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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > C layerに関連した英語例文

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C layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5404



例文

The B layer has 30 to 100 mm in thickness, the C layer has 2 to 20 mm in thickness, the D layer has 5 to 50 mm in thickness, a thickness ratio of C layer/(C layer + D layer) is 0.1 to 0.7, and a thickness ratio of (A layer + B layer)/(C layer + D layer) is 1 to 3.例文帳に追加

B層が30〜100mm、C層が2〜20mm、D層が5〜50mmの厚みで、C層/(C層+D層)の厚み比が0.1〜0.7、(A層+B層)/(C層+D層)の厚み比が1〜3にする。 - 特許庁

(c) N2 is added to the recording layer.例文帳に追加

(ハ)記録層にN_2を添加する。 - 特許庁

The polyamide laminated biaxially oriented film comprises the following (a) layer, and (b) layer and/or (c) layer.例文帳に追加

下記(a)層と、(b)層及び/又は(c)層からなる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING (Cu-C) SEED LAYER例文帳に追加

(Cu−C)シード層の形成法 - 特許庁

例文

The process (c) buffs a bump projected from the insulated layer.例文帳に追加

(c) 絶縁層から突出したバンプをバフ研磨する。 - 特許庁


例文

The collector (C) has a collector layer 18.例文帳に追加

コレクタ(C)は、コレクタ層18を有する。 - 特許庁

(c) General knowledge of upper layer weather 例文帳に追加

ハ 上層気象に関する一般知識 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A physical layer LSI 50 is connected to the ports A, B, and a physical layer LSI 51 is connected to the port C respectively.例文帳に追加

ポートAとBは物理層LSI50と、ポートCは物理層LSI51 とそれぞれ接続される。 - 特許庁

The layer (A) and the layer (B) may be laminated directly or via other layer (C).例文帳に追加

層(A)と層(B)は、直接又は他の層(C)を介して積層されてよい。 - 特許庁

例文

METHOD FOR REMOVING PART OF LAYER B PLACED BETWEEN LAYER A AND LAYER C, MARKING, AND DEVICE FOR REMOVING PART OF LAYER B PLACED BETWEEN LAYER A AND LAYER C例文帳に追加

A層とC層との間に挟まれたB層の一部除去方法、マーキング、及びA層とC層との間に挟まれたB層の一部除去装置 - 特許庁

例文

The adhesive layer A includes a recess C.例文帳に追加

接着剤層Aは、凹部Cを備えている。 - 特許庁

The diamond-like carbon film F consists of a metal layer M on the inner side and a carbon layer C on the outer side.例文帳に追加

ダイヤモンドライクカーボン膜Fは内側の金属層Mと外側のカーボン層Cとからなる。 - 特許庁

(C-1)/(C-2) (weight ratio) of the surface layer (C) is preferably 5-20/100, and the hardness of the surface layer (C) is preferably 70-90.例文帳に追加

(C)表面層の(C−1)/(C−2)(重量比)は、5〜20/100が好ましく、(C)表面層の硬度は、70〜90がより好ましい。 - 特許庁

The density of the crack of the plating layer is preferably at least 400 (c/cm).例文帳に追加

メッキ層の割れの密度は400[c/cm]以上であることが好ましい。 - 特許庁

(1) The substrate layer (A) VST > the first intermediate layer (B) VST > the second intermediate layer (C) VST, and (2) the substrate layer (A) VST > the HS layer (D) VST > the second intermediate layer (C) VST.例文帳に追加

(1)基体層(A)VST>第一中間層(B)VST>第二中間層(C)VST、(2)基体層(A)VST>HS層(D)VST>第二中間層(C)VST。 - 特許庁

An intermediate layer C is provided between the polypropylene base layer A and the matte resin layer B.例文帳に追加

ポリプロピレン基材Aと艶消し樹脂層Bとの間に、中間層Cが設けられている。 - 特許庁

A support 2 includes an amorphous carbon (a-C) layer 23.例文帳に追加

支持体2は非晶質炭素層23を含む。 - 特許庁

The recording layer comprises an (a) layer containing SiC and O (oxygen), a (b) layer laminating an SiO_2 layer and an SiC layer to this order, a (c) layer laminating the SiC layer and the SiO_2 layer to this order.例文帳に追加

