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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > High mobility groupの意味・解説 > High mobility groupに関連した英語例文

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High mobility groupの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 35



例文

The nucleic acids are selected from the group consisting of the genes for high mobility group (HMG) proteins.例文帳に追加

核酸は、HMGタンパク質の遺伝子から成る群から選択される。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR例文帳に追加

III族窒化物半導体高電子移動度トランジスタの製造方法 - 特許庁

PEPTIDE HAVING AFFINITY TO HIGH-MOBILITY GROUP PROTEIN例文帳に追加

ハイモビリティーグループタンパクと親和性を有するペプチド - 特許庁

METHOD AND REAGENT FOR MEASURING HIGH MOBILITY GROUP PROTEIN HMG-1 AND HMG-2例文帳に追加

HMG−1、HMG−2の測定方法及び測定試薬 - 特許庁

例文

NUCLEIC ACID SEQUENCE OF GENE ENCODING HMG PROTEIN (HIGH-MOBILITY GROUP PROTEIN) AND USE OF THE NUCLEIC ACID SEQUENCE例文帳に追加

HMG蛋白質(highmobilitygroupprotein)遺伝子の核酸配列およびそれらの使用 - 特許庁


例文

To provide a group III-V compound semiconductor having high electron density and high electron mobility.例文帳に追加

高電子密度、高電子移動度のIII−V族化合物半導体を提供する。 - 特許庁

The atheroma arteriosclerosis inhibitor includes a HMGB1 monoclonal antibody combined with a C tail of HMGB1 (High Mobility Group Box 1, B box 1 of a high migration rate group protein) as an active ingredient.例文帳に追加

HMGB1(High Mobility Group Box 1、高移動度群タンパク質のBボックス1)のCテイルに結合する抗HMGB1モノクローナル抗体を有効成分とするアテローム動脈硬化抑制剤。 - 特許庁

ADSORBENT, ADSORPTION METHOD AND ADSORBER OF HIGH MOBILITY GROUP PROTEIN例文帳に追加

ハイモビリティーグループ蛋白の吸着材、吸着方法および吸着装置 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

III族窒化物半導体高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

例文

The III-V group semiconductor device may be a high electron mobility transistor (HEMT) 170.例文帳に追加

また、3−5族半導体デバイスは高電子移動度トランジスタ(HEMT)170とすることができる。 - 特許庁

例文

To provide a communication terminal device enabling group communication having high mobility.例文帳に追加

高い機動性を持つグループ通信を可能とする通信端末装置を提供する。 - 特許庁

The invention relates to DNA-sequences, their use and the use of DNA-sequences of the MAG gene or genes encoding the HMG (high mobility group) proteins, agents for the treatment of various diseases including tumors, influencing the development of the vascular system, as well as for contraception and tissue regeneration, and appropriate kits and processes.例文帳に追加

血管系の形成に影響し、また避妊および組織を再生するための因子であるMAG遺伝子またはHMG蛋白質(high mobility group protein)遺伝子のDNA配列の使用、ならびに適切なキットおよび方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor element using a group III nitride semiconductor which realizes high mobility and high breakdown voltage and operates at a large current.例文帳に追加

高移動度と高耐圧を両立し、かつ大電流動作が可能なIII族窒化物半導体を用いた半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a high electron mobility transistor (HEMT) substrate substantially manufactured from a layer of group XIII element nitride.例文帳に追加

本発明は、第13族元素窒化物の層から本質的に製造される高電子移動度トランジスタ(HEMT)基板を提供する。 - 特許庁

To provide a high mobility group protein adsorbent carrier which can adsorb and remove inflammatory cytokine in addition to high mobility group protein in a body fluid, and thus can be used for treatment of hepatitis by blood purification, and a blood circulation column.例文帳に追加

体液中のハイモビリティーグループタンパクに加えて炎症性サイトカインを併せて吸着除去し、血液浄化療法による肝炎の治療に使用できるハイモビリティーグループタンパク吸着担体及び血液循環カラムを提供すること。 - 特許庁

To provide a method and a reagent for measuring a high mobility group protein HMG-1 and/or a high mobility group protein HMG-2 capable of sufficiently acquiring measurement sensitivity in the measurement of HMG-1 and/or HMG-2, and accurately measuring a low-concentration region with satisfactory reproducibility as a result.例文帳に追加

