「層間絶縁」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

エピタキシャル層３には、層間絶縁膜１１を積層する。例文帳に追加

An interlayer dielectric 11 is stacked on the epitaxial layer 3. - 特許庁

半導体装置、その製造方法及び層間絶縁膜の形成方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF FORMING INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁

段差膜１０上に層間絶縁膜１０ａを形成する。例文帳に追加

An interlayer insulating film 10a is formed on the stepped film 10. - 特許庁

層間絶縁膜および配線構造と、それらの製造方法例文帳に追加

INTERLAYER INSULATING FILM AND WIRING STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびスペーサー例文帳に追加

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM AND SPACER - 特許庁

パッドの周囲の層間絶縁膜表面に溝を形成した構造とする。例文帳に追加

A groove is formed in a layer insulating film surface in the circumference of a pad. - 特許庁

半導体装置、その製造方法及び層間絶縁膜の形成方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURE THEREOF, AND METHOD FOR FORMING INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁

膜形成用組成物、その製造方法および層間絶縁膜用材料例文帳に追加

FILM-FORMING COMPOSITION, MANUFACTURE THEREOF AND MATERIAL FOR LAYER INSULATING FILM - 特許庁

その後、通常の層間絶縁膜および遮光膜６を形成する。例文帳に追加

Thereafter, ordinary interlayer dielectric and a light shielding film 6 are formed. - 特許庁

トランジスタ３の上方には第１の層間絶縁膜１２、第２の層間絶縁膜１３を介して第３の層間絶縁膜１４の内部に埋め込まれた形のキャパシタ１５の蓄積電極７が形成され、第３の層間絶縁膜１４上に保護膜１６が形成されている。例文帳に追加

The storage electrode 7 of a capacitor 15 buried in a third interlayer insulating film 14 through the intermediary of a first interlayer insulating film 12 and a second interlayer insulating film is formed above the transistor 3, and a protective film 16 is formed on the third interlayer insulating film 16. - 特許庁

光電変換装置は、半導体基板に配された光電変換素子と素子分離領域とを有し、半導体基板に最も近接して配された第１の層間絶縁層と、第１の層間絶縁層を覆って配された第２の層間絶縁層と、を含む複数の層間絶縁層とを有する。例文帳に追加

The photoelectric conversion device is provided with the photoelectric conversion element and an element isolation region disposed to a semiconductor substrate, and has a plurality of inter-layer insulating layers including a first inter-layer insulating layer disposed most closely to the semiconductor substrate and a second inter-layer insulating layer disposed covering the first inter-layer insulating layer. - 特許庁

層間絶縁膜、その形成方法及び配線の形成方法例文帳に追加

INTERLAYER DIELECTRIC, ITS FORMING METHOD AND FORMING METHOD OF WIRING - 特許庁

下部層間絶縁膜６７の上にハードマスク６９を形成する。例文帳に追加

A hard mask 69 is formed on the lower part interlayer dielectric 67. - 特許庁

耐熱性樹脂組成物、層間絶縁膜及び多層回路基板例文帳に追加

HEAT-RESISTANT RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM AND MULTILAYERED CIRCUIT BOARD - 特許庁

その後、層間絶縁膜１１６上に配線層１２０を形成する。例文帳に追加

Finally, an interconnect layer 120 is formed on the interlayer insulating film 116. - 特許庁

感放射線性樹脂組成物およびその層間絶縁膜への使用例文帳に追加

RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND ITS USE FOR INTERLAYER DIELECTRIC - 特許庁

層間絶縁膜２０にはコンタクトホール２０ｈが形成されている。例文帳に追加

A contact hole 20h is formed in the film 20. - 特許庁

層間絶縁膜４及び配線膜６上のキャップ膜７及び層間絶縁膜８に第３の開口部が設けられ、層間絶縁膜８上の層間絶縁膜９に第３の開口部に接するように第２の開口部が設けられる。例文帳に追加

