「GaAS」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The respective GaAs layers 25, 27 are etched with a citric acid/hydrogen peroxide solution, respectively, whereby the gate recess of a two-stage structure is formed in these GaAs layers 25, 27.例文帳に追加

そして、各ＧａＡｓ層２５，２７をそれぞれクエン酸／過酸化水素溶液によってエッチングすることにより、これらのＧａＡｓ層２５，２７に二段構造のゲートリセスを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that improves moisture resistance of a GaAs chip.例文帳に追加

ＧａＡｓチップの耐湿性を向上させることができる半導体装置を得る。 - 特許庁

A first metal layer 22 is provided on the front surface of the GaAs substrate 10.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０の表面には、第１の金属層２２が設けられている。 - 特許庁

With the use of a GaAs substrate 1 of (411)A surface, an AlGaAs/GaAs compound semiconductor thin film is grown with a substrate temperature 200 to 300°C and V/III ratio of 4 to 10.例文帳に追加

（４１１）Ａ面のＧａＡｓ基板を用い、基板温度が２００〜３００℃、Ｖ／ＩＩＩ比が４〜７で、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系化合物半導体薄膜を成長させる。 - 特許庁

A TJS laser element 1 comprises a GaAs substrate 2, a first clad layer 3, an active layer 4, a second clad layer 5, a GaAs contact layer 6, and electrodes 7a and 7b.例文帳に追加

ＴＪＳレーザ素子１は、ＧａＡｓ基板２、第１クラッド層３、活性層４、第２クラッド層５、ＧａＡｓコンタクト層６、及び電極７ａ，７ｂを有する。 - 特許庁

The lattice constant of the buffer layer 21 is larger than that of the GaAs layer 22, and is not more than a lattice constant larger than that of the GaAs layer 22 by 30%.例文帳に追加

バッファ層２１の格子定数は、ＧａＡｓ層２２の格子定数よりも大きく、ＧａＡｓ層２２の格子定数に比べて３割大きい格子定数以下である。 - 特許庁

The dielectric mask is removed, and the p-GaAs lower contact layer 109, a hydrogen diffusion preventing layer 111, and a p-GaAs upper contact layer 112 are formed on the entire surface.例文帳に追加

その誘電体マスクを除去し、全面にｐ−ＧａＡｓ下部コンタクト層１０９、水素拡散防止層１１１、ｐ−ＧａＡｓ上部コンタクト層１１２を形成する。 - 特許庁

Since the light strength inside the p-type GaAs contact layer 108 is reduced, the light is hardly absorbed in the p-type GaAs contact layer 108.例文帳に追加

これによって、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８内部における光強度が低下するため、光がｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８で吸収されにくい構造となっている。 - 特許庁

Next, a rear side of the GaAs substrate 200 is ground, and the hole 310 for forming via hole is punctured from the front surface to the rear surface of the GaAs substrate 200 to form the via hole 220.例文帳に追加

次に、ＧａＡｓ基板２００裏面を研磨し、ＧａＡｓ基板２００の表面から裏面までアホール形成用の穴３１０を貫通させ、ビアホール２２０を形成する。 - 特許庁

A sub-collector layer 9, an n-GaAs collector layer 3, a p-GaAs base layer 4, an n-InGaP or n-AlGaAs emitter layer 5, an n-GaAs emitter cap layer 6, an n-InGaAs graded emitter cap layer 7 and an n-InGaAs emitter cap layer 8 are sequentially formed on a GaAs substrate 1 to constitute a hetero-junction bipolar transistor.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に、サブコレクタ層９、ｎ−ＧａＡｓコレクタ層３、ｐ−ＧａＡｓベース層４、ｎ−ＩｎＧａＰ又はｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層５、ｎ−ＧａＡｓエミッタキャップ層６、ｎ−ＩｎＧａＡｓグレーデッドエミッタキャップ層７、及びｎ−ＩｎＧａＡｓエミッタキャップ層８が順次形成してヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁

The cap layer includes a first Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities, a second Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities of a lower concentration than the first Si-doped GaAs cap layer, and a barrier increase-suppressing region arranged on a layer between the second Si-doped GaAs cap layer and stopper layer and suppressing an increase of a potential barrier.例文帳に追加

ここで、キャップ層は、Ｓｉ不純物を含む第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層よりも低濃度のＳｉ不純物を含む第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層とストッパ層との間の層に設けられ、ポテンシャルバリアの上昇を抑制するバリア上昇抑制領域を備えるものとする。 - 特許庁