HMG−1及び/又はHMG−2の測定において、充分な測定感度を得ることが出来るようにし、その結果として、再現性がよく、低濃度域も正確に測定することができるHMG−1及び/又はHMG−2の測定方法及び測定試薬を提供する。 - 特許庁

The high mobility group protein adsorbent carrier for hepatitis treatment includes a functional group having an amino group which is introduced to the surface of a water-insoluble carrier.例文帳に追加

本発明は、水不溶性担体の表面に、アミノ基を有する官能基が導入されている、肝炎治療用のハイモビリティーグループタンパク吸着担体を提供する。 - 特許庁

The hydrophilic surface is obtained by forming a hydrophilic graft having high mobility by converting the hydrophobic group in the high molecular compound to hydrophilic group by irradiating the hydrophilic material precursor with energy.例文帳に追加

この親水性部材前駆体にエネルギーを付与し、高分子化合物中の疎水性基を親水性に変換することで、高い運動性を有する親水性グラフトが形成された親水性表面が得られる。 - 特許庁

To provide a high performance organic thin film device excellent in carrier mobility employing a π conjugated compound where a hydrocarbon aromatic group and an aromatic group containing fluorine are bonded as a charge transportation material.例文帳に追加

炭化水素芳香族基と含フッ素芳香族性基とが結合してなるπ共役化合物を電荷輸送材料として用いた、キャリア移動度等に優れる高性能な有機薄膜デバイスの提供。 - 特許庁

To enable high frequency improvement owing to an increased gain by obtaining compatibility between reduction of a current collapse and reduction of a parasitic capacitance, for example, between a gate and a drain in a HEMT (high electron mobility transistor) made of a group-III nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物半導体から構成されるHEMTに於いて、電流コラプスの低減化と、ゲート−ドレイン間等の寄生容量の低減化とを両立化させて、利得向上による高周波化を可能にする。 - 特許庁

To provide stably an epitaxial substrate used in a high electron-mobility having a low sheet resistivity, composed of a group III nitride on a sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板上において、III族窒化物から構成される低いシート抵抗値を持つ高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル基板を安定して提供する。 - 特許庁

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE BASED TRANSISTOR例文帳に追加

高電子移動度トランジスタ、電界効果トランジスタ、エピタキシャル基板、エピタキシャル基板を作製する方法およびIII族窒化物系トランジスタを作製する方法 - 特許庁

To provide a heterocyclic oligomer compound having a pentafluorosulfanyl group which has high electron stability and electron mobility and is stable in the atmosphere, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

電子の安定性や移動度が高く、大気中で安定なペンタフルオロスルファニル基を有する複素環オリゴマー化合物及びその製造方法の提供。 - 特許庁

Disclosed are a multiple-tumor aberrant growth (MAG) gene and multiple-tumor growth factor having a nucleotide sequence of any one of the strands of the members of high mobility group protein genes or LIM protein genes, including modified versions thereof.例文帳に追加

高速移動群タンパク質遺伝子またはLIMタンパク質遺伝子(これらの修飾体を含む)の成員の一つの鎖の一つのヌクレオチド配列を有する多重腫瘍異常生長(MAG)遺伝子および多重腫瘍成長因子。 - 特許庁

A group III nitride-based high electron mobility transistor (HEMT) 20 includes a GaN buffer layer 26, and an Al_yGa_1-yN(y=1 or ≒1) layer 28 exists on the GaN buffer layer 26.例文帳に追加

III族窒化物系高電子移動度トランジスタ(HEMT)20は、GaNバッファ層26を備えており、Ganバッファ層26上にAl_yGa_1−yN(y=1又は≒1)層28がある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has oxide on a surface of a group III nitride-based compound semiconductor, the interface level density of an interface between the group III nitride-based compound semiconductor and oxide being made small and the mobility being made high.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体の表面上に酸化物を備えた半導体装置であって、上記III族窒化物系化合物半導体と上記酸化物との間の界面の界面準位密度を小さくでき、移動度を高くできるものを提供すること。 - 特許庁

To provide a fullerene derivative which exhibits a high LUMO energy and a high open-circuit voltage based thereon, which is highly soluble in polymers, exhibits excellent charge mobility and charge separation ability, and includes an electron-donating group in the vicinity of the fullerene nucleus.例文帳に追加

