「GaAS」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a GaAs semiconductor laser device having the narrow stripe type internal current narrowing structure of low threshold current.例文帳に追加

しきい値電流が低い、狭ストライプ型の内部電流狭窄構造を有するＧａＡｓ系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

For actual use, a first electrode is formed on the NiAl layer 5 and a second electrode is formed on the n+-GaAs layer 3 exposed by etching.例文帳に追加

尚、実際の使用には、ＮiＡl層５上に第１の電極を形成し、エッチングで露出したｎ^+-ＧaＡs層３上に第２の電極を形成する。 - 特許庁

On a GaAs layer 3, an InAs quantum-dot 4 having the larger lattice constant is formed by utilizing the strain relaxation.例文帳に追加

ＧａＡｓ層３上に、これよりも格子定数の大きいＩｎＡｓ量子ドット４を歪み緩和を利用して形成する。 - 特許庁

An inverse mesa ridge 3 extending in a <011> crystalline orientation is formed on an n-type GaAs (100) just substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ（１００）ジャスト基板１には、＜０１１＞結晶軸方向に延存する逆メサリッジ３が形成されている。 - 特許庁

A cap film 50 is formed which covers the semiconductor film 36 and the GaAs substrate or the AlGaAs substrate 10a.例文帳に追加

そして、半導体膜３６及びＧａＡｓ基板又はＡｌＧａＡｓ基板１０ａを覆うキャップ膜５０を形成する。 - 特許庁

A rectangular gate electrode 3 is subjected to pattern formation on a GaAs substrate 1 that is a compound semiconductor substrate with a channel layer 2.例文帳に追加

チャネル層２を有する化合物半導体基板であるＧａＡｓ基板１上に矩形状のゲート電極３をパターン形成する。 - 特許庁

TEGa(triethyl gallium) is used as raw material of Ga for the growth of the 1st emitter cap layer made of GaAs.例文帳に追加

ＧａＡｓの第１エミッタキャップ層成長のためのＧａの原料としてＴＥＧａ（トリエチルカリウム）を用いる。 - 特許庁

A cell main body 5 is formed on a GaAs substrate, and a light receiving surface electrode 6 is formed on the surface of the cell main body 5.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にセル本体５が形成され、そのセル本体５の表面に受光面電極６が形成される。 - 特許庁

The band gap energy (Eg2) of the group third-fifth compound semiconductor layer 14 is larger than the band gap energy (Eg1) of the GaAs board 12.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層１４のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ２）は、ＧａＡｓ基板１２のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１）よりも大きい。 - 特許庁

A pseudo InGaAs substrate is formed by forming an InGaAs buffer layer 121 and InGaAs 122 subjected to lattice relaxation on a GaAs substrate 102.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０２上に、ＩｎＧａＡｓバッファ層１２１と、格子緩和したＩｎＧａＡｓ１２２を形成して擬似的なＩｎＧａＡｓ基板する。 - 特許庁

A main body 150 having the light outgoing end face 150a for the outgoing of laser light is formed on a semiconductor substrate or an n-type GaAs substrate.例文帳に追加

半導体基板ｎ型ＧａＡｓ基板上には、レーザ光を出射する光出射端面１５０ａを有する本体１５０が形成されている。 - 特許庁

The first conductivity type semiconductor region 3 is provided on a GaAs semiconductor substrate 11 of the first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型半導体領域３は、第１導電型のＧａＡｓ半導体基板１１上に設けられる。 - 特許庁

A GaAs layer where triethylgallium is made to be a raw material is arranged directly below a GaInAs channel layer.例文帳に追加

ＧａＩｎＡｓチャネル層の直下に、トリエチルガリウムを原料とするＧａＡｓ層を配置する構成とする。 - 特許庁

An intrinsic GaAs wave-guiding layer 9 on a p-type AlGaAs clad layer 2 and the quantum dot active layer 3 is formed thereon.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２上に真性ＧａＡｓ導波層９が形成され、その上に量子ドット活性層３が形成されている。 - 特許庁

For example, GaAs microcrystal 1 being an optical switching material is supported on a surface of a carbon nanohorn 2.例文帳に追加

