「DOMAIN WALL」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The memory cell includes a magnetic domain wall moving layer in which a magnetic domain wall moves, and a magnetization fixed layer which is connected to both respective ends of the magnetic domain wall moving layer and traps the magnetic domain wall in a periphery of either of both ends.例文帳に追加

メモリセルは、磁壁が移動する磁壁移動層と、磁壁移動層の両端部の各々に接続し、両端部のいずれかの近傍で磁壁をトラップする磁化固定層とを具備する。 - 特許庁

To facilitate micronization of a domain wall moving element.例文帳に追加

磁壁移動素子の微細化を促進すること。 - 特許庁

To obtain a domain wall movement type magnetic domain enlarging magneto-optical recording medium in which the movement of a domain wall and the enlargement of a magnetic domain are smoothly performed by intercepting magnetostatic bond from a recording layer to a magnetic domain enlarging layer (domain wall moving layer).例文帳に追加

記録層から磁区拡大層（磁壁移動層）への静磁結合を遮断することにより、磁壁の移動、磁区の拡大を円滑に行える、磁壁移動型磁区拡大光磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

INFORMATION RECORDING MEDIUM UTILIZING DOMAIN WALL MOTION例文帳に追加

磁区壁移動を利用した情報記録媒体 - 特許庁

To reduce critical current density needed for magnetic domain wall movement in a magnetic domain wall movement type MRAM.例文帳に追加

磁壁移動型のＭＲＡＭにおいて、磁壁移動に要する臨界電流密度を低減すること。 - 特許庁

The domain wall displacement element includes: a domain wall displacement layer; a first magnetized fixed layer; and a second magnetized fixed layer.例文帳に追加

磁壁移動素子は、磁壁移動層、第１磁化固定層、及び第２磁化固定層を備える。 - 特許庁

MAGNETIC DOMAIN WALL MOVING TYPE MRAM, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

磁壁移動型ＭＲＡＭ及びその製造方法 - 特許庁

The magnetic domain wall energy Ew is constituted of the crystal magnetic anisotropic energy in the magnetic domain wall and exchange energy.例文帳に追加

磁壁エネルギＥｗは磁壁内の結晶磁気異方性エネルギ及び交換エネルギから構成される。 - 特許庁

The magnetic domain enlarging layer 1 has a smaller domain wall coercive force than the other magnetic layers 2, 3, 4.例文帳に追加

磁区拡大層１は、他の磁性層２，３，４に比して磁壁抗磁力が小さい。 - 特許庁

The magnetic domain wall movement type MRAM 1 has a magnetic domain wall movement layer 20 which is a ferromagnetic layer whose magnetic domain wall moves, wiring 60 where a current supplied to the magnetic domain wall movement layer 20 flows, and a spin absorption layer 70 interposed between the magnetic domain wall movement layer 20 and wiring 60.例文帳に追加

本発明に係る磁壁移動型のＭＲＡＭ１は、磁壁が移動する強磁性体層である磁壁移動層２０と、磁壁移動層２０に供給される電流が流れる配線６０と、磁壁移動層２０と配線６０との間に介在するスピン吸収層７０とを備える。 - 特許庁

To easily introduce a magnetic domain wall in a magnetic layer wherein magnetic domain wall movement is caused with respect to an MRAM employing a current induced magnetic domain wall movement phenomenon for a writing method.例文帳に追加

電流誘起磁壁移動現象を書き込み方法に採用したＭＲＡＭにおいて、磁壁移動の起こる磁性層に容易に磁壁を導入可能とする。 - 特許庁

ANNEALING PROCESSOR AND DOMAIN WALL DISPLACEMENT TYPE OPTICAL MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

アニール処理装置及び磁壁移動型光磁気記録媒体 - 特許庁

DRIVING METHOD OF INFORMATION STORAGE DEVICE USING MAGNETIC DOMAIN WALL MOVEMENT例文帳に追加

磁壁移動を利用した情報保存装置の駆動方法 - 特許庁

This oscillator can include a free layer having the magnetic domain wall and a fixed layer provided corresponding to this magnetic domain wall.例文帳に追加

