「GaAS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

GaAs SINGLE CRYSTAL GROWTH PROCESS例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶成長方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaAs WAFER例文帳に追加

ＧａＡｓウェハの製造方法 - 特許庁

TEGa and AsH3 react on a heated GaAs substrate 18, thereby growing thereon a compound semiconductor crystal.例文帳に追加

TEGaおよびAsH_3は、加熱されたGaAs基板１８上で反応して、GaAsの化合物半導体結晶をGaAs基板１８上に成長させる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶製造方法 - 特許庁

The substrate 2 consists of n-type GaAs.例文帳に追加

基板２は、ｎ型ＧａＡｓからなる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GAAS LAYER例文帳に追加

ＧａＡｓ層の形成方法 - 特許庁

Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＳｉドープＧａＡｓ単結晶 - 特許庁

GaAs SUBSTRATE FOR MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

磁気センサ用ＧａＡｓ基板 - 特許庁

RAW MATERIAL FOR PRODUCING GaAs CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶の製造用原料 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶の製造方法 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶製造方法 - 特許庁

The active circuit element is a GaAs metal/semiconductor field-effect transistor (MESFET). 例文帳に追加

能動回路素子はGaAs金属半導体電場効果トランジスタ（MESFET）である。 - コンピューター用語辞典

METHOD FOR MANUFACTURING GaAs SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GaAs SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶基板の製造方法及びＧａＡｓ単結晶基板 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GaAs SINGLE CRYSTAL AND GaAs SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶の製造方法およびＧａＡｓ単結晶ウェハ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GaAs SINGLE CRYSTAL AND GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶製造方法及びＧａＡｓ単結晶 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GaAs SINGLE CRYSTAL, AND GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＡｓ単結晶の製造方法、及びＧａＡｓ単結晶 - 特許庁

The GaAs substrate is obtained by slicing the GaAs single crystal.例文帳に追加

また、該ＧａＡｓ単結晶をスライスすることによってＧａＡｓ基板を得る。 - 特許庁

THERMAL TREATMENT METHOD OF GaAs CRYSTAL, AND GaAs CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶の熱処理方法およびＧａＡｓ結晶基板 - 特許庁

In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁

A p-type GaAs layer 12, an n-type GaAs layer 14, a p-type GaAs layer 16, and an n-type GaAs layer 18, are sequentially laminated on a p-type GaAs substrate 10; a cathode electrode 22 is formed on the n-type GaAs layer 18; and a gate electrode 23 is formed on the p-type GaAs layer 16.例文帳に追加

ｐ形ＧａＡｓ基板１０の上に、ｐ形ＧａＡｓ層１２，ｎ形ＧａＡｓ層１４，ｐ形ＧａＡｓ層１６，ｎ形ＧａＡｓ層１８が順次積層され、ｎ形ＧａＡｓ層１８上にカソード電極２２が、ｐ形ＧａＡｓ層１６上にゲート電極２３が形成されている。 - 特許庁

The GaAs chip 14 includes a p-type GaAs base layer 34 (p-type GaAs layer) and an n-type GaAs emitter layer 36 (n-type GaAs layer) formed thereon.例文帳に追加

ＧａＡｓチップ１４は、ｐ型ＧａＡｓベース層３４（ｐ型ＧａＡｓ層）と、その上に形成されたｎ型ＧａＡｓエミッタ層３６（ｎ型ＧａＡｓ層）を有する。 - 特許庁

An andoped GaAs layer 3, an n+-type GaAs layer 4, and an n-type GaAs layer 5 undergo epitaxial growth in this order via a GaAs buffer layer 2 on a semi-insulating GaAs substrate 1 to form a channel layer.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＧａＡｓバッファー層２を介してアンドープＧａＡｓ層３、ｎ^+ 型ＧａＡｓ層４およびｎ型ＧａＡｓ層５を順次エピタキシャル成長させてチャネル層を形成する。 - 特許庁

In the tandem solar cell including an InGaP/(In)GaAs/Si 3-junction structure solar cell, an (In)GaAs solar cell layer and an Si solar cell layer are bonded together across a Ge interposing layer formed at part of the (In)GaAs solar cell layer.例文帳に追加

InGaP/(In)GaAs/Si３接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。 - 特許庁

In the GaAs layer formation step, a GaAs layer containing GaAs is formed on the surface of a precursor 11 of the semiconductor laser device.例文帳に追加

ＧａＡｓ層形成工程では、半導体レーザ素子の前駆体１１の表面上に、ＧａＡｓを含むＧａＡｓ層を形成する。 - 特許庁

GaAs SUBSTRATE, MULTILAYER SUBSTRATE AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME, DUMMY GaAs SUBSTRATE, AND GaAs SUBSTRATE FOR REUSE例文帳に追加