例えば、光スイッチング材料であるＧａＡｓ微結晶１をカーボンナノホーン２の表面に支持させる。 - 特許庁

To provide epitaxial growth of GaN which is capable of growing a good-quality GaN crystal on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に良質のＧａＮ結晶を成長させることができるＧａＮのエピタキシャル成長を提供すること。 - 特許庁

A stress relief layer 20 is formed on the back of the GaAs substrate 10 and inside the via hole 18.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０の裏面上及びビアホール１８内にストレス緩和層２０が形成されている。 - 特許庁

A rising mirror or a photodiode may be formed on the etching end face 1a of the n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１のエッチング端面１ａには立ち上げミラーを形成してもよく、フォトダイオードを形成してもよい。 - 特許庁

A semi-insulation (non-doped) layer 102b of GaAs is formed on a silicon base 102a for giving a buffer layer, thus eliminating the possibility of latch-up.例文帳に追加

ＧａＡｓの半絶縁性（未ドープ）層１０２ｂをシリコンベース１０２ａ上に形成してバッファ層を与え、ラッチアップの可能性を取除く。 - 特許庁

To provide the structure of a semiconductor crystal substrate which suppresses the propagation of a dislocation to an active layer from a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板からの能動層への転位の伝播を抑止する半導体結晶基板の構造を提供すること。 - 特許庁

After a lower-part DBR mirror is formed on a GaAs substrate in the MOCVD device, the substrate is transported into the MBE device.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ装置内で、ＧａＡｓ基板上に、下部ＤＢＲミラーを形成した後、その基板をＭＢＥ装置内に搬送する。 - 特許庁

In this semiconductor device, a lower DBR mirror 2 and a quantum well active layer 3 are formed on the upper surface of an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

この半導体装置は、ｎ−ＧａＡｓ基板１の上面に、下部ＤＢＲミラー２および量子井戸活性層３を形成する。 - 特許庁

An Au plating 22 is formed through the stress relief layer 20 on the back of the GaAs substrate 10 and inside the via hole 18.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０の裏面上及びビアホール１８内に、ストレス緩和層２０を介して、Ａｕメッキ２２が形成されている。 - 特許庁

Intermediate reaction between group III raw gas and group V raw gas in a boundary layer near a GaAs substrate 10 is restrained.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０近傍の境界層における、 III族原料ガスとＶ族原料ガスとの中間反応を抑制する。 - 特許庁

Also, an n-type GaAs layer 1 with the recess part is provided between the ohmic electrodes 2, and the gate fingers 4 and 5 are formed in the recess part.例文帳に追加

また、オーミック電極２間には、リセス部を有するｎ型ＧａＡｓ層１があり、ゲートフィンガー４，５は、このリセス部に形成される。 - 特許庁

A p-electrode 63 is formed on the entire surface and an n-electrode 64 is formed on the rear surface of the GaAs substrate 51.例文帳に追加

そして、全面にｐ電極６３を形成し、ＧaＡs基板５１の裏面にｎ電極６４を形成する。 - 特許庁

Further, the variations in the sensitivity with temperature become small, by using GaAs as a material of a semiconductor chip 1 of the Hall element chip.例文帳に追加

また、ホール素子チップの半導体チップ１の材料にＧａＡｓを用いることにより、温度変化による感度の変化が少なくなる。 - 特許庁

A p-type GaAlAs clad layer 22 is formed on the GaAs active layer 20, and a stripe part is formed in the center thereof.例文帳に追加

ＧａＡｓ活性層２０上にはｐ形ＧａＡｌＡｓクラッド層２２が形成され、その中央部にはストライプ部が形成されている。 - 特許庁

The oscillator is made by using IC technology or MMIC technology, and uses a silicon substrate or a GaAs substrate.例文帳に追加

発振装置は、ＩＣ技術又はＭＭＩＣ技術によって形成され、また、シリコン基板又はＧａＡｓ基板が用いられる。 - 特許庁

In a semiconductor optical element 11, a first conductivity type clad layer 13 is provided on a principal surface 15a of a GaAs substrate 15.例文帳に追加

