「Gate Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent p-type dopants from entering a gate insulation film.例文帳に追加

ｐ型不純物がゲート絶縁膜に進入することを防止する。 - 特許庁

To provide an MOS transistor with a mesh-type gate electrode.例文帳に追加

メッシュ型のゲート電極を有するＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

MOLDING METHOD AND VALVE GATE TYPE MOLD DEVICE USED FOR THE SAME例文帳に追加

成形方法およびこの方法に用いるバルブゲート式金型装置 - 特許庁

PRESSURE ACCUMULATION TYPE POWER GENERATION APPARATUS, AND HIGHLY AIRTIGHT GATE THEREIN例文帳に追加

蓄圧式発電設備および蓄圧式発電設備における高気密ゲート - 特許庁

To provide a split gate type flash memory and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an insulated gate type semiconductor element that can reduce RTS (Random Telegraph Signal) noise, and to provide an insulated gate type semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

ＲＴＳノイズを低減することが可能な絶縁ゲート型半導体素子、絶縁ゲート型半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

The readout gate 31, the gate insulation film 32, the n-type layer 22 and the n-type region 40 form a MOS transistor structure.例文帳に追加

読み出しゲート３１、ゲート絶縁膜３２、Ｎ型層２２およびＮ型領域４０によってＭＯＳトランジスタ構造が形成されている。 - 特許庁

DRIVE METHOD OF VOLTAGE DRIVING TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND GATE DRIVING CIRCUIT例文帳に追加

電圧駆動型半導体素子の駆動方法、及び、ゲート駆動回路 - 特許庁

MOS GATE TYPE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＯＳゲート型炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF TOP GATE TYPE THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜トランジスタ及びトップゲート型薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR WRITING DATA TO OPTICAL RECONSTRUCTION TYPE GATE ARRAY例文帳に追加

光再構成型ゲートアレイへのデータ書き込み方法および装置 - 特許庁

VEHICLE SHAPE DETECTION METHOD IN GATE-TYPE CAR WASHING MACHINE AND DEVICE THEREOF例文帳に追加

門型洗車機における車形検出方法及びその装置 - 特許庁

REVERSE BLOCKING INSULATED GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS FABRICATION METHOD例文帳に追加

逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

GATE DRIVE CIRCUIT AND METHOD OF VOLTAGE DRIVE TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路及び駆動方法 - 特許庁

A gate insulating film 5 and gate electrode 7a, 7b are formed on a p-type well 3 and an n-type well 4 formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１のｐ型ウェル３およびｎ型ウェル４上にゲート絶縁膜５、ゲート電極７ａ、７ｂを形成する。 - 特許庁

GATE ELECTRODE OF FIELD EMISSION TYPE ELECTRON SOURCE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電界放出型電子源のゲート電極およびその製造方法 - 特許庁

RECONFIGURATION CONTROLLER FOR OPTICAL RECONFIGURATION TYPE GATE ARRAY AND METHOD THEREOF例文帳に追加

光再構成ゲートアレイの再構成制御装置及びその方法 - 特許庁

To highly precisely and symmetrically form the notch of a notch type gate electrode.例文帳に追加

ノッチ型ゲート電極のノッチを精度良く対称的に形成する。 - 特許庁

Then, the p-type impurities in the gate electrodes 17' of the polysilicon films 17 are activated by heat treatment to obtain p-type gate electrodes.例文帳に追加

熱処理によって、ポリシリコン膜１７からなるゲート電極１７’中のｐ型不純物を活性化させ、ｐ型のゲート電極を得る。 - 特許庁

a type of Japanese gate that has two main pillars, each with two additional sub-pillars 例文帳に追加

2本の主柱にそれぞれ2本の副柱がある形式の門 - EDR日英対訳辞書

SUPPORTING METHOD FOR DOOR INSPECTION OF RISING AND FALLING TYPE SLUICE GATE AND DEVICE例文帳に追加

昇降式水門の扉体点検用支持方法及び装置 - 特許庁

HORIZONTAL-TYPE INSULATED-GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

横型絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその駆動方法 - 特許庁

In the trench 6, a p-type gate layer 9 made of GaN containing a p-type impurity is buried inside the n-type channel layer 8, and a gate electrode 10 is formed on an outermost surface 15 of the p-type gate layer 9.例文帳に追加

トレンチ６において、ｎ型チャネル層８の内側には、ｐ型不純物を含むＧａＮからなるｐ型ゲート層９が埋設されており、ｐ型ゲート層９の最表面１５には、ゲート電極１０が形成されている。 - 特許庁

To simultaneously optimize an on-resistance of a trench gate type transistor and a breakdown voltage of a planer type transistor.例文帳に追加

トレンチゲート型トランジスタのオン抵抗とプレーナ型トランジスタの耐圧とを同時に最適化する。 - 特許庁

A gate insulating film 118 is formed on the p-type well 114 and the n-type well 117.例文帳に追加

ｐ型ウェル１１４，及びｎ型ウェル１１７上にゲート絶縁膜１１８が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode is positioned via a gate insulation film on the p-type base, held between the n-type source layer and the n-type drain layer, and a drain electrode is formed on the surface of the p-type anode layer and the n-type drain layer.例文帳に追加

ｎ型ソース層とｎ型ドレイン層の間に挟まれたｐ型ベース上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が位置し、ｐ型アノード層とｎ型ドレイン層の表面にドレイン電極が形成される。 - 特許庁

The gate protection diode 30 includes a first p-type region 31, an n-type region 32, and a second p-type region 33.例文帳に追加

