「層間絶縁」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

層間絶縁膜およびマイクロレンズは上記感放射線性樹脂組成物から形成される。例文帳に追加

The interlayer insulating film and the microlens are formed from the above radiation-sensitive resin composition. - 特許庁

半導体基板１上及び容量下部電極３上に層間絶縁膜４が形成されている。例文帳に追加

An inter-layer insulating film 4 is formed on the semiconductor substrate 1 and capacitance lower electrode 3. - 特許庁

触媒粒子を付与した層間絶縁層上に銅めっき層を形成する（＃２，＃３）。例文帳に追加

A plated copper layer is formed on a layer-insulation layer, to which catalyst particles are given (#2 and #3). - 特許庁

メモリセル領域Ｍと周辺回路領域Ｐとにおいて、層間絶縁膜１５がほぼ平坦になる。例文帳に追加

An interlayer insulating film 15 becomes substantially flat in the area M and a peripheral circuit region P. - 特許庁

冷却路３は、層間絶縁膜２の内部を循環するように形成されている。例文帳に追加

The cooling path 3 is formed such that it circulates through the interior portion of the interlayer insulation film 2. - 特許庁

それらの上に層間絶縁膜（１６）、２ｎｄアルミ電極（１７）、ワイヤボール（１１）を形成する。例文帳に追加

Then an interlayer insulating film (16), a 2nd aluminum electrode (17) and a wire ball (11) are formed thereon. - 特許庁

特に、第1層間絶縁膜は脱水素化の後、200MPa以上の引張ストレスを有しうる。例文帳に追加

Particularly, after dehydrogenating the first inter-layer insulating film, a tensile stress of 200 MPa or more is exhibited. - 特許庁

層間絶縁膜１には、その上面から掘り下がった溝２ａ，２ｂが形成されている。例文帳に追加

The interlayer insulating film 1 has grooves 2a and 2b dug from its top surface. - 特許庁

第３層間絶縁膜上には、上層配線としてのドレイン配線１５が形成されている。例文帳に追加

A drain wiring 15 as the upper-layer wiring is formed on the third inter-layer insulating film. - 特許庁

半導体基板１上に、エッチングストッパ膜１０および層間絶縁膜１６が形成される。例文帳に追加

An etching stopper film 10 and an interlayer insulating film 16 are formed on the semiconductor substrate 1. - 特許庁

比誘電率及び吸湿性が低いと共に機械的強度に優れた層間絶縁膜を提供する。例文帳に追加

To provide an interlayer insulating film which is low in dielectric constant and hygroscopicity and excellent in mechanical strength. - 特許庁

層間絶縁膜３は、上部セルプレート電極１１に達するコンタクトホール２１ａを有する。例文帳に追加

The interlayer insulating film 3 has a contact hole 21a, reaching the upper cell plate electrode 11. - 特許庁

層間絶縁膜の開口部は、複数の画素電極にまたがるストライプ状に形成されている。例文帳に追加

The opening of the interlayer dielectric is formed like a stripe covering a plurality of pixel electrodes. - 特許庁

半導体基板１上に第１の層間絶縁膜３及びAl合金膜５を順に堆積する（Ａ）。例文帳に追加

A first interlayer dielectric 3 and an Al alloy film 5 are sequentially deposited on a semiconductor substrate 1 (A). - 特許庁

分子多面体型シルセスキオキサンを用いた半導体層間絶縁膜の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM USING MOLECULAR POLYHEDRAL SILSESQUIOXANE - 特許庁

その後、基板上に、シリコン窒化膜１１７及び層間絶縁膜１１８を順次形成する。例文帳に追加

Then, a silicon nitride film 117 and an interlayer dielectric film 118 are sequentially formed on the substrate. - 特許庁

多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING POROUS FILM, POROUS FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, INTERLAYER INSULATION FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ＴＦＴ上に層間絶縁膜７が形成され、この上に透明画素電極８が形成されている。例文帳に追加

An inter layer insulating film 7 is formed on the TFT, and a transparent pixel electrode 8 is formed thereon. - 特許庁

耐熱低誘電率材料並びにこれを用いた半導体層間絶縁膜及び半導体装置例文帳に追加

HEAT RESISTANT LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL, SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING IT - 特許庁

層間絶縁膜、およびマイクロレンズは、上記の感放射線性樹脂組成物より形成される。例文帳に追加

The interlaminar insulation film and microlens are produced from the radiation-sensitive resin composition. - 特許庁

層間絶縁膜25上に、ＢＰＳＧとＴＥＯＳとのいずれか一方により中間膜を形成する。例文帳に追加

Further, an intermediate film is formed on the interlayer dielectric 25 by using either one of BPSG and TEOS. - 特許庁

導体層間の絶縁層を、同一層内で誘電率の異なる材料を用いて構成する。例文帳に追加

An insulating layer between conductor layers is constructed using materials of different permittivity in the same layer. - 特許庁

半導体集積回路における配線の層間絶縁膜１０が形成されている。例文帳に追加

An interlayer insulation film 10 of a wiring in a semiconductor integrated circuit is formed. - 特許庁