A third opening is formed on a cap film 7 and an interlayer insulation film 8 on the interlayer insulation film 4 and the wiring film 6, and a second opening is formed on an interlayer insulation film 9 on the interlayer insulation film 8 to contact the third opening 3. - 特許庁

半導体基板１０上には、層間絶縁膜２０が設けられている。例文帳に追加

The interlayer insulating film 20 is provided on the semiconductor substrate 10. - 特許庁

アンダーメタル３を覆うように層間絶縁膜５が形成されている。例文帳に追加

An interlayer insulation film 5 is so formed as to cover the undermetal 3. - 特許庁

層間絶縁膜の形成方法、層間絶縁膜形成用の前駆体溶液、層間絶縁膜形成用のＣＶＤ原料、及びシロキサンオリゴマー形成用原料例文帳に追加

METHOD OF FORMING INTERLAYER INSULATION FILM, PRECURSOR SOLUTION FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM, CVD MATERIAL FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM, AND MATERIAL FOR FORMING SILOXANE OLIGOMER - 特許庁

その後、ＣＭＰ法を用いて、金属配線３上の層間絶縁膜４ａの残膜が所定の膜厚になるまで層間絶縁膜４の表面を研磨して、層間絶縁膜４ａの表面を平坦化する。例文帳に追加

Subsequently, the surface of the interlayer insulation film 4a is polished using a CMP method until the interlayer insulation film 4 remaining on the metal wiring 3 has a predetermined thickness thus planarizing the surface of the interlayer insulation film 4a. - 特許庁

作用電極ＷＥ１上には第１層間絶縁膜１３Ａ、１３Ｂが形成され、第１層間絶縁膜１３Ａ、１３Ｂ上には第２層間絶縁膜１４Ａ、１４Ｂが形成されている。例文帳に追加

First interlayer insulation films 13A and 13B are formed on the working electrode WE1 while second interlayer insulation films 14A and 14B are formed on the insulation films 13A and 13B. - 特許庁

層間絶縁膜６４は、溝６２ａの位置で窪み、各受光画素上に層間絶縁膜６４の凸部が形成され、この層間絶縁膜６４によりマイクロレンズが構成される。例文帳に追加

The interlayer insulating film 64 is depressed in the position of the groove 62a, a convex part of the interlayer insulating film 64 is formed on each light-receiving pixel, and a microlens is constituted by this interlayer insulating film 64. - 特許庁

次に、第１層間絶縁膜を等方性エッチング法により部分的に除去した後、ゲート１２０間のギャップを完全に埋め込むように第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を蒸着する。例文帳に追加

Next, after the first inter-layer insulation film is partially removed with the isotropic etching process, the second inter-layer insulation film is evaporated on the first inter-layer insulation film to perfectly embed the gap between the gates 120. - 特許庁

層間絶縁膜となる多孔質膜形成用前駆体溶液の処理方法、層間絶縁膜となる多孔質膜の形成方法及び層間絶縁膜となる多孔質膜の形成装置例文帳に追加

PROCESSING METHOD OF PRECURSOR SOLUTION FOR FORMING POROUS FILM BECOMING INTERLAYER INSULATING FILM, AND METHOD AND SYSTEM FOR FORMING POROUS FILM BECOMING INTERLAYER INSULATING FILM - 特許庁

そして、上部電極１５には、第３の層間絶縁膜１６と、第４の層間絶縁膜１９と、第５の層間絶縁膜２０が順次形成されている。例文帳に追加

There are formed a third interlayer insulating film 16, a fourth interlayer insulating film 19, and a fifth interlayer insulating film 20 sequentially on the upper electrode 15. - 特許庁

層間絶縁膜上の第１のマスク膜及び層間絶縁膜に、層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達するビアホールを形成する。例文帳に追加

A via hole is formed in a first mask film on an interlayer insulation film and the interlayer insulation film so that it may reach the midway in the direction of thickness of the interlayer insulation film. - 特許庁

