| 意味 | 例文 (999件) |
層間絶縁の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5627件
層間絶縁膜３上に反射防止膜４を平成し、層間絶縁膜３を研磨しながら、層間絶縁膜３からの反射光強度をモニタすることにより、層間絶縁膜３のエンドポイントを検出する。例文帳に追加
A reflection-preventing film 4 is formed flatly on the interlayer dielectric 3, and the end point of the interlayer dielectric 3 is detected by monitoring reflected light intensity from the interlayer dielectric 3 while polishing the interlayer dielectric 3. - 特許庁
層間絶縁膜、マイクロレンズは上記から得られる。例文帳に追加
The inter-laminar insulating film and the microlens are prepared from the above composition. - 特許庁
層間絶縁膜、その形成方法及び重合体組成物例文帳に追加
INTERLAYER INSULATING FILM, ITS FORMING METHOD, AND POLYMER COMPOSITION - 特許庁
そして、ウェハ１上に層間絶縁膜８を形成する。例文帳に追加
Then, an interlayer insulating film 8 is formed on the wafer 1. - 特許庁
プリント配線板用層間絶縁樹脂フィルム例文帳に追加
INTERLAYER INSULATING RESIN FILM FOR PRINTED WIRING BOARD - 特許庁
多層プリント配線板用層間絶縁接着剤例文帳に追加
LAYER-INSULATING ADHESIVE FOR MULTI-LAYER PRINTED-WIRING BOARD - 特許庁
層間絶縁層およびその製造方法例文帳に追加
INTER-LAYER INSULATING LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
層間絶縁膜の形成方法及び半導体装置例文帳に追加
FORMATION OF INTERLAYER INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
半導体装置の層間絶縁膜形成方法例文帳に追加
FORMATION OF INTERLAYER INSULATING FILM IN SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
次に、層間絶縁膜６を形成する。例文帳に追加
Then, an interlayer insulating film 6 is formed. - 特許庁
層間絶縁接着剤および樹脂付き金属箔例文帳に追加
INTERLAYER INSULATING ADHESIVE AND RESIN-LAMINATED METAL FOIL - 特許庁
半導体素子の金属層間絶縁膜形成方法例文帳に追加
FORMATION METHOD FOR INTER-METAL LAYER INSULATING FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁
半導体装置の層間絶縁膜の形成方法例文帳に追加
FORMATION OF INTERLAYER INSULATING FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
配線１１，１２を隔てる層間の絶縁膜１０は、第１層間絶縁膜１０１及び少なくとも前記第１層間絶縁膜１０１よりも低誘電率の第２層間絶縁膜１０２からなる。例文帳に追加
The interlayer insulating films 10 for separating the wiring 11 from the wiring 12 consist of the first interlayer insulating film 101 and the second interlayer insulating film 102 having a low dielectric constant as compared with the first interlayer insulating film 101. - 特許庁
半導体用層間絶縁材料及びその製法例文帳に追加
INTERLAYER INSULATING MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
半導体素子の層間絶縁膜形成方法例文帳に追加
FORMATION METHOD FOR INTERLAYER INSULATING FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁
膜形成用組成物および層間絶縁膜用材料例文帳に追加
COMPOSITION FOR FORMING FILM AND MATERIAL FOR INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁
層間絶縁膜及びその製造方法例文帳に追加
INTERLAYER DIELECTRIC AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
硬化性樹脂組成物および層間絶縁膜例文帳に追加
CURABLE RESIN COMPOSITION AND INTERLAMINAR INSULATING FILM - 特許庁
低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法例文帳に追加
METHOD OF DRY ETCHING LOW-DIELECTRIC CONSTANT INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁
層間絶縁膜の形成方法及び半導体装置例文帳に追加
FORMING METHOD OF INTERLAYER INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
層間絶縁膜用感光性樹脂組成物例文帳に追加
PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁
また、その上には、層間絶縁膜１８が形成されている。例文帳に追加
An interlayer insulating film 18 is formed on the electrode. - 特許庁
低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法例文帳に追加
METHOD OF DRY-ETCHING LOW-DIELECTRIC CONSTANT INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁
硬化性樹脂組成物および層間絶縁膜例文帳に追加
CURABLE RESIN COMPOSITION AND INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁
層間絶縁層２０は、第１の絶縁層３０と、第１の絶縁層３０の上に設けられた第２の絶縁層５０と、第１の絶縁層３０と第２の絶縁層５０との間に設けられた中間層４０とを有する。例文帳に追加
The interlayer insulation layer 20 comprises a first insulation layer 30, a second insulation layer 50 formed on the first insulation layer 30, and an intermediate layer 40 formed between the first insulation layer 30 and the second insulation layer 50. - 特許庁
第１の層間絶縁膜１４上に、開口１６を埋め込むようにして第２の層間絶縁膜２２および第３の層間絶縁膜２５を形成し、開口１６の内側の部分における第２の層間絶縁膜２２および第３の層間絶縁膜２５にコンタクトホール２６を形成する。例文帳に追加
On the first inter-layer insulating film 14, second and third inter-layer insulating films 22 and 25 are so formed as to fill an opening 16, and a contact hole 26 is formed at the second and third inter-layer insulating films 22 and 25 at the inside part of the opening 16. - 特許庁
