「GaAS」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A p+-GaAs base layer 14 is formed, while selecting the area, on an n-GaAs collector layer 13 formed on a semiinsulating GaAs substrate 10 and an n-AlGaAs emitter layer 21 is formed thereon while selecting the area.例文帳に追加

半絶縁性ＧaＡs基板１０上に形成したｎ-ＧaＡsコレクタ層１３上にｐ^+-ＧaＡsベース層１４を領域選択して形成し、更にその上にｎ-ＡlＧaＡsエミッタ層２１を領域選択して形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device having the laminate structure having the GaAs layer and the InGaP layer laminated, the GaAs layer is doped with a p-type impurity.例文帳に追加

ＧａＡｓ層とＩｎＧａＰ層とが積層された構造を有する半導体装置において、ＧａＡｓ層にｐ型不純物をドーピングする。 - 特許庁

With the AlOx film 4 as a mask, GaAs layers 6, 7 are grown on the GaAs substrate 5 by use of a particle beam epitaxial growth method.例文帳に追加

上記ＡlＯx膜４をマスクとしてＧaＡs基板５上に、分子線エピタキシャル成長法を用いてＧaＡs成長層６,７を成長させる。 - 特許庁

On the n^- GaAs layer 4, an anode electrode 5 is formed.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ層４上には、アノード電極５が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device having a photo-refractive effect or optical switching function comprises an AlGaAs/GaAs compound semiconductor or InGaAs/GaAs compound semiconductor.例文帳に追加

また、フォトリフラクティブ効果または光スイッチ機能を有する半導体デバイスが当該ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系化合物半導体薄膜を備える。 - 特許庁

The method also comprises the steps of thereafter, lightly etching the surface of an N-type GaAs buffer layer 22.例文帳に追加

その後、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２の表面を軽くエッチングする。 - 特許庁

The substrate 2 comprises one of ZnSe, ZnS and GaAs.例文帳に追加

前記基板２は、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ及びＧａＡｓのいずれかからなる。 - 特許庁

To provide a GaAs-based bipolar transistor having a low operating voltage.例文帳に追加

動作電圧が低いＧａＡｓ系のバイポーラ型トランジスタを提供する。 - 特許庁

In the temperature-reducing process after growing a p-type GaAs cap layer 508, the substrate is exposed to AsH3 atmosphere to prevent introduction of group-V defect into the active layer.例文帳に追加

p型GaAsキャップ層５０８成膜後の降温過程において、基板をAsH_3雰囲気に曝し、活性層にＶ族欠陥が導入されることを防止する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 16 is formed of GaAs.例文帳に追加

本発明に係る半導体基板１６の基板は、ＧａＡｓで構成されている。 - 特許庁

A GaAs semiconductor chip 12 is subjected to flip-chip connection to a circuit substrate 11.例文帳に追加

ＧａＡｓ半導体チップ１２を回路基板１１にフリップチップ接続する。 - 特許庁

In this light emitting thyristor, AlGaAs layers are epitaxially grown by changing Al composition from 0 through 0.1, 0.2, and 0.3 to 0.35 on a GaAs buffer layer 12 on a GaAs substrate 10.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０上のＧａＡｓバッファ層１２の上に、Ａｌ組成を０，０．１，０．２，０．３，０．３５のように変化させながらＡｌＧａＡｓ層をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

To provide a GaAs hall element having a small variation of offset voltage.例文帳に追加

オフセット電圧の変動の小さいＧａＡｓホール素子を提供すること。 - 特許庁

The substrate includes a GaAs substrate 101 having a porous region 102, pores 103 in the porous region, and a wall part 104 forming the pores 103.例文帳に追加

多孔質領域１０２を有するGaAs基板１０１と、多孔質領域の孔１０３とこの孔１０３を形成する壁部分１０４とからなる。 - 特許庁

Here, the concentration of hydrogen contained in the p^+-type GaAs layer 17 is lower than that of the carriers of second-conductivity type contained in the p^+-type GaAs layer 17.例文帳に追加

ここで、ｐ^＋型ＧａＡｓ層１７中に含まれる水素濃度は、ｐ^＋型ＧａＡｓ層１７の第２導電型のキャリア濃度よりも低い。 - 特許庁

Next, a rear side electrode 240 is formed on the rear side of the GaAs substrate 200.例文帳に追加

次に、ＧａＡｓ基板２００裏面に裏面電極２４０を形成する。 - 特許庁

An ohmic electrode 6 laminating a lower-layer Ti layer 2, a diffusion preventive layer 3, an upper-layer Ti layer 4 and a metallic layer (Au) 5 are provided on a p-type GaAs layer 1.例文帳に追加