ＧａＡｓ基板、積層基板及びそれを用いた電子デバイス、ダミー用途ＧａＡｓ基板、再利用用途のＧａＡｓ基板 - 特許庁

The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.例文帳に追加

本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁

An n-GaAs layer 102 and an n^+-GaAs layer 109 are successively grown on a semi-insulating GaAs substrate 101.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１上にｎ−ＧａＡｓ層１０２、次いでｎ^＋−ＧａＡｓ層１０９を成長させる。 - 特許庁

A compound semiconductor device 100 is equipped with an N+-GaAs drain layer 12, an N+-GaAs buffer layer 14, an N-GaAs channel layer 16, a P+-InGaP gate layer 28, an N+-InGaP source layer 30, a drain electrode 22, a gate electrode 24, and a source electrode 26.例文帳に追加

本発明において、化合物半導体素子１００が、ｎ^+GaAsドレイン層１２、ｎ^+GaAsバッファ層１４、ｎ^-GaAsチャネル層１６、ｐ^+InGaPゲート層２８、ｎ^+InGaPソース層３０、ドレイン電極２２、ゲート電極２４およびソース電極２６を備える。 - 特許庁

The semiconductor device is constructed in such a manner that a back metal electrode film 7a on the back of the semi-insulating GaAs substrate 1 is ohmic-joined with the semi-insulating GaAs substrate 1, and a side metal electrode film 7b on the side of a via hole 6 is ohmic-joined on the interface with the semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性GaAs基板１の裏面に形成された裏面金属電極膜７ａが、半絶縁性GaAs基板１とオーミック接合し、バイアホール６の側面に形成された側面金属電極膜７ｂが、半絶縁性GaAs基板１との界面でオーミック接合した構造とする。 - 特許庁

90°wedges of MgO and GaAs have frequently been used to assist the quantitative interpretation of lattice images. 例文帳に追加

MgOとGaAsの90°のくさびは、しばしば格子像の定量的な解釈を(補助的に)助けるために使われてきた。 - 科学技術論文動詞集

GALLIUM-ARSENIC SINGLE CRYSTAL AND GaAs WAFER AND PRODUCTION METHOD FOR GaAs SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ガリウム砒素単結晶及びガリウム砒素ウェハ並びにガリウム砒素単結晶の製造方法 - 特許庁

The GaAs (111) A substrate 1 is removed by wet etching by ammonia based etchant.例文帳に追加

GaAs（111）Ａ基板1をアンモニア系エッチャントによるウェットエッチングによって除去する。 - 特許庁

An emitter electrode 13 comprising a Ti layer and Au layer on the entire reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 are provided.例文帳に追加

n^+型GaAs基板１裏面全体にはTi層とAu層から成るエミッタ電極１３を有している。 - 特許庁

A p-type GaAs layer 2 in a thickness of 300 nm is formed on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上へ厚さ３００ｎｍのｐ型ＧａＡｓ層２を形成する。 - 特許庁

The GaAs thin film 37b is thicker than the GaAs region 37a.例文帳に追加

ＧａＡｓ薄膜３７ｂの厚さはＧａＡｓ領域３７ａの厚さよりも大きい。 - 特許庁

In the second heating, the substrate 1 is heated with a GaAs substrate placed on the GaAs film 2.例文帳に追加

第２の加熱工程では、ＧａＡｓ膜２上にＧａＡｓ基板を載せた状態で、基板１を加熱する。 - 特許庁

A layer of surface part 105 sealing the pores is formed on a surface of the porous GaAs layer.例文帳に追加

多孔質GaAs層の表面にこの孔が封止された表面部１０５の層を形成する。 - 特許庁

To provide an epitaxial growth layer of high-purity GaAs on a GaAs substrate.例文帳に追加

高純度のＧａＡｓのエピタキシャル成長層をＧａＡｓ基板上に得ること。 - 特許庁

The technology disclosed herein adopts a configuration, wherein a resistor Rbb9 is provided in parallel with a voltage drive bias circuit including a transistor (GaAs-HBT) Trb1.例文帳に追加

GaAs-HBTからなるTrb1を含む電圧駆動バイアス回路と並列に、抵抗Rbb9を設けた構成とする。 - 特許庁

A second AlGaAs or GaAs barrier layer 402 is then grown to complete the quantum well.例文帳に追加

前記量子井戸を完成するために、第２のAlGaAsまたはGaAs障壁層４０２が成長させられる。 - 特許庁

During the growth of the GaAs compound semiconductor crystal, Cl2H2 is given thermal energy on the grown crystal surface and is thermally decomposed.例文帳に追加

GaAsの成長中、CI_2H_2が成長結晶表面で熱エネルギを与えられて熱分解される。 - 特許庁

To obtain a p-type GaAs single crystal having an average dislocation density of ≤100/cm^-2, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a recess part 14 on the reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 just under the n+-type AlGaAs emitter layer 5.例文帳に追加

ｎ^+型AlGaAsエミッタ層５直下部のn^+型GaAs基板１裏面には凹部１４を有している。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MADE OF GaAs AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＡｓ製の半導体基板及び半導体素子 - 特許庁