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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 順導に関連した英語例文

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順導の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3628



例文

路誘システム例文帳に追加

ROUTING GUIDE SYSTEM - 特許庁

路計算装置、路誘装置、及び、路計算方法例文帳に追加

ROUTE COMPUTING DEVICE, ROUTE GUIDING DEVICE AND ROUTE COMPUTING MEANS - 特許庁

組立出システム例文帳に追加

ASSEMBLING ORDER DERIVATION SYSTEM - 特許庁

一定期間に修得させる学習の指例文帳に追加

a course of study undertaken in a given period  - EDR日英対訳辞書

例文

体チップの応性インターフェース例文帳に追加

ADAPTABLE INTERFACE OF SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁


例文

体装置100は,次の手で作製される。例文帳に追加

The semiconductor device 100 is produced according to following steps. - 特許庁

超伝線材用フィラメント圧縮手例文帳に追加

PROCEDURE OF DENSIFYING FILAMENT FOR SUPERCONDUCTIVE WIRE - 特許庁

体試験装置の実行手制御方式例文帳に追加

METHOD FOR CONTROLLING PROCEDURE OF EXECUTION IN SEMICONDUCTOR TESTING DEVICE - 特許庁

操作手システムおよびプログラム例文帳に追加

OPERATING PROCEDURE GUIDANCE SYSTEM AND PROGRAM - 特許庁

例文

体チップテスト装置及び半体チップテスト装置の操作手例文帳に追加

SEMICONDUCTOR CHIP TESTING APPARATUS AND OPERATING PROCEDURE FOR SEMICONDUCTOR CHIP TESTING APPARATUS - 特許庁

例文

第1接点が通した場合、倍音アドレス4までの倍音を昇次発音させる。例文帳に追加

When the 1st contact is brought into conduction, the overtones are sequentially generated in ascending order up to the overtone address 4. - 特許庁

方向バイアスに対する方向電流の特性を向上させた半体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device improving the characteristics of a forward current relative to forward bias. - 特許庁

第2接点も通した場合、残りの倍音を昇次発音させる。例文帳に追加

When the 2nd contact is also brought into conduction, the remaining overtones are sequentially generated in ascending order. - 特許庁

光管の束1の端面から光管に1から9へに、又は逆方向に光を入する。例文帳に追加

The light is introduced in order from the end surface of the bundle 1 of the light introducing tubes to the light introducing tubes in the order from 1 to 9, or in the reverse direction. - 特許庁

複数の端末100は、各々、序を持った情報である誘優先位を記憶する誘優先位記憶手段102と、一様乱数を発生させる乱数発生手段105と、発生させた乱数により前記誘優先位を攪乱する誘優先位攪乱手段106と、攪乱済みの前記誘優先位を前記サーバに送信する送信手段107を備える。例文帳に追加

A plurality of terminals 100 each includes guide priority order storage means 102 of storing guide priority order as sequenced information, random number generation means 105 of generating a uniform random number, guide priority order derangement means 106 of deranging the guide priority order with the generated random number, and transmission means 107 of transmitting the guide priority order having been deranged to a server. - 特許庁

第2、第3フェーズにおいて第1出用ユニット30e〜gと第2出用ユニット32a〜dとが並行して動作する。例文帳に追加

The first order derivation units 30e-30g and the second order derivation units 32a-d are operated in parallel in the second and third phases. - 特許庁

Konqueror は Flashにも対応しています。 入手は http://freebsd.kde.org/howto.php をご覧ください。例文帳に追加

Konqueror also supports Flash ; a How To guide for getting Flash support on Konqueror is available at http://freebsd.kde.org/howto.php.  - FreeBSD

京阪京都交通〔*(2008年3月頃から入予定)〕例文帳に追加

Keihan Kyoto Kotsu[2] (scheduled to be introduced in stages after around March 2008)  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

体パターンB2,B4,B3,B5,B6,B8,B7,B9は、このに電気的に接続されている。例文帳に追加

The conductor patterns B2, B4, B3, B5, B6, B8, B7 and B9 are connected electrically in this order. - 特許庁

強誘電体を用いた序回路およびこれを用いた半体装置例文帳に追加

SEQUENTIAL CIRCUIT USING FERROELECTRIC AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE CIRCUIT - 特許庁

体基板12上にTi層およびPd層をに形成する。例文帳に追加

A Ti layer and a Pd layer are successively formed on a semiconductor substrate 12. - 特許庁

体集積回路のスキャン回路接続序決定方法例文帳に追加

METHOD FOR DETERMINING SCAN CIRCUIT CONNECTION SEQUENCE OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

その内面に光電層5、下部電極6を次積層する(e)。例文帳に追加

A photoconductive layer 5 and lower electrode 6 are successively laminated (e) on the inside surfaces. - 特許庁

回転電機のU字次接続式コイル及びその製造方法例文帳に追加

U-SHAPED CONDUCTOR SEQUENTIAL CONNECTION COIL OF ROTARY ELECTRIC MACHINE AND ITS MANUFACTURING PROCESS - 特許庁

体チップの応性インターフェースを形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING COMPLIANT INTERFACE OF SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁

相並列U字次接続Y形巻線の引き出し線構造例文帳に追加

LEAD-OUT WIRE STRUCTURE FOR PHASE PARALLEL U-SHAPE CONDUCTOR SEQUENTIALLY CONNECTED Y WINDING - 特許庁

携帯電話機の使用者に対して操作手を明確に誘する。例文帳に追加

To clearly guide the user of a portable telephone through operation procedures. - 特許庁