半導体光素子１１では、第１導電型クラッド層１３がＧａＡｓ基板１５の主面１５ａ上に設けられる。 - 特許庁

On a GaAs substrate 11 (semiconductor substrate), passivation films 15 and 16 (first passivation films) are formed as first and second layers.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１１（半導体基板）上に第１，第２層目のパッシベーション膜１５，１６（第１パッシベーション膜）が形成されている。 - 特許庁

Respective layers to form a top cell T are formed by epitaxial growth on a surface of a GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルＴとなる各層が形成される。 - 特許庁

Next, stripes of grooves 54 are formed on the GaAs layer 53 by photo-lithography, and an InAs layer is then formed by MBE.例文帳に追加

次に、フォトリソグラフィ法により、ＧａＡｓ層５３にストライプ状の溝５４を形成した後、ＭＢＥ法によりＩｎＡｓ層を形成する。 - 特許庁

A magnetic-sensing film 2 sensing a magnetism and an inner electrode 3 are covered with a mold resin 6 on a GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に磁気に感応する感磁膜２と内部電極３とがモールド樹脂６で被覆されている。 - 特許庁

A via hole 18 is formed so as to reach the source electrode 12 from the back of the GaAs substrate 10.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０の裏面からソース電極１２に達するようにビアホール１８が形成されている。 - 特許庁

To provide a GaAs wafer capable of suppressing occurrence of a slip defect even when made large in diameter, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

大口径化しても、スリップ不良の発生を抑制できるＧａＡｓウェハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The p-GaAs contact layer is constituted of a parallel layer 24a and a tilting layer 24b which are parallel to a substrate surface.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓコンタクト層は、基板面に平行な平行層２４ａ及び傾斜層２４ｂで構成されている。 - 特許庁

A WSi film 71a is deposited on a GaAs substrate 70, and an Si ion is implanted using a mask 72, to form an active layer 74a.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板７０の上にＷＳｉ膜７１ａを堆積し、マスク７２を用いて、Ｓｉイオンを注入して活性層７４ａを形成する。 - 特許庁

A GaAs substrate 3 has a first area 3a and a second area 3b arranged along a predetermined axis.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板３は、所定の軸に沿って配列された第１の領域３ａおよび第２の領域３ｂを有する。 - 特許庁

To provide a tandem solar cell including a solar cell layer having an InGaP/GaAs/Si 3-junction structure, capable of being efficiently produced at low cost.例文帳に追加

効率良く低コストで生産が可能なInGaP/GaAs/Si３接合構造の太陽電池層を含むタンデム太陽電池を提供する。 - 特許庁

The raw material 1 for production is directly heat-melted and crystal is grown according to Czochralski method, etc., to enable production of GaAs crystal.例文帳に追加

この製造用原料１は，そのまま加熱溶融し，チョクラルスキー法などによってＧａＡｓ結晶を製造することができる。 - 特許庁

On a (100) crystal plane of a GaAs substrate 1, a plurality of HBTs(heterojunction bipolar transistors) 100 are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の結晶面（１００）面上に、複数のＨＢＴ（ヘテロジャンクションバイポーラトランジスタ）１００を形成している。 - 特許庁

A GaAs substrate 15 is bonded onto a plurality of semiconductor layers (12 to 14) comprising GaN layers, which are formed on the sapphire substrate 11.例文帳に追加

サファイア基板１１上に形成されたＧａＮ層を含む複数の半導体層（１２〜１４）上にＧａＡｓ基板１５を接合する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of non-light-emitting recombination in an interface of a GaAs layer in which a diffraction grating is formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ層の回折格子が形成された界面で非発光再結合が生じることを抑制すること。 - 特許庁

To eliminate propagation of faults due to a GaAs substrate into an epitaxial layer in an HBT(heterobipolar transistor) and an epitaxial wafer.例文帳に追加

ＨＢＴ及びエピタキシャルウェハにおいて、ＧａＡｓ基板に起因した欠陥をエピタキシャル層中に伝搬しないようにする。 - 特許庁