Ｓｉ基板(１)上の不純物領域(７)を覆うように層間絶縁膜(８)が形成され、その層間絶縁膜（８）には、層間絶縁膜（８）を貫通して不純物領域（７）を掘り込むようにコンタクトホール（９）が形成されている。例文帳に追加

An interlayer dielectric (8) is formed to cover impurity regions (7) on a Si substrate (1), and in the interlayer dielectric (8), contact holes (9) are formed to dig the impurity regions (7) by penetrating the interlayer dielectric (8). - 特許庁

第１層間絶縁膜１７上に静電容量素子の下部電極２１と第２層配線２２とを同時に形成した後、第１層間絶縁膜１７上に堆積した第２層間絶縁膜２４に開口部３４を形成する。例文帳に追加

After a lower electrode 21 of the electrostatic capacitor and second layer wiring 22 are formed at the same time on a first interlayer insulating film 17, an opening 34 is formed in a second interlayer insulating film 24 deposited on the first interlayer insulating film 17. - 特許庁

第２層間絶縁膜は、周縁領域においてチャネル領域（１ａ’）を斜め上方から包む側に基板の面に対して傾斜しており、上側層間絶縁膜及び第１層間絶縁膜よりも低い屈折率を持つ。例文帳に追加

The second interlayer insulating film inclines to a surface of the substrate on the side which wraps the channel area (1a') from a slanting upper part in the peripheral are and has a refractive index lower than those of the top interlayer insulating film and the first interlayer insulating film. - 特許庁

その後、第１層間絶縁膜１２上に、たとえばＣＶＤ法で第２層間絶縁膜１４の材料を堆積させることにより、オーバーハング形状部分を有していない第２層間絶縁膜１４を得ることができる。例文帳に追加

After that, the material for a second interlayer insulating film 14 is deposited on a first interlayer insulating film 12 by a CVD method, for example, where the film 14 which has no overhung-shaped part can be obtained. - 特許庁

層間絶縁膜１６はトランジスタ１０Ａが形成された基板１１上に形成されており、この層間絶縁膜１６上に層間絶縁膜１７が形成されている。例文帳に追加

The interlayer insulating film 16 is formed on a substrate 11 in which the transistor 10A is formed, and the interlayer insulating film 17 is formed on the interlayer insulating film 16. - 特許庁

内蔵工程では、コンデンサ１０上及び硬化状態の樹脂層間絶縁層８１上に上層側の樹脂層間絶縁層を被覆することにより、コンデンサ１０を樹脂層間絶縁層８１内に埋め込む。例文帳に追加

The capacitor 10 is embedded in the resin interlayer insulating layer 81 by covering the capacitor 10 and the resin interlayer insulating layer 81 in the cured state with the upper layer side resin interlayer insulating layer, in the built-in process. - 特許庁

ＭＴＪ素子を覆って全面に層間絶縁膜１６を形成した後、層間絶縁膜１６を選択的に貫通させ、ハードマスク層１５上の層間絶縁膜１６の一部にビアホール１７を形成する。例文帳に追加

After an interlayer insulating film 16 is formed over the whole surface of an MTJ element to cover the element, a via hole 17 is formed in part of the interlayer insulating film 16 on a hard mask layer 15 by making the hole 17 selectively pass through the film 16. - 特許庁

下層配線層１０８上に第一エッチングストッパ膜１０７、第一層間絶縁膜１０６、第二エッチングストッパ膜１０５、第二層間絶縁膜１０４、および第三層間絶縁膜１０３を積層する。例文帳に追加

A first etching stopper film 107, a first interlayer insulating film 106, a second etching stopper film 105, a second interlayer insulating film 104 and a third interlayer insulating film 103 are stacked on a lower wiring layer 108. - 特許庁

そして、少なくとも第２の層間絶縁層から第１の層間絶縁層内に達する溝が素子分離領域に対応する第１及び第２の層間絶縁層の領域に配されている。例文帳に追加

Then, a groove at least from the second inter-layer insulating layer into the first inter-layer insulating layer is disposed in the region of the first and second inter-layer insulating layers corresponding to the element isolation region. - 特許庁