ゲート保護ダイオード３０は、第１のｐ型領域３１とｎ型領域３２と第２のｐ型領域３３とを含む。 - 特許庁

Then, the gate voltage of the N-type transistor is turned to a high voltage and the gate voltage of the P-type transistor is turned to a low voltage when transferring voltage signals, and the gate voltage of the N-type transistor is turned to a GND level and the gate voltage of the P-type transistor is turned to an intermediate voltage when not transferring the voltage signals.例文帳に追加

そして、電圧信号の転送時にＮ型トランジスタのゲート電圧を高電圧、Ｐ型トランジスタのゲート電圧を低電圧とし、また、電圧信号の非転送時にＮ型トランジスタのゲート電圧をＧＮＤレベル、Ｐ型トランジスタのゲート電圧を中間電圧にする。 - 特許庁

The n-type FET 10 includes n-type impurity diffusion layers 12, 13, a p-type impurity implantation region 14, a gate insulation film 15, and a gate electrode 16.例文帳に追加

Ｎ型ＦＥＴ１０は、Ｎ型不純物拡散層１２，１３、Ｐ型不純物注入領域１４、ゲート絶縁膜１５、およびゲート電極１６を含んでいる。 - 特許庁

In addition, a top gate-type TFT that is of the multi-gate structure and a top gate-type TFT that is of a single gate structure can be formed on the same substrate by merely changing the mask without increasing the number of processes.例文帳に追加

また、マスクを変更するだけで、工程数を増やすことなく、同一基板上に上記マルチゲート構造であるトップゲート型ＴＦＴとシングルゲート構造であるトップゲート型ＴＦＴを形成することができる。 - 特許庁

This gate turnoff thyristor includes: an n-type first emitter layer; a p-type first base layer; an n-type second base layer; and a p-type second emitter layer in this order.例文帳に追加

ｎ型の第１のエミッタ層、ｐ型の第１のベース層、ｎ型の第２のベース層、ｐ型の第２のエミッタ層をこの順に備える。 - 特許庁

To provide an insulated gate type field-effect transistor preventing gate insulation breakdown resulted from a gate insulating film and characteristic degradation by hot carrier.例文帳に追加

ゲート絶縁膜に起因するゲート絶縁破壊やホットキャリヤによる特性劣化を防止した絶縁ゲート型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor circuit device, which includes trench gate-type MOSFETs with each gate electrode completely embedded in a trench gate and which offers an excellent performance.例文帳に追加

トレンチゲートをゲート電極で完全に埋め込むトレンチゲート型ＭＯＳＦＥＴにおいて、パフォーマンスに優れた半導体回路装置を提供する。 - 特許庁

To improve a malfunction phenomenon due to the line delay between a gate driving circuit and a gate line of a gate-in-panel (GIP) type liquid crystal display device.例文帳に追加

ゲートインパネル(ＧＩＰ)型の液晶表示装置のゲート駆動回路及びゲート配線のラインディレーによる誤作動現象を改善する。 - 特許庁

This split-gate type memory cell 1 comprises a source region 2, drain region 3, channel region 4, floating gate electrode 5, and control gate electrode 6.例文帳に追加

スプリットゲート型メモリセル１は、ソース領域２、ドレイン領域３、チャネル領域４、浮遊ゲート電極５、制御ゲート電極６から構成される。 - 特許庁

REVERSE-BLOCKING INSULATING GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

This power source unit 10 realizes functions equivalent to that of a new gate device by utilizing an old type power source unit 62 in an old type gate device.例文帳に追加

電源ユニット１０により、旧型のゲーム装置の旧電源ユニット６２を利用して、新型のゲーム装置の同等の機能を実現する。 - 特許庁

A cut portion 33 is formed in a border region BR between the N-type and P-type gate portions on a side surface 31 of the gate electrode 30.例文帳に追加

ゲート電極３０の側面３１には、Ｎ型及びＰ型ゲート部分の境界領域ＢＲに切り欠き部３３が設けられている。 - 特許庁

To properly and selectively control a work function of a tantalum carbide film in an insulated gate-type semiconductor device, related to a method of manufacturing the insulated gate-type semiconductor device.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法に関し、炭化タンタル膜の仕事関数を適正に選択的に制御する。 - 特許庁

These circuits are formed using dual gate type TFTs.例文帳に追加

この際、デュアルゲート型のＴＦＴを用いて、これらの回路を形成する。 - 特許庁

INSULATED GATE TYPE ELECTRIC FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

A part of the n- type impurity region overlaps the gate electrode.例文帳に追加

ｎ- 型不純物領域の一部は、ゲート電極とオーバーラップされている。 - 特許庁

INSULATED GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND INVERTER CIRCUIT例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法、並びに、インバータ回路 - 特許庁

DATA WRITING DEVICE AND DATA WRITING METHOD FOR OPTICAL RECONSTRUCTION TYPE GATE ARRAY例文帳に追加

光再構成型ゲートアレイのデータ書込装置及びデータ書込方法 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING INSULATION-GATE TYPE TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE INSULATION-GATE-TYPE TRANSISTOR, DEVICE FOR EVALUATING CHARACTERISTIC OF INSULATION-GATE TYPE TRANSISTOR, AND COMPUTER READER WITH CHARACTERISTIC EVALUATION PROGRAM RECORDED THEREIN例文帳に追加

絶縁ゲート型トランジスタの特性評価方法、絶縁ゲート型トランジスタの製造方法、絶縁ゲート型トランジスタの特性評価装置、および特性評価プログラムを記録してあるコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