(a)SiCとO(酸素)とを含有する層、(b)SiO_2層とSiC層をこの順に積層した層、(c)SiC層とSiO_2層とをこの順に積層した層 - 特許庁

An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on a 6H-SiC substrate 11, then the temperature is turned to 1050°C and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.例文帳に追加

6H-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁

That is, a layer thickness A of the adhesive layer 17 on the circuit 13 may be smaller than the layer thickness C, but the layer thickness C is formed to be smaller than the layer thickness B.例文帳に追加

すなわち、回路13上の接着剤層17の層厚さAは層厚さCより薄くてもよいが、層厚さCは層厚さBよりも薄くなるように形成される。 - 特許庁

The glaze layer 4 has the thermal expansion coefficient of 2.0×10^-6/°C to 5.0×10^-6/°C.例文帳に追加

釉薬層4は、熱膨張係数が2.0×10^-6/℃〜5.0×10^-6/℃である。 - 特許庁

C: the laminate thickness ratio of the porous layers and the particle layer is 2:1:2 to 15:1:15 (porous layer: particle layer: porous layer).例文帳に追加

C:多孔層と粒子層との積層厚み比が2:1:2〜15:1:15(多孔層:粒子層:多孔層)である。 - 特許庁

In the p-type cladding layer 34, C is doped.例文帳に追加

p型クラッド層34には、Cがドーピングされている。 - 特許庁

The main surface of the p-GaN layer 1 is a c-face.例文帳に追加

p−GaN層1の主面はc面である。 - 特許庁

(c) Then, the insulating layer 12 is made thin into a thin insulating layer 12a.例文帳に追加

次いで、絶縁層12を薄膜化して薄い絶縁層12aとする(c)。 - 特許庁

Next, the first base metal layer 7 made of titanium or the like is deposited on the alteration layer C.例文帳に追加

次に、チタンなどからなる第1の下地金属層7を成膜する。 - 特許庁

The A layer, the B layer and the C layer are preferably integrated into one by a water jet method.例文帳に追加

前記A層、B層及びC層を、ウォータージェット法で一体化したものであることが好ましい。 - 特許庁

An n-type layer 21 and a p-type layer 22 are formed in sequence on a CrN layer 13 (Fig.1(c)).例文帳に追加

CrN層13上に、n型層21、p型層22を順次成膜する(図1(c))。 - 特許庁

This recognition layer includes a first recognition layer (Layer-C) in which a predetermined pattern is arranged.例文帳に追加

その認識層は、所定のパターンが配置された第1認識層(Layer−C)を含む。 - 特許庁

To be concrete, the orientation layer is heated at 200°C or more and 1,000°C or less, preferably, at 400°C or more and 600°C or less to give a prescribed thermal history to the orientation layer.例文帳に追加

具体的には、配向層を200℃以上1000℃以下、好ましくは400℃以上600℃以下で加熱することにより、配向層に所定の熱履歴を与える。 - 特許庁

Further hydrogen is included in the carbon layer C, and a ratio (H/C) of the number of carbon atoms C and the number of hydrogen atoms H in the carbon layer C is 0.2-0.5.例文帳に追加

さらに、カーボン層Cには水素が含有され、カーボン層C中の炭素原子の数Cと水素原子の数Hとの比H/Cは、0.2以上0.5以下である。 - 特許庁

The film laminate includes a polyethylene film layer (layer A), a resin film layer (layer B) having an inorganic compound vapor deposition layer, and a resin film layer (layer C) having a metal vapor deposition layer, wherein the polyethylene film layer (layer A) is set as a surface layer.例文帳に追加

ポリエチレンフィルム層(A層)と、無機化合物蒸着層を有する樹脂フィルム層(B層)と、金属蒸着層を有する樹脂フィルム層(C層)とを含み、かつ該ポリエチレンフィルム層(A層)を表層とするフィルム積層体である。 - 特許庁

A boundary corner part C is included in the first layer 17.例文帳に追加

境界コーナー部Cは、第一層17に含まれる。 - 特許庁

The fuel electrode layer is fabricated at temperatures of 1,100 to 1,400°C.例文帳に追加

燃料極層を1100〜1400℃で作製する。 - 特許庁

The C content of the SiGeC spacer layer 21 is at most the C content of the SiGeC intrinsic base layer 22.例文帳に追加

