「金属薄膜電極」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

ギャップの幅方向における導電性金属薄膜の両端部に電極を設け、第１及び第２のＭＩ素子の導電性金属薄膜の電極のうち、ギャップの幅方向における一方の側の電極どうしを接続し、他方の側の電極を介して、高周波キャリア信号電流を印加する。例文帳に追加

Electrodes are provided at both end parts of the conductive metal thin films in a direction of the width of the gap and electrodes on one side in the direction of the width of the gap of the electrodes of the conductive metal thin films of the first and the second MI element are connected with each other and high frequency carrier signal current is applied to the electrodes through the electrodes of the other sides. - 特許庁

半導体基板と、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたＴｉＮ、ＴａＮ、ＲｕＯ又はこれらの混合物からなる薄膜金属層と、薄膜金属層上に形成されたゲート電極とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device includes a semiconductor substrate, the gate insulating film formed on the semiconductor substrate, the thin film metal layer consisting of TiN, TaN, RuO or a mixture of these, and the gate electrode formed on the thin film metal layer. - 特許庁

本可撓性金属薄膜積層体１００は、微細孔を有する炭素繊維の織布（炭素基材）１０１と、該織布１０１に積層された銅コート（金属薄膜）１０２とからなるものであり、カーボンバッテリにおいて電極として用いられるものである。例文帳に追加

The flexible metal thin film laminate 100 is composed of carbon fiber fabric (carbon substrate) 101 having fine pores and a copper coating layer (metal thin film) 102 laminated on the fabric 101 and used as an electrode in a carbon battery. - 特許庁

集電体となる金属箔１２上にプラズマＣＶＤ法により、活物質となるシリコン薄膜を形成するリチウム二次電池用電極の製造方法において、金属箔１２に対するダメージを抑制して、シリコン薄膜を形成する。例文帳に追加

To form a silicon thin film while inhibiting damage to a metal foil in a method of manufacturing an electrode for a lithium secondary battery, which has the silicon thin film as an active material formed on the metal foil as a collector in a plasma CVD method. - 特許庁

電荷注入効率の高いｐ型有機薄膜トランジスタ、および、金属酸化物を電荷注入層として用いても、金属酸化物が溶解することで電極剥離を起こすことのないｐ型有機薄膜トランジスタの製造方法、ならびに、この製造方法に用いる塗布溶液を提供する。例文帳に追加

To provide a p-type organic thin film transistor with high efficiency of charge injection, to provide a method of manufacturing the p-type organic thin film transistor in which a metal oxide does not melt to cause electrode peeling even if the metal oxide is used as a charge injection layer, and to provide a coating liquid used for the manufacturing method. - 特許庁

コンデンサ素子１０は、金属層１２、１２’が表面に形成された樹脂薄膜体１４を複数層厚み方向に積層してなり、各樹脂薄膜体１４上の各金属層１２、１２’は厚み方向に互い違いに左右いずれか一方の外部電極に電気的に接続されている。例文帳に追加

The capacitor element 10 is formed by laminating, in the thickness direction, a plurality of sheets of the resin thin film 14 where metal layers 12, 12' are formed on the surface and the metal layers 12, 12' on the resin thin film 14 are alternately connected electrically to one of the right and left external electrodes. - 特許庁

金属薄膜14をリアクティブ・イオン・エッチング処理し、イオンエッチングによってマスク17に忠実にパターン形成し、ラジカルの等方性エッチングを利用してマスク17と金属薄膜14の隙間からエッチングを進行させ、ゲート電極18の断面形状を肩の落ちたテーパ形状にする。例文帳に追加

The metal thin film 14 is subjected to reactive ion etching treatment, pattern formation being faithful to the mask 17 is carried out by the ion etching, isotropic etching of a radical is utilized for advancing the etching from the gap between the mask 17 and the metal thin film 14, and the sectional shape of a gate electrode 18 is tapered. - 特許庁