There are formed on an n-GaAs substrate 101 a multiple distortion quantum well active layer 106, a second conductivity type semiconductor layer group (p-AlGaAs first upper cladding layer 108, p-AlGaAs second upper cladding layer 109, p-GaAs etching stop layer 110, p-AlGaAs third upper cladding layer 111, p-GaAs contact layer 112, and p^+-GaAs contact layer 113).例文帳に追加

ｎ-ＧaＡs基板１０１上に、多重歪量子井戸活性層１０６と第２導電型の半導体層群(ｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８,ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９,ｐ-ＧaＡsエッチングストップ層１１０,ｐ-ＡlＧaＡs第３上クラッド層１１１,ｐ-ＧaＡsコンタクト層１１２およびｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３)を形成する。 - 特許庁

After growing GaAs in which Sn is doped by a liquid phase growth method, Ni is doped into the GaAs by an ion injection method, then, a heat processing is applied to the GaAs to remove the damage caused by the ion injection method, thereby producing Ni-Sn doped GaAs phosphor having the good light-emitting property of donor-acceptor pair.例文帳に追加

ＳｎがドーピングされたＧａＡｓを液相成長法により成長した後、ＧａＡｓにＮｉをイオン注入法によりドーピングし、この後、ＧａＡｓに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するＮｉ及びＳｎドープのＧａＡｓ蛍光体が製造される。 - 特許庁

In the thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 having an n+GaAs layer 4 for composing a p-n junction, and a p+GaAs layer 8, an i-InGap layer 5 having a bandgap that is larger than that of the n+GaAs layer 4 is provided on a surface 4a of the n+GaAs layer 4, thus improving reverse withstand voltage characteristics.例文帳に追加

ｐｎ接合を構成するためのｎ^+ ＧａＡｓ層４とｐ^+ ＧａＡｓ層８とを備えた薄膜半導体エピタキシャル基板１において、ｎ^+ ＧａＡｓ層４の面４ａに、ｎ^+ ＧａＡｓ層４のバンドギャップ値よりも大きいバンドギャップ値を有するｉ−ＩｎＧａＰ層５を設けることにより、逆方向耐圧電圧特性を改善した。 - 特許庁

When a GaAs layer 14 in a laminated structure body 10 made up of the GaAs layer 14 and the other layer 18 is selectively etched by using an etching solution containing citric acid, hydrogen peroxide, and water, an InxAl1-x As layer in contact with the GaAs layer 14 is put between the GaAs layer 14 and the other layer 18.例文帳に追加

ＧａＡｓ層１４とＧａＡｓ以外の層１８とを具えた積層構造体１０に対して、クエン酸、過酸化水素および水を含むエッチング溶液を用いて、上記のＧａＡｓ層を選択的にエッチングするに当たり、ＧａＡｓ層とＧａＡｓ以外の層との間に、ＧａＡｓ層に接してＩｎ_x Ａｌ_1-x Ａｓ層１６をエッチングストッパ層として設けておく。 - 特許庁

In this method for heat-treating the semi-insulating GaAs single crystal by sealing the semi-insulating GaAs single crystal in the quartz ampule and heating the quartz ampule from the outside, a part of the quartz ampule is provided with a low-temperature zone having ≤0.9 heat treatment temperature of the semi-insulating GaAs single crystal and the semi-insulating GaAs single crystal is heat-treated.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を石英アンプルに封じ込み、該石英アンプルに外部から熱を加える半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の熱処理方法において、前記石英アンプルの一部に前記半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の熱処理温度の０．９倍以下の温度の低温領域を設けて熱処理を施したことにある。 - 特許庁

Further, the cavity 2 is constituted of a single quantum well structure comprising GaAs as a well layer.例文帳に追加

また、キャビティ２は、ＧａＡｓを井戸層として含む単一量子井戸構造から成る。 - 特許庁

A first multi-quantum well structure 12 is formed on a GaAs substrate 10.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０上に第１の多重量子井戸構造１２が形成されている。 - 特許庁

A through hole 31a and a through hole 31b are formed on the GaAs substrate 31.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板３１には、貫通孔３１ａと貫通孔３１ｂとが形成されている。 - 特許庁

A GaAs switch or a PIN diode switch or the like are used as the changeover switches 53 and 54.例文帳に追加

切換スイッチ５３，５４としては、ＧａＡｓスイッチやＰＩＮダイオードスイッチ等が使用される。 - 特許庁

The crucible 5 is heated by a heater 8 to produce a GaAs melt 9 in the crucible 5.例文帳に追加

