「Ｎ型」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A Ti/Al electrode 105 is formed on the AlGaN layer 103.例文帳に追加

またn型AlGaN層103上にはTi/Al電極105が形成されている。 - 特許庁

Then P-type semiconductors 26 and N-type semiconductors 27 are arranged alternately, and electrodes 23 are formed on both sides of the P-type semiconductors and N-type semiconductors.例文帳に追加

P型半導体２６とN型半導体２７とが交互に配置され、電極２３がP型半導体およびN型半導体の両側に配置される。 - 特許庁

The contact areas 210, 211 are an n+ type GaN layer which is formed by implanting an n type impurity into the semiconductor layer 203 through an ion implantation method.例文帳に追加

コンタクト領域２１０,２１１は、半導体層２０３にn型不純物をイオン注入法により注入して形成したn+型GaN層である。 - 特許庁

On the first P-well area 55a, N-type diffusion areas 53d and 53s are formed so as to sandwich parts of the first P-well area 55a.例文帳に追加

第1Pウェル領域55aの上層には、第1Pウェル領域55aの一部を挟んで形成されたN型拡散領域53dおよびN型拡散領域53sを有する。 - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

N-type diffusion areas 53 are formed on the P-well area 21.例文帳に追加

P-型ウェル領域21の上層にはN型拡散領域53が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor base of the IGFET includes an N^+-type first drain region 34, an N^--type second drain region 35, a P-type first body region 36, a P^--type second body region 37, an N-type first source region 38, and an N^+-type second source region 39, and a trench 31 for forming an IGFET cell.例文帳に追加

IGFETの半導体基体は、N^+型の第１のドレイン領域３４とN^-型の第２のドレイン領域３５とP型の第１のボデイ領域３６とP^-型の第２のボデイ領域３７とN型の第１のソース領域３８とN^+型の第２のソース領域３９とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ３１を有する。 - 特許庁

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

An n--type drift layer and a p-type base region are laminated on an n+-type silicon carbide substrate, an n+-type source region is formed in a prescribed area in a surface layer part within a base region, and a gate trench is formed by a trench groove reaching the drift layer.例文帳に追加

本発明は、n+型炭化珪素基板上に、n-型ドリフト層とp型ベース領域を積層すると共に、ベース領域内の表層部における所定領域にn^+型ソース領域を形成し、かつ、前記ドリフト層に達するトレンチ溝によりゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

In a semiconductor laser, having a double heterostructure composed of an n-type clad layer 103, an MQW active layer 105, and a p-type clad layer 106, an n-type saturable absorption layer 104 having a compressive strain, is provided in the n-type clad layer 103.例文帳に追加

n型クラッド層（１０３）と、ＭＱＷ活性層（１０５）と、p型クラッド層（１０６）とからなるダブルへテロ構造の半導体レーザにおいて、n型クラッド層（１０３）中に圧縮歪みを有するn型可飽和吸収層（１０４）を設ける。 - 特許庁

An emitter electrode 13 comprising a Ti layer and Au layer on the entire reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 are provided.例文帳に追加

n^+型GaAs基板１裏面全体にはTi層とAu層から成るエミッタ電極１３を有している。 - 特許庁

An integrated circuit structure includes: an n-type fin field effect transistor (FinFET) and a p-type FinFET.例文帳に追加

集積回路構造は、n型フィン電界効果トランジスタ（fin field effect transistor、FinFET)とp型FinFETからなる。 - 特許庁

An n type semiconductor diamond having excellent characteristics is simply produced by the method.例文帳に追加

この方法により特性の良好なn型半導体ダイヤモンドの製造が簡便になる。 - 特許庁

Moreover, the second P-well area 55b is connected to GND, and the N-type diffusion areas 53 are connected to the connection node 90.例文帳に追加

第2Pウェル領域55bがGNDに接続され、N型拡散領域53が接続ノード90に接続されている。 - 特許庁

This region 4 is turned into a gettering layer, and a leakage current in the memory cell is reduced.例文帳に追加

このn型領域４がゲッタリング層となり、メモリセルのリーク電流を低減する。 - 特許庁

To provide a method for simply detecting and discriminating a highly branched N-type sugar chain.例文帳に追加