薄膜太陽電池の光入射側とは反対側の面に裏面電極層として透明電極層及び金属層の積層構造を形成する際に、１つの基板１０に対して透明電極層の成膜を終了するタイミングと金属層の成膜を開始するタイミングとを合わせる。例文帳に追加

When a layered structure of a transparent electrode layer and a metal layer is formed as a back electrode layer over a surface on a side opposite to a side of incidence of light of a thin-film solar cell, timing at which formation of the transparent electrode layer is completed and timing at which formation of the metal layer is started are adjusted to each other with respect to one substrate 10. - 特許庁

リチウムと合金化しない金属から形成された集電体１１と、集電体１１の表面に形成され、リチウムと合金化する元素を含む薄膜１２とを備え、薄膜１２が網目状のクラック１５ａを備えている薄膜電極とする。例文帳に追加

The thin film electrode is composed of the current collector 11 made of a metal not alloyed with lithium, and the thin film 12 formed on the current collector 11 containing elements alloyed with lithium and having reticulate cracks 15. - 特許庁

リチウムと合金化しない金属から形成された集電体２と、集電体２の表面に形成され、リチウムと合金化する元素を含む薄膜３とを備え、薄膜３の空隙率が、１％以上４０％未満である薄膜電極１とする。例文帳に追加

The thin film electrode 1 comprises a current collector 2 made of metal not alloying with lithium, and a thin film 3 formed on the current collector 2, containing an element alloying with lithium, having porosity of not less than 1% and not more than 40%. - 特許庁

本発明のＥＬ素子の製造方法は，任意の固体基板上に，ＩＴＯ薄膜等の第一電極１２，酸化アルミニウム等の絶縁薄膜１３，高誘電体層１４，ＭＧ金属薄膜を順次積層する工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The manufacturing method of the EL element includes a process to laminate a first electrode 12 of ITO thin film or the like, an insulating thin film 13 of aluminum oxide or the like, a high dielectric layer 14 and MG metal thin film on an arbitrary solid substrate successively. - 特許庁

透明基板１０（Ａ）上に、透明高屈折率薄膜層２０（ａ）、銀又は銀合金からなる金属薄膜層３０（ｂ）が透明導電性薄膜層として、Ａ／ａ／ｂ／ａの構成で積層されており、積層面内に積層されていない部分も有するパターニングされた透明電極。例文帳に追加

The pattered transparent electrode is prepared by stacking a transparent high refractive index thin film layer (a) and a metal thin film layer 30 (b) made of silver or a silver alloy on a transparent substrate 10 (A) as transparent conductive thin film layers in the constitution of A/a/b/a, and forming no stacked parts within the stacked surface. - 特許庁

半導体基板上に金属電極パターンを形成する方法等に利用できる、薄膜剥離除去用接着シートを用いた薄膜のパターン形成方法であって、接着剤による汚染等のない薄膜パターンを確実に形成しうる方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a thin-film pattern forming method using an adhesive sheet for peeling off a thin film, utilizable in methods of forming metal electrode patterns on a semiconductor substrate, etc., whereby a thin film pattern without contamination of adhesives, etc., can be formed surely. - 特許庁

リチウムと合金化しない金属から形成された集電体１１と、集電体１１の表面に形成され、リチウムと合金化する元素を含む薄膜１２とを備え、薄膜１２が凸部１４および凹部１５を備え、凸部１４の高さＨ１が２μｍ以上２０μｍ以下である薄膜電極とする。例文帳に追加

The thin film electrode is composed of the current collector 11 made of a metal not alloyed with lithium, and the thin film 12 formed on the current collector containing an element alloyed with lithium, wherein the thin film 12 has convex parts 14 with heights H1 of 2 μm or higher and 20 μm or lower, and a recess part 15. - 特許庁

透明高屈折率薄膜５と金属薄膜６と導電性ポリマー薄膜７とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極であって、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層３に隣接する膜が、仕事関数が調整された導電性ポリマー薄膜７である有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極とする。例文帳に追加

