「AR glass」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The glass members 72 are each formed by molding glass of 1.5 in refractive index and about 0.15 mm in plate thickness into a plate and forming AR (anti-reflective) coats on both surfaces.例文帳に追加

ガラス部材７２は、屈折率が１．５で、板厚が略０．１５ｍｍのガラスを板状に成型し、両面にＡＲ（アンチリフレクト）コートを塗布する。 - 特許庁

For example, in a seeding step, N_2 gas is used as the seal gas to increase the yield of the glass fine particles to shorten the seeding time, and in a manufacturing step of a valid part, the seal gas is switched into Ar gas to increase the deposition speed of the glass fine particles to efficiently manufacture the porous glass preform.例文帳に追加

例えば、種付け工程においては、Ｎ_２ガスをシールガスとして使用し、ガラス微粒子の収率を上げて種付け時間の短縮を図り、有効部作製工程ではＡｒガスに切り替えて、ガラス微粒子の堆積速度を上げることによって効率的に多孔質ガラス母材を製造する。 - 特許庁

A gas inlet tube 9 connected to a gas bomb 10 is connected to an end of the metal tube 3, and Ar gas is introduced into the glass tube 2.例文帳に追加

メタルチューブ３の端部にはガスボンベ１０に繋がったガス導入用チューブ９が接続され、ガラスチューブ２内にＡｒガスが導入される。 - 特許庁

In this method, flow rate of supplied CF_4 is increased and flow rate of Ar is decreased at the same time as a deposite 200 of glass minute particles grows to the direction of the target axis.例文帳に追加

ガラス微粒子の堆積体２００がターゲット軸方向に成長するにつれて、供給されるＣＦ_４の流量を増加させると同時にＡｒの流量を減少させる。 - 特許庁

The windshield for the timepiece is formed with an oxide film by a sputtering process on a glass base material, in which the sputtering gas is a gaseous mixture composed of Ar and an element having an atomic radius smaller than atoms exclusive of oxygen constituting the oxide film.例文帳に追加

ガラス基材に酸化物膜がスパッタリング法で形成された時計用風防ガラスであり、そのスパッタリングガスが、前記酸化物膜を構成する酸素以外の原子よりも小さな原子半径の元素とＡｒの混合ガスであることを特徴とする。 - 特許庁

In this way, the ultraviolet backside irradiation step 22 in which the ultraviolet rays irradiation is applied from the glass surface GL of the array substrate AR is provided subsequent to the alignment layer forming step 21, thereby hybrid alignment and bend alignment are formed within a pixel without complicating the manufacturing process.例文帳に追加

このように、配向膜形成工程２１の後にアレイ基板ＡＲのガラス面ＧＬより紫外線照射を行うＵＶ裏面照射工程２２を具備することで、製造プロセスを複雑化させることなく画素内にハイブリッド配向とベンド配向を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the same is characterized in that a transparentizing treatment of a porous body of synthetic quartz glass, and a heat treatment in at least one kind of atmosphere among inert elements He, Ne, Ar, Kr, and Xe, under a pressure of 30-1000 Pa, at a temperature of 1000-1500°C for 1-20 hours.例文帳に追加

および合成石英ガラス多孔体を透明化処理した後、不活性元素Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒおよびＸｅの少なくとも一種の雰囲気中30〜10000Paの圧力下で、1000〜1500℃にて1〜20時間の熱処理をおこなうことを特徴とする上記の光学用合成石英ガラスの製造方法。 - 特許庁

A pair of electrodes are arranged in opposition in a discharge vessel made of quartz glass, in which, 2 to 12 (mg/cm^3) of mercury, 1 to 8 (atmospheric pressure) of Argon (Ar), krypton (Kr) or their mixture gas are sealed in, with at least ultraviolet rays of wavelengths of 200 to 300 (nm) irradiated.例文帳に追加

石英ガラスからなる放電容器に、一対の電極が対向配置するとともに、２〜１２（ｍｇ/ｃｍ^３）の水銀と、１〜８（気圧）のアルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）またはその混合ガスが封入され、少なくとも波長２００〜３００（ｎｍ）の紫外線を放射する。 - 特許庁

This method for forming the semiconductor layer comprises steps of forming an amorphous silicon layer on a glass substrate 4, and thermally treating the amorphous silicon layer in a plasma atmosphere containing Ar which is an element having low reactivity to the amorphous silicon layer, thereby crystallizing at least a part of the amorphous silicon layer.例文帳に追加

この半導体層の形成方法は、ガラス基板４上に、非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層との反応性が低い元素であるＡｒを含むプラズマ雰囲気中で、非晶質シリコン層を熱処理することによって、非晶質シリコン層の少なくとも一部を結晶化する工程とを備えている。 - 特許庁

The copper wiring substrate manufacturing method is characterized in that a surface 2 of a glass or quartz substrate 1 is irradiated with plasmas 4 of an inert gas such as an Ar gas to reform the surface 2 to improve the adhesive property of the surface 2 itself of the substrate 1 to pure Cu and the copper thin film 3 is formed by sputtering directly on the surface 2 of the substrate 1.例文帳に追加

本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。 - 特許庁

By controlling flow rates of Ar and He gases which flow in a condensed cluster deposition device and a length of a cluster growth area in plasma gas, Ta clusters having an average diameter of from 4 to 10 nm are deposited on an insulating substrate (glass, plastic substrate) to form transition metal clusters assembly having low-magnetic resistance.例文帳に追加

絶縁体基板（ガラス、プラスティック）の上に、プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置を用いて、該装置に導入するＡｒやＨｅガスの流量、クラスター成長領域長さ等を制御することにより、平均サイズ４−１０ｎｍのサイズの揃ったＴａクラスターを堆積させて低磁気抵抗遷移金属クラスター集合体を製造する。 - 特許庁

An electrodeless discharge lamp 1 comprises an arc tube 2 of quartz glass or the like, which is hermetically charged with, as luminescent substances, such metal halide of the same elements and of different composition ratios as indium bromide(InBr) 3 of an oxidation number of one and indium bromide (InBr3) 4 of an oxidation number of three and with, as trigger gas, such rare gas as argon(Ar).例文帳に追加

無電極放電ランプ１は、石英ガラス等からなる発光管２の内部に、発光物質として、酸化数１の臭化インジウム（ＩｎＢｒ）３と酸化数３の臭化インジウム（ＩｎＢｒ_3）４のように、同じ元素からなる金属ハロゲン化物であって互いに組成比が異なる化合物が封入され、さらに始動補助ガスとしてアルゴン（Ａｒ）などの希ガスが封入されている。 - 特許庁

The method of etching a substance film on a semiconductor wafer set in a reactor chamber, using a surface wave plasma etching system having an insulation plate and a glass plate for transmitting a surface wave generated by a microwave to the reactor chamber, comprises a step of generating a surface wave plasma of Ar or/and Xe to preheat the glass plate and a step of etching the substance film.例文帳に追加

絶縁板及び反応チャンバーに表面波を伝えるガラス板を具備し、マイクロ波によって表面波が発生する表面波プラズマエッチング装置により、前記反応チャンバー内に載置された半導体ウェーハ上の物質膜をエッチングする方法において、前記方法は、アルゴンまたは／およびキセノンの表面波プラズマを発生させて前記ガラス板を予熱するステップと、前記物質膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする半導体ウェーハ上の物質膜エッチング方法。 - 特許庁