| 例文 (449件) |
金属薄膜電極の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 449件
金属抵抗１は、抵抗金属薄膜２０と一対の電極金属１２とで構成されている。例文帳に追加
The metal resistor 1 is constituted of a resistor metal thin film 20 and a pair of electrode metals 12. - 特許庁
下地金属薄膜１３と電気的に接続された導電性薄膜９と反射電極である第３の金属薄膜１０、１１とを備えている。例文帳に追加
A conductive thin film 9 electrically connected to the base layer metal thin film 13 and a third metal thin films 10 and 11 to be reflection electrodes are provided. - 特許庁
そして、上記透明陽極電極２および透明陰極電極４が金属薄膜と金属酸化物薄膜とからなる。例文帳に追加
The positive electrode 2 and the negative electrode 4 each comprise a thin metal film and a thin metal oxide film. - 特許庁
窒化アルミニウム薄膜−金属電極積層体およびそれを用いた薄膜圧電共振子例文帳に追加
ALUMINUM NITRIDE THIN FILM-METALLIC ELECTRODE STACK, AND THIN FILM PIEZOELECTRIC RESONATOR USING IT - 特許庁
電極28と金属反射薄膜36との間でリークが生じにくい。例文帳に追加
Leakage then will not occur between the electrodes and the metal reflecting thin film 36. - 特許庁
ナノ金属微粒子含有炭素薄膜電極及びその製造方法例文帳に追加
NANO-METAL PARTICLE INCLUDING THIN FILM CARBON ELECTRODE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
本発明は、金属薄膜電極及びその製造方法に関する。例文帳に追加
To provide a thin metal film electrode and a fabricating method thereof. - 特許庁
前記金属薄膜はフォトリソグラフィ加工で電極に形成される。例文帳に追加
The metallic thin film is formed as an electrode by a photolithography process. - 特許庁
抵抗金属薄膜２０は、電極金属１２の一部とのみ接触して、この電極金属間に有意抵抗値を提供する。例文帳に追加
The resistor metal thin film 20 is in contact only with part of the electrode metals 12 to provide a significant resistance value between the electrode metals. - 特許庁
ゲート電極１などとなる金属薄膜またはソース電極７およびドレイン電極６などとなる金属薄膜として、金属からなる層１ａと金属に窒素原子を添加した層１ｂを有する金属薄膜を用いる。例文帳に追加
As a metal thin film acting as the gate electrode 1, etc., or a metal thin film acting as the source electrode 7, the drain electrode 6, etc., the metal thin film which has a layer 1a, consisting of a metal, and a layer 1b in which the nitrogen atom is added to the metal, is used. - 特許庁
卑金属薄膜４、誘電体薄膜５および上部電極６の側面は卑金属薄膜４と同じ金属原子を含む卑金属酸化物７で覆われている。例文帳に追加
Side surfaces of the base metal thin film 4, dielectric thin film 5, and upper electrode 6 are covered with base metal oxide 7 containing the same metal atom with the base metal thin film 4. - 特許庁
電極である金属薄膜４が圧電セラミックス膜３の上面に取り付けられ、金属線メッシュ５が、金属薄膜４を覆って金属薄膜４の上面に取り付けられる。例文帳に追加
A metal thin film 4 as an electrode is fitted onto an upper surface of the piezoelectric ceramic film 3, and metal wire meshes 5 are fitted onto an upper surface of the metal thin film 4 to cover the metal thin film 4. - 特許庁
金属薄膜の上層側に形成されたコンタクトホールは、金属薄膜と画素電極とが重畳する領域に複数形成されている。例文帳に追加
A plurality of contact holes formed on the above layer side of the metal thin film are formed on an area where the metal thin film is superimposed on the pixel electrode. - 特許庁
さらに、金属薄膜に無数の開口を設けるか極薄い金属薄膜にすることで、透過型電極としても使用できる。例文帳に追加
Furthermore, the metallic thin film is used as a transmissive electrode by arranging countless thousands of openings thereon or by making it into an extremely thin metal film. - 特許庁
電極部材３１は金属製の薄膜からなるとともに、該金属製の薄膜は、発熱面３０ａの縁部３０ｂに貼付されている。例文帳に追加
The electrode member 31 consists of a metallic thin film, which is stuck on the marginal portion 30b of the heat generating surface 30a. - 特許庁
前記プラズモン共鳴金属薄膜が透光性を有する金属薄膜又は金属メッシュと該金属薄膜又は金属メッシュ上に金属ナノクラスタを金属錯体とともに量子ドットとして析出させてなる錯体結晶とからなり、前記透明導電性電極を兼用することができる。例文帳に追加
The Plasmon resonance metal thin-film comprises a metal thin-film or a metal mesh having light transmissivity and complex crystal obtained by depositing the metal nano-clusters together with metal complex as quantum dots on the metal thin-film or the metal mesh, thereby serving also as a transparent conductive electrode. - 特許庁