SiGeCスペーサ層21のC含有率は、SiGeC真性ベース層22のC含有率以下である。 - 特許庁

The formation temperature of the amorphous layer is set to about 400°C, and the formation temperature of the layer above the p type cladding layer 309 is set to about 1,100°C.例文帳に追加

非結晶層の形成温度を約400℃、p型クラッド層309より上部の層の形成温度を1100℃程度とする。 - 特許庁

The sleeper 1 includes an A layer 41 as a first layer and a C layer 43 and a B layer 42 as a second layer.例文帳に追加

本発明のまくら木1は、第1の層であるA層41及びC層43と、第2の層であるB層42が設けられている。 - 特許庁

The metal layer 8 is interposed between the faces a-c and the insulating layer 6.例文帳に追加

金属層8は、上記面a〜cと絶縁層6との間に介在させる。 - 特許庁

An n-type ZnMgO layer is formed on the surface of the n-type ZnO layer (c).例文帳に追加

(c)n型ZnO層表面上に、n型ZnMgO層を形成する。 - 特許庁

The metallic layer 8 is positioned between the face a-c and the insulating layer 6.例文帳に追加

金属層8は、上記面a〜cと絶縁層6との間に介在させる。 - 特許庁

The high resistance layer 10 is formed as, for example, a thin CrNi layer, a doping Si layer, an a-C : H layer, or a Ti implantation part.例文帳に追加

高抵抗層は、例えば、薄CrNi層、ドーピングSi層、a−C:H層又はTiインプランテーション部である。 - 特許庁

An insulation layer is formed on the germanium layer, the germanium layer and the insulation layer are heat treated at 550°C to 1000°C, and the n-type diffusion region is formed in the prescribed region of the germanium layer.例文帳に追加

ゲルマニウム層上に絶縁層を形成し、ゲルマニウム層および絶縁層を550℃〜1000℃で熱処理して、ゲルマニウム層の所定の位置にn型拡散領域を形成する。 - 特許庁

The invention also relates to the laminate in which the elastomer layer (C), the fluororesin non-containing resin layer (B), the fluororesin layer (A), the fluororesin non-containing resin layer (B), and the elastomer layer (C) are bonded in this order.例文帳に追加

本発明は、エラストマー層(C)、フッ素非含有樹脂層(B)、フッ素樹脂層(A)、フッ素非含有樹脂層(B)及びエラストマー層(C)がこの順に接着された積層体にも関する。 - 特許庁

The thermoplastic resin layer comprises a layer (A) having a melting peak temperature of 180-230°C and a layer (B) having a glass transition temperature of at least 60°C.例文帳に追加

熱可塑性樹脂層には、融解ピーク温度が180〜230℃である(A)層と、ガラス転移点温度が60℃以上である(B)層とを備える。 - 特許庁

A first layer (lower layer) and a second layer (upper layer) are formed respectively so as to become the relation of A<B<C<D<E<F<G<H<I<J<K and the relation of a<b<c<d< e<f<g<h<i<j<k.例文帳に追加

即ち、第1層(下層)はA<B<C<D<E<F<G<H<I<J<Kの関係となるように、第2層(上層)はa<b<c<d<e<f<g<h<i<j<kの関係となるようにそれぞれ形成されている。 - 特許庁

A Y color filter layer 43 and C color filter layer 44 are formed by a one-layered structure of a Y color layer 43Y and a one-layered structure of a C color layer 44C respectively.例文帳に追加

また、Yのカラーフィルタ層43およびCのカラーフィルタ層44を、それぞれ、Yのカラー層43Y、Cのカラー層44Cの単層構造によって形成する。 - 特許庁

The main constitution layer 22 and light emission layer 24 are finally bonded at a temperature of 525°C (d).例文帳に追加

主構成層22と発光層24とを525℃の温度で本接着する((d))。 - 特許庁

The film thickness of the layer (C) is preferably set to 5-50Å.例文帳に追加

前記層(C)の膜厚は5〜50Åが望ましい。 - 特許庁

Then, an insulating layer 11b consisting of PVK is formed (c).例文帳に追加

次いでPVKから成る絶縁層11bを形成する(c)。 - 特許庁

例文

Next, an insulating layer 11b made of PVK is formed (c).例文帳に追加

次いでPVKから成る絶縁層11bを形成する(c)。 - 特許庁




  
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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
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