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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Gate Typeに関連した英語例文

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Gate Typeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3553



例文

INSULATED-GATE-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

INSULATED GATE-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

絶縁ゲイト型半導体装置及びその作製方法 - 特許庁

SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

例文

INSULATED-GATE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁


例文

To provide an insulated gate type field effect transistor capable of improving reliability in a gate insulating film, and to provide a method of manufacturing the insulated gate type field effect transistor.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の信頼性を向上させることが可能な絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a gate valve whose lateral length is approximately the same as that of a rocking type gate valve, and vertical length is shorter than that of the rocking type gate valve.例文帳に追加

横方向の長さが揺動形ゲートバルブと略同じで、縦方向の長さを揺動形ゲートバルブよりも短くすることを課題とする。 - 特許庁

To effectively control gate dimensions in a semiconductor device during etching wherein both N-type polysilicon gate and P-type polysilicon gate are arranged simultaneously.例文帳に追加

N型ポリシリコンゲート及びP型ポリシリコンゲートの両ゲートが同時に配置された半導体装置のゲート寸法を制御よくエッチング形成する。 - 特許庁

The gate electrode 5 forms p-type and n-type channels on the trench surface depending on a gate voltage applied from the gate drive circuit 10.例文帳に追加

このゲート電極5は、ゲート駆動回路10から印加するゲート電圧に応じてp型及びn型のチャネルをトレンチ表面に形成する。 - 特許庁

例文

The protection circuit has a planar gate horizontal type offset P-channel MOSFET and the conductivity type of its gate electrode 10 is an N type.例文帳に追加

また、保護回路がプレーナゲート横型オフセットPチャネルMOSFETを備え、そのゲート電極10の導電型をN型とする。 - 特許庁

例文

The gate electrode 19 of the insulating gate type semiconductor element is connected to a gate bus line 23 connected to a gate connecting electrode and extended from the gate bus line 23 in belt-shape.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体素子のゲート電極19は、ゲート接続電極に接続されたゲートバスライン23に接続され、これから帯状に延伸している。 - 特許庁

To prevent the destruction of a gate insulating film, in a trench gate type SiC (silicon carbide) semiconductor device.例文帳に追加

トレンチゲート型のSiC半導体装置において、ゲート絶縁膜の破壊を防止する。 - 特許庁

N-type gate electrodes 5 are embedded in the trenches T respectively through the intermediary of gate insulating films 4.例文帳に追加

トレンチTにゲート絶縁膜4を介してN型のゲート電極5が埋め込まれている。 - 特許庁

The gate discharge structure body includes an integrated type pipe having a gate discharge opening therein.例文帳に追加

ゲート排出構造物はその中にゲート排出開口部をもつ一体式の管を含む。 - 特許庁

Dividing the alley into the outside and inside, Chumon gate or nakakuguri (a type of middle gate used to divide an outer tea garden from an inner tea garden) on the border. 例文帳に追加

路地を外と内に分け、その境に中門または中潜りを置く。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A gate insulating film 110 for bottom gate is provided so as to cover a gate electrode 201 of a bottom gate type TFT 200 and a surface of a substrate 100.例文帳に追加

ボトムゲイト型TFT200のゲイト電極201と基板100表面を覆って、ボトムゲイト用ゲイト絶縁膜110が設けられる。 - 特許庁

To prevent the occurrence of gate leakage current and to reduce gate capacitance, in a method of manufacturing a trench-gate type transistor.例文帳に追加

トレンチゲート型トランジスタの製造方法において、ゲートリーク電流の発生を防止すると共に、ゲート容量を低減する。 - 特許庁

PARKING LOT CONTROL DEVICE PROVIDED WITH GATE BAR ABNORMALITY DETECTOR OF GATE TYPE PARKING LOT AND GATE BAR ABNORMALITY DETECTOR例文帳に追加

ゲート式駐車場の遮断バー異常検知機能を備えた駐車場管理機器及び遮断バー異常検知装置 - 特許庁

To reduce gate capacitance, to suppress the occurrence of and to improve a gate withstand voltage in a trench gate type transistor.例文帳に追加

トレンチゲート型トランジスタにおいて、ゲート容量の低減、結晶欠陥の発生の抑止、及びゲート耐圧の向上を図る。 - 特許庁

The gate insulator is inserted between the metal gate and the n-type semiconductor region, and carriers tunnel through the metal gate and the n-type semiconductor region.例文帳に追加

ゲート絶縁体は、メタルゲートとn型半導体領域との間に挿入され、メタルゲートとn型半導体領域とを通りキャリアはトンネリングする。 - 特許庁

In the insulated gate type bipolar transistor, a triangular voltage generated in an engine control unit is applied to a gate electrode of the insulated gate type bipolar transistor.例文帳に追加