In the transparent electrode for organic electroluminescent elements, comprising a transparent high refractive index thin film 5; a metal thin film 6; and a conductive polymer thin film 7, a film adjacent to an emission layer 3 in the organic electroluminescent element is the conductive polymer thin film 7, where the work function is adjusted. - 特許庁

コンデンサの電極材料として安価な金属材料が適応された高誘電体薄膜コンデンサとその製造方法を提供することにより、製造コストが安く、かつ貴金属元素を金属電極に用いたコンデンサと同等の誘電率を示し、かつ漏れ電流の小さな高品質かつ高信頼性を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する。例文帳に追加

To provide a high-quality, high-reliability, and high dielectric thin film capacitor which shows the same permittivity as that shown by a capacitor in which a noble metallic element is used for metallic electrodes, through the capacitor uses an inexpensive metallic material for its metallic electrodes and is less in leakage current, and to provide a method by which the capacitor can be manufactured at a low cost. - 特許庁

本発明にかかる金属化フィルムは、誘電体フィルムの片面に少なくとも１層以上の金属薄膜が形成され、フィルムが電極側端部とマージン側端部を有しそのうち少なくとも電極側端部が波型形状であり、金属薄膜の膜抵抗が３Ω/□以上１０Ω/□未満の範囲のものである。例文帳に追加

The metallized film has at least one or more layers of metal thin films on one surface of a dielectric film, and the film has an electrode-side end and a margin-side end, wherein at least the electrode-side end is in a wave shape and the metal thin films have a resistance of 3 to 10 Ω/Square. - 特許庁

第１及び第２金属電極膜とその間にＢｉＺｎＮｂ系非晶質金属酸化物を用いて、誘電率が１５以上の誘電体膜を含む薄膜キャパシターを形成する。例文帳に追加

A thin film capacitor which includes a dielectric film of a dielectric constant of 15 or more is formed using a first and second metal electrode films and an amorphous metal oxide of BiZnNb positioned between the electrodes. - 特許庁

Ｃｕ及び他の金属を含むＣｕ系導電層とＣｕ系導電層の上部に形成される金属キャッピング層とを含む透明薄膜電極である。例文帳に追加

The transparent thin-film electrode includes a Cu-based conductive layer containing Cu and other metals, and a metal capping layer formed at the upper portion of the Cu-based conductive layer. - 特許庁

薄膜電極３０２は、中間転写ベルト２１と対向して配置され、電子加速層３０３は、抗酸化力が高い金属微粒子と、金属微粒子の大きさより大きい絶縁体の微粒子とを含んでいる。例文帳に追加

The thin film electrode 302 is arranged to be opposed to the intermediate transfer belt 21, and the electron acceleration layer 303 contains metal particulates having high anti-oxidant power and insulation particulates larger in size than the metal particulates. - 特許庁

電子注入特性に優れた低仕事関数金属を、電子注入電極に含む薄膜ＥＬ素子に於いて、低仕事関数金属の劣化を防止することにより、素子の高輝度化及び長寿命化を図る。例文帳に追加

To design a thin film EL element to make improvement in luminosity and long life, in the element which contains a low work function metal excellent in the electron injection characteristics in an electron injection electrode, by preventing degradation of low work function metal. - 特許庁

薄膜電極３０２は、定着ベルト１５ｃと対向して配置され、電子加速層３０３は、抗酸化力が高い金属微粒子３０７と、金属微粒子３０７の大きさより大きい絶縁体の微粒子３０６とを含んでいる。例文帳に追加

The thin-film electrode 302 is disposed facing the fixing belt 15c, and the electron accelerating layer 303 includes metal particles 307 of high antioxidant power, and insulator particles 306 larger than the size of the metal particles 307. - 特許庁

半導体層１３の表面に配置されたパッド電極１６にサージが印加されると、半導体層１３から半導体基板１０に流れるサージ電流は、金属薄膜３０を通って金属のアイランド５１に向かう。例文帳に追加

