絶縁膜21とヒューズ25との間には、耐透水性を有する絶縁膜22が介在している。例文帳に追加

An insulating film 22 having a water permeability resistance is interposed between the third interlayer insulating film 21 and the fuse 25. - 特許庁

半導体基板上に層間絶縁膜100、下層配線101、第1の絶縁膜102を堆積する。例文帳に追加

An interlayer insulating film 100, a lower layer wiring 101, and a first insulating film 102 are deposited on a semiconductor substrate. - 特許庁

そして、ヒューズ素子2a、2bの側面上には、層間絶縁膜1からなるヒューズ側部絶縁膜1aが形成されている。例文帳に追加

A fuse side insulating film 1a of the interlayer insulating film 1 is formed on each of side surfaces of the fuse elements 2a, 2b. - 特許庁

L字サイドウォール14は、層間絶縁膜22と比べてエッチングレートが小さい絶縁材料により形成されている。例文帳に追加

The L-shaped sidewall 14 is formed of an insulating material having a smaller etching rate than the interlayer insulating film 22. - 特許庁

画素領域上には、複数の配線層3、4、6が形成され、配線層3、4、6間は層間絶縁膜によって絶縁されている。例文帳に追加

A plurality of wiring layers 3, 4, and 6 are formed on the pixel region, and an interlayer insulating film is provided at the wiring layers 3, 4, and 6 to thereby isolate therebetween. - 特許庁

配線上の絶縁膜の膜厚を厚く設定しながらも、層間絶縁膜の埋め込み性が良好な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which has good embedding property of an interlayer dielectric film while setting the thicker dielectric film on a wiring. - 特許庁

層間絶縁膜2は、シリコン酸化膜21と、絶縁塗布膜22と、シリコン酸化膜23Aとからなる。例文帳に追加

An interlayer insulating film 2 is composed of a silicon oxide film 21, an insulating coated film 22, and a silicon oxide film 23A. - 特許庁

層間絶縁膜(特に、低誘電率絶縁膜)が剥離することを防止すると共に、封止樹脂がチップの裏面上に這い上がることを防止する。例文帳に追加

To prevent peeling of an interlayer insulating film (especially a low-dielectric-constant insulating film) and to prevent a sealing resin from creeping up on the rear surface of a chip. - 特許庁

詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、低比誘電率を示し、かつ酸素プラズマ耐性を有する絶縁膜を得る。例文帳に追加

To obtain an insulating film which has a low specific permeability and an oxygen plasma resistance as the interlayer insulating film used in semiconductor elements, etc. - 特許庁

導電体柱14Aの上方において容量素子用絶縁膜16および第1層間絶縁膜15を除去して配線用溝152を形成する。例文帳に追加

The capacitive element insulation film 16 and the groove wiring portion insulation film 15 are removed over the conductor post 14A to form a wiring groove 152. - 特許庁

パッド上でのプローブ針の先端の横滑りに起因する横方向の応力による層間絶縁膜や最終絶縁膜の損傷を防止する。例文帳に追加

To prevent damage to an interlayer dielectric and a final insulation film by lateral stress caused by a sideslip of the tip of a probing needle on a pad. - 特許庁

静電気によるTFT、層間絶縁膜の絶縁破壊を、面積を小さく抑え、かつ低コストで実現する。例文帳に追加

To achieve the dielectric breakdown of a TFT and an interlayer insulating film due to static electricity by suppressing an area to be small and at a low cost. - 特許庁

補助容量ライン26を覆うように層間絶縁膜48および平坦化絶縁膜54が順に積層される。例文帳に追加

An inter-layer insulating film 48 and a flattening insulating film 54 are laminated in order covering the auxiliary capacitance line 26. - 特許庁

第二導電層10が、底面が素子分離絶縁膜7の上部端面に接し、導電層間絶縁膜8a上に配置されている。例文帳に追加

A second conductive layer 10 is formed on the conductive interlayer insulating film 8a so that the bottom face of the second conductive layer 10 has contact with the upper end surface of the element isolation insulating film 7. - 特許庁

ストッパー膜4は、層間絶縁膜6よりもエッチング速度が小さい絶縁材料で形成されている。例文帳に追加

The stopper film 4 is formed with an insulating material having etching speed smaller that of the interlayer insulating film 6. - 特許庁