ｐ型GaAs層１の上に、下層Ti層２、拡散防止層３、上層Ti層４、金属層（Au）５を積層したオーミック電極６が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor layer 2 is grown on a GaAs substrate 1 and the semiconductor layer 2 is stuck to a transparent support 4 by means of a heat-resisting ultraviolet-light peeling tape 5.例文帳に追加

GaAs基板１上に半導体層２を成長させ、半導体層２を耐熱性紫外光剥離テープ５を介して透明支持体４に貼り付ける。 - 特許庁

The compound semiconductor may be GaN, GaAs, GaAlN or SiC.例文帳に追加

化合物半導体は、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＮ、またはＳｉＣでもよい。 - 特許庁

Next, the GaAs substrate 200 is further rotated while changing the number of revolutions, and the photosensitive silicone resist 260 on the surface of the GaAs substrate 200 is flattened.例文帳に追加

次に、回転数を変化させて更にＧａＡｓ基板２００を回転させ、ＧａＡｓ基板２００表面の感光性シリコーンレジスト２６０を平坦化させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaAs single crystal by an LEC method, by which a GaAs single crystal wafer with few square pits can be obtained.例文帳に追加

角ピットの少ないＧａＡｓ単結晶ウェハを得ることが可能なＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The quantum dots are self-assembled InAs quantum dots 406 formed in InGaAs quantum wells 404 that are grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy.例文帳に追加

量子ドットは、分子ビームエピキタシによってGaAs基板上に成長させられたInGaAs量子井戸４０４に形成された自己組織化InAs量子ドット４０６である。 - 特許庁

In an InGa/GaAs HBT, Pt/Mo/Pt/Au/Pt/Mo electrodes containing no Ti are used as base electrodes 1.例文帳に追加

ベース電極１にＴｉを含まないＰｔ／Ｍｏ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／Ｍｏ電極を用いる。 - 特許庁

The barrier layers 3b have tensile strain with respect to a GaAs substrate, while the quantum well layers 3a have compressive strain with respect to the GaAs substrate.例文帳に追加

また、障壁層３ｂはＧａＡｓ基板に対して引っ張り歪を有し、量子井戸層３ａはＧａＡｓ基板に対して圧縮歪を有する。 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING CONDUCTIVE IMPURITY-DOPED GaAs SEMICONDUCTIVE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

導電性不純物をドープしたＧａＡｓ半導体単結晶製造方法 - 特許庁

The semiconductor laser apparatus includes first and second laser elements 170, 180 and a waveguide structure 190 on the same n-type GaAs semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、同一のｎ−GaAs半導体基板１００上に第１及び第２のレーザ素子１７０、１８０と導波構造１９０を備える。 - 特許庁

An arsenic coating layer is formed in the Si substrate 11 by thermally decomposing GaAs powder or GaAs crystal, and applying about one molecular layer of arsenic molecule.例文帳に追加

このＳｉ基板１１に、ＧａＡｓ粉末あるいはＧａＡｓ結晶を熱分解させて、砒素分子で１分子層程度被覆して砒素被覆層を形成する。 - 特許庁

A semi-insulating region 38 is formed in the p-type GaAs base layer 34 and the n-type GaAs emitter layer 36 between the device region 20 formed in a central portion of the GaAs chip 14 and the metal electrode 18.例文帳に追加

ＧａＡｓチップ１４の中央部に形成された素子領域２０と金属電極１８との間において、ｐ型ＧａＡｓベース層３４とｎ型ＧａＡｓエミッタ層３６に半絶縁性領域３８が形成されている。 - 特許庁

On the GaAs substrate 1 of a semi-insulating property, a buffer layer 2 composed of i-GaAs having a implanted impurity, and an n^+ GaAs layer 3 having an implanted high concentration n-type impurity, are sequentially formed.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上には、不純物を注入されていないｉ−ＧａＡｓからなるバッファ層２および高濃度のｎ型不純物が注入されたｎ＋ＧａＡｓ層３が順に形成されている。 - 特許庁

This semiconductor laser element 10 is provided with a laminated structure of an n-type AlGaAs clad layer 14, a GaAs active layer 16, a p-type AlGaAs clad layer 18, and a p-type GaAs contact layer 20 on an n-type GaAs substrate 12.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１４、ＧａＡｓ活性層１６、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１８、及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０の積層構造を備えている。 - 特許庁

A GaAs buffer layer is formed on a GaAs substrate, a GaSb_xAs_1-x (0<x≤1) layer is introduced onto the GaAs buffer, and InAs quantum dots are self-formed on the a GaSb_xAs_1-x (0<x≤1) layer.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓバッファ層を形成し、ＧａＡｓバッファ層上に、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層を導入し、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層上に、ＩｎＡｓ量子ドットを自己形成する。 - 特許庁