When a surge is applied to a pad electrode 16 arranged on a surface of the semiconductor layer 13, a surge current flowing from the semiconductor layer 13 to the semiconductor substrate 10 is directed to the metal island 51 through the metal thin film 30. - 特許庁

薄膜トランジスタ基板１の上面の各所定の箇所に、Ａｌ系金属等の高反射性金属からなるゲート電極７および補助容量ライン６を同時に形成する。例文帳に追加

A gate electrode 7 and an auxiliary capacitance line 6 consisting of highly reflective metal such as an Al based metal are simultaneously formed at prescribed portions on the upper surface of the thin film transistor substrate 1. - 特許庁

薄膜トランジスタのゲート電極或いはゲート配線を、下地密着層、触媒層、配線金属層、配線金属拡散抑止層の順に積層して４層構造にすることよって、密着性及び平坦性を改善した。例文帳に追加

Adhesiveness and planarity are improved by permitting a gate electrode or a gate wiring of a thin film transistor to have a four-layer structure by successively stacking a base adhesive layer, a catalyst layer, a wiring metal layer, and a wiring metal diffusion suppressing layer. - 特許庁

好ましくは、該色素増感型太陽電池のアノード電極の金属酸化物薄膜の表面に担持された色素の近傍に白金などの金属微粒子を配する。例文帳に追加

Preferably, fine particles of a metal such as platinum are arranged in the vicinity of a coloring matter carried on the surface of a metal oxide thin film of the anode of the coloring matter sensitizing type solar battery. - 特許庁

本発明の一実施例による電気二重層キャパシタ用電極は、アルミニウム薄膜と、上記アルミニウム薄膜上にアルミニウムより伝導性の高い高伝導性金属を積層した集電体と、上記アルミニウム薄膜上に電極物質が上記高伝導性金属と接触するように形成されるグルーブと、上記グルーブと上記アルミニウム薄膜上に上記電極物質でコーティングされた電極層と、を含むことができる。例文帳に追加

The electrode for an electric double layer capacitor includes: a collector having an aluminum thin film and a highly conductive metal that has higher conductivity than aluminum and is laminated on the aluminum thin film; a groove formed on the aluminum thin film so that an electrode material makes contact with the highly conductive metal; and an electrode layer coated with the electrode material and formed on the groove and the aluminum thin film. - 特許庁

薄膜太陽電池を形成する太陽電池の製造方法であって、薄膜太陽電池の光入射側とは反対側の面に裏面電極層として透明電極層及び金属層の積層構造を形成する際に、１つの基板１０に対して透明電極層と金属層とを同時に成膜する期間を設ける。例文帳に追加

The method is intended to form the thin-film solar cell and has a period to simultaneously form a transparent electrode layer and metal layer on a single substrate 10 when forming a laminated structure with the transparent electrode layer and metal layer as the back electrode layer on the surface opposite to an optical incident side of the thin-film solar cell. - 特許庁

本発明は、透明電極の上面に形成された金属薄膜を有する試料を平行平板型プラズマエッチング装置のチャンバ内の試料台上に配置し、該チャンバ内にフッ素原子を含むガスを導入し、該試料台と該試料台に対面して設置された対向電極との間に高周波電圧を印加して前記金属薄膜をプラズマエッチングする補助電極の形成方法である。例文帳に追加

A specimen having a metallic thin film formed on the upper surface of the transparent electrode is disposed on a specimen stage in a chamber of a parallel flat plasma etching apparatus, a gas containing fluorine atom is introduced into the chamber, and applying a high frequency voltage between the specimen table, and an opposite electrode disposed to be faced to the specimen table so as to etch the metallic thin film with the plasma. - 特許庁

集電体として用いる金属箔の上に、リチウムを吸蔵・放出する活物質薄膜を堆積して形成するリチウム二次電池用電極において、集電体と活物質薄膜との密着性が良好なリチウム二次電池用電極を製造する。例文帳に追加

To manufacture an electrode for a lithium secondary battery with favorable adhesion between a collector and an active material film in an electrode for a lithium secondary battery with a lithium occluding and discharging active material film accumulated and formed on a metallic foil used as a collector. - 特許庁

