「Gate Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a trench-gate-type semiconductor device having high flatness of a gate electrode, with a high-dielectric film as a gate insulating film.例文帳に追加

高誘電体膜をゲート絶縁膜とし、ゲート電極の平坦性が高いトレンチゲート形半導体装置を提供する。 - 特許庁

The gate electrodes 15 and 25 are constituted of p-type SiGe or p-type Ge.例文帳に追加

ゲート電極１５，２５はｐ型ＳｉＧｅまたはｐ型Ｇｅにより構成されている。 - 特許庁

To obtain a split-gate type memory cell having superior erasure characteristics.例文帳に追加

消去特性の優れたスプリットゲート型メモリセルを提供する。 - 特許庁

The gate is formed on the first conductivity type substrate.例文帳に追加

１つのゲートは、第１の１つの導電型基板に形成される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GATE OF STACK FLASH TYPE FLASH EEPROM CELL例文帳に追加

スタックトゲート型フラッシュＥＥＰＲＯＭセルのゲート形成方法 - 特許庁

ASSEMBLING-TYPE LIGHT-WEIGHT GATE BOARD, AND RESIN-MADE PLATE USED THEREFOR例文帳に追加

組立式軽量煽り板およびそれに用いる樹脂製板 - 特許庁

A diffusion layer of memory cell and the selective gate transistor is n-type.例文帳に追加

メモリセル及び選択ゲートトランジスタの拡散層は、ｎ型である。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND INSULATING GATE TYPE OF POWER ELEMENT例文帳に追加

半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型パワー素子 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR DETECTING VEHICLE BODY IN GATE TYPE CAR WASHING MACHINE例文帳に追加

門型洗車機における車体検出方法及び装置 - 特許庁

TOP GATE TYPE THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME例文帳に追加

トップゲート型薄膜トランジスタ及びこれを備えた表示装置 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a split gate type flash memory device.例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

DRIVING DEVICE OF INSULATING GATE TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD THEREOF例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体素子の駆動装置およびその方法 - 特許庁

The gate terminals of the p-type transistor constituting each inverter circuit are connected to the gate terminal of the p-type transistor P0.例文帳に追加

それぞれのインバータ回路を構成するｐ型トランジスタのゲート端子は、ｐ型トランジスタＰ０のゲート端子に接続されている。 - 特許庁

First, gate structures 2 and 3 are formed on a p-type substrate 1.例文帳に追加

まず、ｐ型基板１上に、ゲート構造２，３を形成する。 - 特許庁

To simplify a manufacturing process of a trench gate type semiconductor device.例文帳に追加

トレンチゲート型半導体装置の製造工程を簡略化する。 - 特許庁

DISTRIBUTION MANAGEMENT SYSTEM, GATE TYPE READER DEVICE, AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

物流管理システム、ゲート型リーダ装置およびその作動方法 - 特許庁

To reduce on-resistance related to a trench gate type semiconductor device.例文帳に追加

トレンチゲート型半導体装置において、オン抵抗を低減する。 - 特許庁

STACK GATE-TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スタックゲート型不揮発性半導体メモリ、及びその製造方法 - 特許庁

TRENCH TYPE MOS GATE ELEMENT HAVING STRAINED LAYER ON TRENCH SIDE WALL例文帳に追加

トレンチ側壁にひずみ層を有するトレンチ型ＭＯＳゲート素子 - 特許庁

The n-type gate electrode 9A and the p-type gate electrode 9B are electrically connected via the metal silicide film 12.例文帳に追加

ｎ型ゲート電極９Ａとｐ型ゲート電極９Ｂとは、金属シリサイド膜１２を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

DUAL-GATE TYPE CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

デュアルゲート型ＣＭＯＳ半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

The film thickness of a gate electrode 106a of an NMOS type element is smaller than that of a gate electrode 106b of a PMOS type element.例文帳に追加

ＮＭＯＳ型素子のゲート電極１０６ａの膜厚はＰＭＯＳ型素子のゲート電極１０６ｂの膜厚よりも薄い。 - 特許庁

NONCONTACT TICKET AND NONCONTACT TYPE AUTOMATIC TICKET GATE例文帳に追加

非接触券及びそれを処理する非接触式自動改札機 - 特許庁

The power MOSFET is a trench gate vertical P-channel MOSFET, and the conductivity type of its gate electrode 6 is a P-type.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴがトレンチゲート縦型ＰチャネルＭＯＳＦＥＴであって、そのゲート電極６の導電型をＰ型とする。 - 特許庁

NON-CONTACT TYPE AUTOMATIC TICKET GATE USED IN TICKET EXAMINATION PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

改札処理システムで用いられる非接触式自動改札機 - 特許庁

SPLIT GATE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スプリットゲート型不揮発性メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a highly reliable insulating gate type semiconductor element.例文帳に追加