高分岐のN型糖鎖を簡便に検出および分別する方法を提供する。 - 特許庁

The cathodes are electrically connected to the n type dope layer, and patterns of the cathodes are separated from each other.例文帳に追加

陰極は、n型ドープ層に電気接続され、該陰極のパターンは、お互いから分離されている。 - 特許庁

There is provided a recess part 14 on the reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 just under the n+-type AlGaAs emitter layer 5.例文帳に追加

ｎ^+型AlGaAsエミッタ層５直下部のn^+型GaAs基板１裏面には凹部１４を有している。 - 特許庁

Then an n-type electrode 15 is formed on the n-type semiconductor layer 11 exposed by removing the layers and a p-type electrode 16 is formed on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記p型半導体層およびi型半導体層を除去して露出したn型半導体層の上にn型電極15が設けられ、前記p型半導体層上にp型電極16が設けられている。 - 特許庁

A diode 1 includes a cathode region 20 containing an n-type impurity in high concentration, a high-resistance region 40 containing an n-type impurity in low concentration and constantly along the thickness, and an anode region 50 containing a p-type impurity.例文帳に追加

ダイオード１は、n型の不純物を高濃度に含むカソード領域２０と、n型の不純物を低濃度に含み、且つ厚み方向に一定に含む高抵抗領域４０と、p型の不純物を含むアノード領域５０を備えている。 - 特許庁

If the n-type semiconductor substrate is defined as an emitter, the p-type impurity region is defined as a base and the n-type impurity region is defined as a collector, a DC current amplification factor hFE can be made into 100 or more.例文帳に追加

N型半導体基板；エミッタ、P型不純物領域；ベース、N型不純物領域；コレクタとする場合直流電流増幅率ｈFEを100以上とすることが可能となる。 - 特許庁

In the element 10, an electromotive force is generated by setting a temperature difference between the semiconductors 11 and 12 (e.g. temperature gradient such as high temperature (TH) in the N-type semiconductor side and low temperature (TL) in the P-type semiconductor side).例文帳に追加

この熱電素子10は、N型半導体11とP型半導体12との間に、温度差（例えば、N型半導体側を高温（T_H）、P型半導体側を低温（T_L）とした温度勾配）を設定すると電極間に起電力が生じる。 - 特許庁

The voltage-to-current conversion circuit includes a high-voltage manufacturing process N-type MOS field-effect transistor, a low-voltage manufacturing process N-type MOS field-effect transistor, a low-voltage manufacturing process amplifier, and an electric resistance.例文帳に追加

電圧電流転換回路は高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程増幅器、電気抵抗を提供する。 - 特許庁

A light emitting diode includes a substrate 32, an n type dope layer 34 disposed on the substrate, multiple cathodes 401, 402 disposed between the n type dope layer and the substrate, an active layer 36 disposed on the n type dope layer, a p type dope layer 38 disposed on the active layer, and multiple anodes 421, 422 disposed on the p type dope layer.例文帳に追加

発光ダイオードは、基板３２、該基板上に配置されたn型ドープ層３４、該n型ドープ層と該基板との間に配置された複数の陰極４０１，４０２、n型ドープ層上に配置された活性層３６、該活性層上に配置されたp型ドープ層３８、及び該p型ドープ層上に配置された複数の陽極４２１，４２２を含む。 - 特許庁

a junction transistor having an n-type semiconductor between a p-type semiconductor that serves as an emitter and a p-type semiconductor that serves as a collector 例文帳に追加

エミッタとして用いられるP型半導体と集電装置として機能するP型半導体の間のN型半導体を備える接合トランジスタ - 日本語WordNet

An undoped GaN layer 102 and an n-type AlGaN layer 103 are formed on a sapphire substrate 101 in order through epitaxial growth.例文帳に追加

サファイア基板101上にアンドープGaN層102およびn型AlGaN層103がエピタキシャル成長により順に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor apparatus comprises an N-type material 102 which cools a silicon semiconductor 101 using the current flowing through the silicon semiconductor 101.例文帳に追加

シリコン半導１０１に流れる電流を用いてシリコン半導体１０１を冷却するN型材料１０２を備える。 - 特許庁

In the source and drain regions of the semiconductor layer 102, n-type SiC semiconductor regions 103 are formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体層１０２のソースおよびドレイン領域にn型SiC半導体領域１０３が形成される。 - 特許庁

