「層間絶縁」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

層間絶縁膜の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁

有機系層間絶縁膜材料例文帳に追加

MATERIAL OF INSULATING FILM BETWEEN ORGANIC GROUP LAYERS - 特許庁

層間絶縁膜形成用塗布液および層間絶縁膜を有する基板例文帳に追加

COATING LIQUID FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM, AND SUBSTRATE HAVING INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁

層間絶縁膜の製造方法および層間絶縁膜、ならびに半導体装置例文帳に追加

INTERLAYER INSULATION FILM, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

層間絶縁膜１２上には層間絶縁膜１４が形成されている。例文帳に追加

An interlayer insulating film 14 is formed on the interlayer insulating film 12. - 特許庁

上層層間絶縁膜２４は下層層間絶縁膜上に形成される。例文帳に追加

An upper interlayer insulating film 24 is formed on the lower interlayer insulating film. - 特許庁

層間絶縁膜２２を覆って層間絶縁膜２３が形成されている。例文帳に追加

An interlayer insulation film 23 is formed, while the interlayer insulation film 22 is covered. - 特許庁

第１の層間絶縁膜の上に、絶縁材料からなる第２の層間絶縁膜が形成されている。例文帳に追加

On the first interlayer insulating film, a second interlayer insulating film consisting of an insulation material is formed. - 特許庁

層間絶縁膜は絶縁膜内に形成されたコンタクトパッドを含む。例文帳に追加

The inter-layer insulating film contains contact pads formed in the insulating film. - 特許庁

第１層間絶縁膜１１３は、絶縁基板１０１の上方に位置している。例文帳に追加

The first interlayer dielectric 113 is positioned above the insulating substrate 101. - 特許庁

第２絶縁膜４は、第１層間絶縁膜６上に設けられる。例文帳に追加

The second insulating film 4 is formed on the first interlayer insulating film 6. - 特許庁

低比誘電性絶縁膜の形成方法及び層間絶縁膜例文帳に追加

FORMATION OF LOW SPECIFIC INDUCTIVE CAPACITY INSULATING FILM AND INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁

層間絶縁膜は無機絶縁膜３２上に有機絶縁膜３３を有する構成である。例文帳に追加

The interlayer insulating film is comprised of an inorganic insulating film 32 and the organic insulating film 33 formed on the inorganic insulating film 32. - 特許庁

層間絶縁層２０は、さらに、ベース絶縁層２４およびキャップ絶縁層２８を有することができる。例文帳に追加

Further the interlayer insulating layer 20 can have a base insulating layer 24 and a cap insulating layer 28. - 特許庁

半導体素子の層間絶縁膜用感光性樹脂組成物、それを用いた層間絶縁膜及び層間絶縁膜の製造方法例文帳に追加

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATION FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE, INTERLAYER INSULATION FILM USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁

基板の上に第１層間絶縁膜が位置し、第１層間絶縁膜の上に第２層間絶縁膜が位置する。例文帳に追加

A first interlayer insulating film is positioned on the substrate and a second interlayer insulating film is positioned on the first interlayer insulating film. - 特許庁

更に、層間絶縁膜４上に層間絶縁膜７を形成し、層間絶縁膜７上におけるパッド領域Ｃにパッド８を設ける。例文帳に追加

Further, an inter-layer insulating film 7 is formed on the inter-layer insulating film 4, and then a pad 8 is provided in a pad region C on the inter-layer insulating film 7. - 特許庁

その下部層間絶縁膜を直接覆うように下部層間絶縁膜とはエッチング特性の異なる上部層間絶縁膜１０を形成する。例文帳に追加

An upper interlayer insulating film 10, differing in etching properties from the lower interlayer insulating film, is formed to directly cover the lower interlayer insulating film. - 特許庁

そして、２層目層間絶縁膜５よりも硬い材料で構成された３層目層間絶縁膜６で２層目層間絶縁膜５を覆う。例文帳に追加

The second interlayer insulating film 5 is covered by a third interlayer insulating film 6, constituted of a material which is harder than the second interlayer insulating film 5. - 特許庁

第１層間絶縁膜７上及び第２層間絶縁膜９上に第３層間絶縁膜１１が形成されている。例文帳に追加

A third interlayer dielectric 11 is formed on the first interlayer dielectric 7 and second interlayer dielectric 9. - 特許庁

第２の層間絶縁膜ＩＬ２は第１の層間絶縁膜ＩＬ１上に選択的に形成されている。例文帳に追加

A second interlayer insulating film IL2 is selectively formed on the first interlayer insulating film IL1. - 特許庁

層間絶縁膜形成方法、層間絶縁膜、半導体デバイス、および半導体製造装置例文帳に追加

METHOD FOR FORMING INTERLAYER DIELECTRIC FILM, INTERLAYER DIELECTIC FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE AND APPARATUS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR - 特許庁

半導体基板上に層間絶縁層を形成して、層間絶縁層にコンタクトホールを形成する。例文帳に追加

An interlayer insulating layer is formed on a semiconductor substrate while a contact hole is formed at the interlayer insulating layer. - 特許庁