両面金属化ポリプロピレンフィルムの表面への金属薄膜の形成時に、一方の面に設けられた、外部電極と接続される第一の金属薄膜を先に形成し、その後に他方の面に第二の金属薄膜を形成することにより、引き出し電極と外部電極との接続を安定させる。例文帳に追加
When the metal thin film is formed on surfaces of both-surface metallized polypropylene film, a first metal thin film, which is provided on one surface and connected to the external electrode, is formed in first, and then a second metal thin film is formed on the other surface to stabilize connection between a drawing electrode and the external electrode. - 特許庁
ｐ型有機半導体薄膜２上には金属電極１、ｎ型無機半導体薄膜４上には透明電極５がそれぞれ形成されている。例文帳に追加
On the p-type organic semiconductor thin film 2, a metal electrode 1 is formed and on the n-type inorganic semiconductor thin film 4, a transparent electrode 5 is formed. - 特許庁
ｎ型ＺｎＯ薄膜５の上には上部電極１３を設け、金属薄膜１２の上には下部電極１４を設ける。例文帳に追加
An upper electrode 13 is provided on the thin film 5, and a lower electrode 14 is provided on the thin film 12. - 特許庁
配線金属１６は、電極金属１２とのみ接触し、抵抗金属薄膜２０とは接触していない。例文帳に追加
The interconnection metal 16 is in contact only with the electrode metals 12, but not with the resistor metal thin film 20. - 特許庁
上部電極４と下部電極２との間に、圧電体薄膜３ａ、３ｃ、３ｅを少なくとも２層以上設け、各圧電体薄膜の間に、強化用金属薄膜３ｂ、３ｄを挿入することにより、圧電体薄膜と強化用金属薄膜の積層領域３を形成する。例文帳に追加
At least two layers or more of piezoelectric thin-films 3a, 3c and 3e are formed between an upper electrode 4 and a lower electrode 2, and metallic thin-films 3b and 3d for a reinforcement are inserted among each of piezoelectric thin-films, thus forming the laminated region 3 of the piezoelectric thin-films and the metallic thin-films for the reinforcement. - 特許庁
基板２２上に透明電極膜１８を形成し、透明電極膜１８の表面に第一の金属薄膜３１を形成してから、第一の金属薄膜３１表面にスパッタリング法で第二の金属薄膜３２を形成して下部電極層３０とする。例文帳に追加
After a transparent electrode film 18 is formed on a substrate 22, and a first metal thin film 31 is formed on a surface of the transparent electrode film 18, a second metal thin film 32 is formed on a surface of the first metal thin film 31 by a sputtering method, and thus a lower electrode layer 30 is provided. - 特許庁
電極28と金属反射薄膜36との間に流れるリーク電流が減少する。例文帳に追加
Leakage current flowing between the electrodes 28 and the metal reflecting thin film 36 is decreased. - 特許庁
電子注入電極１２は、金属薄膜２５と透明導電膜２６との積層構造を有する。例文帳に追加
The electron injection electrode 12 has a lamination structure of a metal thin film 25 and a transparent conductive film 26. - 特許庁
電極金属膜間のリーク電流が少ない薄膜圧電体素子とその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a thin-film piezoelectric element which has a small leak current between electrode metal films and its manufacturing method. - 特許庁
金属配線８０ａはボトムゲート型薄膜トランジスタ６０のゲート電極となっている。例文帳に追加
The metal wiring 80a is served as the gate electrode of a bottom-gate thin film transistor 60. - 特許庁
上面の金属薄膜は給電回路２３により給電し、接地電極２７は接地する。例文帳に追加
The metallic thin film on the upper face is fed by a power feeding circuit 23 and the ground electrode is grounded. - 特許庁
厚膜上部電極を使用して金属箔上に薄膜コンデンサを作製する方法例文帳に追加
METHOD OF MAKING THIN FILM CAPACITOR ON METAL FOIL USING THICK FILM TOP ELECTRODE - 特許庁
透光性薄膜金属電極を形成する際に基板温度を１０〜１００℃に保って、形成する。例文帳に追加
A transparent thin film metal electrode is formed, when keeping a substrate at 10 to 100°C. - 特許庁
空隙５を介し梁１と梁１上の反射面８と電極３を兼ねる金属薄膜がある。例文帳に追加
The beam 1 and the reflecting surface 8 on the beam 1 and a metal thin film servicing as the electrode are present across the gap 5. - 特許庁
下部電極１４には仕事関数の大きい貴金属が利用され、誘電体薄膜１６には、ペロブスカイト型酸化物薄膜が利用される。例文帳に追加