本発明は画素の開口率を改善し、画素別画素回路を備えた有機電界発光表示パネルにおいて、画素回路を構成する少なくとも１の薄膜トランジスタは半導体層でソース及びドレイン電極が形成され、この薄膜トランジスタのゲート電極上に金属層を配置する。例文帳に追加

In the organic electroluminescence display panel which increases the aperture ratio of pixels and is equipped with pixel circuits by the pixels, at least one thin film transistor constituting a pixel circuit has its source and drain electrodes formed of semiconductor layers, and a metal layer is arranged on the g ate electrode of the thin film transistor. - 特許庁

薄膜電極の製造方法は、基板１１の平坦な上面にそのペーストを塗布して所定の厚さに成膜する工程と、熱処理によりペーストにおける溶媒を除去して金属微粒子を焼成することにより基板１１上に薄膜電極１２を得る工程とを含む。例文帳に追加

The manufacturing method of the thin film electrode consists of a process forming a membrane with a given thickness by coating a paste on a flat upper surface of a substrate 11, and a process obtaining a thin film electrode 12 on the substrate 11 by calcinating the metal fine particles eliminating a solvent in the paste by a heat treatment. - 特許庁

光反射性金属膜（１２１）を含む裏面電極（１２）と、一導電型層（１３１）、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層（１３２）および逆導電型層（１３３）を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット（１３）と、透明前面電極（１４）とを備える。例文帳に追加

The silicon thin-film photoelectric conversion device is provide with a rear side electrode 12 containing a light-reflective metal film 121; a silicon thin-film photoelectric conversion unit 13 containing a one-conductivity type layer 131, a photoconductive layer 132 made of a crystalline silicon thin film, and an inverse-conductivity type layer 133; and a transparent front side electrode 14. - 特許庁

透明前面電極膜（１２）と、一導電型層（１３１）、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層（１３２）および逆導電型層（１３３）を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット（１３）と、透明裏面導電膜（１４）と、裏面金属電極膜（１５）とを備える。例文帳に追加

This transducer is provided with a transparent front electrode film 12, a silicon-based thin-film photoelectric conversion unit 13 which contains are conductivity type layer 131, a photoelectric conversion layer 132 composed of crystalline silicon-based thin-film, and an opposite conductivity type layer 133, a transparent rear conducting film 14, and a rear metal electrode film 15. - 特許庁

本発明は、絶縁基板１上に、電子部品素子を形成し、さらに保護層を形成し、外部接続用電極が導出されている薄膜電子部品であり、外部接続用電極が形成された主面と対向する主面にはＴｉやＮｉにより薄膜金属層が形成されている。例文帳に追加

This thin-film electronic component is constituted by forming electronic component elements on an insulating substrate 1, further forming a protective layer, and extracting external connection electrodes, wherein a thin-film metal layer is formed with Ti or Ni on the main surface which is opposite to another main surface on which the external connection electrodes are formed. - 特許庁

本発明は、金属パイプ等に封入して使用される薄膜サーミスタの絶縁耐圧性能を向上させ、感熱膜に接続された外部引出端子部と櫛歯電極の電極材料に起因する特性変動を無くし、長期信頼性に優れた薄膜サーミスタを提供する。例文帳に追加

To provide a thin film thermistor which improves its dielectric strength performance, is prevented from varying in characteristics due to an external leading terminal connected to a heat-sensitive film and the electrode material of an interdigital electrode, and demonstrates excellent long-term reliability. - 特許庁

薄膜トランジスタ１２５、薄膜トランジスタ１２５を駆動する金属配線、薄膜トランジスタ１２５と連結される画素電極１３０及び画素電極１３０上に形成された発光層１３６を備える絶縁基板１００上に、画素電極１３０と重ならないように、低反射率と実現する物質からなるパターン１０４を形成する。例文帳に追加