信頼性の高い絶縁ゲート型半導体素子を提供する。 - 特許庁

Insulator films 5 are formed between a memory gate electrode MG of a split gate type nonvolatile memory and a p-type well PW1, and between a control gate electrode CG and the memory gate electrode MG.例文帳に追加

スプリットゲート型の不揮発性メモリのメモリゲート電極ＭＧとｐ型ウエルＰＷ１との間および制御ゲート電極ＣＧとメモリゲート電極ＭＧとの間には、絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁

The gate electrode includes at least a first gate electrode 14 exhibiting N-type conductivity, a second gate electrode 15 exhibiting P-type conductivity, and a third gate electrode 14a formed between the first gate electrode 14 and the second gate electrode 15.例文帳に追加

ゲート電極は、少なくとも、Ｎ型の導電性を示す第１のゲート電極１４と、Ｐ型の導電性を示す第２のゲート電極１５と、第１のゲート電極１４及び第２のゲート電極１５の間に形成された第３のゲート電極１４ａとを有している。 - 特許庁

After a gate oxide film 3 is formed on the upper layer of a low-density P-type semiconductor substrate 1, a P-type gate electrode 4 is formed on the upper layer of the gate oxide film 3.例文帳に追加

低濃度Ｐ型の半導体基板１の上層にゲート酸化膜３を形成した後、ゲート酸化膜３上層にＰ型のゲート電極４を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 102 is formed on an Si substrate 101, and an n-type gate silicon layer 105 and a p-type gate silicon layer 107 are formed thereupon in different areas.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を形成し、その上に、領域を分けて、Ｎ型ゲートシリコン層１０５とＰ型ゲートシリコン層１０７とを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an influence of a step of a gate electrode of a bottom gate type transistor (bottom gate type TFT) is reduced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ボトムゲート型トランジスタ（ボトムゲート型ＴＦＴ）において、ゲート電極の段差の影響を低減した半導体装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

This valve gate type mold assembly is equipped with a gate 73 for allowing a material passage 42 to communicate with a cavity 23 and a valve sleeve 71 for opening and closing the gate 73.例文帳に追加

材料通路４２をキャビティ２３へ連通させるゲート７３と、このゲート７３を開閉するバルブスリーブ７１とを備える。 - 特許庁

To improve reliability of a gate insulating film in a MOS-type transistor having a gate electrode and an extremely thin gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極と極薄のゲート絶縁膜とを有するＭＯＳ型のトランジスタにおけるゲート絶縁膜の信頼性を向上させる。 - 特許庁

The injection mold is a pinpoint gate type injection mold and has the gate bush 13 of the gate part capable of being inserted from a parting surface 30.例文帳に追加

ピンポイントゲート方式の射出成形金型において、パーティング面３０より挿入可能なゲート部分のゲートブッシュ１３を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the trench gate type semiconductor device comprises the steps of removing all oxide film after forming a trench, then forming a gate insulating film, and filling the gate electrode in the trench.例文帳に追加

トレンチ形成後、全ての酸化膜を除去し、その後、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極をトレンチ内に充填する。 - 特許庁

To make sharper the acute angle section of a floating gate that opposes an erase gate, in a split-gate type nonvolatile semiconductor storage.例文帳に追加

スプリットゲート型の不揮発性半導体記憶装置において、消去ゲートと対向するフローティングゲートの鋭角部をより尖らせること。 - 特許庁

SPLIT GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH DOUBLE FLOATING GATE STRUCTURE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

ダブルフローティングゲート構造を持つスプリットゲート型不揮発性半導体メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

To provide a gate driving circuit for shortening a switching period without destroying a gate type semiconductor element.例文帳に追加

ゲート型半導体素子を破壊することなくスイッチング期間を短くするゲート駆動回路を提供する。 - 特許庁

The P-type MOS transistor 12 has a second gate insulating film 41 and a second gate electrode 42.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１２は、第２のゲート絶縁膜４１と第２のゲート電極４２とを有している。 - 特許庁

The part under the N+ type part 131 of the gate electrode 13 is turned into an offset part 16 of self-alignment to the gate.例文帳に追加

ゲート電極１３のＮ^+ 型部分１３１下はゲートに自己整合的なオフセット部１６となる。 - 特許庁

An insulation gate-type field effect region includes a gate electrode 12a formed on the first principal plane.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果部は、第１主面に形成されたゲート電極１２ａを含んでいる。 - 特許庁

First conductivity-type impurity is injected into the sides of the gate electrode 4 with the gate electrode 4 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極をマスクとして、該ゲート電極の両側に第１導電型の不純物を注入する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a gate insulating film 22 and a gate electrode 23 are formed on an n-type semiconductor substrate 21.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板２１上にゲート絶縁膜２２及びゲート電極２３が形成されている。 - 特許庁

This level shifter is inserted between a gate line selector 6 and a gate line 3 of the active matrix type display device.例文帳に追加

このレベルシフタをアクティブマトリクス型表示装置のゲート線セレクタ６とゲート線３との間に挿入する。 - 特許庁