前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、エンジンコントロールユニットで発生した三角波電圧が前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのゲート電極に印加される。 - 特許庁

With this configuration, the region width (effective gate width) where the boundary line between the N-type region 14 and the P-type region 16 and the gate electrode 24 cross each other is made larger than the gate width of the gate electrode 24.例文帳に追加

これにより、N型領域14とP型領域16の境界線とゲート電極24が交差する領域幅(実効ゲート幅)が、ゲート電極24のゲート幅よりも大きくなる。 - 特許庁

SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

INSULATION GATE TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE OF INSULATED GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲ—ト型電界効果トランジスタの集積回路装置 - 特許庁

BOTTOM GATE TYPE ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ボトムゲート型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To increase ESD tolerance of a gate-off-transistor type ESD protection element.例文帳に追加

オフトラ型ESD保護素子のESD耐量を増加する。 - 特許庁

TRENCH GATE TYPE POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

トレンチゲート型パワー半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

SWING GATE FOR LOCKOUT DEVICE IN BENDING TYPE CUTTING AND STAPLING INSTRUMENT例文帳に追加

湾曲型カッターステープラ内のロックアウト装置用スイングゲート - 特許庁

MOLDING METHOD AND VALVE GATE TYPE MOLD APPARATUS USED THEREIN例文帳に追加

成形方法およびこれに用いるバルブゲート式金型装置 - 特許庁

VALVE GATE TYPE MOLD ASSEMBLY AND MOLDING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

バルブゲート式金型装置およびこれを用いた成形方法 - 特許庁

DOUBLE-GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

二重ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

GATE VALVE FOR HOT RUNNER TYPE MOLD AND INJECTION MOLDING METHOD例文帳に追加

ホットランナー型金型用ゲートバルブ及び射出成形方法 - 特許庁

MOLDING METHOD AND VALVE GATE TYPE MOLDING APPARATUS例文帳に追加

成形方法およびこれに用いるバルブゲート式金型装置 - 特許庁

INSULATED GATE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

INSULATED GATE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

INSULATED GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

The mesh-type gate electrode is arranged on the surface of a substrate.例文帳に追加

メッシュ型のゲート電極は、基板の表面に配置される。 - 特許庁

SURVEILLANCE SYSTEM FOR FLOATING BODY TYPE ROOF GATE FACILITY WITH ACTUATOR例文帳に追加

作動装置付浮体式起伏型ゲート設備の監視システム - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MOS GATE TYPE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

MOSゲート型炭化珪素半導体装置の製造方法 - 特許庁

To reduce leakage current of a multi-gate type pixel transistor.例文帳に追加

マルチゲート型の画素トランジスターのリーク電流を低減する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT WITH RECESS-TYPE CONTROL GATE ELECTRODE例文帳に追加

リセスタイプの制御ゲート電極を備える半導体メモリ素子 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BULB TYPE RECESS GATE例文帳に追加

バルブ型リセスゲートを有する半導体素子の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF INSULATED GATE TYPE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製方法 - 特許庁

A gate electrode 11 is electrically connected with the p-type upper epitaxial layer 5 through the p-type lower epitaxial layer 3 and a p^+-type area 6.例文帳に追加

ソース領域7およびドレイン領域9は、n型エピタキシャル層4に接続されている。 - 特許庁

Then an n^--type gate silicon area 110 and an n^+-gate silicon area 111 are formed by injecting ions of n-type impurities into a part where a metal film 108 of the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 is removed ((f) in Fig.).例文帳に追加

N型ゲートシリコン層105及びP型ゲートシリコン層107の金属膜108が除去された部分に、N型不純物をイオン注入して、N^-型ゲートシリコン領域110及びN^+型ゲートシリコン領域111を形成する(図2(f))。 - 特許庁

To provide a movable gate type field effect transistor such that displacement of a movable gate electrode can be controlled.例文帳に追加

可動ゲート電極の変位を制御可能な可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

A pneumatic type waste gate actuator is installed between the waste gate valve assembly and the command valve 22.例文帳に追加

ウェーストゲート弁アセンブリと指令弁22の間に、空気圧式ウェーストゲートアクチュエータが設けられている。 - 特許庁

To provide an insulating gate type semiconductor having a trench gate structure with a high breakdown voltage and low ON-resistance.例文帳に追加

高耐圧かつ低オン抵抗なトレンチゲート構造の絶縁ゲート型半導体を提供する。 - 特許庁

例文

A gate electrode 8 is formed on the accumulation type channel layer 6 through a gate insulating film 5.例文帳に追加

蓄積型チャネル層6の上には、ゲート絶縁膜5を挟んでゲート電極8が設けられている。 - 特許庁




  
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