On an insulating substrate 100 which is provided with a thin film transistor 125, a metal wire for driving the thin film transistor 125, a pixel electrode 130 connected to the thin film transistor 125 and a luminous layer 136 formed on the pixel electrode 130, a pattern 104 is formed of a material for achieving low reflectance while avoiding the overlap with the pixel electrode 130. - 特許庁

少なくともカーボンブラックとフッ素樹脂微粒子から構成されたガス拡散電極の反応層又は／及びガス供給層において、電極面とおおよそ垂直に薄膜状金属体が電極の表裏を貫通し、電極断面における該金属体の平均面積率が電極面面積の１０パーセント以下であるガス拡散電極。例文帳に追加

In a reaction layer or/and a gas supply layer, constituted of at least carbon black and fluororesin fine particles, of a gas diffusion electrode, thin film-shaped metal bodies penetrate from the front side to the back side of the electrode nearly vertically to the electrode surface and the average area ratio of the metal bodies in the cross section of the electrode is ≤10% of the electrode surface area. - 特許庁

白金族元素よりなる上部電極５０及び下部電極４６と、前記上部電極と下部電極との間に形成された誘電体薄膜４８と、前記下部電極と誘電体薄膜との間に形成され、３族、４族または１３族の金属酸化物よりなるバッファ層４７とを備えることを特徴とするキャパシタ５２。例文帳に追加

The capacitor 52 has an upper electrode 50 and a lower electrode 46 which are made of platium group elements, a dielectric thin film 48 which is formed between the upper and lower electrodes, and a buffer layer 47 which is made of group 3, group 4, or group 13 metal oxide between the lower electrode and dielectric thin film. - 特許庁

本発明は、金属微粒子を用いた電極ペーストを用いることなく、銅-ニッケル含有ペーストを用いてミクロン単位の薄膜となる外部電極ペーストを提供することである。例文帳に追加

To provide an external electrode paste formed into a thin film in a micron range by using a copper-nickel-containing paste without using an electrode paste using metal fine particles. - 特許庁

そして、有機薄膜トランジスタ１０において、金属粒子７は、ソース電極５とドレイン電極６との間の有機半導体膜４の一主面に配置される。例文帳に追加

In the organic thin film transistor 10, the metal particles 7 are arranged on one major surface of the organic semiconductor film 4 between the source electrode 5 and the drain electrode 6. - 特許庁

したがって、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄを遮光性金属によって形成しても、光電変換半導体薄膜のチャネル領域への光入射量を多くすることができる。例文帳に追加

Even if the source electrode S and drain electrode D are formed of the light shielding metal, therefore, the amount of light entering the channel region of the photoelectric conversion semiconductor thin film is increased. - 特許庁

基板１０１の上に、絶縁層１０２を介し、ルテニウム（Ｒｕ）と窒素（Ｎ）とから構成された導電薄膜よりなる下部電極層１０３と、金属酸化物層１０４と、上部電極１０５とを備える。例文帳に追加

The lower electrode layer 103 made of a conductive thin film composed of ruthenium (Ru) and nitrogen (N), the metal oxide layer 104, and an upper electrode 105 are provided on a substrate 101 via an insulating layer 102. - 特許庁

基材１１の表面に形成された導電性金属酸化物薄膜１２に対向すべく、正電極１３と負電極１４を交互に複数対配置する。例文帳に追加

Positive electrodes 13 and negative electrodes 14 are alternatively arranged in a plurality of pairs so as to be opposed to the electrically conductive metal oxide thin film 12 formed on the surface of a base material 11. - 特許庁

基板１１上に形成されたアノード電極膜１２と、その表面の発光性有機薄膜１５ａと、その表面のカソード電極膜１６aとを、樹脂封止膜２１と金属封止膜２２とで封止する。例文帳に追加

An anode electrode membrane 12 formed on the substrate 11, a luminous organic film 15a on its surface, and a cathode electrode membrane 16a on the surface of the above are sealed with a resin sealing membrane 21 and a metallic sealing membrane 22. - 特許庁