ヒータ８によりルツボ５を加熱して、ルツボ５内にＧａＡｓ融液９を生成する。 - 特許庁

There are disposed an etch stop layer 16 containing GaAs, a first guide layer 18 containing AlGaAs, a monitor layer 20 containing GaAs, a second guide layer 22 containing AlGaAs and a guide layer 8 with a contact layer 24 containing GaAs on an optical waveguide part 6.例文帳に追加

光導波部６上には、ＧａＡｓを含むエッチストップ層１６、ＡｌＧａＡｓを含む第１ガイド層１８、ＧａＡｓを含むモニタ層２０、ＡｌＧａＡｓを含む第２ガイド層２２、及びＧａＡｓを含むコンタクト層２４を有するガイド層８が設けられる。 - 特許庁

After laminating a GaAs buffer layer 32 on a GaAs substrate 31, a GaAs/Al0.7Ga0.3As例文帳に追加

ＧａＡｓ基板31上にＧａＡｓバッファ層32を積層後、ＧａＡｓ／Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３Ａｓからなる多層光学フィルタ層33、ＧａＡｓ光閉じ込め層34、ＧａＡｓ／Ｉｎ_０．２Ｇａ_０．８Ａｓ多重量子井戸活性層35、ＧａＡｓ光閉じ込め層36、Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３Ａｓキャリア閉じ込め層37を積層する。 - 特許庁

GaAs SEMICONDUCTOR POWER SUPPLY DEVICE OPERABLE WITH LOW-VOLTAGE POWER SUPPLY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

低電源電圧に作動可能なＧａＡｓ半導体電力素子及びその製造方法 - 特許庁

The semiconductor mesa 23 includes the light emitting area 17 provided on the GaAs substrate 13.例文帳に追加

半導体メサ２３は、ＧａＡｓ基板１３上に設けられた発光領域１７を含む。 - 特許庁

The diodes 12, 16 are the ones integrally formed with the Schottky gate HFET and are constituted as Schottky barrier diodes comprising an n+ GaAs cap layer formed on a GaAs substrate and a Schottky electrode formed on the n+ GaAs cap layer.例文帳に追加

ダイオード１２、１６は、ショットキーゲートＨＦＥＴと一体的に形成されたダイオードであって、ＧａＡｓ基板上に成膜されたｎ^^+ −ＧａＡｓキャップ層と、ｎ^+ −ＧａＡｓキャップ層上に形成されたショットキー電極とからなるショットキーバリア・ダイオードとして構成されている。 - 特許庁

A first conductive distributed Bragg reflecting film 3 composed of a GaAs layer and other semiconductor layers is formed on a first conductive substrate 2, and the GaAs layer contains a large number of defects, so that an unnecessary infrared spectrum emitted from the GaAs layer can be reduced.例文帳に追加

第１導電型の基板２上にＧａＡｓ層と他の半導体層とを組み合わせた第１導電型の分布ブラッグ反射膜３に用いられるＧａＡｓ層が多数の欠陥を有するので、ＧａＡｓ層からの不要な赤外発光スペクトルが低減する。 - 特許庁

A multilayered film composed of layers 2 to 7 including a light absorbing layer 4 is formed on a GaAs substrate 1.例文帳に追加

光吸収層４を含んだ多層膜２〜７をＧａＡｓ基板上に形成する。 - 特許庁

A through-hole 31a and a through-hole 31b are formed in the GaAs substrate 31.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板３１には、貫通孔３１ａと貫通孔３１ｂとが形成されている。 - 特許庁

Near the HBTs 100, via holes 7 passing through the GaAs substrate 1 are formed.例文帳に追加

ＨＢＴ１００近傍に、ＧａＡｓ基板１を貫通するバイアホール７が形成されている。 - 特許庁

The two waveguide layers 3 and 5 have compositions which match in lattice with the GaAs substrate 1.例文帳に追加

上記２つの光導波層はＧａＡｓ基板１に格子整合する組成とする。 - 特許庁

The compound semiconductor integrated device 1 includes a GaAs substrate 10, and a capacitor 20.例文帳に追加

化合物半導体集積装置１は、ＧａＡｓ基板１０と、キャパシタ２０と、を備える。 - 特許庁

To improve the characteristics of an optical semiconductor element formed of GaAs semiconductor.例文帳に追加

ＧａＡｓ系半導体で形成される光半導体素子の特性を向上させる。 - 特許庁

Moreover, the cavity 2 consists of a single quantum well structure including GaAs as a well layer.例文帳に追加