層間絶縁膜１０１及びＣｕ膜１０４を有する配線１０５上に層間絶縁膜１０７を形成し、層間絶縁膜１０７にビア１０９及びトレンチ１０８を形成し、Ｃｕ膜１０４を露出させる。例文帳に追加

An interlayer insulating film 107 is formed on the wiring 105 with the interlayer insulating film 101 and a Cu film 104, a via 109 and a trench 108 are formed to the interlayer insulating film 107, and the Cu film 104 is exposed. - 特許庁

層間絶縁膜１３上に、まずホール形成のためのレジスト（図示せず）をパターニングし、それに従って層間絶縁膜１３２、ストッパ膜１２、層間絶縁膜１３１を順にエッチングする。例文帳に追加

First, a resist (not shown) for forming a hole is patterned on an interlayer dielectric 13, and according to it the interlayer dielectric 132, a stopper film 12, and the interlayer dielectric 131 are sequentially etched. - 特許庁

ＴＦＴアレイ基板１０上に層間絶縁膜１２、４１、４２が形成されており、その上に分岐配線９１ｙ、層間絶縁膜４３、分岐配線９３ｙ及び層間絶縁膜４４がこの順で形成されている。例文帳に追加

Interlayer insulating films 12, 41, 42 are formed on a TFT array substrate 10, and a branched line 91y, an interlayer insulating film 43, a branched line 93y and an interlayer insulating film 44 are formed thereon, in this order. - 特許庁

全面に層間絶縁膜８を成膜し、層間絶縁膜８，５に開口する第１接続孔８ａ、層間絶縁膜８および導電性パターン６ｂに開口する第２接続孔８ｂを同時に形成する。例文帳に追加

Then an interlayer insulating film 8 is formed over the whole surface, and a first connecting hole 8a which is made through the interlayer insulating films 8 and 5 and a second connecting hole 8b, which is made through the interlayer insulting film 8 and conductive pattern 6b are formed simultaneously. - 特許庁

薬液などの液体が層間絶縁膜中に侵入することに起因する層間絶縁膜の劣化を抑制し、かつ、層間絶縁膜の劣化を所定のガス（気体）により回復させることが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which deterioration of an interlayer insulation film due to intrusion of liquid such as chemical into the interlayer insulation film is suppressed, and deterioration of the interlayer insulation film can be recovered by predetermined gas. - 特許庁

層間絶縁膜を２層分けて形成させ、基板上の第１層間絶縁膜を薄くし、その第１層間絶縁膜に第１コンタクトホールを形成させて、その内面にバリア金属層を形成させる。例文帳に追加

An interlayer insulation film is formed, while it is divided into two layers, a first interlayer insulation film on a substrate is made thin, a first contact hole is formed on the first interlayer insulation film, and a barrier metal layer is formed on the inner surface. - 特許庁

層間絶縁膜２にコンタクトホール５を形成する際に、最初にフォトレジスト３と層間絶縁膜２とのエッチング選択比が低い条件で、層間絶縁膜２の途中まで異方性のドライエッチングを行う。例文帳に追加

When the contact holes 5 is formed on an inter-layer insulating film 2, first anisotropic dry etching is applied to the midway of the inter-layer insulating film 2, under the condition of the etching selection ratio between a photoresist 3 and the inter-layer insulating film 2 being low. - 特許庁

また、第１層間絶縁膜３上に第２層間絶縁膜７が積層され、第３コンタクトプラグ８が第２層間絶縁膜７を挿通して第１コンタクトプラグ４及び中間層配線５に接続されている。例文帳に追加

In addition, a second interlayer insulating film 7 is laminated upon the insulating film 3 and third contact plugs 8 are connected to the contact plug 4 and intermediate wiring 5 through the film 7. - 特許庁