基板上に層間絶縁膜１、配線７、層間絶縁膜８を順次形成する。例文帳に追加

An interlayer insulating film 1, wiring 7 and an interlayer insulating film 8 are sequentially formed on a substrate. - 特許庁

層間絶縁膜の形成方法及び層間絶縁膜用感光性樹脂組成物例文帳に追加

METHOD FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM AND PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁

層間絶縁膜２０の誘電率は層間絶縁膜３０の誘電率よりも高く設定されている。例文帳に追加

The permittivity of an interlayer insulating film 20 is set to be larger than that of an interlayer insulating film 30. - 特許庁

その後、下地層間絶縁膜１０の上にプラズマプロセスによって層間絶縁膜１２を形成する。例文帳に追加

Subsequently, an interlayer insulating film 12 is formed on the underlying interlayer insulating film 10 by plasma process. - 特許庁

下層層間絶縁膜と上層層間絶縁膜とにはコンタクトホール１２ｃが形成される。例文帳に追加

A contact hole 12c is formed in the lower interlayer insulating film and the upper interlayer insulating film. - 特許庁

層間絶縁膜の平坦化が十分に行えるようにし、層間絶縁膜のディッシングをなくす。例文帳に追加

To sufficiently flatten an interlayer insulating film and to eliminate dishing of the interlayer insulating film. - 特許庁

層間絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物および層間絶縁膜例文帳に追加

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR INTER-LAYER INSULATING FILM FORMATION, AND INTER-LAYER INSULATING FILM - 特許庁

層間絶縁膜用感光性組成物及びパターン化層間絶縁膜の形成方法例文帳に追加

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION FOR INTERLAYER ISOLATION FILM AND METHOD FOR FORMING PATTERNED INTERLAYER ISOLATION FILM - 特許庁

層間絶縁膜は、当該層間絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物から形成される。例文帳に追加

The inter-layer insulating film is formed of the radiation-sensitive resin composition for inter-layer insulating film formation. - 特許庁

層間絶縁膜形成用組成物、層間絶縁膜の製造方法及び電子部品例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING INTERLAYER INSULATING FILM, METHOD OF MANUFACTURING INTERLAYER INSULATING FILM, AND ELECTRONIC COMPONENT - 特許庁

第４の層間絶縁膜１３の上層に第５の層間絶縁膜１４を形成する。例文帳に追加

A fifth interlayer insulating film 14 is formed on a fourth interlayer insulating film 13. - 特許庁

層間絶縁膜の形成方法及び層間絶縁膜形成用の前駆体溶液例文帳に追加

METHOD AND PRECURSOR SOLUTION FOR FORMATION OF INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁

上記層間絶縁層をウェットエッチングして、層間絶縁層３１を形成する。例文帳に追加

The interlayer insulating layer is subjected to wet etching to form an interlayer insulating layer 31. - 特許庁

第３の層間絶縁膜１０の上面に第４の層間絶縁膜１１を形成する。例文帳に追加

A fourth interlayer insulating film 11 is formed on the upper surface of the third interlayer insulating film 10. - 特許庁

成膜工程と相前後して、層間絶縁工程において層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加

In tandem with the film formation process, an interlayer insulation film is formed in an interlayer insulation process. - 特許庁

感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜及び層間絶縁膜の形成方法例文帳に追加

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM, AND METHOD FOR FORMING INTERLAYER INSULTING FILM - 特許庁

第１層間絶縁膜６の上には第２層間絶縁膜１７が形成されている。例文帳に追加

A second interlayer insulating film 17 is formed on the film 6. - 特許庁

感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜、層間絶縁膜の形成方法及び表示素子例文帳に追加

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM, FORMATION METHOD OF INTERLAYER INSULATING FILM, AND DISPLAY ELEMENT - 特許庁

第１層間絶縁膜１内形成された第１銅配線２上には、バリア絶縁膜４を介して、第２層間絶縁膜５が形成される。例文帳に追加

A second interlayer insulating film 5 is formed on a first copper wiring 2 formed in a first interlayer insulating film 1 through a barrier insulating film 4. - 特許庁

第二の導電層間絶縁膜６が、素子分離絶縁膜４上と導電層間絶縁膜５上に配置されている。例文帳に追加

A second conductive interlayer insulating film 6 is disposed on the element isolated insulating film 4 and the conductive interlayer insulating film 5. - 特許庁

層間絶縁膜の誘電率を低く保ちつつ、層間絶縁膜と他の絶縁膜との密着性を改善する。例文帳に追加

To improve adhesiveness between an interlayer insulating film and the other insulating films while keeping a dielectric constant of the interlayer insulating film low. - 特許庁

層間絶縁膜１９、２１のうちの、少なくともキャパシタ１７に直接接する層間絶縁膜１９を、有機絶縁膜で構成する。例文帳に追加

The interlayer insulating film 19, which is connected directly to the capacitor 17 in the interlayer insulating films 19 and 21, is constituted of an organic insulating film. - 特許庁