また、キャビティ２は、ＧａＡｓを井戸層として含む単一量子井戸構造から成る。 - 特許庁

To appropriately control the size of InAs quantum dot formed on GaAs layer.例文帳に追加

ＧａＡｓ層上に形成されるＩｎＡｓ量子ドットのサイズを適切に制御する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF PRODUCT INCLUDING OXIDE LAYER ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING GaAs AS BASE例文帳に追加

ＧａＡｓを基体とする半導体基板上の酸化物層を含む製品の作製方法 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 101, there are provided n-AlGaAs first, second bottom cladding layers 103, 104; a multiplex distorted quantum well active layer 106; p-AlGaAs first, second top cladding layers 109, 111; a p-GaAs contact layer 112; and a p^+-GaAs contact layer 113.例文帳に追加

ｎ−ＧaＡs基板１０１上に、ｎ−ＡlＧaＡs第１,第２下クラッド層１０３,１０４と、多重歪量子井戸活性層１０６と、ｐ−ＡlＧaＡs第１,第２上クラッド層１０９,１１１と、ｐ−ＧaＡsコンタクト層１１２およびｐ^+−ＧaＡsコンタクト層１１３を備える。 - 特許庁

The opening is directed from the rear surface of the GaAs substrate 10 toward the first metal layer 22.例文帳に追加

開口は、ＧａＡｓ基板１０の裏面から第１の金属層２２に向かっている。 - 特許庁

An SiO2 film 20 is formed on these layers and the SiO2 film 20 in a stripe region with about 3 μm width is removed, and the n-GaAs cap layer 19 and the n-Alx4Ga1-x4As current constriction layer 18 are etched with as a mask of the SiO2 film 20.例文帳に追加

この上に、SiO_2膜20を形成し、3μｍ程度の幅のストライプ領域のSiO_2膜20を除去し、SiO_2膜20をマスクとしてn-GaAsキャップ層19およびn-Al_x4Ga_1_-x4As電流狭窄層18をエッチングする。 - 特許庁

The GaAs substrate 16 (semiconductor substrate) is immersed in Pd, causing activation of a liquid 28 (palladium chloride) containing Pd ions, and Pd catalyst 30 is made to adhere to a surface of the GaAs substrate.例文帳に追加

Ｐｄイオンを含むＰｄ活性化液２８（塩化パラジウム）にＧａＡｓ基板１６（半導体基板）を浸漬してＧａＡｓ基板の表面にＰｄキャタリスト３０を付着させる。 - 特許庁

A semiconductor laser element is provided with an Si clad layer 13, an active layer 14, and a Zn clad layer 15, which are successively laminated upon a GaAs (100) substrate 11, and the clad layer 1 is formed in the shape of a mesa stripe.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、GaAs(100)基板１１上に順次に積層されたSiクラッド層１３、活性層１４及びZnクラッド層１５を備え、Znクラッド層１５がメサストライプに形成されている。 - 特許庁

In a method for forming this GaN film, a GaAs epitaxial layer is formed on a GaAs substrate by introducing AsH3 and TMG (process A), and a GaN buffer layer is formed by introducing DMHy and TMG (process B).例文帳に追加

ＡｓＨ_3とＴＭＧを導入してＧａＡｓ基板上にＧａＡｓエピタキシャル層を形成し（プロセスＡ）、ＤＭＨｙとＴＭＧを導入してＧａＮバッファ層を形成する（プロセスＢ）。 - 特許庁

To provide a method for improving crystallization of a III-V group compound semiconductor, especially a GaAs group semiconductor, crystal-grown on a Si substrate and a method for manufacturing a light emitting device.例文帳に追加

Si基板上に結晶成長したIII-Ｖ族化合物半導体、特にGaAs系半導体の結晶性改善方法とその発光デバイスの作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor substrate in which an n-AlGaAs layer and an n-GaAs layer are laminated on an n+GaAs layer constituting a channel area and whose main surface has a (100) plane, is prepared.例文帳に追加

チャネル領域を構成するｎ＋ＧａＡｓ層上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層及びｎ−ＧａＡｓ層が積層された、主表面が（１００）面の半導体基板を用意する。 - 特許庁

A channel layer 12 made up of n-type GaAs is formed on a semi-insulating GaAs substrate 11, and an undope AlGaAs layer 13 is formed on the channel 12.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１１の上にｎ型ＧａＡｓからなるチャネル層１２が形成され、チャネル層１２の上には、アンドープのＡｌＧａＡｓ層１３が形成されている。 - 特許庁