In an epitaxial wafer for HTV, a collector contact layer 8 of n+-GaAs, a collector layer 7 of n-GaAs, a base layer 6 of p+-GaAs, an emitter layer 5 of n-InGaP, and a non-alloy layer 4 of n+-InGaAs are grown by MOVPE method on a semi-insulating GaAs substrate.例文帳に追加

このＨＴＢ用エピタキシャルウェハは、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、ｎ^+-ＧａＡｓからなるコレクタコンタクト層８、ｎ−ＧａＡｓからなるコレクタ層７、ｐ^+-ＧａＡｓからなるベース層６、ｎ−ＩｎＧａＰからなるエミッタ層５、およびｎ^+-ＩｎＧａＡｓからなるノンアロイ層４をＭＯＶＰＥ法により成長させたものである。 - 特許庁

The guide layers 4 and 8 are InGaAsP which lattice-matches with GaAs.例文帳に追加

ガイド層４，８は、いずれもＧａＡｓに格子整合するＩｎＧａＡｓＰである。 - 特許庁

The InAs islands are covered with i-type GaAs to form the quantum dots.例文帳に追加

このＩｎＡｓ島をｉ型ＧａＡｓで覆うと量子ドットが形成される。 - 特許庁

MANUFACTURE OF DEVICE PROVIDED WITH OXIDE LAYER ON GAAS SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＧａＡｓに基づく半導体上に酸化物層を有する素子の製作方法 - 特許庁

After the thallium layer is attached, a GaInNAs crystal 3 is grown on the undoped GaAs layer 2.例文帳に追加

タリウムを付着させた後、アンドープGaAs２上にGaInNAs結晶３を成長させる。 - 特許庁

A lower electrode 17 of an MIM capacitor is formed on the GaAs substrate 11.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１１上にＭＩＭキャパシタの下部電極１７を形成する。 - 特許庁

Consequently, a conduction band of GaAs is raised to be above a Fermi level.例文帳に追加

その結果、ＧａＡｓの伝導帯が持ち上げられ、フェルミ準位より高くなる。 - 特許庁

A semiconductor film 11 is formed on a GaAs substrate 10 (a semiconductor substrate).例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０（半導体基板）上に半導体膜１１を形成する。 - 特許庁

In a heterojunction bipolar transistor, in which a GaAs base layer 14 and a GaAs emitter cap layer 12 are formed on a GaAs substrate 17 via an InGaP emitter layer 13, an interface between the InGaP emitter layer 13 is doped with a prescribed amount of Se; and the GaAs emitter cap layer 12 and GaAs base layer 14, whereby recombinations near the InGaP emitter layer 13 are decreased.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１７上にＩｎＧａＰエミッタ層１３を介してＧａＡｓベース層１４およびＧａＡｓエミッタキャップ層１２を形成してなるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、ＩｎＧａＰエミッタ層１３とＧａＡｓエミッタキャップ層１２およびＧａＡｓベース層１４との界面に所定の量のＳｅをドープすることにより、ＩｎＧａＰエミッタ層１３近傍における再結合が減少する。 - 特許庁

A first doped layer 6 of n-GaAs, a side-etching prevention layer 7 of Al0.22Ga0.78As, and a second doped layer 8 of n-GaAs, are sequentially grown on a layer 5 of n-Al0.22Ga0.78As.例文帳に追加

ｎ−Ａｌ_0.22Ｇａ_0.78Ａｓ層５上にｎ−ＧａＡｓ第１ドープ層６、Ａｌ_0.22Ｇａ_0.78Ａｓサイドエッチング防止層７およびｎ−ＧａＡｓ第２ドープ層８が順に積層される。 - 特許庁

A conductive layer 17 consisting of the n-type GaAs layer is formed on the resistance layer 13 via a high resistance barrier layer 16 consisting of the i-type GaAs layer.例文帳に追加

この抵抗層１３上には、ｉ型ＧａＡｓ層からなる高抵抗バリア層１６を介して、ｎ型ＧａＡｓ層からなる導電層１７が形成されている。 - 特許庁

To form a high-quality GaAs-based semiconductor crystal film using a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を用いてＧａＡｓ系の良質な半導体結晶膜を形成する。 - 特許庁

The process uses ammonia in order to form GaAs using nitrogen atoms.例文帳に追加

窒素原子を用いてＧａＡｓを形成するためにアンモニアを用いる方法である。 - 特許庁

The first layer 3 is provided on the surface of a GaAs semiconductor.例文帳に追加

第１の半導体層３は、ＧａＡｓ半導体の表面上に設けられている。 - 特許庁