該発振器は、磁区壁を持つ自由層とその磁区壁に対応するように備えられた固定層とを備えることができる。 - 特許庁

The magnetic domain wall moving means 150 can move the magnetic domains in the magnetic domain area D and the magnetic domain walls in the magnetic domain wall area DW in a predetermined direction by the current applied to the magnetic track 100.例文帳に追加

磁壁移動手段１５０で磁性トラック１００に印加される電流により磁区領域Ｄに位置する磁区及び磁壁領域ＤＷに位置する磁壁が所定方向に移動しうる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE USING MOVEMENT OF MAGNETIC DOMAIN WALL, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁区壁移動を利用した半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

DATA STORAGE DEVICE USING MAGNETIC DOMAIN WALL MOVEMENT AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加

磁区壁移動を利用したデータ保存装置及びその動作方法 - 特許庁

INFORMATION RECORDING MEDIUM UTILIZING DOMAIN WALL DISPLACEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

磁壁移動を利用した情報記録媒体及びその製造方法 - 特許庁

INFORMATION STORAGE DEVICE USING MAGNETIC DOMAIN WALL MOVEMENT, AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加

磁壁移動を利用した情報保存装置及びその動作方法 - 特許庁

DATA STORAGE DEVICE USING MAGNETIC DOMAIN WALL MOVEMENT AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加

磁壁の移動を利用したデータ保存装置及びその動作方法 - 特許庁

INFORMATION STORAGE DEVICE UTILIZING DOMAIN WALL DISPLACEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

磁壁移動を利用した情報記憶装置及びその製造方法 - 特許庁

The nano-structure includes: first and second electrodes 40, 41; a central electrode 42; a first domain wall-holding part capable of holding a domain wall between the first electrode and the central electrode of the nano-structure; and a second domain wall-holding part capable of holding a domain wall between the second electrode and the central electrode of the nano-structure.例文帳に追加

第１及び第２の電極４０，４１と、中央電極４２と、ナノ構造体の第１電極と中央電極との間に磁壁を保持できる第１の磁壁保持部と、ナノ構造体の第２電極と中央電極との間に磁壁を保持できる第２の磁壁保持部と、を備える。 - 特許庁

A domain L and a domain E of a mainstream are set, the domain L including the solid wall 1, the fluid 2, and a coat 3, with the fluid 2 having a boundary layer thickness of the order of δ or less from the surface of the solid wall 1 while the domain E including a boundary layer BL.例文帳に追加

固体壁１とこの固体壁１の表面から境界層厚さδ程度以下までの流体２と皮膜３とを含む領域Ｌと、境界層ＢＬを含む主流の領域Ｅとを設定する。 - 特許庁

Magnetic energy of the first and second domain wall-holding parts is set smaller than that on both end sides of the nano-structure, and magnetic energy of the first domain wall-holding part is set larger than that of the second domain wall-holding part.例文帳に追加

第１及び第２の磁壁保持部の磁気エネルギーはナノ構造体の両端部側の磁気エネルギーよりも小さく、第１の磁壁保持部の磁気エネルギーは第２の磁壁保持部の磁気エネルギーよりも大きくする。 - 特許庁

To suppress a medium noise of a magnetic domain wall origin by removing the magnetic domain wall contaminated in a soft magnetic layer which is used in a perpendicular magnetic recording medium.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体で使用される軟磁性層内に混入した磁壁を排除することによって、磁壁由来の媒体ノイズを抑える。 - 特許庁

INFORMATION STORAGE DEVICE USING MOVEMENT OF MAGNETIC DOMAIN WALL, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法 - 特許庁

INFORMATION STORAGE DEVICE USING MAGNETIC DOMAIN WALL MOTION, AND OPERATING METHOD THEREOF例文帳に追加

磁区壁移動を利用した情報保存装置及びその動作方法 - 特許庁

INFORMATION STORAGE DEVICE EMPLOYING MAGNETIC DOMAIN WALL MOVEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide an information recording and reproducing method for accurately and surely transferring a fine magnetic domain from a memory layer 3 to a magnetic domain wall moving layer 1 in a magnetic domain wall moving magneto-optical recording medium.例文帳に追加

磁壁移動型光磁気記録媒体において、メモリ層３から磁壁移動層１への微小磁区の転写を正確且つ確実に行うための情報記録再生方法の提供。 - 特許庁

The first magnetized fixed layer fixes the magnetization direction of the first domain of the domain wall displacement layer to a first direction, and the second magnetized fixed layer fixes the magnetization direction of the second domain of the domain wall displacement layer to a second direction opposite to the first direction.例文帳に追加