そして、層間絶縁膜５上に絶縁膜１０を形成し、ビット線上とワード線間に絶縁膜及び層間絶縁膜が残存するように層間絶縁膜及び絶縁膜をエッチングし、その後ポリシリコンからなる導体層１２を形成する。例文帳に追加
An insulating film 10 is formed on the inter-layer insulating film 5, which is so etched that the remain between the above the bit line and word line, a conductor layer 12 of polysilicon being formed thereafter. - 特許庁
層間絶縁膜１４上にこの層間絶縁膜１４とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜１５を積層配置し、第２の絶縁膜１５にドライエッチングによりアンダーカット部１６を形成する際、前記層間絶縁膜１４を第２の絶縁膜１５で保護する。例文帳に追加
On the interlayer insulating membrane 14, a second insulating membrane 15 different in an etching rate from this interlayer insulating membrane 14 is laminated and arranged, and when forming an undercut part 16 in the second insulating membrane 15 by dry etching, the interlayer insulating membrane 14 is protected by the second insulating membrane 15. - 特許庁
層間絶縁膜３上に上層配線４及び絶縁層５を形成する。例文帳に追加
An upper wiring 4 and an insulation layer 5 are formed on the layer insulation film 3. - 特許庁
第２ゲート絶縁膜17中の水素濃度を第１層間絶縁膜22中の水素濃度より低くする。例文帳に追加
The concentration of hydrogen in the second gate insulating film 17 is made lower than that in the first interlayer insulating film 22. - 特許庁
そのＴＦＴを覆うように基板１上に層間絶縁膜および絶縁膜が形成される。例文帳に追加
An interlayer insulation film and an insulation film are formed on the substrate 1 so as to cover the TFTs. - 特許庁
層間絶縁層は所定のエッチング液に対してダミー絶縁層よりも低いエッチング率を有する。例文帳に追加
The interlayer insulating layer has etching rate lower than the dummy insulating layer to specific etching liquid. - 特許庁
層間絶縁膜２の上に、酸素バリア性能を有する絶縁性薄膜３を形成する。例文帳に追加
An insulating thin film 3 having oxygen barrier performance is formed on an interlayer dielectric 2. - 特許庁
半導体基板の上に、絶縁材料からなる層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加
An inter layer insulating film composed of an insulating material is formed on a semiconductor substrate. - 特許庁
ゲート絶縁層２２とゲート電極２４とを被覆する層間絶縁層２６を形成する。例文帳に追加
An interlayer insulating layer 26 is formed for covering the gate insulating layer 22 and the gate electrode 24. - 特許庁
ゲート絶縁層２０とゲート電極２２とを被覆する層間絶縁層２４を形成する。例文帳に追加
An interlayer insulating layer 24 for covering the gate insulating layer 20 and the gate electrode 22 is formed. - 特許庁
層間絶縁膜形成時にゲート絶縁膜が受けるプラズマダメージを正確に評価する。例文帳に追加
To accurately evaluate plasma damage that a gate insulating film receives when forming an interlayer insulating film. - 特許庁
下地絶縁膜３上及び第１配線層５上に第１層間絶縁膜７が形成されている。例文帳に追加
A first interlayer dielectric 7 is formed on the base insulating film 3 and first wiring layer 5. - 特許庁
また、ＴＦＴ上の層間絶縁膜と陽極との間に、絶縁膜を形成する。例文帳に追加
An insulation film is formed between an interlayer insulation film on TFTs and positive electrodes. - 特許庁
その後層間絶縁膜（ＩＬＤ）１１０および金属内絶縁膜（ＩＭＤ）１１２が堆積される。例文帳に追加
Afterwards, a layer insulating film (ILD) 110 and an intra-metal insulating film (IMD) 112 are deposited. - 特許庁
SRN膜が層間絶縁膜を加工してゲート絶縁膜を露出する場合の加工のストッパ膜となる。例文帳に追加
The SRN film serves as a working stopper film when working an interlayer insulation film to expose the gate insulation film. - 特許庁
第１層間絶縁膜６は、第１絶縁膜５及び第１信号線２上に、メモリセル１を囲む。例文帳に追加
The first insulating film 6 surrounds the memory cells 1 on the first insulating film 5 and the first signal lines 2. - 特許庁
第1層間絶縁膜13の上面に溝配線部絶縁膜15を形成する。例文帳に追加
A groove wiring portion insulation film 15 is formed on the top surface of the first interlayer insulation film 13. - 特許庁
層間絶縁膜は、第１及び第２の配線層絶縁膜よりも高強度である。例文帳に追加
The interlayer insulating film has higher strength than the first and second wiring layer insulating films. - 特許庁
中心導体と絶縁層間で発生する部分放電を抑制し、絶縁特性を向上させる。例文帳に追加
To enhance insulating characteristics by suppressing the partial discharge generated between a center conductor and an insulating layer. - 特許庁
高透磁率膜１４を含む絶縁膜１３上全面に層間絶縁膜１５が形成される。例文帳に追加
An interlayer insulating film 15 is formed over the entire surface on the insulating film 13 including the high-magnetic-permeability film 14. - 特許庁
突起２１はゲート絶縁膜３および層間絶縁膜７によって形成される。例文帳に追加
The projection 21 is formed of a gate insulating film 3 and an interlayer insulating film 7. - 特許庁
下地基板の上に、絶縁材料からなる第１の層間絶縁膜が形成されている。例文帳に追加
On a ground board, a first interlayer insulating film consisting of an insulation material is formed. - 特許庁
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