「層間絶縁」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

走査線１６３、ゲート電極１４３およびゲート絶縁膜１２１の上層側には、第１層間絶縁膜１２２と第２層間絶縁膜１２３とがこの順に積層されている。例文帳に追加

On the upper layer side of the scanning line 163, gate electrode 143, and gate insulating film 121; a primary interlayer insulating film 122 and a secondary interlayer insulating film 123 are laminated in this numerical order. - 特許庁

被覆絶縁膜１６は、低指向性で高被覆率の酸化シリコンからなり、その上面が平坦化された下部層間絶縁膜１７によって覆われており、下部プラグ１５ａは該下部層間絶縁膜１７に含まれている。例文帳に追加

The cover film 16 is covered with a topside-planarized silicon oxide lower layer insulation film 17 at a low directivity and a high coverage, and lower plugs 15a are included in this film 17. - 特許庁

第３の層間絶縁膜６３、第４の層間絶縁膜６７、保護絶縁膜７２、及びバッファコート膜７３内には、ボンディングパッド７１によって規定された底面を有する開孔部７４が、部分的に形成されている。例文帳に追加

An open hole 74 having a bottom surface defined by the bonding pad 71 is partially formed in a third interlayer insulating film 63, fourth interlayer insulating film 67, protection insulating film 72 and buffer coating film 73. - 特許庁

従来の半導体装置において、相異なる絶縁材料によって形成された下層の層間絶縁膜と上層の層間絶縁膜との界面は、外部からの水分等の浸入口となり易い。例文帳に追加

To prevent water from passing through an interface between an interlayer insulating film of a lower layer and interlayer insulating film of an upper layer composed of different materials from path other, which is apt to become a water passing inlet from outside in a conventional semiconductor device. - 特許庁

本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された層間絶縁膜５１、５２と、層間絶縁膜５１、５２に埋め込まれたＣｕ配線１と、Ｃｕ配線１上に形成された第二のバリア絶縁膜４と、を有する。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a substrate; interlayer dielectrics 51, 52 formed on the substrate; Cu wiring 1 buried in the interlayer dielectrics 51, 52; and a second barrier insulating film 4 formed on the Cu wiring 1. - 特許庁

層間絶縁膜の低誘電率化の方法として、レーザ光を用いて層間絶縁膜中に複数の空孔を作成形成してすることにより、多孔質の絶縁膜を形成することを特徴とする。例文帳に追加

A composition comprising a conductive particle is discharged to the porous insulating film 105 using a drop discharge method represented by an ink jet method. - 特許庁

インダクタ導体部の少なくとも一部が、導体層間に設けられた絶縁基材を貫通するか、或いは導体層間に設けられた絶縁基材に埋め込まれかつ該絶縁基材の厚さの２分の１以上の厚さを有する。例文帳に追加

The at least part of the inductor conductor segment extends through an insulating layer disposed between conductive layers, or is embedded in the insulating layer, wherein the part of the inductor conductor segment has a thickness one-half or more the thickness of the insulating layer. - 特許庁

半導体基板上の第１の層間絶縁膜１０１に下層配線１０２を形成し、第１の層間絶縁膜１０１の上に絶縁性バリア膜１０３を堆積する。例文帳に追加

With respect to the manufacturing method of the semiconductor device, lower-layer wirings 102 are formed in a first interlayer insulating film 101 provided on a semiconductor substrate, and an insulating barrier film 103 is deposited on the first interlayer insulating film 101. - 特許庁

絶縁性機能液を硬化させ、層間絶縁膜１４を形成し、層間絶縁膜１４上に導通ポスト２０に導通する上層配線層１８を形成する。例文帳に追加

The insulating functional fluid is cured, an interlayer dielectric 14 is formed, and an upper layer wiring layer 18 conducting to the conductive post 20 is formed on the insulating film between the interlayer dielectric 14. - 特許庁