積層された半体バー12をコレットにより番に取り出す。例文帳に追加

Laminated semiconductor bars 12 are taken out in order with a collet. - 特許庁

体発光素子の方向電圧を抑制し、高効率を達成する。例文帳に追加

To attain high efficiency by suppressing a forward voltage of a semiconductor light emitting element. - 特許庁

多層配線基板の電接続部材を簡易な手で形成する。例文帳に追加

To form the conductive connection member of a multi-layer wiring board by a simple procedure. - 特許庁

体層2と絶縁層1と放熱板3とをこので積層する。例文帳に追加

An electrically conductive layer 2, an insulation layer 1, and a heat-dissipation plate 3 are laminated in this order. - 特許庁

その後、入口4側のコイル2から次消磁してゆく。例文帳に追加

The coils 2 are successively demagnetized from the inlet 4 side. - 特許庁

ネットワーク主で、動作すべき移動制御手を決定する。例文帳に追加

To determine a mobile control procedure to be operated by the initiative of a network. - 特許庁

化合物半体層2上に、化合物半体層3A,3Bを次成長させる。例文帳に追加

Compound semiconductor layers 3A, 3B are sequentially grown on a compound semiconductor layer 2. - 特許庁

誘電層の上方に半体材料層および第2の電層を次形成する。例文帳に追加

A semiconductor material layer and a second conductive layer are sequentially formed over the dielectric layer. - 特許庁

体基板1の上に、絶縁膜2と電層3を次形成する。例文帳に追加

An insulation film 2 and a conductive layer 3 are successively formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

絶縁膜、半体膜、絶縁膜、および半体膜ので、基板上に膜を積層する。例文帳に追加

An insulating film, a semiconductor film, an insulating film, and a semiconductor film are laminated in this order on a substrate. - 特許庁

体基板1の上に、絶縁膜2と電層3を次形成する。例文帳に追加

An insulation film 2 and a conductive layer 3 are sequentially formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

供給部は、第1体群の各第1体に、検出信号を次供給する。例文帳に追加

A supply unit supplies a detection signal successively to each of first conductors in a first conductor group. - 特許庁

プラントの状態情報を入力しこの入力した状態情報に基づいてプラント異常の原因を出する異常原因出手段、及びプラント異常を解消する為のプラント操作手出する操作手順導出手段を備え、前記異常原因出手段によって出された異常原因及び前記操作手順導出手段よって出された操作手の何れをも表示するものである。例文帳に追加

Both of the abnormality cause derived by the abnormality cause deriving means and the operation procedure derived by the operation procedure deriving means are displayed. - 特許庁

電性基体71の外周に電性弾性層72と表層73とをこので設ける。例文帳に追加

A conductive elastic layer 72 and a surface layer 73 are provided in this order on a circumference of a conductive base 71. - 特許庁

第1出用ユニット30a〜30gは、第nフェーズにおいて、第(n−1)フェーズまでで絞られた第1位候補を複数入力し、第nフェーズの第1位候補と第2位候補をそれぞれ1つ出力する。例文帳に追加

First order derivation units 30a-30g input a plurality of first order candidate narrowed to the (n-1)-th phase in the n-th phase, and output a first order candidate and a second order candidate each of the n-th phase. - 特許庁

サーバ200は、各端末から送信された攪乱済みの前記誘優先位を受信する攪乱情報受信手段201と、攪乱済みの前記誘優先位に基づいて、平均位を算出する平均誘優先位算出手段202を備える。例文帳に追加

The server 200 includes deranged information reception means 201 of receiving deranged guide priority order transmitted from the respective terminals, and average guide priority order calculation means 202 of calculating average order based upon the deranged guide priority order. - 特許庁

基材10上には、半体チップ12(第1半体チップ)および半体チップ14(第2半体チップ)がに積層されている。例文帳に追加

On a substrate 10, a semiconductor chip 12 (a first semiconductor chip) and a semiconductor chip 14 (a second semiconductor chip) are laminated in order. - 特許庁

基板(5)上に、第1電型半体層(4、3)、活性層(2)、および第2電型半体層(1)をエピタキシャルに次積層する。例文帳に追加

First conductivity type semiconductor layers (4, 3), the active layer (2) and a second conductivity type semiconductor layer (1) are laminated epitaxial sequentially on a substrate (5). - 特許庁

本発明に係る平面波路素子は、波路の実効屈折率がに増加する波路アレイからなる平面波路素子である。例文帳に追加

The planar waveguide element is composed of a waveguide array in which the effective refractive index of the waveguides successively increases. - 特許庁

体素子100は、基板110、n型半体層130、半体発光層140、及びp型半体層150を、このに備える。例文帳に追加

A semiconductor device 100 has a substrate 110, an n-type semiconductor layer 130, a semiconductor light emitting layer 140 and a p-type semiconductor layer 150 in this order. - 特許庁

誘電体素体内に、分割体21、22、23、内部体27、分割体24、25、26及び内部体28が、上からに配置される。例文帳に追加

Divided conductors 21, 22 and 23, an internal conductor 27, divided conductors 24, 25 and 26 and an internal conductor 28 are disposed sequentially from above in a dielectric element. - 特許庁

誘電体素体内に、内部体21、内部体23、内部体22及び内部体24が、上からに配置される。例文帳に追加

Internal conductors 21, 23 and 22 and an internal conductor 24 are disposed sequentially from above in a dielectric element. - 特許庁

例文

制御回路25は前記駆動電流を減少させる前記各半体光源の優先位を設定し、前記優先位が高い半体光源からに前記駆動電流を減少させる。例文帳に追加

The control circuit 25 sets a priority of respective semiconductor light sources for reducing the driving current and reduces the driving current in order from the semiconductor light source having a highest priority. - 特許庁

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