「Ｎ型」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Or, the self oscillation type blue/blue violet semiconductor laser or the high power blue/blue violet semiconductor laser containing the n-type clad layer, the active layer, and the p-type clad layer on the GaN substrate in which Si, O, Se, or Ge is doped comprises AlGaInN based compound, wherein a dopant concentration is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

あるいは、Si、またはＯ、またはSe、またはGeをドーピングしたGaN基板上にn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を含む自励発振型青／青紫色半導体レーザ又は高出力青／青紫色半導体レーザであって、ドーパント濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁

In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁

Finally, a TFT(thin-film transistor) is manufactured by forming an island-like silicon film by performing patterning through the use of the crystalline silicon film 304 as an active layer and forming a gate electrode on the island-like silicon film, and then implanting an N-type impurity into the crystalline island-like silicon film by an ion doping method.例文帳に追加

この結晶性珪素膜を活性層とし、パターニングし島上珪素膜を作製しこの上にゲート電極をつけ、前記結晶性を有する島状珪素膜にイオンドーピング法でN型不純物をいれＴＦＴを作製した。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

A photovoltaic cell structure, wherein a p-type light absorption layer has a localized level or an intermediate band in the forbidden band is obtained, by forming a p-n heterojunction that is laminated of an n-type semiconductor, having the forbidden band width larger than that of the light-absorbing layer on the light-incident side thereof.例文帳に追加

p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。 - 特許庁

Holes (electrons) injected from an electrode flow into the p (n)-type semiconductor clad layer 12 (13) bypassing the oxidized region 17, and enter the active layer at a place sufficiently removed from the inner wall of the holes 16, and there the holes and electrons recombine and emit light.例文帳に追加

電極から注入される正孔（電子）はp(n)型半導体クラッド層１２(１３)において酸化領域１７を避けて流れ、空孔１６の内壁から十分離れた位置で活性層に入り、正孔と電子が再結合して発光する。 - 特許庁

A thermoelectric element 10 is constructed by sandwiching a copper plate as a superior heat conductor between an N-type semiconductor 11 and a P-type semiconductor 12, adhering an aluminum plate 14 on the outer surface of the semiconductor 12, and mounting electrodes (not shown) on the plates 13 and 14.例文帳に追加

本発明の第１実施形態に係る熱電素子10は、N型半導体11とP型半導体12の間に良導体としての銅板13を挟み、P型半導体12の外側面にアルミ板14を接着し、銅板13とアルミ板14に電極（図示省略）を取り付けたものである。 - 特許庁

SiOx, are arranged at one or both ends of a grain boundary 30 formed between columnar crystals in the μc-Si layer 14, short circuit of an electric current via the grain boundary 30 can be prevented between the n-type a-Si regions 131 and p-type a-Si regions 151.例文帳に追加

これにより、μc-Si層１４内で柱状晶間に形成される結晶粒界３０の一方もしくは両方の端部に絶縁部材であるSiOxから成る層（第１絶縁層１３２及び第２絶縁層１５２）が配置されるため、n型a-Si層１３１とp型a-Si層１５１との間で結晶粒界３０を介して電流が短絡することを防ぐことができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: forming an etching inhibition layer 107; then forming an n-type extension region (diffusion layer) 112 and a p-type extension region (diffusion layer) 115 in a silicon substrate (semiconductor substrate) 104; and then cleaning the top surface of the silicon substrate 104 in a state where the etching inhibition layer 107 is formed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法では、エッチング抑制層１０７を形成した後に、シリコン基板（半導体基板）１０４内にn型エクステンション領域（拡散層）１１２およびp型エクステンション領域（拡散層）１１５を形成した後、エッチング抑制層１０７を形成した状態でシリコン基板１０４の上面を洗浄する。 - 特許庁

The thermoelectric element comprises a first substrate applied with an electrode, a second substrate, and columnar P type and N type thermoelectric materials electrically bonded alternately wherein the electrode patterned on the substrate has a recess.例文帳に追加

本発明では電極が施されている第1の基板と、第2の基板と、これらに挟まれるように、電気的に交互に接合された柱状のP型熱電材料及びN型熱電材料と、から構成されている熱電素子において、基板にパターンニングされた電極が凹部を有していることによって、熱電材料を所定の位置に正確かつ容易に位置あわせできるだけでなく、設置後接合前の段階における振動、衝撃によってずれを生じてしまう不安定な状態を解消することができる。 - 特許庁