層間絶縁層２０は、基体１０上に所定のパターンで配置される応力緩和絶縁層２２と、配線層１２および応力緩和絶縁層２２を覆い、かつ、流動性絶縁体から形成される平坦化絶縁層２６と、を有する。例文帳に追加

The interlayer insulating layer 20 is provided with a stress relieving insulating layer 22 arranged with a prescribed pattern on the base substance 10, and flattening layer 26 which covers the wiring layer 12 and the insulating layer 22 and is formed of fluidic insulator. - 特許庁

補助容量素子２７は絶縁層２４上に下部電極２８、無機絶縁膜３０と有機絶縁膜３１とを積層して構成される層間絶縁層（第２の絶縁層）２９および画素電極２６である上部電極をこの順番に積層して構成される。例文帳に追加

The auxiliary capacitance elements 27 are formed by laminating, in the following order, an interlayer insulting layer (2nd insulating layer) 29 formed by laminating a lower electrode 28, an inorganic insulating film 30 and an organic insulating film 31 on the insulating layer 24, and an upper electrode which is a pixel electrode 26. - 特許庁

次に、この第１プラグ電極２１周辺の第１層間絶縁膜２０上に第１絶縁膜３３と第１水素バリア膜３４と第２絶縁膜３５とからなる積層構造の絶縁膜を形成し、この積層構造の絶縁膜をエッチングして、第２コンタクトホールＨ２を形成する。例文帳に追加

A multilayer insulating film consisting of a first insulating film 33, a first hydrogen barrier film 34, and a second insulating film 35 is formed on the first interlayer insulating film 20 on the periphery of the first plug electrode 21, and a second contact hole H2 is formed by etching the multilayer insulating film. - 特許庁

導電体層、第１の絶縁膜、第１の絶縁膜よりエッチング選択比の小さい第２の絶縁膜からなるゲート電極と、ゲート電極側面に形成された第２の絶縁膜からなるサイドウォールと、それらを被覆する層間絶縁膜とを有する半導体記憶装置。例文帳に追加

This semiconductor device has a gate electrode comprising a conductor layer, a first insulating film and a second insulating film having an etching selection ratio lower than that of the first insulating film, a sidewall comprising the second insulating film formed on the side surface of the gate electrode and an interlayer insulating film coating them. - 特許庁

絶縁性基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、ソース１４ｓ及びドレイン１４ｄを備えた能動層１４、層間絶縁膜１５、及び平坦化絶縁膜１７を順に積層し、ソース１４ｓに接続した表示電極１８を平坦化絶縁膜１７上に設ける。例文帳に追加

In this liquid crystal display device, a gate electrode 11, a gate insulating film 12, the active layer 14 provided with a source 14s and a drain 14d, an interlayer insulating film 15 and a flattened insulating film 17 are laminated in this order on an insulative substrate 10, and the display electrode 18 connected to the source 14s is provided on the flattened film 17. - 特許庁

その後、浮遊配線層６ｃ、接地配線層６ａ，６ｂ及び下地絶縁膜３の上に、層間絶縁膜７を形成する。例文帳に追加

After this, on the floating wiring layer 6c, the grounded wiring layers 6a and 6b and the base insulation film 3, the insulation film 7 is formed. - 特許庁

半導体基板１上には、接続孔２ａを有する層間絶縁膜２と、配線用溝３ａを有する線間絶縁膜３とを形成している。例文帳に追加

An interlayer dielectric film 2 having a wiring hole 2a and an interline dielectric film 3 having a wiring trench 3a are formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

第２の配線の上層には、層間絶縁膜として第３の絶縁膜を形成し、その上に画素電極を形成する。例文帳に追加

A third insulation film is formed as an interlayer insulation film on the second wiring, and a pixel electrode is formed thereon. - 特許庁

層間絶縁膜１８および各電極を形成後、窒化シリコン膜を形成して保護絶縁膜２２とする。例文帳に追加

Following to the formation of an interlayer insulation film 18 and respective electrodes, a silicon nitride film is formed as a protective insulation film 22. - 特許庁