次に、トランジスタを覆うように半導体基板上に第１の層間絶縁膜１０４を形成する。例文帳に追加

A first interlayer insulation film 104 is formed on the semiconductor substrate to cover the transistor. - 特許庁

芳香族ポリカルボシランを含む層間絶縁膜及びこれを用いた半導体装置例文帳に追加

INTERLAYER DIELECTRIC INCLUDING AROMATIC POLYCARBOSILANE AND SEMICONDUCTOR USING THIS - 特許庁

その後、ＣＭＰ法によりＴａＮ膜７ｂ及び層間絶縁膜４の表面部を研磨する。例文帳に追加

Subsequently, the surface of the film TaN 7b and the film 4 is polished by the CMP method. - 特許庁

最後に層間絶縁膜２０，２１、コンタクト部１４および金属配線１５を形成する。例文帳に追加

Lastly, layer insulation films 20, 21, a contact 14 and a metallic wiring 15 are formed. - 特許庁

ビルドアップ工法で製造される多層回路基板の層間絶縁層用樹脂組成物例文帳に追加

RESIN COMPOUND FOR INTERLAYER INSULATION FILM OF MULTILAYER CIRCUIT BOARD MANUFACTURED BY BUILDUP METHOD - 特許庁

このようにして層間絶縁層３及び基板１の露出面積を最小にする。例文帳に追加

Thus, exposed area of the inter-layer insulating layer 3 and the substrate 1 is minimized. - 特許庁

シロキサン系樹脂およびこれを用いた半導体層間絶縁膜の形成方法例文帳に追加

SILOXANE-BASED RESIN AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM BY USING THE SAME - 特許庁

そして、半導体基板１の表面上に層間絶縁膜１４、ソース電極１６を形成する。例文帳に追加

Thereafter, an interlayer insulating film 14 and a source electrode 16 are formed on the surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

電気特性・層間絶縁材層のレーザー加工性に優れる樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resin composition that has excellent electric characteristics and laser processability of an interlayer insulation layer. - 特許庁

第１層間絶縁層５上にＡｌ合金層からなる第１メタル配線層７を形成する。例文帳に追加

A first metal wiring layer 7 that consists of an Al alloy layer is formed on a first interlayer insulating layer 5. - 特許庁

スクリーン版、層間絶縁膜、回路基板、アクティブマトリックス回路基板及び画像表示装置例文帳に追加

SCREEN PLATE, INTERLAYER INSULATION FILM, CIRCUIT BOARD, ACTIVE MATRIX CIRCUIT BOARD AND IMAGE DISPLAY APPARATUS - 特許庁

耐静電性を向上させ、金属配線や層間絶縁膜の静電破壊を防止することを目的とする。例文帳に追加

To prevent electrostatic breakdown of a metal line or an interlayer insulation film by improving electrostatic resistance. - 特許庁

低比誘電率層間絶縁膜８には、開口部１７，２０が形成されている。例文帳に追加

The low specific permittivity interlayer insulation film 8 is formed with openings 17 and 20. - 特許庁

第１の層間絶縁膜２に第１の開口２ａを形成し、アライメントマークＭ_1を構成する。例文帳に追加

A first opening 2a is formed on the first interlayer insulation film 2, and this alignment mark M1 is constituted. - 特許庁

また、銅拡散防止膜６，９は、低誘電率層間絶縁膜４，７，２２，３３上に形成される。例文帳に追加

Moreover, the copper diffusion preventing films 6, 9 are formed on the insulating films between low dielectric constant layers 4, 7, 22, 33. - 特許庁

半導体装置の層間絶縁膜及び／又は表面保護膜用組成物並びに半導体装置例文帳に追加

INTER-LAYER INSULATING FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND/ OR SURFACE PROTECTIVE FILM COMPOSITION AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

この層間絶縁膜に溝パターンとして配線溝Ａと接続孔Ｂとを形成する。例文帳に追加

A wiring groove A and a connection hole B are formed as a groove pattern in the interlayer insulation film. - 特許庁

層間絶縁膜中にボイドを生じさせず、平坦性を確保しつつ、コンタクト構造を得る。例文帳に追加

To obtain a contact structure while ensuring flatness without generating void in a layer insulation film. - 特許庁

さらにその上に層間絶縁膜２９を介して電極パッド７が形成されている。例文帳に追加

Moreover, the electrode pad 7 is formed via an inter-layer insulating film 29 on this. - 特許庁

半導体基板全面上に平坦化層間絶縁膜及びフォトレジスト膜を順に形成する。例文帳に追加

An insulating film between planarizing layers and a photoresist film are sequentially formed on the whole surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法例文帳に追加

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATION FILM AND MICROLENS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THOSE - 特許庁

多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁間膜及び半導体装置例文帳に追加

COMPOSITION FOR FORMING POROUS FILM, POROUS FILM AND ITS MANUFACTURING PROCESS, INTERLAYER DIELECTRICS AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