この構成全面を覆うように、層間絶縁膜としてリフロー性の高い第1の絶縁膜(例えばBPSG膜)5を形成する。例文帳に追加

A first insulating film (for example, BPSG film) 5 of high reflow properties is so formed as to cover the entire surface of this structure as an interlayer insulating film. - 特許庁

導電層間絶縁膜8aが第一導電層3の頂部上に配置され、素子分離絶縁膜7により分離されている。例文帳に追加

A conductive interlayer insulating film 8a is formed on the upper surface of each first conductive layer 3 and isolated by the element isolation insulating film 7. - 特許庁

また、トップゲート絶縁膜18および層間絶縁膜19には、コンタクトホール25〜28が形成されている。例文帳に追加

Further, the contact holes 25 to 28 are formed in the top gate insulating film 18 and interlayer insulating film 19. - 特許庁

前記の耐熱性塗膜または耐熱性絶縁パターンを表面保護層または層間絶縁層として有する電子部品。例文帳に追加

The electronic parts have the above heat-resistant coating film or a heat-resistant insulating pattern as a surface protective layer or an interlayer insulating layer. - 特許庁

Si系絶縁膜との密着性向上が図られたCF_x膜を用いた半導体装置の層間絶縁膜構造を提供する。例文帳に追加

To provide an interlayer insulating film structure of a semiconductor device using a CF_x film whose adhesion to an Si-based insulating film is improved. - 特許庁

プレーン層を有し、層間樹脂絶縁層の絶縁劣化の生じない多層ビルドアップ配線板を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer build-up wiring board which is possessed of a plane layer and an interlayer insulating layer that is hardly deteriorated in insulating properties. - 特許庁

絶縁層間並びに絶縁層と配線回路との接続信頼性に優れた配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To improve a reliability on a connection between insulating layers and the insulating layer and a wiring circuit. - 特許庁

金属間絶縁膜112上にはビアコンタクトホール120bを露出させるトレンチ118bを有する第2層間絶縁膜116を配させる。例文帳に追加

On the intermetal insulating film 112, there is disposed a secondary interlayer dielectric 116 having a trench 118b, which exposes the via contact hall 120b. - 特許庁

半導体装置の層間絶縁膜などに有用な比誘電率が低く、かつ銅拡散バリア性が高い絶縁膜を得る。例文帳に追加

To provide an insulating film which is useful as an interlayer dielectric, etc., of a semiconductor device and has a low relative dielectric constant and a high copper diffusion barrier property. - 特許庁

このようにすることにより、マスク絶縁膜20bに段差が生じなくなり、層間絶縁膜28表面の平坦化を図ることができる。例文帳に追加

Thereby a step-difference is no longer generated in the mask insulating film 20b, and the surface of the interlayer insulating film is flattened. - 特許庁

モールドパターン間のギャップを埋め込んで浮遊ゲート間を絶縁する層間絶縁層パターンを形成する。例文帳に追加

The gap between the mold patterns is embedded for forming an interlayer insulating layer pattern for insulating the floating gates. - 特許庁

絶縁シート,金属配線および層間絶縁膜それぞれの密着性を向上させて剥離を防止することを目的とする。例文帳に追加

To enhance an adhesive property of each of an insulating sheet, a metal wiring, and an interlayer insulating film to prevent a separation. - 特許庁

第1の層間絶縁膜2上に絶縁膜を形成し、スルーホール形成領域を覆うようにパターニングし、突出部3を形成する。例文帳に追加

An insulating film is formed on an first interlayer insulating film 2, the insulating film is patterned so as to cover a through-hole forming region, and a projection 3 is formed. - 特許庁

第1の層間絶縁膜4aと凹部3の間に突起状のゲート絶縁膜凸部6aが設けられる。例文帳に追加

A protruding gate insulating film protruding portion 6a is provided between the first inter-layer insulating film 4a and the recess 3. - 特許庁

前記のレリーフパターンを熱処理した耐熱性絶縁パターンを表面保護層または層間絶縁層として有する電子部品。例文帳に追加

The electronic parts have a heat-resistant insulating pattern obtained by heat treating the above relief pattern as a surface protective layer or an interlayer insulating layer. - 特許庁

例文

薄膜トランジスタにおいて、下地膜、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜を酸化珪素膜で形成する。例文帳に追加

In a thin film transistor, its foundational film, its gate insulation film, and its interlayer insulation film are formed out of silicon oxide films. - 特許庁

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