Since heat is transported from the silicon semiconductor 101 side to outside in the N-type material 102, the silicon semiconductor 101 is cooled.例文帳に追加

N型材料１０２では熱がシリコン半導体１０１側から外側に輸送されるため、シリコン半導体１０１が冷却される。 - 特許庁

Thereafter, the upper part of the a-Si film is nitrided through a treatment with N2 plasma or He/N2 plasma to deposit an n-type silicon film.例文帳に追加

その後、Ｎ_２プラズマもしくはＨｅ／Ｎ_２プラズマ処理等によりa−Ｓｉ膜上部を窒化させ、n型シリコン膜を堆積する。 - 特許庁

A semiconductor layer 30 of a semiconductor device 1 includes an n-type drift region 33 and p-type body region 34.例文帳に追加

半導体装置１の半導体層３０は、n型のドリフト領域３３とp型のボディ領域３４を有している。 - 特許庁

In the method for detecting and discriminating the composite N-type sugar chain having three or more chains, Dokuyamadori lectin is used as a detection means.例文帳に追加

３本鎖以上の複合型N型糖鎖の検出および分別方法において、ドクヤマドリレクチンを検出手段とする。 - 特許庁

On the inner wall of the holes 16 inside the p-type semiconductor clad layer 12 and the n-type semiconductor clad layer 13, an oxidized region 17 is formed.例文帳に追加

そして、p型半導体クラッド層１２及びn型半導体クラッド層１３内の空孔１６の内壁に酸化領域１７を形成する。 - 特許庁

Under the bottom faces of the trenches 2, n-type semiconductor regions 5 containing an impurity at a concentration higher than that in the first main electrode region are arranged.例文帳に追加

トレンチ２底面下には第１主電極領域よりも高不純物密度のn型半導体領域５が配設される。 - 特許庁

Each of the first and second electrode layers 11 and 13 includes IV or III-V semiconductor groups doped with a p-type carrier or an n-type carrier.例文帳に追加

第１及び第２の電極層１１，１３は、P型或いはn型キャリアーがドープされたIV族或いはIII-V族の半導体から構成される。 - 特許庁

After that, a p-side metal electrode 110 and an n-type metal electrode 111 are formed on the upper surface of the wafer and at the substrate side, respectively (Fig.3 (c)).例文帳に追加

その後、p側金属電極110をウエハ上面へ、n型金属電極111を基板側へ形成する（図３（c））。 - 特許庁

On the surface of well 3, a p-type diffusion layer 6 as well as a source 4 and a drain 5 of the n-type diffusion layer are formed.例文帳に追加

ウエル3の表面には、p型の拡散層6と、n型の拡散層のソース4及びドレイン5とが形成されている。 - 特許庁

An n type semiconductor diamond having more excellent characteristics can be produced by maintaining a substrate temperature at ≥800°C.例文帳に追加

また基板温度を８００℃以上に保持することでさらに特性の良好なn型半導体ダイヤモンドの製造が可能になる。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

The photodiode may also have an n-type semiconductor material which is formed adjacent to a second surface of the first region which is highly doped.例文帳に追加

当該フォトダイオードはまた、前記第1領域の第2面に隣接して形成される高濃度ドーピングされたn型半導体材料をも有して良い。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of preventing diffusion of In to the surface of an N-type ohmic electrode, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

N型オーミック電極の表面へのInの拡散を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The p-type thick film CdTe layer (100 to 500 mm) made as a radiation detector is grown by introducing a minute amount of n-type impurity at a growing temperature of 400°C or above.例文帳に追加

放射線検出部とするｐ型厚膜CdTe層（100〜500mm）の形成を、成長温度400℃以上で微量のn型不純物を導入しながら成長する。 - 特許庁

An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁

A separation groove 17 is formed between adjacent light receiving element by partially removing respective layers 11, 12.例文帳に追加

これら複数の受光素子間には、前記p型半導体層、i型半導体層およびn型半導体層を部分的に除去した分離溝17が形成される。 - 特許庁

To provide a film of a semiconductor single crystal of n-type (100) face-oriented diamond doped with a phosphorous atom, and a process for producing the film.例文帳に追加

リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