半導体装置の層間絶縁膜などに有用な誘電率が低く、かつ機械的強度が高い絶縁膜を得る。例文帳に追加

To obtain an insulating film useful for an interlayer dielectric of a semiconductor device, and having a low dielectric constant and strong mechanical strength. - 特許庁

層間絶縁膜１８および各電極を形成した後、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形成して保護絶縁膜２２とする。例文帳に追加

After an interlayer insulation film 18 and each electrode are formed, a silicon nitride film is formed by plasma CVD as a protective insulation film 22. - 特許庁

この層間絶縁膜２と線間絶縁膜３とは、ＳｉＯ_2を主成分とすると共に、リンと炭化水素を含有している。例文帳に追加

The interlayer dielectric film 2 and the interline dielectric film 3 are composed of SiO2 as a main component and contain phosphorus and hydrocarbon. - 特許庁

その後、保護絶縁膜上に、層間絶縁膜として燐（Ｐ）及び硼素（Ｂ）の少なくとも一方を含んだシリコン酸化膜を成膜する。例文帳に追加

Thereafter, a silicon oxide film including at least one side of phosphorus (P) and boron (B) is formed on the protective insulation film as an interlayer insulation film. - 特許庁

このようにして低誘電率な絶縁材料で構成される層間絶縁膜に、銅を主成分とする埋め込み配線２３ａを形成する。例文帳に追加

Thus, embedding wiring 23a containing a copper as a main component is formed on an interlayer insulating film constituted of an insulating material having a low permittivity. - 特許庁

その後、未反応のチタン膜１４が除去され、絶縁膜１１の全面に層間絶縁膜１６が堆積される。例文帳に追加

Then, the unreacted titanium film 14 is removed, and an interlayer insulation film 16 is piled up on the entire surface of the insulation film 11. - 特許庁

基板上に、多数の空隙１６Ａを有する多孔質絶縁材料からなる多孔質層間絶縁膜１６が形成されている。例文帳に追加

A porous interlayer insulation film 16 comprising a porous insulating material having many voids 16A is formed on a substrate. - 特許庁

Ｓｉ基板２上に、層間絶縁膜３、拡散バリア絶縁膜４、およびＣｕ配線５を複数層に積層して多層配線構造とする。例文帳に追加

An interlayer dielectric 3, a diffusion barrier insulation film 4 and a Cu wiring 5 are layered in a plurality of layers on a Si substrate 2 in the multilayer wiring structure. - 特許庁

絶縁膜２及び金属配線３が形成された半導体基板１の主面上の全面に層間絶縁膜４を形成する。例文帳に追加

An interlayer insulation film 4 is formed entirely on the major surface of a semiconductor substrate 1 on which an insulation film 2 and a metal wiring 3 is formed. - 特許庁

補助容量ライン６上に、ゲート絶縁膜９および層間絶縁膜１６を介して、画素電極２を形成する。例文帳に追加

A pixel electrode 2 is formed on the auxiliary capacitance line 6 via a gate insulating film 9 and an interlayer insulating film 16. - 特許庁

半導体基板１０を覆う絶縁膜１２の上に配線層１４を介して層間絶縁膜１６を形成する。例文帳に追加

An interlayer insulation film 16 is formed on an insulation film 12 for covering a semiconductor substrate 10 via a wiring layer 14. - 特許庁

絶縁体を介して配線層を積層する際に、各配線層間の絶縁を確保することができる配線板及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a wiring board capable of securing insulation between respective wiring layers in laminating wiring layers through insulators, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

この層間絶縁膜に絶縁膜および配線に達するコンタクトホールを形成して、画素電極を形成している。例文帳に追加

A contact hole which reaches the insulating film and wiring is formed in this interlayer insulating film to form a pixel electrode. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板１と分離絶縁体２とゲート電極５と被覆膜６と層間絶縁膜９と側壁被覆膜８とを備える。例文帳に追加

This semiconductor device has a semiconductor substrate 1, isolation insulating body 2, gate electrode 5, coating film 6, interlayer insulating film 9 and sidewall coating film 8. - 特許庁

ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ、Ｐ＋ピックアップ及びＮ＋ピックアップを覆うように絶縁膜上に層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加

An inter layer insulating film is formed on the insulating film so as to cover the NMOS, PMOS, P+ pickup, and N+ pickup. - 特許庁

半導体層を有する基板１上に、金属酸化物からなるライナ膜２６と絶縁膜２２からなる層間絶縁膜２０を形成する。例文帳に追加

An interlayer insulating film 20 composed of of a liner film 26 composed of a metal oxide and an insulating film 22 are formed on a substrate 1 having a semiconductor layer. - 特許庁

凹部１０近傍の層間絶縁膜４と容量上部電極９との間にフリンジ絶縁膜６Ａが形成されている。例文帳に追加

A fringe insulating film 6A is formed between the inter-layer insulating film 4 nearby the recess 10 and the capacitance upper electrode 9. - 特許庁

層間絶縁膜１０上には、検出電極１１を覆うように上層絶縁膜１６が形成されている。例文帳に追加

An upper layer insulating film 16 is formed on the inter-layer insulating film 10 and covers the detection electrode 11. - 特許庁

信号配線部５０は、絶縁膜６４および層間絶縁膜７４上に形成されたアルミニウム配線５１からなる。例文帳に追加

The signal wiring 50 is formed of an insulting film 64 and an aluminum wiring 51 formed on an interlayer insulating film 74. - 特許庁

また、上記層間絶縁膜２,線間絶縁膜３の接続孔２ａ,配線用溝３ａを塞ぐ銅配線膜４を形成している。例文帳に追加

Also, the connection hole 2a of the interlayer dielectric film 2 and interline film 3, and a copper wiring film 4 which covers the wiring trench 3 are formed. - 特許庁

集積回路領域３１から延びた第１層間絶縁膜１２上に、３つのダミー絶縁膜パターン２０が一定間隔で形成されている。例文帳に追加

On a first interlayer insulating film 12 extended from the integrated circuit region 31, three dummy insulation film patterns 20 are formed at a fixed interval. - 特許庁

層間絶縁膜７および絶縁膜５にコンタクトホール９が形成され、そのコンタクトホール９内にプラグ１０ａ，１０ｂが形成されている。例文帳に追加

Contact holes 9 are formed through the interlayer insulating film 7 and the insulating film 5, and plugs 10a, 10b are formed inside the contact holes 9. - 特許庁

下地絶縁膜２及び下層配線３が形成された半導体基板１上に層間絶縁膜４を形成する。例文帳に追加

An interlayer insulating film 4 is formed on a semiconductor substrate 1 on which a base insulating film 2 and a lower layer interconnection 3 are formed. - 特許庁

従来の微小ホールよりも制御性良く層間絶縁膜をエッチングすると共に、隣接するプラグからビットラインを確実に絶縁する。例文帳に追加

To etch an interlayer insulation film with better controllability than for the conventional micro holes, and to surely insulate bit lines from an adjacent plug. - 特許庁

半導体基板１に絶縁膜２、ＣｒＳｉ薄膜３、電極パッド４、層間絶縁膜５を形成し、アルミニウム電極６を形成する。例文帳に追加

An insulating film 2, a CrSi thin film 3, an electrode pad 4 and an interlayer dielectric 5 are formed on a semiconductor substrate 1, and an aluminum electrode 6 is formed. - 特許庁

また、ダミーチップ及び製品チップそれぞれは、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜及びコンタクトホールを有している。例文帳に追加

Each of the product chips and the dummy chips includes a gate insulation film, a gate electrode, an interlayer insulation film and a contact hole. - 特許庁

半導体基板２上に形成される層間絶縁膜１２は、複数の第１絶縁膜１３の積層構造を有している。例文帳に追加

The interlayer insulating film 12 formed on the semiconductor substrate 2 has a laminated structure of a plurality of first insulation films 13. - 特許庁