an n-Alとは 意味・読み方・使い方

The deep UV source comprises: an Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 formed on an AlN layer 4; and an aluminum (Al) metal back layer 6 formed on the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5.例文帳に追加

深紫外光源は、AlN層４上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５上に形成されたアルミニウム（Al）メタルバック層６よりなる。 - 特許庁

Further, in nitriding treatment, the compositional ratio of an (Al, Si) N inhibitor is controlled.例文帳に追加

また、窒化処理において（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎインヒビターの組成比の調整を行う。 - 特許庁

An Al/Ti/Pt/Au multiple metal layer 32, an AuSn solder layer 33, an Au/Ni/Al/Ti multiple metal layer 15, an n^+ contact layer (n^+-GaN) 14, and a drift part (n-GaN) 13 are formed on an n-type Si substrate 31.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板３１上に、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ多重金属層３２、ＡｕＳｎはんだ層３３、Ａｕ／Ｎｉ／Ａｌ／Ｔｉ多重金属層１５、ｎ^+コンタクト層（ｎ^+−ＧａＮ）１４、ドリフト部（ｎ−ＧａＮ）１３が形成されている。 - 特許庁

An n-electrode 30 composed of a Ti layer 31 and an Al layer 32 is formed on the n-type GaN layer 11.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層１１には、Ｔｉ層３１とＡｌ層３２とから成るｎ電極３０が形成されている。 - 特許庁

An Al composition x in the n-type clad layer 13, an Al composition y in the p-type clad layer 19, and an Al composition z in the n-type reflection retarding layer 12 satisfy a relationship of x<z and y<z.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１３におけるＡｌ組成ｘ、ｐ型クラッド層１９におけるＡｌ組成ｙ及びｎ型反射抑制層１２におけるＡｌ組成ｚは、ｘ＜ｚで且つｙ＜ｚの関係を満たす。 - 特許庁

At least a part of a top surface 8a of the semiconductor base layer 10 which is exposed in the trench 42 is an Al-doped nitride represented by In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0.00001≤y≤0.01, and 0<1-x-y≤1).例文帳に追加

トレンチ４２に露出する半導体下地層１０の表面８ａの少なくとも一部が、In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≦x≦1，0.00001≦y≦0.01，0＜1-x-y≦1)で示されるAlドープ窒化物である。 - 特許庁

To provide a method of making an (Al, Ga, In)N semiconductor device having a substrate and an active region.例文帳に追加

基板および活性領域を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ半導体デバイスの作製方法が提供される。 - 特許庁

An amount of Al, N, Mo, B, Nb, V having an effect fine dispersing the carbide is specified.例文帳に追加

また、炭化物を微細に分散させる効果があるＡｌ、Ｎ、Ｍｏ、Ｂ、Ｎｂ、Ｖの量を規定する。 - 特許庁