第１磁化固定層は、磁壁移動層の第１領域の磁化方向を第１方向に固定し、第２磁化固定層は、磁壁移動層の第２領域の磁化方向を第１方向と逆の第２方向に固定する。 - 特許庁

In the semiconductor device making use of the movement of the magnetic domain wall, the magnetic layer has an uneven configuration, and the stability of the movement of the magnetic domain wall in a bit unit is secured.例文帳に追加

この磁区壁移動を利用した半導体装置では、磁性層が凸凹の形態を持って磁区壁のビット単位移動の安定性が確保される。 - 特許庁

INFORMATION STORAGE DEVICE USING MOVEMENT OF MAGNETIC DOMAIN WALL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁区壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法 - 特許庁

As a result, a magnetic domain wall is easily moved in the bending region of the magnetic layer.例文帳に追加

これにより、磁性層の屈曲領域での磁壁を容易に移動させうる。 - 特許庁

To easily and reliably initialize a magnetization state of a domain wall displacement element.例文帳に追加

磁壁移動素子の磁化状態の初期化を、簡易に且つ確実に実施すること。 - 特許庁

To provide a magneto-optical recording medium which is suitable for acquiring a large magnetic domain wall driving force when information is reproduced in a reproduction layer in which a magnetic domain wall movement occurs in reproduction of information.例文帳に追加

情報再生時に磁壁移動が生ずる再生層において情報再生時に大きな磁壁駆動力を得るのに適した光磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

The domain wall displacement start reproduction power Prdwd at which domain walls start displacement and the maximum reproduction power PRmax at which the domain walls are displaced are detected and the optimum reproduction power Pr is set in accordance with the resulted domain wall displacement start reproduction power Prdwd and maximum reproduction power PRmax.例文帳に追加

磁壁が移動を開始する磁壁移動開始再生パワーＰｒ_dwd 、及び磁壁が移動する最大再生パワーＰｒ_max を検出し、得られた磁壁移動開始再生パワーＰｒ_dwd 、及び最大再生パワーＰｒ_max に基づいて最適再生パワーＰｒを設定する。 - 特許庁

To provide an information recording medium utilizing domain wall displacement, and to provide a method of manufacturing the information recording medium.例文帳に追加

磁壁移動を利用した情報記録媒体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data storage device using magnetic domain wall movement and a method of operating the same.例文帳に追加

磁区壁移動を利用したデータ保存装置及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

INFORMATION STORAGE DEVICE USING MAGNETIC DOMAIN WALL MOVEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

磁壁移動を利用した情報記憶装置、その製造方法及びその動作方法 - 特許庁

To provide an information storage device that utilizes domain wall displacement, and to provide a method of manufacturing the information storage device.例文帳に追加

磁壁移動を利用した情報記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device making use of the movement of a magnetic domain wall, and its manufacturing method.例文帳に追加

磁区壁移動を利用した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the generation of the domain wall displacement in the backing layer 14 can be prevented.例文帳に追加

これにより、裏打ち層１４で磁壁の移動が発生することを防止することができる。 - 特許庁

The 1st magnetic layer 1 comprises a perpendicularly magnetized film having a relatively smaller domain wall coercive force and a larger domain wall mobility at a temperature close to the reproduction temperature than the 3rd magnetic layer 3.例文帳に追加

第１磁性層１は、再生温度近傍の温度において第３磁性層３に比して相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなる。 - 特許庁

Consequently, the migration speed of a domain wall is made fast by forming a step temperature distribution on a medium to enable stable domain wall migration reproduction even when the disk rotating speed is made fast.例文帳に追加

これによって媒体に急峻な温度分布を形成し、磁壁の移動速度を高速化し、ディスク回転速度を高速化しても安定した磁壁移動再生を行えるようにする。 - 特許庁

METHOD FOR RECORDING AND READING INFORMATION OF INFORMATION STORAGE EQUIPMENT USING MOVEMENT OF MAGNETIC DOMAIN WALL例文帳に追加

磁区壁の移動を用いた情報保存装置の情報記録方法及び情報読み取り方法 - 特許庁