A noble metal having a large work function is used for the lower electrode 14, and a perovskite oxide thin film is used for the dielectric thin film 16. - 特許庁
ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４は、エピタキシャル成長法により金属電極２上に形成する。例文帳に追加
An n-type polycrystalline Si thin film 3 and a p-type polycrystalline Si thin film 4 are formed on the metal electrode 2 by an epitaxial growth method. - 特許庁
ダイヤモンドライクカーボン薄膜の製造方法及び該薄膜が金属基板上に形成された電極材料例文帳に追加
FORMING METHOD OF DIAMOND-LIKE CARBON THIN FILM AND ELECTRODE MATERIAL FORMED WITH THE THIN FILM ON METAL BASE BOARD - 特許庁
この集積型薄膜光電変換装置では、透明導電膜４上に、さらに薄膜光電変換ユニット５、金属電極膜６が配置される。例文帳に追加
In the integrated thin film photoelectric converter, a thin film photoelectric conversion unit 5 and a metal electrode film 6 are further arranged on the transparent conductive film 4. - 特許庁
金属薄膜２の両面に、それぞれ高屈折率材料からなる薄膜１，３が積層されてなる太陽電池用透明電極である。例文帳に追加
The transparent electrode for the solar cell is constituted by laminating thin films 1 and 3 of high-refractive-index materials on both the surfaces of a metal thin film 2. - 特許庁
まずセラミックシート１０の上に薄膜形成法により内部電極となる金属薄膜１１を形成する。例文帳に追加
A metal thin film 11, which will function as an internal electrode, is formed on each ceramic sheet 10 by a thin film formation method. - 特許庁
１対の対向電極４は、金属電極部からなる第１電極４ａと、金属電極部が絶縁層薄膜５により被覆されてなる第２電極４ｂとからなる。例文帳に追加
A pair of counter electrodes 4 includes a first electrode 4a formed of a metallic electrode and a second electrode 4b wherein the metallic electrode part is coated with an insulating layer thin film 5. - 特許庁
有機ＥＬ素子５０の電子注入電極８は、金属薄膜８１および金属酸化膜８２の積層構造を有する。例文帳に追加
Each electron injecting electrode 8 of the elements 50 has a layered structure composed of a metal thin film 81 and a metal oxide film 82. - 特許庁
ゲート絶縁膜とゲート電極の間に薄膜金属層を有する半導体装置において、薄膜金属層を構成する金属がゲート絶縁膜に混入するのを防ぐ。例文帳に追加
To provide a semiconductor device including a thin film metal layer between a gate insulating film and a gate electrode by which mixing of metal constituting the thin film metal layer into the gate insulating film is prevented. - 特許庁
薄膜金属電極層と電気絶縁性基板との付着力の向上を図り、さらに、基板の表面もしくは表裏両面に薄膜金属電極層が、ほぼ均一かつ同時に容易に形成可能な薄膜電極の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a thin-film electrode, which improves an adhesive force between a thin-film metal electrode layer and an electrically insulative substrate, and further forms the thin-film metal electrode layer approximately uniformly, simultaneously and easily on the surface or the both sides of the substrate. - 特許庁
側面電極６は、所定ピッチの電極パターンを有する金属薄膜３２を形成し、その後、金属薄膜３２の表面にメッキ層を堆積して形成される。例文帳に追加
The side electrode 6 is formed by forming a metal thin film 32 having an electrode pattern with a predetermined pitch and then depositing a plated layer on the surface of the metal thin film 32. - 特許庁
透明導電膜層は、電極層上にまたは基材と電極層との間に形成され、金属薄膜と金属酸化物薄膜が複数回積層されて形成される。例文帳に追加
The transparent conductive film layer is formed on the electrode layer or between the substrate and the electrode layer by a plurality of lamination of a metal thin film and a metal oxide thin film. - 特許庁
有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる陽極電極２であって、金属薄膜と有機金属酸化物薄膜とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極である。例文帳に追加
The positive electrode 2 is used for the organic electroluminescence element, and it is the transparent electrode for organic electroluminescence elements which consists of a metal thin film and an organic metal oxide thin film. - 特許庁
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