高いLUMOエネルギーとそれに基づく高い開放端電圧を発揮するとともに、ポリマーへの相溶性が高く電荷移動度ならびに電荷分離能に優れた、フラーレン核に近接した電子供与性基を有するフラーレン誘導体を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor high electron mobility transistor and a manufacturing method thereof, achieving excellent contact resistance and current characteristics by preventing surface oxidation and carbon-contamination of an epitaxially grown layer and corrosion of an ohmic electrode.例文帳に追加

エピタキシャル成長層の表面酸化やカーボン汚染を防ぐとともに、オーミック電極の腐食を防ぐ事で、コンタクト抵抗や電流などの特性に優れた、III族窒化物半導体高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

There provided is an improved electrophotographic imaging member having a single layer in which a high mobility charge transport molecule contains a combination of one or more hole (charge) transport molecules and electron transport molecules selected from a group consisting of an arylamine transport molecule, a terphenyl transport molecule and mixture thereof.例文帳に追加

高移動度電荷輸送分子が、アリールアミン系輸送分子、ターフェニル系輸送分子及びその混合物からなる群選択される1つまたは複数の正孔(電荷)輸送分子および電子輸送分子の組合せを含む単層を有する改良された電子写真画像形成部材が提供される。 - 特許庁

To provide a pharmaceutical composition and method for treating sepsis, including septic shock and ARDS (acute respiratory distress syndrome), comprising administering an effective amount of an antagonist to the HMG1 (high mobility group 1 protein).例文帳に追加

敗血症性ショックおよびARDS(急性呼吸促進症候群)を含めた敗血症を治療するための医薬組成物および方法であって、有効量のHMG1アンタゴニストを投与することを含む医薬組成物および方法の提供。 - 特許庁

The multi-tumor aberrant growth (MAG) gene and the multi-tumor growth factor, having the nucleotide sequence of any one of the strands of any one of the members of the high mobility group protein genes or LIM protein genes (including modified versions thereof), are provided.例文帳に追加

高速移動群タンパク質遺伝子またはLIMタンパク質遺伝子(これらの修飾体を含む)の成員の一つの鎖の一つのヌクレオチド配列を有する多重腫瘍異常生長(MAG)遺伝子および多重腫瘍成長因子。 - 特許庁

The invention provides a multi-tumor aberrant growth (MAG) gene and a multi-tumor growth factor having a nucleotide sequence of any one of the strands of members of a high mobility group protein gene or an LIM protein gene (including their modified versions).例文帳に追加

高速移動群タンパク質遺伝子またはLIMタンパク質遺伝子(これらの修飾体を含む)の成員の一つの鎖の一つのヌクレオチド配列を有する多重腫瘍異常生長(MAG)遺伝子および多重腫瘍成長因子。 - 特許庁

To provide a diamine compound polymer having a fused aromatic group which is easy to simultaneously maintain basic various performances required as a charge transport material, that is, mobility, quantum efficiency, productivity, stability, handling properties and the like at a high level and can be utilized in various organic electronic devices.例文帳に追加

電荷輸送材料として求められる基本的な諸性能、すなわち、モビリティー、量子効率、製造性、安定性、取り扱い性等を高いレベルで両立させることが容易で、種々の有機電子デバイスに利用可能な縮合芳香族基を有するジアミン化合物重合体を提供すること。 - 特許庁

To provide an antibody which bonds to human HMG (high mobility group protein)-1 but not to human HMG-2, and a immunological determination reagent and a immunological determination method of human HMG-1 which does not detect HMG-2, and in which correct measured HMG-1 value without error can be obtained, operation of determination is simple, and automatization is possible.例文帳に追加

ヒトHMG−1には結合するが、ヒトHMG−2には結合しない抗体、並びにHMG−2を測り込むことがなく、誤差を含まない正確なHMG−1の測定値を得ることができ、かつ測定の操作が簡便で、自動化も可能な、ヒトHMG−1の免疫学的測定試薬及び免疫学的測定方法を提供する。 - 特許庁

例文

In the high electron mobility transistor with a hetero junction structure formed with an electron supply layer 4 and an electron traveling layer 3 made of a nitride group compound semiconductor, at least the thickness of the part of the electron supply layer 4 beneath the gate is thinner than that of the electron supply layer 4 other than at least the part beneath the gate.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体からなる電子走行層3と電子供給層4のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層4の厚さが、前記少なくともゲート直下に相当する部分以外の電子供給層4の厚さよりも薄いことを特徴とする。 - 特許庁

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